JPH10135706A - 平面型フィルタ素子 - Google Patents
平面型フィルタ素子Info
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- JPH10135706A JPH10135706A JP29176696A JP29176696A JPH10135706A JP H10135706 A JPH10135706 A JP H10135706A JP 29176696 A JP29176696 A JP 29176696A JP 29176696 A JP29176696 A JP 29176696A JP H10135706 A JPH10135706 A JP H10135706A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数の共振素子を１軸方向にのみ長くするこ
となく、共振素子の段数を多くしてフィルタ特性を良好
にする。 【解決手段】 誘電体基板１上に形成される複数の共振
素子２は、第１列の共振素子群２０と第２列の共振素子
群２１に分離されており、第１列の共振素子群２０と第
２列の共振素子群２１は、結合用給電線２ｃを介して電
磁界結合されている。また、第１列の共振素子群２０と
第２列の共振素子群２１との間の不要な電磁界結合を遮
断するため、遮断部材６が設けられている。
となく、共振素子の段数を多くしてフィルタ特性を良好
にする。 【解決手段】 誘電体基板１上に形成される複数の共振
素子２は、第１列の共振素子群２０と第２列の共振素子
群２１に分離されており、第１列の共振素子群２０と第
２列の共振素子群２１は、結合用給電線２ｃを介して電
磁界結合されている。また、第１列の共振素子群２０と
第２列の共振素子群２１との間の不要な電磁界結合を遮
断するため、遮断部材６が設けられている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体基板の表面
に複数の共振素子が形成されてなる平面型のフィルタ素
子に関する。
に複数の共振素子が形成されてなる平面型のフィルタ素
子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の平面型フィルタ素子の構成を図９
に示す。誘電体基板１上に複数の共振素子２が多段に形
成されている。その左端には電気信号を入力するための
入力線２ａが形成され、右端には電気信号を取り出すた
めの出力線２ｂが形成されている。入力線２ａ、出力線
２ｂには、Ａｕ等の金属電極により構成された入力端子
３、出力端子４がそれぞれ設けられている。
に示す。誘電体基板１上に複数の共振素子２が多段に形
成されている。その左端には電気信号を入力するための
入力線２ａが形成され、右端には電気信号を取り出すた
めの出力線２ｂが形成されている。入力線２ａ、出力線
２ｂには、Ａｕ等の金属電極により構成された入力端子
３、出力端子４がそれぞれ設けられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記した複数の共振素
子２は、図９中のｘ軸方向に形成されるが、その共振素
子２の段数が少ないと、フィルタ素子の通過特性が図１
０（ａ）に示すようになり、スカート特性が低くなる。
この場合、図１０（ｂ）に示す理想的な通過特性を得る
ためには、共振素子２の段数を多くする必要がある。
子２は、図９中のｘ軸方向に形成されるが、その共振素
子２の段数が少ないと、フィルタ素子の通過特性が図１
０（ａ）に示すようになり、スカート特性が低くなる。
この場合、図１０（ｂ）に示す理想的な通過特性を得る
ためには、共振素子２の段数を多くする必要がある。
【０００４】しかしながら、共振素子２の段数を多くす
ると、複数の共振素子２の形成パターンが図９のｘ軸方
向に長くなり、１軸方向に長くなってフィルタ素子をコ
ンパクトに構成することができなるという問題がある。
本発明は上記問題に鑑みたもので、複数の共振素子を１
軸方向にのみ長くすることなく、共振素子の段数を多く
してフィルタ特性を良好にすることを目的とする。
ると、複数の共振素子２の形成パターンが図９のｘ軸方
向に長くなり、１軸方向に長くなってフィルタ素子をコ
ンパクトに構成することができなるという問題がある。
本発明は上記問題に鑑みたもので、複数の共振素子を１
軸方向にのみ長くすることなく、共振素子の段数を多く
してフィルタ特性を良好にすることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明においては、複数の共振素子
（２）を、平面的に対向配置された、第１列の共振素子
群（２０）と第２列の共振素子群（２１）に分離し、第
１列の共振素子群（２０）と第２列の共振素子群（２
１）とを結合用給電線（２ｃ）を介して電磁界結合する
ようにしたことを特徴としている。
め、請求項１に記載の発明においては、複数の共振素子
（２）を、平面的に対向配置された、第１列の共振素子
群（２０）と第２列の共振素子群（２１）に分離し、第
１列の共振素子群（２０）と第２列の共振素子群（２
１）とを結合用給電線（２ｃ）を介して電磁界結合する
ようにしたことを特徴としている。
【０００６】従って、複数の共振素子（２）を複数列に
分離しているから、複数の共振素子を１軸方向にのみ長
くすることなく、共振素子の段数を多くしてフィルタ特
性を良好にすることができる。なお、１つの誘電体基板
上に複数の共振素子を形成する場合、通常、超伝導材等
の導体を成膜してそれをパターニング形成するが、従来
のもののようにｙ軸方向に比べｘ軸方向だけを長くして
共振素子２を形成すると、ｘ軸方向の長さ分だけ成膜面
積が必要となるため成膜面積が大きくなるが、本発明に
よれば、複数の共振素子を複数列に分離しているから、
成膜面積を小さくすることができる。
分離しているから、複数の共振素子を１軸方向にのみ長
くすることなく、共振素子の段数を多くしてフィルタ特
性を良好にすることができる。なお、１つの誘電体基板
上に複数の共振素子を形成する場合、通常、超伝導材等
の導体を成膜してそれをパターニング形成するが、従来
のもののようにｙ軸方向に比べｘ軸方向だけを長くして
共振素子２を形成すると、ｘ軸方向の長さ分だけ成膜面
積が必要となるため成膜面積が大きくなるが、本発明に
よれば、複数の共振素子を複数列に分離しているから、
成膜面積を小さくすることができる。
【０００７】ここで、複数の共振素子（２）を、第１
列、第２列に分離して対向配置した場合、第１列の共振
素子群（２０）と第２列の共振素子群（２１）間で不要
な電磁界結合が生じてしまう可能性がある。このような
問題に対し、請求項２に記載の発明においては、第１列
の共振素子群（２０）と第２列の共振素子群（２１）と
の間に電磁界結合を遮断する遮断部材（６）を設けてい
る。従って、上記した不要な電磁界結合の影響をなく
し、フィルタ特性を良好にすることができる。
列、第２列に分離して対向配置した場合、第１列の共振
素子群（２０）と第２列の共振素子群（２１）間で不要
な電磁界結合が生じてしまう可能性がある。このような
問題に対し、請求項２に記載の発明においては、第１列
の共振素子群（２０）と第２列の共振素子群（２１）と
の間に電磁界結合を遮断する遮断部材（６）を設けてい
る。従って、上記した不要な電磁界結合の影響をなく
し、フィルタ特性を良好にすることができる。
【０００８】この遮断部材（６）としては、請求項３に
記載の発明のように、少なくとも第１列の共振素子群
（２０）と第２列の共振素子群（２１）に面する部分
を、接地された導電部材として構成することができる。
この場合、請求項４に記載の発明のように、導電部材を
グランドプレーン（５）に電気的に接続すれば、導電部
材を接地することができる。
記載の発明のように、少なくとも第１列の共振素子群
（２０）と第２列の共振素子群（２１）に面する部分
を、接地された導電部材として構成することができる。
この場合、請求項４に記載の発明のように、導電部材を
グランドプレーン（５）に電気的に接続すれば、導電部
材を接地することができる。
【０００９】また、請求項４に記載の発明のように、導
電部材を超伝導材で形成すれば、第１列の共振素子群
（２０）と第２列の共振素子群（２１）からの電波によ
りうず電流が発生しても、うず電流によるジュール損の
問題をなくすことができる。第１列の共振素子群（２
０）と第２列の共振素子群（２１）は、１つの誘電体基
板上に形成されるものに限らず、請求項６に記載の発明
のように、第１、第２の誘電体基板（１１、１２）上に
分離して設けることができる。
電部材を超伝導材で形成すれば、第１列の共振素子群
（２０）と第２列の共振素子群（２１）からの電波によ
りうず電流が発生しても、うず電流によるジュール損の
問題をなくすことができる。第１列の共振素子群（２
０）と第２列の共振素子群（２１）は、１つの誘電体基
板上に形成されるものに限らず、請求項６に記載の発明
のように、第１、第２の誘電体基板（１１、１２）上に
分離して設けることができる。
【００１０】この場合、請求項７に記載の発明のよう
に、結合用給電線（２ｃ）を第１、第２の結合用給電線
（２Ｃ1 、２Ｃ2 ）に分離し、その間を電気的な接続手
段（３２、３４、３５）にて接続して構成することがで
きる。なお、特許請求の範囲および課題を解決するため
の手段に記載した、「第１列の共振素子群（２０）と第
２列の共振素子群（２１）に分離する」とは、少なくと
も２列に分離されているの意であって、３列以上の複数
列に分離されている場合も、その内の第１列、第２列の
共振素子群がその部分に相当する。
に、結合用給電線（２ｃ）を第１、第２の結合用給電線
（２Ｃ1 、２Ｃ2 ）に分離し、その間を電気的な接続手
段（３２、３４、３５）にて接続して構成することがで
きる。なお、特許請求の範囲および課題を解決するため
の手段に記載した、「第１列の共振素子群（２０）と第
２列の共振素子群（２１）に分離する」とは、少なくと
も２列に分離されているの意であって、３列以上の複数
列に分離されている場合も、その内の第１列、第２列の
共振素子群がその部分に相当する。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る平面型フィル
タ素子を分布定数型フィルタ素子に適用した種々の実施
形態について説明する。 （第１実施形態）図１に、本発明の第１実施形態を示す
分布定数型フィルタ素子の構成を示す。（ａ）は平面
図、（ｂ）は斜視図である。
タ素子を分布定数型フィルタ素子に適用した種々の実施
形態について説明する。 （第１実施形態）図１に、本発明の第１実施形態を示す
分布定数型フィルタ素子の構成を示す。（ａ）は平面
図、（ｂ）は斜視図である。
【００１２】図において、誘電体基板１上には、超伝導
材で構成された複数の共振素子２が形成されている。こ
れら複数の共振素子２は、平面的に対向配置された第１
列の共振素子群２０と第２列の共振素子群２１に分離さ
れており、第１列の共振素子群２０と第２列の共振素子
群２１は、結合用給電線２ｃを介して電磁界結合されて
いる。
材で構成された複数の共振素子２が形成されている。こ
れら複数の共振素子２は、平面的に対向配置された第１
列の共振素子群２０と第２列の共振素子群２１に分離さ
れており、第１列の共振素子群２０と第２列の共振素子
群２１は、結合用給電線２ｃを介して電磁界結合されて
いる。
【００１３】また、誘電体基板１上には、第１列の共振
素子群２０に電気信号を入力するための入力線２ａおよ
び第２列の共振素子群２１から電気信号を取り出すため
の出力線２ｂが設けられており、入力線２ａ、出力線２
ｂには入力端子３、出力端子４が設けられている。入力
端子３、出力端子４ともＡｕ等の金属電極により構成さ
れている。
素子群２０に電気信号を入力するための入力線２ａおよ
び第２列の共振素子群２１から電気信号を取り出すため
の出力線２ｂが設けられており、入力線２ａ、出力線２
ｂには入力端子３、出力端子４が設けられている。入力
端子３、出力端子４ともＡｕ等の金属電極により構成さ
れている。
【００１４】このような構成により、入力端子３から入
力された電気信号は、第１列の共振素子群２０、結合用
給電線２ｃ、第２列の共振素子群２１を介して出力端子
４から取り出され、所望のフィルタ特性を得ることがで
きる。なお、誘電体基板１の裏面には超伝導材で構成さ
れたグランドプレーン５が形成されている。また、この
図１に示すフィルタ素子は、図示しないケース内に取り
付けられている。
力された電気信号は、第１列の共振素子群２０、結合用
給電線２ｃ、第２列の共振素子群２１を介して出力端子
４から取り出され、所望のフィルタ特性を得ることがで
きる。なお、誘電体基板１の裏面には超伝導材で構成さ
れたグランドプレーン５が形成されている。また、この
図１に示すフィルタ素子は、図示しないケース内に取り
付けられている。
【００１５】本実施形態においては、複数の共振素子２
を２列に分離しているため、成膜面積を従来のもののよ
うに大きくすることなく、共振素子２の段数を増やし
て、理想的な通過特性を得るようにすることができる。
ここで、複数の共振素子２を２列に分離した場合、第１
列の共振素子群２０と第２列の共振素子群２１との間で
不要な電磁界結合が生じ、本来の特性が得られない可能
性がある。また、入力端子３と出力端子４が同じ側（図
の左側）になるため、入力端子３から出力端子４に電波
が直接入ってしまう可能性もある。
を２列に分離しているため、成膜面積を従来のもののよ
うに大きくすることなく、共振素子２の段数を増やし
て、理想的な通過特性を得るようにすることができる。
ここで、複数の共振素子２を２列に分離した場合、第１
列の共振素子群２０と第２列の共振素子群２１との間で
不要な電磁界結合が生じ、本来の特性が得られない可能
性がある。また、入力端子３と出力端子４が同じ側（図
の左側）になるため、入力端子３から出力端子４に電波
が直接入ってしまう可能性もある。
【００１６】そこで、本実施形態においては、第１列の
共振素子群２０と第２列の共振素子群２１との間に遮断
部材６を設けて、それらの間の不要な電磁界結合を遮断
するようにしている。この遮断部材６としては、金属材
料で構成した導電部材、あるいは誘電体基板の表面に金
属が形成された導電部材を用いることができる。また、
この導電部材は、図示しない接地用の端子を有して、接
地されている。
共振素子群２０と第２列の共振素子群２１との間に遮断
部材６を設けて、それらの間の不要な電磁界結合を遮断
するようにしている。この遮断部材６としては、金属材
料で構成した導電部材、あるいは誘電体基板の表面に金
属が形成された導電部材を用いることができる。また、
この導電部材は、図示しない接地用の端子を有して、接
地されている。
【００１７】図２に、遮断部材６の取り付け状態を示
す。誘電体基板１にはスリット１ａが設けられており、
角状の遮断部材６をスリット１ａに挿入することにより
遮断部材６が誘電体基板１に取り付けられる。なお、遮
断部材６の挿入により、遮断部材６とグランドプレーン
５が接触するようにすれば、遮断部材６に接地用の端子
を設けなくてよい。 （第２実施形態）第１実施形態においては、遮断部材６
の両側に入力端子３と出力端子４を近接して配置するも
のを示したが、本実施形態では、図３に示すように、入
力端子３と出力端子４を、入力線２ａおよび出力線２ｂ
上で互いに最も離れた位置に形成している。
す。誘電体基板１にはスリット１ａが設けられており、
角状の遮断部材６をスリット１ａに挿入することにより
遮断部材６が誘電体基板１に取り付けられる。なお、遮
断部材６の挿入により、遮断部材６とグランドプレーン
５が接触するようにすれば、遮断部材６に接地用の端子
を設けなくてよい。 （第２実施形態）第１実施形態においては、遮断部材６
の両側に入力端子３と出力端子４を近接して配置するも
のを示したが、本実施形態では、図３に示すように、入
力端子３と出力端子４を、入力線２ａおよび出力線２ｂ
上で互いに最も離れた位置に形成している。
【００１８】このような配置とすることにより、入力端
子３から出力端子４への電波の影響を一層低減すること
ができる。 （第３実施形態）第１実施形態では、遮断部材６として
金属材料を用いて構成するものを示したが、この場合、
第１列の共振素子群２０と第２列の共振素子群２１から
の電波により金属材料にうず電流が発生し、ジュール損
の問題が生じる。
子３から出力端子４への電波の影響を一層低減すること
ができる。 （第３実施形態）第１実施形態では、遮断部材６として
金属材料を用いて構成するものを示したが、この場合、
第１列の共振素子群２０と第２列の共振素子群２１から
の電波により金属材料にうず電流が発生し、ジュール損
の問題が生じる。
【００１９】そこで、本実施形態では、超伝導材を用い
て遮断部材６を構成し、うず電流によるジュール損の問
題をなくすようにしている。具体的には、図４に示すよ
うに、遮断部材６として、誘電体基板６ａの両面（第１
列の共振素子群２０と第２列の共振素子群２１側の面）
に、超伝導材で構成した遮断面６ｂが形成されたものを
用いる。
て遮断部材６を構成し、うず電流によるジュール損の問
題をなくすようにしている。具体的には、図４に示すよ
うに、遮断部材６として、誘電体基板６ａの両面（第１
列の共振素子群２０と第２列の共振素子群２１側の面）
に、超伝導材で構成した遮断面６ｂが形成されたものを
用いる。
【００２０】この図４に示す遮断部材６は、誘電体基板
１の両面に超伝導膜を形成した状態で、誘電体基板１の
端部を切断し、それを加工して得ることができる。な
お、本実施形態においても、図４に示す遮断部材６を誘
電体基板１のスリット１ａに挿入したとき、超伝導材で
構成した遮断面６ｂとグランドプレーン５とが接触する
ようにすれば、超伝導材で構成した遮断面６ｂを接地す
ることができる。 （第４実施形態）第１実施形態においては、１つの誘電
体基板１上に第１列、第２列の共振素子群２０、２１を
形成するものを示したが、第１列の共振素子群２０と第
２列の共振素子群２１を別々の誘電体基板上に形成する
ようにしてもよい。
１の両面に超伝導膜を形成した状態で、誘電体基板１の
端部を切断し、それを加工して得ることができる。な
お、本実施形態においても、図４に示す遮断部材６を誘
電体基板１のスリット１ａに挿入したとき、超伝導材で
構成した遮断面６ｂとグランドプレーン５とが接触する
ようにすれば、超伝導材で構成した遮断面６ｂを接地す
ることができる。 （第４実施形態）第１実施形態においては、１つの誘電
体基板１上に第１列、第２列の共振素子群２０、２１を
形成するものを示したが、第１列の共振素子群２０と第
２列の共振素子群２１を別々の誘電体基板上に形成する
ようにしてもよい。
【００２１】この場合の構成を図５に示す。第１の誘電
体基板１１上に第１列の共振素子群２０が形成され、第
２の誘電体基板１２上に第２列の共振素子群２１が形成
されている。また、結合用給電線２ｃは、第１、第２の
結合用給電線２ｃ1 、２ｃ2 に分離されている。第１、
第２の結合用給電線２ｃ1 、２ｃ2 の端部には、Ａｕ等
の金属電極３０、３１がそれぞれ形成されており、その
間がＡｕワイヤ７によるボンディングにて電気的に接続
されている。
体基板１１上に第１列の共振素子群２０が形成され、第
２の誘電体基板１２上に第２列の共振素子群２１が形成
されている。また、結合用給電線２ｃは、第１、第２の
結合用給電線２ｃ1 、２ｃ2 に分離されている。第１、
第２の結合用給電線２ｃ1 、２ｃ2 の端部には、Ａｕ等
の金属電極３０、３１がそれぞれ形成されており、その
間がＡｕワイヤ７によるボンディングにて電気的に接続
されている。
【００２２】また、第１、第２の誘電体基板１１、１２
の間には、第１、第３実施形態で示したのと同様の遮断
部材６が設けられている。なお、この実施形態では、第
１、第２の誘電体基板１１、１２、および遮断部材６
が、図示しないケースにそれぞれ取り付け固定されてい
る。この実施形態においても、入力端子３から入力され
た電気信号は、第１列の共振素子群２０、第１の結合用
給電線２ｃ1 、Ａｕワイヤ７、第２の結合用給電線２ｃ
2 、および第２列の共振素子群２１を介して出力端子４
から取り出され、所望のフィルタ特性を得ることができ
る。
の間には、第１、第３実施形態で示したのと同様の遮断
部材６が設けられている。なお、この実施形態では、第
１、第２の誘電体基板１１、１２、および遮断部材６
が、図示しないケースにそれぞれ取り付け固定されてい
る。この実施形態においても、入力端子３から入力され
た電気信号は、第１列の共振素子群２０、第１の結合用
給電線２ｃ1 、Ａｕワイヤ７、第２の結合用給電線２ｃ
2 、および第２列の共振素子群２１を介して出力端子４
から取り出され、所望のフィルタ特性を得ることができ
る。
【００２３】また、本実施形態においては、複数の共振
素子２を２つの誘電体基板１１、１２に分離して形成し
ているから、１つの誘電体基板における共振素子形成の
ための成膜面積を小さくすることができる。なお、図に
おいて、第１、第２の結合用給電線２ｃ1 、２ｃ2 に設
けられた三角の超伝導パターン２ｄは、インピーダンス
調整を行うためのスタブである。 （第５実施形態）第４実施形態においては、ワイヤボン
ディングを用いて第１、第２の結合用給電線２ｃ1 、２
ｃ2 を電気的に接続するものを示したが、本実施形態で
は、ワイヤボンディングに代えて超伝導線を用いるよう
にしている。
素子２を２つの誘電体基板１１、１２に分離して形成し
ているから、１つの誘電体基板における共振素子形成の
ための成膜面積を小さくすることができる。なお、図に
おいて、第１、第２の結合用給電線２ｃ1 、２ｃ2 に設
けられた三角の超伝導パターン２ｄは、インピーダンス
調整を行うためのスタブである。 （第５実施形態）第４実施形態においては、ワイヤボン
ディングを用いて第１、第２の結合用給電線２ｃ1 、２
ｃ2 を電気的に接続するものを示したが、本実施形態で
は、ワイヤボンディングに代えて超伝導線を用いるよう
にしている。
【００２４】この場合の構成を図６に示す。（ａ）は平
面図、（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図である。誘電体基板３
３上に超伝導線３４が形成され、その両端がＡｕ等の金
属３５を介して第１、第２の結合用給電線２ｃ1 、２ｃ
2 に接続されている。 （第６実施形態）第５実施形態においては、第１、第２
の結合用給電線２ｃ1 、２ｃ2 を超伝導線３４により接
続するようにしたものを示したが、それらを１つの結合
用給電線で構成するようにすることもできる。
面図、（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図である。誘電体基板３
３上に超伝導線３４が形成され、その両端がＡｕ等の金
属３５を介して第１、第２の結合用給電線２ｃ1 、２ｃ
2 に接続されている。 （第６実施形態）第５実施形態においては、第１、第２
の結合用給電線２ｃ1 、２ｃ2 を超伝導線３４により接
続するようにしたものを示したが、それらを１つの結合
用給電線で構成するようにすることもできる。
【００２５】この場合の構成を図７に示す。本実施形態
においては、図７（ａ）に示すように、誘電体基板３６
上に結合用給電線２ｃが形成され、誘電体基板３６が誘
電体基板１１、１２に取り付けられている。この場合、
図７（ｂ）の部分平面図に示すように、誘電体基板３６
と第１、第２の誘電体基板１１、１２は、バンプ３７を
用いて位置決め固定されている。 （第７実施形態）上述した種々の実施形態においては、
遮断部材６を設けて、第１列、第２列の共振素子群２
０、２１間の電磁界結合を遮断するものを示したが、そ
の電磁界結合は距離の２乗に比例して減衰するので、図
８に示すように、第１列の共振素子群２０と第２列の共
振素子群２１との間の距離を大きくとり、また、入力端
子３と出力端子４を第２実施形態で示したように入力線
２ａおよび出力線２ｂ上で互いに最も離れた位置に形成
すれば、遮断部材６を設けなくても、第１列、第２列の
共振素子群２０、２１間の電磁界結合および入力端子３
から出力端子４への電波の影響をほとんど受けることが
ないようにすることができる。
においては、図７（ａ）に示すように、誘電体基板３６
上に結合用給電線２ｃが形成され、誘電体基板３６が誘
電体基板１１、１２に取り付けられている。この場合、
図７（ｂ）の部分平面図に示すように、誘電体基板３６
と第１、第２の誘電体基板１１、１２は、バンプ３７を
用いて位置決め固定されている。 （第７実施形態）上述した種々の実施形態においては、
遮断部材６を設けて、第１列、第２列の共振素子群２
０、２１間の電磁界結合を遮断するものを示したが、そ
の電磁界結合は距離の２乗に比例して減衰するので、図
８に示すように、第１列の共振素子群２０と第２列の共
振素子群２１との間の距離を大きくとり、また、入力端
子３と出力端子４を第２実施形態で示したように入力線
２ａおよび出力線２ｂ上で互いに最も離れた位置に形成
すれば、遮断部材６を設けなくても、第１列、第２列の
共振素子群２０、２１間の電磁界結合および入力端子３
から出力端子４への電波の影響をほとんど受けることが
ないようにすることができる。
【００２６】なお、上述した種々の実施形態において、
複数の共振素子２を２列に分離したものを示したが、そ
れよりも多くの複数列に分離してもよい。また、上述し
た種々の実施形態は、それ単独でも、あるいは必要に応
じて実施形態同志を組み合わせて構成することもでき、
さらに本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で適宜変更が可
能である。
複数の共振素子２を２列に分離したものを示したが、そ
れよりも多くの複数列に分離してもよい。また、上述し
た種々の実施形態は、それ単独でも、あるいは必要に応
じて実施形態同志を組み合わせて構成することもでき、
さらに本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で適宜変更が可
能である。
【００２７】さらに、本発明は分布定数型フィルタに限
らず集中定数型フィルタ素子にも適用することができ
る。
らず集中定数型フィルタ素子にも適用することができ
る。
【図１】本発明の第１実施形態を示すフィルタ素子の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図２】図１に示す構成において、遮断部材６を誘電体
基板１に取り付ける状態を示す図である。
基板１に取り付ける状態を示す図である。
【図３】本発明の第２実施形態を示すフィルタ素子の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図４】本発明の第３実施形態における遮断部材６の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図５】本発明の第４実施形態を示すフィルタ素子の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図６】本発明の第５実施形態を示すフィルタ素子の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図７】本発明の第６実施形態における結合用給電線の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図８】本発明の第７実施形態を示すフィルタ素子の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図９】従来のフィルタ素子の構成を示す図である。
【図１０】フィルタ素子の特性を示す図である。
１…誘電体基板、２…共振素子、２ａ…入力線、２ｂ…
出力線、３…入力端子、４…出力端子、５…グランドプ
レーン、６…遮断部材、２０…第１列の共振素子群、２
１…第２列の共振素子群。
出力線、３…入力端子、４…出力端子、５…グランドプ
レーン、６…遮断部材、２０…第１列の共振素子群、２
１…第２列の共振素子群。
【手続補正書】
【提出日】平成１０年２月１２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】しかしながら、共振素子２の段数を多くす
ると、複数の共振素子２の形成パターンが図９のｘ軸方
向に長くなり、１軸方向に長くなってフィルタ素子をコ
ンパクトに構成することができなくなるという問題があ
る。本発明は上記問題に鑑みたもので、複数の共振素子
を１軸方向にのみ長くすることなく、共振素子の段数を
多くしてフィルタ特性を良好にすることを目的とする。
ると、複数の共振素子２の形成パターンが図９のｘ軸方
向に長くなり、１軸方向に長くなってフィルタ素子をコ
ンパクトに構成することができなくなるという問題があ
る。本発明は上記問題に鑑みたもので、複数の共振素子
を１軸方向にのみ長くすることなく、共振素子の段数を
多くしてフィルタ特性を良好にすることを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１乃至５に記載の発明においては、複数の共
振素子（２）を第１、第２の共振素子群（２０、２１）
に分け、第１の共振素子群（２０）と第２の共振素子群
（２１）とを結合用給電線（２ｃ、２ｃ1 、２ｃ 2 ）に
よって電磁界結合するようにし、さらに第１、第２の共
振素子群（２０、２１）をｙ軸方向に対向して配置した
ことを特徴としている。
め、請求項１乃至５に記載の発明においては、複数の共
振素子（２）を第１、第２の共振素子群（２０、２１）
に分け、第１の共振素子群（２０）と第２の共振素子群
（２１）とを結合用給電線（２ｃ、２ｃ1 、２ｃ 2 ）に
よって電磁界結合するようにし、さらに第１、第２の共
振素子群（２０、２１）をｙ軸方向に対向して配置した
ことを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】従って、複数の共振素子（２）を第１、第
２の共振素子群（２０、２１）に分けるとともに、第
１、第２の共振素子群（２０、２１）をｙ軸方向、すな
わち共振素子（２）の長手方向に対向して配置すること
によって、複数の共振素子を１軸方向にのみ長くするこ
となく、共振素子の段数を多くしてフィルタ特性を良好
にすることができる。なお、１つの誘電体基板上に複数
の共振素子を形成する場合、通常、超伝導材等の導体を
成膜してそれをパターニング形成するが、従来のものの
ようにｙ軸方向に比べｘ軸方向だけを長くして共振素子
２を形成すると、ｘ軸方向の長さ分だけ成膜面積が必要
となるため成膜面積が大きくなるが、本発明によれば、
複数の共振素子を複数列に分離しているから、成膜面積
を小さくすることができる。
２の共振素子群（２０、２１）に分けるとともに、第
１、第２の共振素子群（２０、２１）をｙ軸方向、すな
わち共振素子（２）の長手方向に対向して配置すること
によって、複数の共振素子を１軸方向にのみ長くするこ
となく、共振素子の段数を多くしてフィルタ特性を良好
にすることができる。なお、１つの誘電体基板上に複数
の共振素子を形成する場合、通常、超伝導材等の導体を
成膜してそれをパターニング形成するが、従来のものの
ようにｙ軸方向に比べｘ軸方向だけを長くして共振素子
２を形成すると、ｘ軸方向の長さ分だけ成膜面積が必要
となるため成膜面積が大きくなるが、本発明によれば、
複数の共振素子を複数列に分離しているから、成膜面積
を小さくすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】この場合の構成を図５に示す。第１の誘電
体基板１１上に第１列の共振素子群２０が形成され、第
２の誘電体基板１２上に第２列の共振素子群２１が形成
されている。また、結合用給電線２ｃは、第１、第２の
結合用給電線２ｃ1 、２ｃ2 に分離されている。第１、
第２の結合用給電線２ｃ1 、２ｃ2 の端部には、Ａｕ等
の金属電極３０、３１がそれぞれ形成されており、その
間がＡｕワイヤ３２によるボンディングにて電気的に接
続されている。
体基板１１上に第１列の共振素子群２０が形成され、第
２の誘電体基板１２上に第２列の共振素子群２１が形成
されている。また、結合用給電線２ｃは、第１、第２の
結合用給電線２ｃ1 、２ｃ2 に分離されている。第１、
第２の結合用給電線２ｃ1 、２ｃ2 の端部には、Ａｕ等
の金属電極３０、３１がそれぞれ形成されており、その
間がＡｕワイヤ３２によるボンディングにて電気的に接
続されている。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】また、第１、第２の誘電体基板１１、１２
の間には、第１、第３実施形態で示したのと同様の遮断
部材６が設けられている。なお、この実施形態では、第
１、第２の誘電体基板１１、１２、および遮断部材６
が、図示しないケースにそれぞれ取り付け固定されてい
る。この実施形態においても、入力端子３から入力され
た電気信号は、第１列の共振素子群２０、第１の結合用
給電線２ｃ1 、Ａｕワイヤ３２、第２の結合用給電線２
ｃ2 、および第２列の共振素子群２１を介して出力端子
４から取り出され、所望のフィルタ特性を得ることがで
きる。
の間には、第１、第３実施形態で示したのと同様の遮断
部材６が設けられている。なお、この実施形態では、第
１、第２の誘電体基板１１、１２、および遮断部材６
が、図示しないケースにそれぞれ取り付け固定されてい
る。この実施形態においても、入力端子３から入力され
た電気信号は、第１列の共振素子群２０、第１の結合用
給電線２ｃ1 、Ａｕワイヤ３２、第２の結合用給電線２
ｃ2 、および第２列の共振素子群２１を介して出力端子
４から取り出され、所望のフィルタ特性を得ることがで
きる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上野 祥樹 愛知県日進市米野木町南山500番地１ 株 式会社移動体通信先端技術研究所内
Claims (7)
- 【請求項１】 誘電体基板（１、１１、１２）の表面に
複数の共振素子（２）が形成されてなる平面型のフィル
タ素子において、 前記複数の共振素子（２）は、平面的に対向配置された
第１列の共振素子群（２０）と第２列の共振素子群（２
１）に分離されており、 前記第１列の共振素子群（２０）と前記第２列の共振素
子群（２１）とが結合用給電線（２ｃ）を介して電磁界
結合されていることを特徴とする平面型フィルタ素子。 - 【請求項２】 前記第１列の共振素子群（２０）と前記
第２列の共振素子群（２１）との間に、その間の電磁界
結合を遮断する遮断部材（６）が設けられていることを
特徴とする請求項１に記載の平面型フィルタ素子。 - 【請求項３】 前記遮断部材（６）は、少なくとも前記
第１列の共振素子群（２０）と前記第２列の共振素子群
（２１）に面する部分が導電部材で構成されており、こ
の導電部材は接地されていることを特徴とする請求項２
に記載の平面型フィルタ素子。 - 【請求項４】 前記誘電体基板（１）の裏面にグランド
プレーン（５）が形成されており、前記導電部材は、前
記グランドプレーン（５）に電気的に接続されているこ
とを特徴とする請求項３に記載の平面型フィルタ素子。 - 【請求項５】 前記導電部材は、超伝導材で形成されて
いることを特徴とする請求項３又は４に記載の平面型フ
ィルタ素子。 - 【請求項６】 前記誘電体基板は、第１の誘電体基板
（１１）と第２の誘電体基板（１２）に分離されてお
り、前記第１列の共振素子群（２０）と前記第２列の共
振素子群（２１）は、前記第１の誘電体基板（１１）と
第２の誘電体基板（１２）の表面にそれぞれ設けられて
いることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１つに
記載の平面型フィルタ素子。 - 【請求項７】 前記結合用給電線（２ｃ）は、前記第１
の誘電体基板（１１）の表面に形成された第１の結合用
給電線（２Ｃ1 ）と前記第２の誘電体基板（１２）の表
面に形成された第２の結合用給電線（２Ｃ2 ）から構成
されており、前記第１の結合用給電線（２Ｃ1 ）と前記
第２の結合用給電線（２Ｃ2 ）とが電気的な接続手段
（３２、３４、３５）にて接続されていることを特徴と
する請求項６に記載の平面型フィルタ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8291766A JP2861975B2 (ja) | 1996-11-01 | 1996-11-01 | 平面型フィルタ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8291766A JP2861975B2 (ja) | 1996-11-01 | 1996-11-01 | 平面型フィルタ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10135706A true JPH10135706A (ja) | 1998-05-22 |
| JP2861975B2 JP2861975B2 (ja) | 1999-02-24 |
Family
ID=17773148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8291766A Expired - Lifetime JP2861975B2 (ja) | 1996-11-01 | 1996-11-01 | 平面型フィルタ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2861975B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7215225B2 (en) | 2003-05-21 | 2007-05-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Superconductor filter |
| JP2010109403A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Fujitsu Ltd | 超伝導フィルタ |
Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5798986A (en) * | 1980-12-11 | 1982-06-19 | Fujitsu Ltd | Printed board connector for high frequency |
| JPS6019301A (ja) * | 1983-07-13 | 1985-01-31 | Murata Mfg Co Ltd | ストリツプラインフイルタ |
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-
1996
- 1996-11-01 JP JP8291766A patent/JP2861975B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (15)
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| US7411475B2 (en) | 2003-05-21 | 2008-08-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Superconductor filter |
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| US8761849B2 (en) | 2008-10-28 | 2014-06-24 | Fujitsu Limited | Superconductive filter with plurality of resonator patterns formed on surface of dielectric substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2861975B2 (ja) | 1999-02-24 |
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