JPH10142184A - ガスセンサとその制御装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ガスセンサの汚染物質からの保護と、経時的
な変動を補正し、安定、長寿命なガス検知を実現する。 【解決手段】 多孔質のガス選択透過体９の内部と可燃
ガス酸化触媒を含浸した多孔質の触媒含有ガス選択透過
体１０の内部にそれぞれ固体電解質１３、１４、酸化触
媒を含浸セラミックペーパー１１、１２よりなるガス検
知部を設け、ガス選択透過体９、触媒含有ガス、選択透
過体１０で汚染物質からガス検知部を保護するととも
に、両検知部出力の差を検出することにより、経時変動
を補正する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、燃焼機器の空燃比
制御、不完全燃焼警報等に使用されるガスセンサの信頼
性、耐久性の向上に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来のガスセンサ、例えば一酸化炭素セ
ンサは例えば図１４に示した特開昭５９−１０９８５６
号公報のように多孔質セラミックの筒体１中に両面に電
極２、３を設置した固体電解質４を入れて隔壁を構成
し、隔壁の一方の側に可燃性ガス（一酸化炭素も含む）
の酸化触媒５の粒子を、他の側に一酸化炭素以外の可燃
性ガスの酸化触媒６の粒子を充填し、セラミック板７で
封着、多孔質セラミックの筒体１を外部から加熱手段８
で加熱する構成であり、多孔質の壁面を通過して内部の
固体電解質４に到達した一酸化炭素を検知しようとする
ものであった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では燃焼排気中に一酸化炭素センサを設置した場
合、一酸化炭素のみならず、分子量の大きい有機性物質
や窒素酸化物等が一酸化炭素センサの触媒や電極部に多
孔質セラミックの細孔を通過して到達する。その結果触
媒や電極が汚染され、一酸化炭素の検知特性が劣化する
という課題があった。また一酸化炭素センサが劣化して
もセンサは自己の特性劣化を保証する手段を持っていな
かった。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために１００オングストローム以下の大きさに孔径
を制御された多孔質のガス選択透過体の内部にガスセン
サを設置したものと、１００オングストローム以下の大
きさに孔径を制御され、かつ酸化触媒を含むガス選択透
過体内部にガスセンサを設置したものとを有するもので
ある。

【０００５】上記発明によれば、細孔径を制御された多
孔質のガス選択透過体によって、分子量の大きい有機性
物質や窒素酸化物等が除去され、ガスセンサの触媒や電
極部に到達するのを防止することができる。

【０００６】また酸化触媒を含むガス選択透過体の内部
に設置されたガスセンサは、一酸化炭素等が触媒で酸化
されてセンサに届かないために、常にセンサが設置され
た雰囲気の一酸化炭素ガス等のない状態を検知する事に
なる。従ってセンサ出力の基準レベルをいつでも参照す
ることができることになり、一対のセンサの出力の差を
とる事によってセンサの特性の時間的な変動を相殺する
事ができる。この結果、ガスセンサの信頼性を高める事
ができる。

【０００７】また酸化触媒を含むガス選択透過体の内部
に設置されたガスセンサが、一定値以上の信号出力を出
した場合は、センサが劣化したか、あるいはガス選択透
過体が破損した場合であるので、センサ信号の大きさを
監視する事によってセンサの寿命判定も可能となる。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明は、１００オングストロー
ム以下の孔径を有する多孔質のガス選択透過体と、１０
０オングストローム以下の孔径を有し、酸化触媒を含ん
だ多孔質のガス選択透過体、それぞれの内部に一酸化炭
素等を酸化する能力を有する触媒で覆われた電極および
前記触媒で覆われていない電極を設置した酸素イオン導
電性を有する固体電解質を設置することにより実施でき
る。

【０００９】そして、酸化触媒を含んだ多孔質のガス選
択透過体の内部に設置された酸素イオン導電性を有する
固体電解質の電極間に発生する電圧を基準電圧として利
用する事ができる。

【００１０】また、多孔質のガス選択透過体の内部に接
触燃焼式のセンサ素子をそれぞれ配設することができ
る。

【００１１】そしてこの場合酸化触媒を含んだ多孔質の
ガス選択透過体内部に設置された接触燃焼式のセンサ素
子の出力を基準電圧として利用する事によって、微小信
号出力である接触燃焼式のガスセンサの信頼性の向上を
図ることができる。

【００１２】また、１００オングストローム以下の孔径
を有する多孔質のガス選択透過体と、１００オングスト
ローム以下の孔径を有し、酸化触媒を含んだ多孔質のガ
ス選択透過体、それぞれの内部に一酸化炭素等を酸化す
る能力を有する触媒で覆われた電極および前記触媒で覆
われていない電極を設置した酸素イオン導電性を有する
固体電解質を設置し、かつ固体電解質の加熱手段と、固
体電解質に設置した電極間の電位差の時間的変動を記憶
する出力記憶手段と出力記憶手段の出力からガス選択透
過体の異常を判定する異常判定手段を有するようにして
実施することができる。

【００１３】そして、出力記憶手段で時間的な出力変動
を記憶し、一定の変化率以上の上昇を認識した時には選
択透過体の異常と判定し、機器の動作を停止し、安全性
を確保することができる。

【００１４】また、１００オングストローム以下の孔径
を有する多孔質のガス選択透過体と、１００オングスト
ローム以下の孔径を有し、酸化触媒を含んだ多孔質のガ
ス選択透過体、それぞれの内部に一酸化炭素等を酸化す
る能力を有する触媒で覆われた電極および前記触媒で覆
われていない電極を設置した酸素イオン導電性を有する
固体電解質を設置し、かつ固体電解質の加熱手段と、固
体電解質に設置した電極の電位差出力を検出する電位差
検出手段を有するようにして実施することができる。

【００１５】そして、二対の電極の電位差出力を検出す
ることによって、センサの経時的な変動を相殺する事が
でき、検知の信頼性向上を図る事ができる。

【００１６】また、１００オングストローム以下の孔径
を有する多孔質のガス選択透過体と、１００オングスト
ローム以下の孔径を有し、酸化触媒を含んだ多孔質のガ
ス選択透過体、それぞれの内部に半導体のセンサ素子を
封入し、半導体センサ素子の加熱手段とセンサ出力検出
手段とセンサ出力をアナログディジタル変換する手段と
信号検出手段とアナログディジタル変換された出力で駆
動される警報手段を有するようにして実施することがで
きる。

【００１７】そして、半導体センサ素子の出力をアナロ
グディジタル変換し、出力の経時変化の補正を図るとと
もに、出力のレベルを知り、危険値に達する前に警報を
発することができる。

【００１８】また、１００オングストローム以下の孔径
を有する多孔質のガス選択透過体と、１００オングスト
ローム以下の孔径を有し、かつ酸化触媒を含んだ多孔質
のガス選択透過体と、一対のガス選択透過体の内部に一
酸化炭素等を酸化する能力を有する触媒で覆われた電極
と触媒で覆われていない電極を設置した酸素イオン導電
性を有する固体電解質をそれぞれ配設し、固体電解質の
加熱手段と、加熱手段の制御手段と、燃焼機器の燃焼状
態を検出する燃焼状態検出手段を有するようにして実施
することができる。

【００１９】そして、燃焼状態検出手段により、燃焼機
器の動作状態を知り、燃焼機器の一酸化炭素排出濃度等
の検出、および室内一酸化炭素濃度検出等の二種類の検
出状態にセンサを制御することができる。

【００２０】以下、本発明を一酸化炭素を検出するガス
センサを例にしてその図面とともに説明する。

【００２１】（実施例１）図１は本発明の実施例１にお
ける一酸化炭素センサの一部分を切り欠いて断面を示し
た斜視図である。図２は固体電解質方式の一酸化炭素セ
ンサの断面であり、図３は触媒含有ガス選択透過体の内
部に設置された固体電解質方式の一酸化炭素センサの断
面を示す。

【００２２】図１において９は多孔質のガス選択透過体
である。その製法は、まずアルミナ粉末にポリサルフォ
ン等の有機物を混合して溶剤で溶かし、チューブ上に成
形後、乾燥、焼結を行い多孔質のセラミックチューブを
作成する。その後多孔質の孔をゾル・ゲル法等の手法で
埋め、センサを収納する長さに切断する事によって実現
している。１０は一酸化炭素の酸化触媒を含浸したガス
選択透過体（以下触媒含有ガス選択透過体と呼ぶ）であ
り、一酸化炭素の酸化触媒を含浸させてある点で、ガス
選択透過体９と異なる。

【００２３】１１、１２は一酸化炭素の酸化触媒含有セ
ラミックペーパーであり、通気性を有している。１３、
１４は酸素イオン導電性を有し表裏に一対の白金エレク
トロンビーム蒸着またはスパッタリングで形成された電
極１５、１６および１７、１８が設置されている固体電
解質であり、１９、２０は触媒を含有させないセラミッ
クペーパーである。また２１は固体電解質１３、１４を
加熱してセンサとして動作させるための加熱コイルであ
る。

【００２４】上記構成による作用を説明する。ガス選択
透過体９を通過した一酸化炭素ガスは一酸化炭素の酸化
触媒含有セラミックペーパー１１を通過する時に酸化さ
れてしまい電極には到達しない。従って一酸化炭素の酸
化触媒含有セラミックペーパー１１と接触している電極
１５上では（化１）で表現される反応によって酸素がイ
オン化される。

【００２５】

【化１】

【００２６】一方、触媒を含有させないセラミックペー
パー１９に接触した電極１６上では（化１）で表現され
る反応に加えて、一酸化炭素が電極に達するので（化
２）で表現される反応の２種類の反応が起きる。

【００２７】

【化２】

【００２８】両電極１５、１６の表面での反応の差によ
って電極間に電位差が発生する。発生する電位差は図４
に示すように、一酸化炭素の量が多いほど大きくなる。
この電位差を測定する事により、一酸化炭素の濃度を知
ることができる。他方、触媒含有ガス選択透過体１０を
通過した一酸化炭素は触媒によって酸化されてしまうの
で、固体電解質１４の両電極１７、１８上では（化１）
の反応しか起こらず、電位差は原理上発生しない。従っ
てこの電極１７、１８間の電位差は基準電極とすること
ができる。

【００２９】またガス選択透過体の細孔径を１００オン
グストローム以下に制御すると、細孔を通過するガス量
はそのガスの分子量の平方根に逆比例して抑制され、二
硫化炭素等の分子量の大きなガスの通過量は大幅に低減
できる。またＣＶＤ（ケミカル・ベーパー・デポジッ
ト）法等で細孔径を制御すると５０オングストローム近
くに孔径を制御できる。５０オングストロームにまで細
孔径を制御することによっていわゆる分子ふるいを実現
でき、一酸化炭素より小さい分子だけを通過させ、一酸
化炭素より大きな分子は通過させない理想的なフィルタ
ーが実現できる。

【００３０】（実施例２）図５は本発明の実施例２にお
ける一酸化炭素センサの一部分を切り欠いた斜視図であ
る。また図６はガス選択透過体２２の内部に設置された
接触燃焼式の一酸化炭素センサの制御用電気回路図であ
る。また図７は触媒含有ガス選択透過体２３の内部に設
置された接触燃焼式の一酸化炭素センサの制御用電気回
路図である。

【００３１】以下にその作用を説明する。接触燃焼式の
一酸化炭素センサは触媒を含み可燃性ガスと反応して抵
抗値が変化する検知部２４と触媒を含まず抵抗値が一定
の抵抗部２５を固定抵抗２６、２７とでブリッジ回路化
することによって構成されている。検出用電源２８を回
路に印加し、差動電圧を差動増幅器２９で検出するよう
にしたものである。その方式の特徴は差動出力が小さ
く、経時変化が大きなことが問題である。図７において
触媒含有ガス選択透過体２３の内部に設置された接触燃
焼式の一酸化炭素センサ回路は可燃性ガスと反応して抵
抗値が変化する検知部３０と触媒を含まず抵抗値が一定
の抵抗部３１を固定抵抗３２、３３とでブリッジ化する
ことによって構成されている。そして検出用電源２８を
回路に印加し、差動電圧を差動増幅器３４で検出するよ
うにしたものである。このセンサの出力は触媒含有ガス
選択透過体２３の内部に設置されているために経時変化
にともなう出力だけが取り出され、半導体一酸化炭素セ
ンサの出力補正の基準にすることができる。

【００３２】（実施例３）図８は本発明の実施例３にお
ける一酸化炭素センサの制御装置の構成図である。触媒
含有ガス選択透過体３５の内部の固体電解質３６の電極
３７、３８間の電位差は、マイクロコンピュータ３９の
出力記憶手段としてのメモリー４０に時系列データとし
て取り込まれ、一酸化炭素の濃度データとして処理され
る。４１は固体電解質３６の加熱用の加熱コイルであ
る。

【００３３】以下にその作用を説明する。図９は触媒含
有ガス選択透過体３５の内部の固体電解質３６の電極間
出力対時間のグラフである。図９において（ａ）は正常
燃焼状態時の一酸化炭素濃度を検知している状態であ
り、（ｂ）は出力が急激に変動していることを示してい
る。（ｂ）の状態は実際の一酸化炭素濃度が急変したの
ではなく、動作中に多孔質の触媒含有ガス選択透過体３
５が破損して一酸化炭素ガスが触媒を経由せず、直接固
体電解質３６に到達した結果、一酸化炭素の酸化触媒含
有セラミックペーパー４２に接している電極３７とセラ
ミックペーパー４３に接している電極３８の間で電位差
が検出された変動である。また（ｃ）は最初から出力が
高かったことから、動作前から触媒含有ガス選択透過体
３５が破損していたことを示している。このように一酸
化炭素センサで検知された信号の出力の経時的変動を監
視することにより、一酸化炭素センサの保護用に設置さ
れた多孔質ガス選択透過体の異常を検出する事ができ
る。また（ｂ）あるいは（ｃ）の状態を検出した時には
停止あるいは機器をリセットすることにより、安全性を
確保している。

【００３４】（実施例４）図１０は本発明の実施例４に
おける一酸化炭素センサの制御装置の構成図である。ガ
ス選択透過体４４中の固体電解質４５の一酸化炭素の酸
化触媒含有セラミックペーパー４６に接している電極４
７とセラミックペーパー４８に接している電極４９の間
の電位差信号は差動増幅器５０のプラス端子５１に入力
されており、一方、触媒含有ガス選択透過体５２中の固
体電解質５３の一酸化炭素の酸化触媒含有セラミックペ
ーパー５４に接している電極５５とセラミックペーパー
５６に接している電極５７の間の電位差信号は差動増幅
器５０のマイナス端子５８に入力されている。５９は固
体電解質４５、５３の加熱用の加熱コイルである。以下
にその作用を説明する。差動増幅器５０の出力端子６０
には、プラス端子５１とマイナス端子５８の差動出力が
得られる。マイナス端子５８の入力値はセンサの経時的
な変動なので、従って出力端子６０にはセンサの経時的
な変動が相殺された情報を得ることができる。

【００３５】（実施例５）図１１は本発明の実施例５の
一酸化炭素センサの制御装置の構成図である。多孔質の
ガス選択透過体６１の内部には、一酸化炭素濃度によっ
てその抵抗値が変化する半導体センサ素子６２が、また
触媒含有ガス選択透過体６３の内部にも半導体センサ素
子６４が設置されており、また半導体センサ素子６２、
６４の加熱用コイル６５が周囲に設置されている。また
ガス選択透過体６１中の半導体センサ素子６２と固定抵
抗６６は直列につながれており、信号源電圧発生器６７
の出力電圧を半導体センサ素子６２と固定抵抗６６で分
割した電圧がアナログディジタル変換器６８に入力され
８ビットのディジタル信号に変換され出力端６９に出力
される。一方、触媒含有ガス選択透過体６３中の半導体
センサ素子６４と固定抵抗７０も直列につながれてお
り、信号源電圧発生器６７の出力電圧を半導体センサ素
子６４と固定抵抗７０で分割した電圧がアナログディジ
タル変換器７１に入力され、８ビットのディジタル信号
に変換され、出力端７２に出力される。アナログディジ
タル変換器６８、７１の出力端６９、７２は減算器７３
の一対の入力端７４、７５に入り、引き算された値が出
力端７６にあらわれる。また出力端７６の８ビット情報
の最上位ビット７７の信号線で警報手段としての警報機
７８を駆動する。

【００３６】以下にその作用を説明する。上記構成で多
孔質のガス選択透過体６１の内部の半導体式センサ素子
６２で検知された一酸化炭素濃度の情報は、アナログ信
号からディジタル信号に変換され、同じく触媒含有ガス
選択透過体６３の内部の半導体センサ素子６４で検出さ
れたセンサの経時変化情報もアナログ信号からディジタ
ル信号に変換される。２つのディジタル信号の減算を行
うことによって、経時変化を相殺した一酸化炭素濃度の
情報を得ることができる。また減算器７３の出力端７６
の８ビット情報の最上位ビット７７の信号線で警報機７
８を駆動することによって最高検知レベルの１／２の信
号レベルに達した時に警報を発することができる。この
警報を発するレベルは出力信号の論理積をとることによ
って任意に設定が可能である。

【００３７】（実施例６）図１２は本発明の実施例６に
おける一酸化炭素センサの制御装置の構成図である。ま
た図１３はセンサの加熱温度による出力応答性を示す図
である。燃焼機器の燃焼状態を検知するフレームロッド
７９からの出力信号がＮＰＮトランジスタ８０のベース
８１につながっており、ＮＰＮトランジスタ８０のコレ
クタ端子８２から出た信号線は加熱コイル８３の加熱コ
イル制御手段８４の入力信号となっている。またＮＰＮ
トランジスタ８０のコレクタ端子８２は固定抵抗８５を
介して信号源電圧発生器８６につながっている。また、
ガス選択透過体８７中の固体電解質８８の一酸化炭素の
酸化触媒含有セラミックペーパー８９に接している電極
９０とセラミックペーパー９１に接している電極９２の
間の電位差信号は差動増幅器９３のプラス端子９４に入
力されており、一方、触媒含有ガス選択透過体９５中の
固体電解質９６の一酸化炭素の酸化触媒含有セラミック
ペーパー９７に接している電極９８とセラミックペーパ
ー９９に接している電極１００の間の電位差信号は差動
増幅器９３のマイナス端子１０１に入力されている。な
お、１０２は出力端子である。

【００３８】以下にその動作を説明する。燃焼機器が燃
焼状態にある時、フレームロッド７９の出力信号はＨＩ
ＧＨになり、ＮＰＮトランジスタ８０のベース８１にＨ
ＩＧＨ信号が印加され、ＮＰＮトランジスタ８０は導通
状態となる。その結果、コレクタ端子８２から出た信号
線の信号はＬＯＷレベルとなり、固体電解質８８、９６
の加熱手段である加熱コイル８３を４００℃程度の高温
通電状態に保つ。一方、燃焼機器が燃焼状態にない時、
フレームロッド７９の出力信号はLOWになり、ＮＰＮト
ランジスタ８０のベース８１にＬＯＷ信号が印加され、
その結果ＮＰＮトランジスタ８０は導通しなくなる。従
ってコレクタ端子８２から出た信号線の信号はHIGHレベ
ルとなり、加熱コイル制御手段８４からの制御により、
加熱コイル８３を３００℃程度の低温通電状態に保つ。

【００３９】図１３は一酸化炭素の濃度を０ppmから１
０００ppmに変化させた場合であり、図１３に示すよう
に加熱温度が低い時｛３００℃、（ｂ）｝、電位差は大
きいが、応答時間は遅く、加熱温度が高く｛４００℃、
(ａ)｝なると、電位差は小さいが、応答時間は早くな
る。従ってセンサの加熱温度が高い時には燃焼機器の排
気ガス中の一酸化炭素の濃度を検出するように動作さ
せ、一酸化炭素濃度検知の応答性を高めている。一方、
センサの加熱温度が低い時にはセンサが設置された部屋
の環境状態をモニターするように動作させる。部屋環境
では通常高濃度の一酸化炭素濃度を検知することよりも
低濃度レベルの一酸化炭素を検出する必要がある。従っ
てセンサの感度を高感度に保つ必要があり、加熱温度を
低くして感度の増加を図っている。しかし加熱温度を低
くするとノイズによって検知妨害を受けたり、経時変動
が大きくなったりする。そのような弊害を防止する為
に、触媒含有ガス選択透過体の内部にもセンサを設置
し、その信号によって経時変化を相殺し、低温動作で安
定した一酸化炭素センサを実現している。

【００４０】なお、上記各実施例では一酸化炭素等を検
出するもので説明したが、これに限られるものでないこ
とはいうまでもない。

【００４１】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明の
ガスセンサとその制御装置によれば、次の効果が得られ
る。

【００４２】多孔質のガス選択透過体の内部に固体電解
質型ガスセンサの検知部を設置することにより、汚染物
質から検知部を保護することができ、ガス検知の耐久性
の向上を図ることができる。また、可燃ガス酸化触媒を
含有した多孔質のガス選択透過体の内部に同様の構成の
ガスの検知部を設置することにより基準出力部を有する
固体電解質を使用した一酸化炭素ガスセンサを実現でき
る。

【００４３】また、多孔質のガス選択透過体の内部に触
媒燃焼式のガス検知部を設置することにより、ガス検知
の耐久性の向上を図ることができると共に、接触燃焼式
の弱点であった経時的な変動を相殺することができ、接
触燃焼式のガスセンサの性能の飛躍的な向上を図ること
ができる。

【００４４】また、基準電位を経時的に監視することに
より、ガスセンサの保護機構の異常を検出することがで
き、ガスセンサの信頼性の向上を図ることができる。

【００４５】また、センサ出力と基準電位の差を取るこ
とにより、センサの経時的な変動を補正することが可能
になり、センサの長寿命化を図ることができる。

【００４６】また、半導体ガスセンサを多孔質のガス選
択透過体の内部に設置することにより、センサの長寿命
化を図るとともに、ディジタル変換された信号で差を取
るので正確な出力補正を行うことができ、かつ、並列出
力信号で直接警報装置を駆動できるので、任意のレベル
での警報が可能になる。

【００４７】また、燃焼状態検出手段を有することによ
り、燃焼中の排ガス中のガス濃度の検出はもとより、機
器が燃焼していない状態では検知感度を切り替えて、室
内のガス濃度の検出を行うことができ、部屋環境の維持
手段としても利用可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１における一酸化炭素等のガス
センサの一部分を切り欠いて断面を示した斜視図

【図２】同一酸化炭素等のガスセンサの断面図

【図３】同他の一酸化炭素等のガスセンサの断面図

【図４】同一酸化炭素等のガスセンサの制御装置の構成
図

【図５】本発明の実施例２における一酸化炭素等のガス
センサの一部分を切り欠いた斜視図

【図６】同一酸化炭素等のガスセンサの制御用電気回路
図

【図７】同他の一酸化炭素等のガスセンサの制御用電気
回路図

【図８】本発明の実施例３における一酸化炭素等のガス
センサの制御装置の構成図

【図９】本発明の実施例３におけるセンサ出力対時間の
グラフ

【図１０】本発明の実施例４における一酸化炭素等のガ
スセンサの制御装置の構成図

【図１１】本発明の実施例５における一酸化炭素等のガ
スセンサの制御装置の構成図

【図１２】本発明の実施例６における一酸化炭素等のガ
スセンサの制御装置の構成図

【図１３】本発明の実施例６におけるセンサの加熱温度
による出力応答性を示すグラフ

【図１４】従来の一酸化炭素等のガスセンサの断面略図

【符号の説明】

９、２２、４４、６１、８７ ガス選択透過体 １０、２３、３５、５２、６３、９５ 触媒含有ガス選
択透過体 １１、１２、４２、４６、５４、８９、９７ 酸化触媒
含有セラミックペーパー １５、１６、１７、１８、３７、３８、４７、４９、５
５、５７、９０、９２、９８、１００ 電極 １３、１４、３６、８８、９６ 固体電解質 ２１、４１、５９、８３ 加熱コイル（加熱手段） ２４、３０ 検知部 ２５、３１ 抵抗部 ３９ マイクロコンピュータ ４０ メモリー（出力記憶手段） ２９、３４ 差動増幅器 ６２、６４ 半導体センサ素子 ６８、７１ アナログディジタル変換器 ７３ 減算器 ７９ フレームロッド ８０ ＮＰＮトランジスタ ８４ 加熱コイル制御手段

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】加熱手段を備えたガスセンサにおいて、１
   ００オングストローム以下の孔径を有する一対のガス選
   択透過体を備え、前記ガス選択透過体の一方は酸化触媒
   を含有した触媒含有ガス選択透過体とし、前記一対のガ
   ス選択透過体の内部に酸素イオン導電性を有する固体電
   解質と、一対の電極と、酸化触媒を有する固体電解質を
   配設したガスセンサ。
2. 【請求項２】１００オングストローム以下の孔径を有す
   る一対のガス選択透過体を備え、前記ガス選択透過体の
   一方は酸化触媒を含有する触媒含有ガス選択透過体と
   し、前記一対のガス選択透過体の内部に接触燃焼式のガ
   スセンサを配設したガスセンサ。
3. 【請求項３】加熱手段を備えたガスセンサにおいて、１
   ００オングストローム以下の孔径を有する一対のガス選
   択透過体を備え、前記ガス選択透過体の一方はガス酸化
   触媒を含有した触媒含有ガス選択透過体とし、前記一対
   のガス選択透過体内部に酸素イオン導電性を有する固体
   電解質と、一対の電極と、酸化触媒を有する固体電解質
   を配設し、前記一対の電極間の電位差の時間的変動を記
   憶する出力記憶手段と、前記出力記憶手段の出力から前
   記ガス選択透過体の異常を判定する異常判定手段を有す
   るガスセンサの制御装置。
4. 【請求項４】加熱手段を備えたガスセンサにおいて、１
   ００オングストローム以下の孔径を有する一対のガス選
   択透過体を備え、前記ガス選択透過体の一方は酸化触媒
   を含有した触媒含有ガス選択透過体とし、前記一対のガ
   ス選択透過体内部に酸素イオン導電性を有する固体電解
   質と、一対の電極と、ガス酸化触媒を有する固体電解質
   を配設し、前記加熱手段の制御手段と前記一対の電極の
   電位差出力を検出する電位差検出手段を有するガスセン
   サの制御装置。
5. 【請求項５】加熱手段を備えたガスセンサにおいて、１
   ００オングストローム以下の孔径を有する一対のガス選
   択透過体を備え、前記ガス選択透過体の一方は酸化触媒
   を含有した触媒含有ガス選択透過体とし、前記一対のガ
   ス選択透過体内部に半導体式のガスセンサ素子を配設
   し、前記一対の半導体式センサ素子の抵抗値変化を検出
   するセンサ出力検出手段とセンサ出力をアナログディジ
   タル変換する手段と差信号検出手段と前記アナログディ
   ジタル変換された出力で駆動される警報手段を有するガ
   スセンサの制御装置。
6. 【請求項６】加熱手段を備えたガスセンサにおいて、１
   ００オングストローム以下の孔径を有する一対のガス選
   択透過体を備え、前記ガス選択透過体の一方は酸化触媒
   を含有した触媒含有ガス選択透過体とし、前記一対のガ
   ス選択透過体の内部に酸素イオン導電性を有する固体電
   解質と、一対の電極と、酸化触媒を有する固体電解質を
   配設し、前記加熱手段の制御手段と、燃焼機器の燃焼状
   態を検出する燃焼状態検出手段を有するガスセンサの制
   御装置。