JPH10142437A - ガラス導波路素子の製造方法 - Google Patents
ガラス導波路素子の製造方法Info
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- JPH10142437A JPH10142437A JP29508796A JP29508796A JPH10142437A JP H10142437 A JPH10142437 A JP H10142437A JP 29508796 A JP29508796 A JP 29508796A JP 29508796 A JP29508796 A JP 29508796A JP H10142437 A JPH10142437 A JP H10142437A
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 不純物混入がなく再現性がある特性の良いガ
ラス膜を安定して形成することができるガラス導波路素
子の製造方法を提供する。 【解決手段】 基板３を配置するターンテーブル２０に
高温下で安定な物質を用いることにより、ターンテーブ
ル２０からカーボンが気化してガラス膜に混入するのが
防止される。このため、再現性がある特性のよいガラス
導波路素子を得ることができる。また、ターンテーブル
２の表面が、高温下で安定な物質でコーティングされて
いる場合、ターンテーブル２の表面の高温となる部分
が、高温下で安定な物質でコーティングされている場
合、及びターンテーブル２の表面の高温となる部分が、
高温下で安定な物質でコーティングされたマスク２４で
覆われている場合のいずれの場合でもターンテーブル２
（２０）から材質が気化して不純物としてガラス膜に混
入するのが防止される。
ラス膜を安定して形成することができるガラス導波路素
子の製造方法を提供する。 【解決手段】 基板３を配置するターンテーブル２０に
高温下で安定な物質を用いることにより、ターンテーブ
ル２０からカーボンが気化してガラス膜に混入するのが
防止される。このため、再現性がある特性のよいガラス
導波路素子を得ることができる。また、ターンテーブル
２の表面が、高温下で安定な物質でコーティングされて
いる場合、ターンテーブル２の表面の高温となる部分
が、高温下で安定な物質でコーティングされている場
合、及びターンテーブル２の表面の高温となる部分が、
高温下で安定な物質でコーティングされたマスク２４で
覆われている場合のいずれの場合でもターンテーブル２
（２０）から材質が気化して不純物としてガラス膜に混
入するのが防止される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラス導波路素子
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ガラス導波路素子は、石英ガラスやシリ
コン等からなる基板上に、屈折率の高いコア（導波路）
をエッチング等で所望の形状に形成し、その周囲を屈折
率の低いクラッドで囲んだ構造をしたものであり、石英
系光ファイバとの整合性がよいことから光通信における
実用的な光部品として期待されている。
コン等からなる基板上に、屈折率の高いコア（導波路）
をエッチング等で所望の形状に形成し、その周囲を屈折
率の低いクラッドで囲んだ構造をしたものであり、石英
系光ファイバとの整合性がよいことから光通信における
実用的な光部品として期待されている。
【０００３】図５は従来のガラス導波路素子の製造方法
でガラス導波路を製造する際に使用する火炎堆積装置の
概略図である。
でガラス導波路を製造する際に使用する火炎堆積装置の
概略図である。
【０００４】まず、回転運動（矢印Ａ方向）及び並進運
動（矢印Ｂ方向）が可能でヒータ１により数百度まで加
熱が可能な高純度カーボン製のターンテーブル２上に複
数の基板３を配置する。基板３を配置した後、ヒータ１
で所望の温度まで基板３を加熱し、ターンテーブル２を
回転運動させると共に並進運動させる。
動（矢印Ｂ方向）が可能でヒータ１により数百度まで加
熱が可能な高純度カーボン製のターンテーブル２上に複
数の基板３を配置する。基板３を配置した後、ヒータ１
で所望の温度まで基板３を加熱し、ターンテーブル２を
回転運動させると共に並進運動させる。
【０００５】次に、ＳｉＣｌ4 等のガラス原料ガスとＡ
ｒ及びバーナの燃料となるＯ2 、Ｈ2 を酸水素バーナ４
に送り、火炎中でこれらを反応させ微粒子状の酸化物ガ
ラススートを生成し、ターンテーブル２上に設置された
基板３上に吹き付ける。このようにして基板３上に堆積
した酸化物ガラススートを電気炉（図示せず）を用い約
１３００℃の高温下で焼結することにより、透明ガラス
膜が得られる。
ｒ及びバーナの燃料となるＯ2 、Ｈ2 を酸水素バーナ４
に送り、火炎中でこれらを反応させ微粒子状の酸化物ガ
ラススートを生成し、ターンテーブル２上に設置された
基板３上に吹き付ける。このようにして基板３上に堆積
した酸化物ガラススートを電気炉（図示せず）を用い約
１３００℃の高温下で焼結することにより、透明ガラス
膜が得られる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の方法でガラススートを基板３上に生成すると、
酸水素バーナ４からの火炎によりターンテーブル２であ
る高純度カーボンが空気中或いは酸水素バーナ４からの
酸素と結合して気化してしまう。その結果、ターンテー
ブル２の表面が荒れ、ターンテーブル２と基板３との間
に隙間が生じたり、形成したガラス膜中にカーボン等の
不純物が混入し、再現性が低下し、ガラスの膜質に悪影
響を及ぼすことが分かった。
た従来の方法でガラススートを基板３上に生成すると、
酸水素バーナ４からの火炎によりターンテーブル２であ
る高純度カーボンが空気中或いは酸水素バーナ４からの
酸素と結合して気化してしまう。その結果、ターンテー
ブル２の表面が荒れ、ターンテーブル２と基板３との間
に隙間が生じたり、形成したガラス膜中にカーボン等の
不純物が混入し、再現性が低下し、ガラスの膜質に悪影
響を及ぼすことが分かった。
【０００７】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、不純物混入がなく再現性がある特性の良いガラス膜
を安定して形成することができるガラス導波路素子の製
造方法を提供することにある。
し、不純物混入がなく再現性がある特性の良いガラス膜
を安定して形成することができるガラス導波路素子の製
造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、加熱機構を有するターンテーブル上に基板
を配置し、原料ガスが供給されるバーナで基板の表面に
酸化物ガラススートを堆積させ、酸化物ガラススートを
電気炉にて透明ガラス化させてガラス膜を形成するガラ
ス導波路素子の製造方法において、ターンテーブルに高
温下で安定な物質を用いるものである。
に本発明は、加熱機構を有するターンテーブル上に基板
を配置し、原料ガスが供給されるバーナで基板の表面に
酸化物ガラススートを堆積させ、酸化物ガラススートを
電気炉にて透明ガラス化させてガラス膜を形成するガラ
ス導波路素子の製造方法において、ターンテーブルに高
温下で安定な物質を用いるものである。
【０００９】上記構成に加え本発明は、ターンテーブル
の表面が、高温下で安定な物質でコーティングされてい
てもよい。
の表面が、高温下で安定な物質でコーティングされてい
てもよい。
【００１０】上記構成に加え本発明は、ターンテーブル
の表面の高温となる部分が、高温下で安定な物質でコー
ティングされていてもよい。
の表面の高温となる部分が、高温下で安定な物質でコー
ティングされていてもよい。
【００１１】上記構成に加え本発明は、ターンテーブル
の表面の高温となる部分が、高温下で安定な物質でコー
ティングされたマスクで覆われていてもよい。
の表面の高温となる部分が、高温下で安定な物質でコー
ティングされたマスクで覆われていてもよい。
【００１２】上記構成に加え本発明は、高温下で安定な
物質として炭化珪素を用いるものである。
物質として炭化珪素を用いるものである。
【００１３】基板上に堆積したスートを電気炉で焼結し
てガラス膜にする際に、ターンテーブルが酸水素バーナ
で表面があぶられてターンテーブル表面温度が約７００
℃から８５０℃までの高温となる。このためターンテー
ブル表面は、ターンテーブルの材質、例えばカーボンが
酸素と結合して気化が進行し、ターンテーブル上で成膜
されるガラス膜に不純物として混入したりガラス膜質等
の再現性に関して悪影響を及ぼす。
てガラス膜にする際に、ターンテーブルが酸水素バーナ
で表面があぶられてターンテーブル表面温度が約７００
℃から８５０℃までの高温となる。このためターンテー
ブル表面は、ターンテーブルの材質、例えばカーボンが
酸素と結合して気化が進行し、ターンテーブル上で成膜
されるガラス膜に不純物として混入したりガラス膜質等
の再現性に関して悪影響を及ぼす。
【００１４】つまり、ターンテーブルから例えばカーボ
ンが気化し不純物がガラス膜に混入することを防ぎ、か
つ再現性のある特性の良いガラス導波路素子を得るため
には、約８５０℃の高温に耐え、かつ化学的に安定な材
質からなるターンテーブルを使用する必要がある。
ンが気化し不純物がガラス膜に混入することを防ぎ、か
つ再現性のある特性の良いガラス導波路素子を得るため
には、約８５０℃の高温に耐え、かつ化学的に安定な材
質からなるターンテーブルを使用する必要がある。
【００１５】そこで、本発明によれば、基板を配置する
ターンテーブルに高温下で安定な物質を用いることによ
り、ターンテーブルからカーボンが気化してガラス膜に
混入するのが防止される。このため、再現性がある特性
のよいガラス導波路素子を得ることができる。
ターンテーブルに高温下で安定な物質を用いることによ
り、ターンテーブルからカーボンが気化してガラス膜に
混入するのが防止される。このため、再現性がある特性
のよいガラス導波路素子を得ることができる。
【００１６】ターンテーブルの表面が、高温下で安定な
物質でコーティングされている場合、ターンテーブルの
表面の高温となる部分が、高温下で安定な物質でコーテ
ィングされている場合、及びターンテーブルの表面の高
温となる部分が、高温下で安定な物質でコーティングさ
れたマスクで覆われている場合のいずれの場合でもター
ンテーブルから材質が気化して不純物としてガラス膜に
混入するのが防止される。
物質でコーティングされている場合、ターンテーブルの
表面の高温となる部分が、高温下で安定な物質でコーテ
ィングされている場合、及びターンテーブルの表面の高
温となる部分が、高温下で安定な物質でコーティングさ
れたマスクで覆われている場合のいずれの場合でもター
ンテーブルから材質が気化して不純物としてガラス膜に
混入するのが防止される。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳述する。
図面に基づいて詳述する。
【００１８】図１は本発明のガラス導波路素子の製造方
法でガラス導波路を製造する際に使用する火炎堆積装置
の一実施の形態を示す概略図である。なお、図５に示し
た従来例と同様の部材には共通の符号を用いた。
法でガラス導波路を製造する際に使用する火炎堆積装置
の一実施の形態を示す概略図である。なお、図５に示し
た従来例と同様の部材には共通の符号を用いた。
【００１９】炭化珪素で形成されたターンテーブル２０
の上に、外径３インチ、厚さ１ｍｍの石英製の基板３を
複数枚（図では８枚であるが限定されない）配置し、タ
ーンテーブル２０をヒータ１で５００℃まで加熱する。
そして、ＳｉＣｌ4 ，ＢＣｌ3 ，ＰＣｌ3 等のガラスの
原料ガス及びＡｒ，Ｏ2 ，Ｈ2 を酸水素バーナ４に供給
し、火炎中で酸化物ガラススートを生成し、回転並進運
動するターンテーブル２０上に配置した基板３上に堆積
させる。ヒータ１及び酸水素バーナ４で加熱されたター
ンテーブル２０の表面温度は約８５０℃である。この基
板３を電気炉で１３００℃の高温下にて透明ガラス化さ
せる。この結果、基板３の面内でゴミや屈折率の揺らぎ
等は確認できなかった。なお、屈折率の揺らぎには干渉
顕微鏡を用いて測定した。
の上に、外径３インチ、厚さ１ｍｍの石英製の基板３を
複数枚（図では８枚であるが限定されない）配置し、タ
ーンテーブル２０をヒータ１で５００℃まで加熱する。
そして、ＳｉＣｌ4 ，ＢＣｌ3 ，ＰＣｌ3 等のガラスの
原料ガス及びＡｒ，Ｏ2 ，Ｈ2 を酸水素バーナ４に供給
し、火炎中で酸化物ガラススートを生成し、回転並進運
動するターンテーブル２０上に配置した基板３上に堆積
させる。ヒータ１及び酸水素バーナ４で加熱されたター
ンテーブル２０の表面温度は約８５０℃である。この基
板３を電気炉で１３００℃の高温下にて透明ガラス化さ
せる。この結果、基板３の面内でゴミや屈折率の揺らぎ
等は確認できなかった。なお、屈折率の揺らぎには干渉
顕微鏡を用いて測定した。
【００２０】以上において、基板３を配置するターンテ
ーブル２０に高温下で安定な物質を用いることにより、
ターンテーブル２０からカーボンが気化してガラス膜に
混入するのが防止される。このため、再現性がある特性
のよいガラス導波路素子を得ることができる。
ーブル２０に高温下で安定な物質を用いることにより、
ターンテーブル２０からカーボンが気化してガラス膜に
混入するのが防止される。このため、再現性がある特性
のよいガラス導波路素子を得ることができる。
【００２１】図２は本発明のガラス導波路素子の製造方
法でガラス導波路を製造する際に使用する火炎堆積装置
の他の実施の形態を示す概略図である。
法でガラス導波路を製造する際に使用する火炎堆積装置
の他の実施の形態を示す概略図である。
【００２２】まず、高純度カーボン製のターンテーブル
２の表面に厚さ２μｍの炭化珪素のコーティングを施し
たターンテーブル２１上に、外径３インチ、厚さ１ｍｍ
の基板３を配置し、ターンテーブル２１をヒータ１で５
００℃まで加熱する。
２の表面に厚さ２μｍの炭化珪素のコーティングを施し
たターンテーブル２１上に、外径３インチ、厚さ１ｍｍ
の基板３を配置し、ターンテーブル２１をヒータ１で５
００℃まで加熱する。
【００２３】ＳｉＣｌ4 ，ＢＣｌ3 ，ＰＣｌ3 等のガラ
スの原料ガス及びＡｒ，Ｏ2 ，Ｈ2を酸水素バーナ４に
供給し、火炎中で酸化物ガラススートを生成し、回転並
進運動をするターンテーブル２１上に配置した基板３上
に堆積させる。ヒータ１及び酸水素バーナ４で加熱され
たターンテーブル２１の表面温度は約８５０℃であっ
た。この基板３を電気炉で１３００℃の高温下で透明ガ
ラス化させた。この結果、基板３の面内でゴミや屈折率
の揺らぎ等は確認できず、従来のものと比べて大幅にガ
ラス膜質を改善することができた。
スの原料ガス及びＡｒ，Ｏ2 ，Ｈ2を酸水素バーナ４に
供給し、火炎中で酸化物ガラススートを生成し、回転並
進運動をするターンテーブル２１上に配置した基板３上
に堆積させる。ヒータ１及び酸水素バーナ４で加熱され
たターンテーブル２１の表面温度は約８５０℃であっ
た。この基板３を電気炉で１３００℃の高温下で透明ガ
ラス化させた。この結果、基板３の面内でゴミや屈折率
の揺らぎ等は確認できず、従来のものと比べて大幅にガ
ラス膜質を改善することができた。
【００２４】図３は本発明のガラス導波路素子の製造方
法でガラス導波路を製造する際に使用する火炎堆積装置
の他の実施の形態を示す概略図である。
法でガラス導波路を製造する際に使用する火炎堆積装置
の他の実施の形態を示す概略図である。
【００２５】高純度カーボン製のターンテーブル２は、
その表面に酸水素バーナ４の炎がかかるところだけ、す
なわち環状に炭化珪素のコーティング２２が施されてい
る。このようなターンテーブル２３上に、外径３イン
チ、厚さ１ｍｍの基板３を配置し、ターンテーブル２３
をヒータ１で５００℃まで加熱する。
その表面に酸水素バーナ４の炎がかかるところだけ、す
なわち環状に炭化珪素のコーティング２２が施されてい
る。このようなターンテーブル２３上に、外径３イン
チ、厚さ１ｍｍの基板３を配置し、ターンテーブル２３
をヒータ１で５００℃まで加熱する。
【００２６】ＳｉＣｌ4 ，ＢＣｌ3 ，ＰＣｌ3 等のガラ
スの原料ガス及びＡｒ，Ｏ2 ，Ｈ2を酸水素バーナ４に
供給し、火炎中で酸化物ガラススートを生成し、回転並
進運動をするターンテーブル２３上に配置した基板３上
に堆積させる。ヒータ１及び酸水素バーナ４で加熱され
たターンテーブル２３の表面温度は約８５０℃であっ
た。この基板３を電気炉で１３００℃の高温下で透明ガ
ラス化させた。この結果、基板３の面内でゴミや屈折率
の揺らぎ等は確認できず、従来のものと比べて大幅にガ
ラス膜質を改善することができた。
スの原料ガス及びＡｒ，Ｏ2 ，Ｈ2を酸水素バーナ４に
供給し、火炎中で酸化物ガラススートを生成し、回転並
進運動をするターンテーブル２３上に配置した基板３上
に堆積させる。ヒータ１及び酸水素バーナ４で加熱され
たターンテーブル２３の表面温度は約８５０℃であっ
た。この基板３を電気炉で１３００℃の高温下で透明ガ
ラス化させた。この結果、基板３の面内でゴミや屈折率
の揺らぎ等は確認できず、従来のものと比べて大幅にガ
ラス膜質を改善することができた。
【００２７】図４は本発明のガラス導波路素子の製造方
法でガラス導波路を製造する際に使用する火炎堆積装置
の他の実施の形態を示す概略図であり、図４（ａ）は分
解斜視図、図４（ｂ）は断面図である。
法でガラス導波路を製造する際に使用する火炎堆積装置
の他の実施の形態を示す概略図であり、図４（ａ）は分
解斜視図、図４（ｂ）は断面図である。
【００２８】高純度カーボン製のターンテーブル２の表
面に、酸水素バーナ４の炎がかかるところだけマスクと
しての基板ホルダ２４が環状に敷き詰められるようにな
っている。基板ホルダ２４は扇状に形成されて炭化珪素
のコーティングが施され、その厚さが１ｍｍとなってい
る。基板ホルダ２４には溝穴２５がそれぞれ形成されて
おり、溝穴２５内に外径３インチ、厚さ１ｍｍの基板３
を収容できるようになっている。
面に、酸水素バーナ４の炎がかかるところだけマスクと
しての基板ホルダ２４が環状に敷き詰められるようにな
っている。基板ホルダ２４は扇状に形成されて炭化珪素
のコーティングが施され、その厚さが１ｍｍとなってい
る。基板ホルダ２４には溝穴２５がそれぞれ形成されて
おり、溝穴２５内に外径３インチ、厚さ１ｍｍの基板３
を収容できるようになっている。
【００２９】このような基板３を収容した基板ホルダ２
５が配置されたターンテーブル２をヒータ１で５００℃
まで加熱する。
５が配置されたターンテーブル２をヒータ１で５００℃
まで加熱する。
【００３０】ＳｉＣｌ4 ，ＢＣｌ3 ，ＰＣｌ3 等のガラ
スの原料ガス及びＡｒ，Ｏ2 ，Ｈ2を酸水素バーナ４に
供給し、火炎中で酸化物ガラススートを生成し、回転並
進運動をするターンテーブル２上の基板ホルダ内に収容
した基板３上に堆積させる。ヒータ１及び酸水素バーナ
４で加熱されたターンテーブル２の表面温度は約８５０
℃であった。この基板を電気炉で１３００℃の高温下で
透明ガラス化させた。この結果、基板３の面内でゴミや
屈折率の揺らぎ等は確認できず、従来のものと比べて大
幅にガラス膜質を改善することができた。
スの原料ガス及びＡｒ，Ｏ2 ，Ｈ2を酸水素バーナ４に
供給し、火炎中で酸化物ガラススートを生成し、回転並
進運動をするターンテーブル２上の基板ホルダ内に収容
した基板３上に堆積させる。ヒータ１及び酸水素バーナ
４で加熱されたターンテーブル２の表面温度は約８５０
℃であった。この基板を電気炉で１３００℃の高温下で
透明ガラス化させた。この結果、基板３の面内でゴミや
屈折率の揺らぎ等は確認できず、従来のものと比べて大
幅にガラス膜質を改善することができた。
【００３１】以上において本発明によれば、基板が配置
されるターンテーブルの材質を高温でも化学的に安定な
材質のもので作成する。また、高温でも化学的に安定な
材質のものでコーティングすることにより、基板上に混
入されるターンテーブルから昇華する不純物を防止で
き、再現性があり、かつ不純物のないガラス膜を安定し
て形成し、特性の良いガラス導波路素子を得ることがで
きる。
されるターンテーブルの材質を高温でも化学的に安定な
材質のもので作成する。また、高温でも化学的に安定な
材質のものでコーティングすることにより、基板上に混
入されるターンテーブルから昇華する不純物を防止で
き、再現性があり、かつ不純物のないガラス膜を安定し
て形成し、特性の良いガラス導波路素子を得ることがで
きる。
【００３２】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００３３】基板を配置するターンテーブルに高温下で
安定な物質を用いることにより、ターンテーブルからカ
ーボンが気化してガラス膜に混入するのが防止されるの
で、不純物混入がなく再現性がある特性の良いガラス膜
を安定して形成することができるガラス導波路素子の製
造方法の提供を実現することができる。
安定な物質を用いることにより、ターンテーブルからカ
ーボンが気化してガラス膜に混入するのが防止されるの
で、不純物混入がなく再現性がある特性の良いガラス膜
を安定して形成することができるガラス導波路素子の製
造方法の提供を実現することができる。
【図１】本発明のガラス導波路素子の製造方法でガラス
導波路を製造する際に使用する火炎堆積装置の一実施の
形態を示す概略図である。
導波路を製造する際に使用する火炎堆積装置の一実施の
形態を示す概略図である。
【図２】本発明のガラス導波路素子の製造方法でガラス
導波路を製造する際に使用する火炎堆積装置の他の実施
の形態を示す概略図である。
導波路を製造する際に使用する火炎堆積装置の他の実施
の形態を示す概略図である。
【図３】本発明のガラス導波路素子の製造方法でガラス
導波路を製造する際に使用する火炎堆積装置の他の実施
の形態を示す概略図である。
導波路を製造する際に使用する火炎堆積装置の他の実施
の形態を示す概略図である。
【図４】本発明のガラス導波路素子の製造方法でガラス
導波路を製造する際に使用する火炎堆積装置の他の実施
の形態を示す概略図である。
導波路を製造する際に使用する火炎堆積装置の他の実施
の形態を示す概略図である。
【図５】従来のガラス導波路素子の製造方法でガラス導
波路を製造する際に使用する火炎堆積装置の概略図であ
る。
波路を製造する際に使用する火炎堆積装置の概略図であ
る。
１ ヒータ ２，２０ ターンテーブル ３ 基板 ４ 酸水素バーナ ２４ マスク（基板ホルダ）
Claims (5)
- 【請求項１】 加熱機構を有するターンテーブル上に基
板を配置し、原料ガスが供給されるバーナで上記基板の
表面に酸化物ガラススートを堆積させ、酸化物ガラスス
ートを電気炉にて透明ガラス化させてガラス膜を形成す
るガラス導波路素子の製造方法において、上記ターンテ
ーブルに高温下で安定な物質を用いることを特徴とする
ガラス導波路素子の製造方法。 - 【請求項２】 上記ターンテーブルの表面が、高温下で
安定な物質でコーティングされている請求項１に記載の
ガラス導波路素子の製造方法。 - 【請求項３】 上記ターンテーブルの表面の高温となる
部分が、高温下で安定な物質でコーティングされている
請求項１に記載のガラス導波路素子の製造方法。 - 【請求項４】 上記ターンテーブルの表面の高温となる
部分が、高温下で安定な物質でコーティングされたマス
クで覆われている請求項１に記載のガラス導波路素子の
製造方法。 - 【請求項５】 上記高温下で安定な物質として炭化珪素
を用いる請求項１から４のいずれかに記載のガラス導波
路素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29508796A JPH10142437A (ja) | 1996-11-07 | 1996-11-07 | ガラス導波路素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29508796A JPH10142437A (ja) | 1996-11-07 | 1996-11-07 | ガラス導波路素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10142437A true JPH10142437A (ja) | 1998-05-29 |
Family
ID=17816146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29508796A Pending JPH10142437A (ja) | 1996-11-07 | 1996-11-07 | ガラス導波路素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10142437A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100347433B1 (ko) * | 2000-09-28 | 2002-08-03 | 김인하 | 실리카 도파로 제조장치 |
-
1996
- 1996-11-07 JP JP29508796A patent/JPH10142437A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100347433B1 (ko) * | 2000-09-28 | 2002-08-03 | 김인하 | 실리카 도파로 제조장치 |
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