JPH10135372A5 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH10135372A5 JPH10135372A5 JP1996305635A JP30563596A JPH10135372A5 JP H10135372 A5 JPH10135372 A5 JP H10135372A5 JP 1996305635 A JP1996305635 A JP 1996305635A JP 30563596 A JP30563596 A JP 30563596A JP H10135372 A5 JPH10135372 A5 JP H10135372A5
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- insulating substrate
- semiconductor element
- semiconductor
- connection portions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Description
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、以上の点を解決するために、次の構成を採用する。
〈構成〉
本発明は、四辺を有する半導体素子と、前記半導体素子の表面上に、前記四辺に沿って形成された複数の電極と、前記半導体素子を支持する絶縁基板と、前記複数の電極が形成された位置と対応するように、前記絶縁基板に形成された貫通部と、前記絶縁基板における前記半導体素子を支持する側の面とは反対側の面に、前記半導体素子に対応する領域内に形成された複数の接続部と、前記貫通部に挿通されて前記複数の電極と前記複数の接続部とをそれぞれ電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、前記半導体素子の一部と前記複数の接続部及び前記複数のボンディングワイヤとを封止する封止樹脂とを有することを特徴とする。
【課題を解決するための手段】
本発明は、以上の点を解決するために、次の構成を採用する。
〈構成〉
本発明は、四辺を有する半導体素子と、前記半導体素子の表面上に、前記四辺に沿って形成された複数の電極と、前記半導体素子を支持する絶縁基板と、前記複数の電極が形成された位置と対応するように、前記絶縁基板に形成された貫通部と、前記絶縁基板における前記半導体素子を支持する側の面とは反対側の面に、前記半導体素子に対応する領域内に形成された複数の接続部と、前記貫通部に挿通されて前記複数の電極と前記複数の接続部とをそれぞれ電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、前記半導体素子の一部と前記複数の接続部及び前記複数のボンディングワイヤとを封止する封止樹脂とを有することを特徴とする。
【０００５】
〈作用〉
本発明に係る半導体装置では、接続端子に接続される接続部は、絶縁基板の半導体素子を支持する面と反対側の面で、半導体素子に対応する領域に配列されており、絶縁基板の半導体素子の電極に対応する位置に設けられた挿通部にボンディングワイヤを挿通させ、このボンディングワイヤにより半導体素子の電極とこの電極に対応する接続部とが接続される。
従って、電極から接続部へ伸びるボンディングワイヤは、半導体素子の外方へ従来における程に大きく伸長することはなく、このボンディングワイヤおよび接続部を覆う樹脂封止部を、半導体素子からその外方周部へ従来のように大きく張り出させることなく、所定の必要部分を封止することができる。
〈作用〉
本発明に係る半導体装置では、接続端子に接続される接続部は、絶縁基板の半導体素子を支持する面と反対側の面で、半導体素子に対応する領域に配列されており、絶縁基板の半導体素子の電極に対応する位置に設けられた挿通部にボンディングワイヤを挿通させ、このボンディングワイヤにより半導体素子の電極とこの電極に対応する接続部とが接続される。
従って、電極から接続部へ伸びるボンディングワイヤは、半導体素子の外方へ従来における程に大きく伸長することはなく、このボンディングワイヤおよび接続部を覆う樹脂封止部を、半導体素子からその外方周部へ従来のように大きく張り出させることなく、所定の必要部分を封止することができる。
【００２８】
【発明の効果】
本発明に係る半導体装置では、前記したように、ボンディングワイヤを経て電極に接続される接続部は、半導体素子領域内に配置されていることから、電極から挿通部を経て、この接続部へ伸びるボンディングワイヤが、半導体素子の外方周部へ従来における程に大きく伸長することはない。
従って、本発明によれば、ボンディングワイヤおよび接続部を覆う樹脂封止部が、半導体素子からその外方周部へ従来のように大きく張り出すことがないことから、樹脂封止部のコンパクト化を図り、基板の平面形状のコンパクト化を図ることができ、これにより半導体装置のコンパクト化を達成することができる。
【発明の効果】
本発明に係る半導体装置では、前記したように、ボンディングワイヤを経て電極に接続される接続部は、半導体素子領域内に配置されていることから、電極から挿通部を経て、この接続部へ伸びるボンディングワイヤが、半導体素子の外方周部へ従来における程に大きく伸長することはない。
従って、本発明によれば、ボンディングワイヤおよび接続部を覆う樹脂封止部が、半導体素子からその外方周部へ従来のように大きく張り出すことがないことから、樹脂封止部のコンパクト化を図り、基板の平面形状のコンパクト化を図ることができ、これにより半導体装置のコンパクト化を達成することができる。
Claims (12)
- 四辺を有する半導体素子と、
前記半導体素子の表面上に、前記四辺に沿って形成された複数の電極と、
前記半導体素子を支持する絶縁基板と、
前記複数の電極が形成された位置と対応するように、前記絶縁基板に形成された貫通部と、
前記絶縁基板における前記半導体素子を支持する側の面とは反対側の面に、前記半導体素子に対応する領域内に形成された複数の接続部と、
前記貫通部に挿通されて前記複数の電極と前記複数の接続部とをそれぞれ電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、
前記半導体素子の一部と前記複数の接続部及び前記複数のボンディングワイヤとを封止する封止樹脂とを有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項１記載の半導体装置において、
前記貫通部は、前記半導体素子の前記四辺に沿って前記絶縁基板に形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項１記載の半導体装置において、
前記複数の接続部は、前記貫通部に沿って前記絶縁基板上に形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項１記載の半導体装置において、
前記貫通部は、前記半導体素子の前記四辺に沿って前記絶縁基板に形成され、前記複数の接続部は、前記貫通部に沿って前記絶縁基板上に形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項３又は４記載の半導体装置において、
前記複数の接続部は、前記貫通部に囲まれるように前記絶縁基板上に形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項１、３、４、５のいずれかに記載の半導体装置において、
前記複数の接続部は、その全てが前記絶縁基板上における前記半導体素子に対応する領域内に形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項１〜５のいずれか一つに記載の半導体装置において、
前記貫通部は長溝状に形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項１〜５、７のいずれか一つに記載の半導体装置において、
前記貫通部は、前記絶縁基板における前記半導体素子を支持する側の面とは反対側の面にテーパ部を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項１記載の半導体装置において、
前記複数の接続部にそれぞれ電気的に接続された複数の接続端子を更に備えることを特徴とする半導体装置。 - 請求項１記載の半導体装置において、
前記絶縁基板における前記半導体素子に対応する領域内に形成されて前記複数の接続部にそれぞれ電気的に接続された複数の接続端子を更に備えることを特徴とする半導体装置。 - 請求項１０記載の半導体装置において、
前記複数の接続端子は、前記絶縁基板上に形成された複数の導電パターンを介して前記複数の接続部に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項９〜１１のいずれか一つに記載の半導体装置において、
前記複数の接続端子は半田ボールであることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8305635A JPH10135372A (ja) | 1996-10-31 | 1996-10-31 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8305635A JPH10135372A (ja) | 1996-10-31 | 1996-10-31 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10135372A JPH10135372A (ja) | 1998-05-22 |
| JPH10135372A5 true JPH10135372A5 (ja) | 2004-10-21 |
Family
ID=17947512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8305635A Pending JPH10135372A (ja) | 1996-10-31 | 1996-10-31 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10135372A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4944427B2 (ja) * | 2005-11-09 | 2012-05-30 | 大成プラス株式会社 | Ｉｃタグの製造方法 |
| KR100713931B1 (ko) * | 2006-03-29 | 2007-05-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 고속 및 고성능의 반도체 패키지 |
-
1996
- 1996-10-31 JP JP8305635A patent/JPH10135372A/ja active Pending
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