JPH1012761A - Ｉｃのパッケージ、ｉｃのプローバ、コネクタ及びそれらの製造方法 - Google Patents

Ｉｃのパッケージ、ｉｃのプローバ、コネクタ及びそれらの製造方法

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JPH1012761A
JPH1012761A JP8162609A JP16260996A JPH1012761A JP H1012761 A JPH1012761 A JP H1012761A JP 8162609 A JP8162609 A JP 8162609A JP 16260996 A JP16260996 A JP 16260996A JP H1012761 A JPH1012761 A JP H1012761A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 低コストかつ小型で良好な電気特性を持つＩ
Ｃのパッケージ、大面積、多ピンのＩＣのプローバ、良
好な電気特性で接続するコネクタ及びそれらの製造方法
を提供する。 【解決手段】 バンプ１と呼ばれる、ＩＣなどの電極と
接触するための微小な突起の樹脂を、インジェクション
モールドで成型する際に有機基板２と同時に形成するこ
とで工数を削減し、コストダウンを行う。また、この有
機基板２にスルーホール３も形成することでＢＧＡ電極
ヘの配線を容易にし、多ピンでもＩＣのパッケージの外
形を小さくすることができる。このバンプ１を有する基
板を支持基板に接続してＩＣのプローバを作成する。ま
た、有機基板１の両面上にバンプを形成し、コネクタを
作成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＩＣのパッケージ、
ＩＣのプローバ、コネクタ及びそれらの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来用いられていたこの種のプローブカ
ードは、一般に図１４および図１５にて示す構成のもの
が、ＩＣのパッケージは一般に図１６にて示す構成のも
のが採用されていた。
【０００３】パッケージ化されていないＩＣ、ウエハ状
態のＩＣの検査のため図１４に示したタングステンプロ
ーブや図１５に示したメンブレンプローブなどにより接
続がされている。
【０００４】図１４は従来の技術のタングステンプロー
ブの模式的断面図であり、図中、符号１４２はタングス
テンピン、１４３はタングステンピン１４２を支持する
第１のピン支持部、１４４はタングステンピン１４２を
支持する第２のピン支持部、１４５は外部との接続部で
ある。タングステンプローブでは、長いタングステンピ
ン１４２を第１のピン支持部１４３と第２のピン支持部
１４４を用いて配列して、ＩＣにプロービングしてい
る。
【０００５】図１５は従来の技術のメンブレンプローブ
の模式的断面図であり、図中、符号１５６はポリイミド
フイルム、１５７は支持基板、１５８はエラストマー、
１５９は接点、１６０は配線である。メンブレンプロー
ブでは支持基板１５７にエラストマー１５８とポリイミ
ドのフイルム１５６を張り付けている。ポリイミドのフ
イルム１５６には銅などで形成した配線１６０と、半田
などを供給して作成した接点１５９がある。
【０００６】ＩＣのパッケージとしてはこれまで図１６
に示した樹脂モールドパッケージと呼ばれるものが使わ
れてきた。
【０００７】図１６は従来の技術のＤＩＰモールドパッ
ケージの模式的平断面図であり、図中、符号１６２はＩ
Ｃ、１６３はリードフレーム、１６４はエポキシ樹脂で
ある。これはＩＣ１６２の周囲にリードフレーム１６３
と呼ばれる金属の配線をおき、この電極とＩＣの電極を
ワイヤボンドで接続し、ＩＣの保護のためこれらをエポ
キシ樹脂１６４でモールドしたものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】タングステンプローブ
の場合、長いピン長による高周波での特性の悪さ、１ピ
ンずつ作成する必要があるためピンあたりのコストが高
い、外部との接続部１４５の接続ピッチは数ミリ程度と
ＩＣの電極のピッチ１００μｍに比ベ大きいので、複数
のＩＣに接続する場合などピン数が増えると接続部１４
５の空間的な制約のため接続できなくなるなどの問題が
ある。
【０００９】また、メンブレンプローブの場合、１０ｃ
ｍ×ｌ０ｃｍ程度、あるいはそれ以上の面積で全端子で
確実に接続することはウエハとプロープの高さばらつき
を吸収することが難しく、また多ピンで多くの配線を引
き回すことは配線エリアの制約とプローブカードと外部
との接続が難しい。
【００１０】一方、従来と同様のリードフレームを用い
たパッケージの方法では、外部電極をＢＧＡ（Ｂａｌｌ
Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）にする事は、その構造上不可
能となっている。一般にフリップチップと呼ばれている
方法でＩＣをパッケージに組み立てる際、これまでの方
法では基板やＩＣにバンプを形成したり、半田などの金
属を供給するなど、工程数が多く、高コストとなってい
る。またＩＣの電極数が多い場合、パッケージの電極ピ
ッチがアッセンブリ上から５００μｍ以上必要なため、
パッケージサイズが大きくなる。これらよりも小型のパ
ッケージとするため、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐ
ａｃｋａｇｅ）とＢＧＡを組み合わせたパッケージがあ
るが、いずれもワイヤボンディング、ボールバンプ、半
田供給などをする必要がある。
【００１１】上記従来技術の問題点に鑑み、本発明の目
的は、低コストかつ小型で良好な電気特性を持つＩＣの
パッケージ、大面積、多ピンのＩＣのプローバ、良好な
電気特性で接続するコネクタ及びそれらの製造方法を提
供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のＩＣのパッケー
ジは、有機基板上に基板と同じ材質でＩＣの電極との接
続用の突起を形成し、突起にメタライズして配線を形成
した構造を有する。
【００１３】また、基板端面に、配線基板の電極との接
続用の電極を配設した構造を有してもよい。
【００１４】また、基板内にスルーホールを配設し、基
板表面の突起と基板裏面の電極を接続した構造を有して
もよい。
【００１５】また、基板表面の電極に低融点金属を供給
し、ＩＣの電極と接続した構造を有してもよい。
【００１６】また、形成された突起の形状は錐形であっ
てもよい。
【００１７】また、基板の材料にＡＢＳ樹脂を用いてい
てもよく、また、液晶ポリマーを用いていてもよく、ま
た、エラストマーを用いていてもよい。
【００１８】本発明のＩＣのプローバは、有機基板上に
基板と同じ材質でＩＣの電極との接続用の突起を形成
し、突起にメタライズして配線を形成した構造を有す
る。
【００１９】また、基板端面に、配線基板の電極との接
続用の電極を配設した構造を有してもよい。
【００２０】また、基板内にスルーホールを配設し、基
板表面の突起と基板裏面の電極を接続した構造を有して
もよい。
【００２１】また、形成された突起の形状は錐形であっ
てもよい。
【００２２】また、基板の材料にＡＢＳ樹脂を用いてい
てもよく、また、液晶ポリマーを用いていてもよく、ま
た、エラストマーを用いていてもよい。
【００２３】本発明のコネクタは、有機基板の両面上に
基板と同じ材質でＩＣの電極との接続用の突起を形成
し、突起にメタライズして配線を形成した構造を有す
る。
【００２４】また、基板端面に、配線基板の電極との接
続用の電極を配設した構造を有してもよい。
【００２５】また、基板内にスルーホールを配設し、基
板表面の突起と基板裏面の電極を接続した構造を有して
もよい。
【００２６】また、形成された突起の形状は錐形であっ
てもよい。
【００２７】また、基板の材料にＡＢＳ樹脂を用いてい
てもよく、また、液晶ポリマーを用いていてもよく、ま
た、エラストマーを用いていてもよい。
【００２８】本発明のＩＣのパッケージまたはＩＣのプ
ローバまたはコネクタの製造方法は、金型に突起の形状
を加工し、金型に樹脂をモールドすることで、突起を形
成した基板を製造する。
【００２９】また、金型は、シリコンエッチピットある
いはエッチピットの形状を転写した金型であってもよ
い。
【００３０】また、金型と、ピンを配列した金型を用い
て、突起とスルーホールをもつ基板をモールドによって
形成してもよい。
【００３１】また、スルーホールを切断して端面の接続
用の電極を作成してもよい。
【００３２】本発明のＩＣのパッケージの製造方法は、
基板またはＩＣを研磨して薄くし、小型軽量のパッケー
ジを作成する。
【００３３】即ち、バンプと呼ばれる、ＩＣなどの電極
と接触するための微小な突起を、樹脂をインジェクショ
ンモールドで成型する際に基板と同時に形成することで
工数を削減し、コストダウンを行う。また、この基板に
スルーホールも形成することでＢＧＡ電極ヘの配線を容
易にし、多ピンでもパッケージの外形を小さくすること
ができる。また、突起の形状が錐形であることにより、
ＩＣの電極に金属酸化膜が生じた場合でも、その膜を破
って接続できる。また、短い配線長でエリアアレイのパ
ッケージを作成できるため、小型で良好な電気特性を持
つパッケージを作成できる。
【００３４】また、同様の基板を支持基板に接続してプ
ローブカードを作成することにより、多ピンで大面積の
プローブカードを安価に作成することができる。
【００３５】また、有機基板の両面上にバンプを形成
し、コネクタを作成することにより、エリアに配列され
た電極を良好な電気特性で接続することができる。
【００３６】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
【００３７】（第１の実施の形態）まず、本発明の第１
の実施の形態であるＩＣのパッケージ及びその製造方法
について図面を参照して説明する。
【００３８】図１はエッチピットを形成した基板の模式
的斜視図、図２はピットの模式的断面図、図３はモール
ド用ピン金型組立の模式的断面図、図４はピン金型の模
式的斜視図、図５は本発明の第１の実施の形態の基板の
模式的斜視図、図６は有機基板のメタライズパターンの
模式的平面図、図７は本発明の第１の実施の形態の基板
の模式的断面図、図８は本発明の第１の実施の形態のパ
ッケージの模式的断面図である。図１〜図８中、符号１
はＩＣなどの電極と接触するための微小な突起であるバ
ンプ、２はＡＢＳ樹脂をインジェクションモールドして
作成された有機基板、３は金型のピンによって形成され
たスルーホール、４はニッケル電解メッキ等により形成
されたバンプ電極、５は両面ＳｉＯ2 コートしたシリコ
ンウエハ、６は４角錐の形状のピット、７は接続用の電
極となる位置におかれた０．３ｍｍφ、ピッチ０．５ｍ
ｍ、長さ１ｍｍのピン、８はピン金型、９は銅の無電解
メッキによりつけられたメタライズ、２５は有機基板２
に接続されるＩＣ、２６は有機基板２とＩＣ２５の間の
空間に満たされる封止樹脂、２７はＩＣの電極、３８は
接続されるＩＣの電極の位置の正方形の開口である。
【００３９】図１に示すように、結晶の面方位（１０
０）面で研磨した、直径６インチ厚さ１ｍｍ、両面Ｓｉ
Ｏ2 コートしたシリコンウエハ５に、接続するＩＣの電
極の位置に正方形の開口３８を持つパターンをフォトレ
ジストで形成した。これをふっ酸で１０分間処理、レジ
スト剥離後水酸化カリウム３０％の溶液で３０分処理し
て結晶の面方位（１１１）面が出るまでエッチングし
て、図２に示すような４角錐の形状のピット６を形成し
た。ピットの形状は表面の開口部の大きさが１００μｍ
×１００μｍ、深さ７０．８μｍである。図３に示すよ
うに、このウエハ５を金型の片方として用い、図４に示
したもう片方の金型８には接続用の電極となる位置に
０．３ｍｍφ、ピッチ０．５ｍｍ、長さ１ｍｍのピン７
をおいたものを用いて、ＡＢＳ樹脂をインジェクション
モールドして図５に示した有機基板２を作成した。金型
８のピン７によってスルーホール３を形成したが、表面
にバリがあったためこのバリをＹＡＧのパルスレーザー
で除去した。この基板は厚み１ｍｍ、外形４０ｍｍ×４
０ｍｍ、バンプ１のピッチは２５０μｍ、突起の形状は
先端部が若干丸くなって、高さ６０μｍとなった。この
基板の表面をプラズマアッシャーで５分処理、配線を形
成しない部分にフォトリソグラフィーでレジストを形成
し、図６に示す様に銅の無電解メッキによりメタライズ
９を１０μｍつけた。その後レジストを剥離して、感光
性エポキシ樹脂をパターニングして電極以外の部分を覆
った。基板の周囲の電極を治具と接触させて、ニッケル
電解メッキ２μｍ、インジウム５０ｗｔ％―錫５０ｗｔ
％のメッキ１０μｍのバンプ電極４を形成した。基板の
スルーホールを半分にするように切断して１つ分の基板
を作成した。断面を図７に示す。ニッケルメッキ、金メ
ッキがしてある電極２７を持つＩＣ２５を位置あわせし
て１２０℃に加熱、１端子あたり２０ｇの力を加えて接
続した。図８に示すように、有機基板２とＩＣ２５の間
の空間にエポキシ樹脂３０ｗｔ％とシリカフィラー７０
ｗｔ％からなる封止樹脂２６をディスペンサーで満た
し、１５０℃で３０分放置して硬化させた。加熱して溶
融したインジウムー錫とＩＣ電極の金が相互に拡散して
融点が上昇するのでこの樹脂硬化のプロセスで加熱され
ても接点が溶けて離れることはない。こうして作成した
ＩＣのパッケージは基板の配線からＩＣの電極までの抵
抗が１０ｍΩ以下と小さく、−４０℃から１２５℃の熱
サイクル試験５００回でも破壊されない、信頼性に優れ
たものである。
【００４０】（第２の実施の形態）次に、本発明の第２
の実施の形態であるＩＣのパッケージ及びその製造方法
について図面を参照して説明する。
【００４１】図９は本発明の第２の実施の形態の基板の
エリアバンプの模式的平面図、図１０は図９の裏面の模
式的平面図であり、図中、符号９１はバンプ、９２は基
板、９３はスルーホール、９４はＢＧＡ電極である。
【００４２】第１の実施の形態と同様にレジストでパタ
ーニングしたシリコンウエハをふっ酸処理、アルカリで
エッチングしてピットを作成した。このウエハの表面に
スパッタで金薄膜を作成後、ニッケルメッキを５ｍｍし
てピットの形状を転写した。さらにこのメッキ膜を母型
として離型材の塗布、金スパッタ、ニッケルメッキを行
ってインジェクシヨンモールドの型を作成した。この金
型と、０．２ｍｍφ、長さ１ｍｍのピンを０．５ｍｍピ
ッチで１６列１６行並ベた金型を組み合わせ、ＡＢＳ樹
脂をインジェクシヨンモールドして外形１０ｍｍ×ｌ０
ｍｍの基板９２を成型した。スルーホール９３の周辺に
バリがでたので、これをＹＡＧのパルスレーザーで加工
して除去した。この基板９２をプラズマアッシヤーで５
分間表面、裏面を処理し、レジストを両面にパターニン
グ、銅の無電解メッキ１０μｍ、ニッケル無電解メッキ
２μｍ、金無電解メッキ０．５μｍした後、レジストを
剥離した。感光性のエポキシ樹脂で電極以外の部分を覆
い、治具にセットしてニッケル２μｍ、錫インジウムメ
ッキ１０μｍして基板９２を作成した。図９にこの基板
９２のバンプ９１のある面、図１０にその裏面でＢＧＡ
電極９４のある面を示す。こうして作成した基板９２と
ＢＧＡ電極９４にニッケル金メッキをしたＩＣを位置あ
わせ、１５０℃に加熱、加圧して接続した。基板９２と
ＩＣの間の空間とスルーホール９３内部ににエポキシ樹
脂とフィラーからなる封止樹脂を満たして１５０℃３０
分処理して硬化させた。こうして作成したＩＣのパッケ
ージは基板９２の配線からＩＣの電極までの抵抗が１０
ｍΩ以下と小さく、−４０℃から１２５℃の熱サイクル
試験５００回でも破壊されない信頼性に優れたものであ
る。さらに、外形はチップが８ｍｍ×８ｍｍのときに１
０ｍｍ×１０ｍｍとほとんど同じとなりパッケージを小
型化でき、裏面にＢＧＡ電極９４を０．５ｍｍピッチの
アレイ配列配置することで２５６ピンとパッケージサイ
ズを小さくして多ピンの接続が可能となった。
【００４３】（第３の実施の形態）次に、本発明の第３
の実施の形態であるＩＣのパッケージ及びその製造方法
について説明する。
【００４４】第２の実施の形態と同様に基板をインジェ
クションモールドで作成した後、基板を研磨して厚みを
０．３ｍｍまで薄くし、その後同様にレジスト形成、メ
ッキによって基板を作った。ＩＣと接続して樹脂封止、
チップも０．２ｍｍまで研磨することで、薄型、小型軽
量のパッケージを作成した。
【００４５】（第４の実施の形態）次に、本発明の第４
の実施の形態であるＩＣのプローバ及びその製造方法に
ついて図面を参照して説明する。
【００４６】図１１は本発明の第４の実施の形態のプロ
ーブカードの模式的断面図であり、図中、符号１１２は
多層配線基板、１１４はＩＣのウエハ検査用のプローブ
である。
【００４７】第２の実施の形態と同様に、シリコンウエ
ハにレジストをパターニングしてアルカリでエッチング
してピットを作成し、この型と直径０．２ｍｍφ、長さ
１ｍｍのピンを配列した金型をもちいて、ＡＢＳ樹脂を
インジェクションモールドして基板を作成した。この基
板にフォトレジストをパターニングし、無電解銅メッキ
１０μｍ、無電解ニッケルメッキ５μｍ、無電解金メッ
キ１μｍした後、レジストを剥離した。こうして作成し
たプローブ１１４を図１１に示すように多層配線基板１
１２に複数ならべてＩＣのウエハ検査用プローブを作成
した。電極表面に金メッキしたＩＣに対して、接続点あ
たりの加重１０ｇで、繰り返しコンタクト寿命５０００
００回以上、接続抵抗０．１Ω以下の安定した接続を得
ることができた。
【００４８】（第５の実施の形態）次に、本発明の第５
の実施の形態であるＩＣのプローバ及びその製造方法に
ついて図面を参照して説明する。
【００４９】図１１は本発明の第５の実施の形態のプロ
ーブカードの模式的断面図であり、図中、符号１１２は
多層配線基板、１１４はＩＣのウエハ検査用のプローブ
である。
【００５０】第４の実施の形態と同様に、シリコンウエ
ハにレジストをパターニングしてアルカリでエッチング
してピットを作成し、この型と直径０．２ｍｍφ、長さ
１ｍｍのピンを配列した金型をもちいて、ＡＢＳ樹脂を
インジェクションモールドして基板を作成した。この基
板にフォトレジストをパターニングし、無電解銅メッキ
１０μｍ、無電解ニッケルメッキ５μｍ、無電解ルテニ
ウムメッキ１μｍした。こうして作成したプローブ１１
４を図１１に示すように複数ならべてＩＣのウエハ検査
用プローブを作成した。電極がアルミニウムのＩＣに対
して、接続点あたりの加重１０ｇで、繰り返しコンタク
ト寿命５０００００回以上、接続抵抗０．１Ω以下の安
定した接続を得ることができた。
【００５１】（第６の実施の形態）次に、本発明の第６
の実施の形態であるコネクタ及びその製造方法について
図面を参照して説明する。
【００５２】図１２は両面にバンプを持つ基板の模式的
断面図、図１３は本発明の第６の実施の形態のコネクタ
の模式的断面図であり、図中、符号１２１はバンプ、１
２２は両面にバンプを持つ基板、１２３はスルーホー
ル、１２４はバンプ電極、１３２はガラスエポキシ基
板、１３５はガラスエポキシ基板１３２の電極である。
【００５３】第１の実施の形態で用いたウエハ５で作成
した型を２つ用い、ＡＢＳ樹脂をインジェクションモー
ルドして図１２の様に両面にバンプを持つ基板１２２を
作成した。レーザーで加工してスルーホール１２３を作
成した。これに第３の実施の形態と同様にパターニン
グ、メッキをして図１３に示したように２枚のガラスエ
ポキシ基板１３２の電極１３５を接続するコネクタとし
て用いた。
【００５４】（第７の実施の形態）次に、本発明の第７
の実施の形態であるＩＣのパッケージまたはＩＣのプロ
ーバまたはコネクタ及びそれらの製造方法について説明
する。
【００５５】ＡＢＳ樹脂の代わりに液晶ポリマーを用い
て第２または第３または第６の実施の形態と同様に基板
を作成し、接続点あたりの加重３０ｇで、繰り返しコン
タクト寿命５０００００回以上、接続抵抗０．０５Ω以
下の安定した接続を得ることができた。
【００５６】（第８の実施の形態）次に、本発明の第８
の実施の形態であるＩＣのパッケージまたはＩＣのプロ
ーバまたはコネクタ及びそれらの製造方法について説明
する。
【００５７】ＡＢＳ樹脂の代わりにエラストマーを用い
て第２または第３または第６の実施の形態と同様に基板
を作成し、接続点あたりの加重５ｇで、繰り返しコンタ
クト寿命５０００００回以上、接続抵抗０．１Ω以下の
安定した接続を得ることができた。
【００５８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ＩＣのパ
ッケージとして用いるばあい、基板作成と同時にバンプ
が形成されるため他の方法のようにバンプ形成の必要が
なく、低コストとなるという効果がある。
【００５９】第２の効果として、ＩＣのパッケージに用
いる場合、短い配線長でエリアアレイのパッケージを作
成できるため、小型で良好な電気特性を持つパッケージ
を作成できる。
【００６０】第３の効果として、配線基板に本発明の基
板を並ベてプローブカードを作成することにより、大面
積、多ピンのプローブカードを低コストで作成できる。
【００６１】第４の効果として、コネクタとして用いる
ことによりエリアに配列された電極を良好な電気特性で
接続することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】エッチピツトを形成した基板の模式的斜視図で
ある。
【図２】ピットの模式的断面図である。
【図３】モールド用ピン金型組立の模式的断面図であ
る。
【図４】ピン金型の模式的斜視図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態の基板の模式的斜視
図である。
【図６】有機基板のメタライズパターンの模式的平面図
である。
【図７】本発明の第１の実施の形態の基板の模式的断面
図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態のパッケージの模式
的断面図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態の基板のエリアバン
プの模式的平面図である。
【図１０】図９の裏面の模式的平面図である。
【図１１】本発明の第４及び第５の実施の形態のプロー
ブカードの模式的断面図である。
【図１２】両面にバンプを持つ基板の模式的断面図であ
る。
【図１３】本発明の第６の実施の形態のコネクタの模式
的断面図である。
【図１４】従来の技術のタングステンプローブの模式的
断面図である。
【図１５】従来の技術のメンブレンプローブの模式的断
面図である。
【図１６】従来の技術のＤＩＰモールドパッケージの模
式的平断面図である。
【符号の説明】
１、９１ バンプ ２ 有機基板 ３、９３、１２３ スルーホール ４ バンプ電極 ５ ウエハ ６ ピット ７ ピン ８ ピン金型 ９ メタライズ ２５ ＩＣ ２６ 封止樹脂 ２７ ＩＣの電極 ３８ 開口 ９２、１２２ 基板 ９４ ＢＧＡ電極 １１２ 多層配線基板 １１４ プローブ １３２ ガラスエポキシ基板 １３５ 電極 １４２ タングステンピン １４３ 第１のピン支持部 １４４ 第２のピン支持部 １４５ 接続部 １５６ ポリイミドフイルム １５７ 支持基板 １５８ エラストマー １５９ 接点 １６０ 配線 １６２ ＩＣ １６３ リードフレーム １６４ エポキシ樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｈ０１Ｒ 9/00 Ｈ０１Ｒ 9/00 Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｒ (72)発明者 嶋田 勇三 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内

Claims (35)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 有機基板上に該基板と同じ材質でＩＣの
    電極との接続用の突起を形成し、該突起にメタライズし
    て配線を形成した構造を有することを特徴とするＩＣの
    パッケージ。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載のＩＣのパッケージにお
    いて、 前記基板端面に、配線基板の電極との接続用の電極を配
    設した構造を有することを特徴とするＩＣのパッケー
    ジ。
  3. 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載のＩＣの
    パッケージにおいて、 前記基板内にスルーホールを配設し、前記基板表面の突
    起と前記基板裏面の電極を接続した構造を有することを
    特徴とするＩＣのパッケージ。
  4. 【請求項４】 請求項１から請求項３の何れか１項に記
    載のＩＣのパッケージにおいて、 前記基板表面の電極に低融点金属を供給し、ＩＣの電極
    と接続した構造を有することを特徴とするＩＣのパッケ
    ージ。
  5. 【請求項５】 請求項１から請求項４の何れか１項に記
    載のＩＣのパッケージにおいて、 形成された前記突起の形状は錐形であることを特徴とす
    るＩＣのパッケージ。
  6. 【請求項６】 請求項１から請求項５の何れか１項に記
    載のＩＣのパッケージにおいて、 前記基板の材料にＡＢＳ樹脂を用いていることを特徴と
    するＩＣのパッケージ。
  7. 【請求項７】 請求項１から請求項５の何れか１項に記
    載のＩＣのパッケージにおいて、 前記基板の材料に液晶ポリマーを用いていることを特徴
    とするＩＣのパッケージ。
  8. 【請求項８】 請求項１から請求項５の何れか１項に記
    載のＩＣのパッケージにおいて、 前記基板の材料にエラストマーを用いていることを特徴
    とするＩＣのパッケージ。
  9. 【請求項９】 有機基板上に該基板と同じ材質でＩＣの
    電極との接続用の突起を形成し、該突起にメタライズし
    て配線を形成した構造を有することを特徴とするＩＣの
    プローバ。
  10. 【請求項１０】 請求項９に記載のＩＣのプローバにお
    いて、 前記基板端面に、配線基板の電極との接続用の電極を配
    設した構造を有することを特徴とするＩＣのプローバ。
  11. 【請求項１１】 請求項９または請求項１０に記載のＩ
    Ｃのプローバにおいて、 前記基板内にスルーホールを配設し、前記基板表面の突
    起と前記基板裏面の電極を接続した構造を有することを
    特徴とするＩＣのプローバ。
  12. 【請求項１２】 請求項９から請求項１１の何れか１項
    に記載のＩＣのプローバにおいて、 形成された前記突起の形状は錐形であることを特徴とす
    るＩＣのプローバ。
  13. 【請求項１３】 請求項９から請求項１２の何れか１項
    に記載のＩＣのプローバにおいて、 前記基板の材料にＡＢＳ樹脂を用いていることを特徴と
    するＩＣのプローバ。
  14. 【請求項１４】 請求項９から請求項１２の何れか１項
    に記載のＩＣのプローバにおいて、 前記基板の材料に液晶ポリマーを用いていることを特徴
    とするＩＣのプローバ。
  15. 【請求項１５】 請求項９から請求項１２の何れか１項
    に記載のＩＣのプローバにおいて、 前記基板の材料にエラストマーを用いていることを特徴
    とするＩＣのプローバ。
  16. 【請求項１６】 有機基板の両面上に該基板と同じ材質
    でＩＣの電極との接続用の突起を形成し、該突起にメタ
    ライズして配線を形成した構造を有することを特徴とす
    るコネクタ。
  17. 【請求項１７】 請求項１６に記載のコネクタにおい
    て、 前記基板端面に、配線基板の電極との接続用の電極を配
    設した構造を有することを特徴とするコネクタ。
  18. 【請求項１８】 請求項１６または請求項１７に記載の
    コネクタにおいて、 前記基板内にスルーホールを配設し、前記基板表面の突
    起と前記基板裏面の電極を接続した構造を有することを
    特徴とするコネクタ。
  19. 【請求項１９】 請求項１６から請求項１８の何れか１
    項に記載のコネクタにおいて、 形成された前記突起の形状は錐形であることを特徴とす
    るコネクタ。
  20. 【請求項２０】 請求項１６から請求項１９の何れか１
    項に記載のコネクタにおいて、 前記基板の材料にＡＢＳ樹脂を用いていることを特徴と
    するコネクタ。
  21. 【請求項２１】 請求項１６から請求項１９の何れか１
    項に記載のコネクタにおいて、 前記基板の材料に液晶ポリマーを用いていることを特徴
    とするコネクタ。
  22. 【請求項２２】 請求項１６から請求項１９の何れか１
    項に記載のコネクタにおいて、 前記基板の材料にエラストマーを用いていることを特徴
    とするコネクタ。
  23. 【請求項２３】 請求項６から請求項８の何れか１項に
    記載のＩＣのパッケージの製造方法であって、 金型に前記突起の形状を加工し、該金型に樹脂をモール
    ドすることで、前記突起を形成した基板を製造すること
    を特徴とするＩＣのパッケージのコネクタの製造方法。
  24. 【請求項２４】 請求項２３に記載のＩＣのパッケージ
    の製造方法であって、 前記金型は、シリコンエッチピットあるいはエッチピッ
    トの形状を転写した金型であることを特徴とするＩＣの
    パッケージの製造方法。
  25. 【請求項２５】 請求項２４に記載のＩＣのパッケージ
    の製造方法であって、 前記金型と、ピンを配列した金型を用いて、前記突起と
    前記スルーホールをもつ基板をモールドによって形成す
    ることを特徴とするＩＣのパッケージの製造方法。
  26. 【請求項２６】 請求項２５に記載のＩＣのパッケージ
    の製造方法であって、 前記スルーホールを切断して端面の接続用の電極を作成
    することを特徴とするＩＣのパッケージの製造方法。
  27. 【請求項２７】 請求項２６に記載のＩＣのパッケージ
    の製造方法であって、 前記基板またはＩＣを研磨して薄くし、小型軽量のパッ
    ケージを作成することを特徴とするＩＣのパッケージの
    製造方法。
  28. 【請求項２８】 請求項１３から請求項１５の何れか１
    項に記載のＩＣのプローバの製造方法であって、 金型に前記突起の形状を加工し、該金型に樹脂をモール
    ドすることで、前記突起を形成した基板を製造すること
    を特徴とするＩＣのプローバの製造方法。
  29. 【請求項２９】 請求項２８に記載のＩＣのプローバの
    製造方法であって、 前記金型は、シリコンエッチピットあるいはエッチピッ
    トの形状を転写した金型であることを特徴とするＩＣの
    プローバの製造方法。
  30. 【請求項３０】 請求項２９に記載のＩＣのプローバの
    製造方法であって、 前記金型と、ピンを配列した金型を用いて、前記突起と
    前記スルーホールをもつ基板をモールドによって形成す
    ることを特徴とするＩＣのプローバの製造方法。
  31. 【請求項３１】 請求項３０に記載のＩＣのプローバの
    製造方法であって、 前記スルーホールを切断して端面の接続用の電極を作成
    することを特徴とするＩＣのプローバの製造方法。
  32. 【請求項３２】 請求項２０から請求項２２の何れか１
    項に記載のコネクタの製造方法であって、 金型に前記突起の形状を加工し、該金型に樹脂をモール
    ドすることで、前記突起を形成した基板を製造すること
    を特徴とするコネクタの製造方法。
  33. 【請求項３３】 請求項３２に記載のコネクタの製造方
    法であって、 前記金型は、シリコンエッチピットあるいはエッチピッ
    トの形状を転写した金型であることを特徴とするコネク
    タの製造方法。
  34. 【請求項３４】 請求項３３に記載のコネクタの製造方
    法であって、 前記金型と、ピンを配列した金型を用いて、前記突起と
    前記スルーホールをもつ基板をモールドによって形成す
    ることを特徴とするコネクタの製造方法。
  35. 【請求項３５】 請求項３４に記載のコネクタの製造方
    法において、 前記スルーホールを切断して端面の接続用の電極を作成
    することを特徴とするコネクタの製造方法。
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