JPH11209131A - ガラス薄膜の形成方法 - Google Patents
ガラス薄膜の形成方法Info
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- JPH11209131A JPH11209131A JP1358998A JP1358998A JPH11209131A JP H11209131 A JPH11209131 A JP H11209131A JP 1358998 A JP1358998 A JP 1358998A JP 1358998 A JP1358998 A JP 1358998A JP H11209131 A JPH11209131 A JP H11209131A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03B19/00—Other methods of shaping glass
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板上にガラス微粒子を堆積させてそれを加
熱してガラス微粒子を透明ガラス化しガラス薄膜を形成
する工程において、ガラス薄膜中に析出する結晶の数を
低減し、ガラス薄膜から作られる光導波路の伝送損失を
小さくする。 【解決手段】 ガラス薄膜の形成方法においては、マッ
フル６中の回転台３上に配置した基板１の上に、火炎バ
ーナー４から燃料ガスと共に四塩化珪素を主体とする原
料ガスを供給して加水分解反応によってガラス微粒子２
を生成して堆積させて、しかる後該マッフル６内に乾燥
空気を供給しながらガラス微粒子２が堆積した基板１を
冷却し、その後加熱炉にてガラス微粒子が堆積した基板
を加熱してガラス微粒子を透明ガラス化する。
熱してガラス微粒子を透明ガラス化しガラス薄膜を形成
する工程において、ガラス薄膜中に析出する結晶の数を
低減し、ガラス薄膜から作られる光導波路の伝送損失を
小さくする。 【解決手段】 ガラス薄膜の形成方法においては、マッ
フル６中の回転台３上に配置した基板１の上に、火炎バ
ーナー４から燃料ガスと共に四塩化珪素を主体とする原
料ガスを供給して加水分解反応によってガラス微粒子２
を生成して堆積させて、しかる後該マッフル６内に乾燥
空気を供給しながらガラス微粒子２が堆積した基板１を
冷却し、その後加熱炉にてガラス微粒子が堆積した基板
を加熱してガラス微粒子を透明ガラス化する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光導波路等の製造
に使用するガラス薄膜の形成方法に関する。
に使用するガラス薄膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信に使用される光導波路の製造にお
いては、石英基板上にコアとなる薄膜回路を形成して更
にその上にクラッド層を形成して光導波路とすることが
行われている。また薄膜回路の形成に当たっては、石英
基板上にコア層となるガラス薄膜の層を形成して、その
上にフォトリソグラフイ技術によりマスクパターンを形
成し、これをマスクとしてエッチングを行い、所望のコ
アパターンを得るのが一般的である。なお基板上のガラ
ス薄膜は、基板をマッフル内の回転台上に置いて、バー
ナーから燃焼ガスと原料ガスを供給して加水分解によっ
てガラス微粒子を生成して基板上に堆積させ、その後ガ
ラス微粒子が堆積した基板を加熱してガラス微粒子を透
明ガラス化してガラス薄膜を形成している。
いては、石英基板上にコアとなる薄膜回路を形成して更
にその上にクラッド層を形成して光導波路とすることが
行われている。また薄膜回路の形成に当たっては、石英
基板上にコア層となるガラス薄膜の層を形成して、その
上にフォトリソグラフイ技術によりマスクパターンを形
成し、これをマスクとしてエッチングを行い、所望のコ
アパターンを得るのが一般的である。なお基板上のガラ
ス薄膜は、基板をマッフル内の回転台上に置いて、バー
ナーから燃焼ガスと原料ガスを供給して加水分解によっ
てガラス微粒子を生成して基板上に堆積させ、その後ガ
ラス微粒子が堆積した基板を加熱してガラス微粒子を透
明ガラス化してガラス薄膜を形成している。
【０００３】しかし、この方法では基板上の不純物によ
ってガラス薄膜中に結晶が析出することがあり、ガラス
薄膜から回路を形成したとき、その結晶が光導波路の回
路部分に当たると光導波路の伝送損失が劣化する。それ
を避けるため、特開平９−１３３８２３号公報に記載さ
れているように、基板の上に予め結晶化し難い材料で一
次のガラス微粒子の層を設けてその上にコアとなるガラ
ス微粒子の層を形成する方法があるが、その方法では、
製造工程の増加による堆積時間の増加とコスト増加が伴
う。
ってガラス薄膜中に結晶が析出することがあり、ガラス
薄膜から回路を形成したとき、その結晶が光導波路の回
路部分に当たると光導波路の伝送損失が劣化する。それ
を避けるため、特開平９−１３３８２３号公報に記載さ
れているように、基板の上に予め結晶化し難い材料で一
次のガラス微粒子の層を設けてその上にコアとなるガラ
ス微粒子の層を形成する方法があるが、その方法では、
製造工程の増加による堆積時間の増加とコスト増加が伴
う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】基板上にガラス微粒子
を堆積させてそれを加熱してガラス微粒子を透明ガラス
化しガラス薄膜を形成する場合、基板の不純物を核とし
て結晶が析出する場合がある。この結晶は、ガラス薄膜
を加工して光導波路とした場合、光導波路の伝送損失の
増加をもたらす。本発明は、ガラス薄膜中の結晶析出を
少なくしたガラス薄膜の形成方法を提供するものであ
る。
を堆積させてそれを加熱してガラス微粒子を透明ガラス
化しガラス薄膜を形成する場合、基板の不純物を核とし
て結晶が析出する場合がある。この結晶は、ガラス薄膜
を加工して光導波路とした場合、光導波路の伝送損失の
増加をもたらす。本発明は、ガラス薄膜中の結晶析出を
少なくしたガラス薄膜の形成方法を提供するものであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によるガラス薄膜
の形成方法においては、四塩化珪素を主体とする原料ガ
スの火炎による加水分解反応によってガラス微粒子を生
成して基板上に堆積させ、しかる後乾燥状態下で該ガラ
ス微粒子が堆積した基板を冷却し、その後加熱炉にてガ
ラス微粒子が堆積した基板を加熱してガラス微粒子を透
明ガラス化する。
の形成方法においては、四塩化珪素を主体とする原料ガ
スの火炎による加水分解反応によってガラス微粒子を生
成して基板上に堆積させ、しかる後乾燥状態下で該ガラ
ス微粒子が堆積した基板を冷却し、その後加熱炉にてガ
ラス微粒子が堆積した基板を加熱してガラス微粒子を透
明ガラス化する。
【０００６】更に、ガラス微粒子が堆積した基板を冷却
した後、該基板を透明ガラス化するための加熱まで乾燥
状態下で保持するようにすれば、よりガラス薄膜中の結
晶析出を少なくすることが出来る。また、ガラス微粒子
が堆積した基板の冷却時及び加熱までの保持時の雰囲気
の相対湿度は、４０％以下であることが望ましい。
した後、該基板を透明ガラス化するための加熱まで乾燥
状態下で保持するようにすれば、よりガラス薄膜中の結
晶析出を少なくすることが出来る。また、ガラス微粒子
が堆積した基板の冷却時及び加熱までの保持時の雰囲気
の相対湿度は、４０％以下であることが望ましい。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１（Ａ）は、回転台上に配置し
た基板の上にガラス微粒子を堆積させているところを示
す斜視図である。（Ｂ）はマッフルの斜視図である。図
１において、１は石英等からなる基板、２は基板上に堆
積されたガラス微粒子、３は円盤状の回転台、４はバー
ナー、５は燃焼ガス及び原料ガス等のガス、６はマッフ
ル、７は乾燥空気供給口、８は排気口、９は試料挿入取
出し口である。
た基板の上にガラス微粒子を堆積させているところを示
す斜視図である。（Ｂ）はマッフルの斜視図である。図
１において、１は石英等からなる基板、２は基板上に堆
積されたガラス微粒子、３は円盤状の回転台、４はバー
ナー、５は燃焼ガス及び原料ガス等のガス、６はマッフ
ル、７は乾燥空気供給口、８は排気口、９は試料挿入取
出し口である。
【０００８】まず、回転台３の上に石英等の基板１を複
数枚配置し、回転台３を矢印のように毎分数十回転で回
転させながら、バーナー４から四塩化珪素、四塩化ゲル
マニウム、三塩化ボロン、オキシ塩化燐、等からなる原
料ガスと水素、酸素からなる燃焼ガス等のガス５を供給
して火炎加水分解によってガラス微粒子２を生成して、
基板１上に堆積させる。
数枚配置し、回転台３を矢印のように毎分数十回転で回
転させながら、バーナー４から四塩化珪素、四塩化ゲル
マニウム、三塩化ボロン、オキシ塩化燐、等からなる原
料ガスと水素、酸素からなる燃焼ガス等のガス５を供給
して火炎加水分解によってガラス微粒子２を生成して、
基板１上に堆積させる。
【０００９】なお、バーナー４は、回転台３の半径方向
に毎分数ｃｍの速度で移動しながら往復しており、基板
１上にはガラス微粒子２は一様な厚さで堆積される。な
お、この時基板１は台にセットしたヒーターとバーナー
４の炎の熱で熱せられ、約６００℃程度の高温になって
いる。また、マッフル６内には回転台３が下方から突き
出して配置されており、回転台３とマッフル６の底面と
の間には若干隙間があり外気の流入、流出が可能になっ
ている。なお、その隙間から入った外気は、ガラス微粒
子堆積中は燃焼が終わったガスと共に排気口８から強制
排気されている。
に毎分数ｃｍの速度で移動しながら往復しており、基板
１上にはガラス微粒子２は一様な厚さで堆積される。な
お、この時基板１は台にセットしたヒーターとバーナー
４の炎の熱で熱せられ、約６００℃程度の高温になって
いる。また、マッフル６内には回転台３が下方から突き
出して配置されており、回転台３とマッフル６の底面と
の間には若干隙間があり外気の流入、流出が可能になっ
ている。なお、その隙間から入った外気は、ガラス微粒
子堆積中は燃焼が終わったガスと共に排気口８から強制
排気されている。
【００１０】基板１上のガラス微粒子２の堆積厚さが所
望の厚さとなったところで、燃料ガスと原料ガスの供給
を停止し、回転台３のヒーターを切って、乾燥状態下で
ガラス微粒子が堆積した基板を冷却する。雰囲気を乾燥
状態とする方法の一つとして、乾燥空気供給口７からマ
ッフル６内へ乾燥空気を供給しながら、排気口８からの
強制排気量は、乾燥空気の供給量よりも少なくしてマッ
フル内の圧力を大気圧以上にして、マッフルと台との隙
間からの外気の流入が無いようにすることが出来る。な
お、この時に供給する乾燥空気の相対湿度は、４０％以
下が望ましい。また、減圧乾燥することも可能である。
また基板の冷却は、大気温度になるまで自然放置するか
又は冷却気体を吹き込んで強制冷却するかいずれかによ
って行う。
望の厚さとなったところで、燃料ガスと原料ガスの供給
を停止し、回転台３のヒーターを切って、乾燥状態下で
ガラス微粒子が堆積した基板を冷却する。雰囲気を乾燥
状態とする方法の一つとして、乾燥空気供給口７からマ
ッフル６内へ乾燥空気を供給しながら、排気口８からの
強制排気量は、乾燥空気の供給量よりも少なくしてマッ
フル内の圧力を大気圧以上にして、マッフルと台との隙
間からの外気の流入が無いようにすることが出来る。な
お、この時に供給する乾燥空気の相対湿度は、４０％以
下が望ましい。また、減圧乾燥することも可能である。
また基板の冷却は、大気温度になるまで自然放置するか
又は冷却気体を吹き込んで強制冷却するかいずれかによ
って行う。
【００１１】その後、ガラス微粒子２が堆積した基板１
をマッフル６の試料挿入取出し口９から取り出して、加
熱炉に入れて約１３９０℃で２時間加熱し、ガラス微粒
子２を透明ガラス化させるが、加熱炉への搬送及びそれ
までの保管を、乾燥空気を満たした密閉容器に収容して
行うことが望ましい。なお、この密閉容器への基板の移
し替えに当たっては、密閉容器に容器内の試料を容器内
を外気とを遮断しながら操作作業が出来る操作口の付い
たものを使用し、密閉容器の試料挿入取出し口とマッフ
ル６の試料挿入取出し口９を対向させて、外気に触れな
いようにしながら基板を移し替えることが望ましい。ま
た、この密閉容器内の雰囲気の相対湿度も４０％以下と
することで、ガラス薄膜中の結晶析出を少なくすること
が出来る。
をマッフル６の試料挿入取出し口９から取り出して、加
熱炉に入れて約１３９０℃で２時間加熱し、ガラス微粒
子２を透明ガラス化させるが、加熱炉への搬送及びそれ
までの保管を、乾燥空気を満たした密閉容器に収容して
行うことが望ましい。なお、この密閉容器への基板の移
し替えに当たっては、密閉容器に容器内の試料を容器内
を外気とを遮断しながら操作作業が出来る操作口の付い
たものを使用し、密閉容器の試料挿入取出し口とマッフ
ル６の試料挿入取出し口９を対向させて、外気に触れな
いようにしながら基板を移し替えることが望ましい。ま
た、この密閉容器内の雰囲気の相対湿度も４０％以下と
することで、ガラス薄膜中の結晶析出を少なくすること
が出来る。
【００１２】次に、結晶が薄膜回路の伝送損失の悪化を
もたらすという現象、及びガラス微粒子が堆積した基板
の冷却及び保管、搬送を低湿度下で行うことにより、ガ
ラス薄膜中の結晶析出を抑制出来るという作用について
説明する。
もたらすという現象、及びガラス微粒子が堆積した基板
の冷却及び保管、搬送を低湿度下で行うことにより、ガ
ラス薄膜中の結晶析出を抑制出来るという作用について
説明する。
【００１３】基板上のガラス薄膜中に析出した結晶の
内、回路部分にかかった結晶の数と光導波路として作成
したときの伝送損失との関係を調べてみた。図２は、そ
の結果を示す相関図である。図２から、結晶の数が多く
なれば伝送損失も増加するという関係にあることが分か
り、導波路回路中に結晶が１個／４ｃｍあっても、それ
だけで０．２ｄＢ／ｃｍの伝送損失となることが分か
る。なお、結晶の数は光学顕微鏡で見ながら、５μｍ以
上のものを数えた。
内、回路部分にかかった結晶の数と光導波路として作成
したときの伝送損失との関係を調べてみた。図２は、そ
の結果を示す相関図である。図２から、結晶の数が多く
なれば伝送損失も増加するという関係にあることが分か
り、導波路回路中に結晶が１個／４ｃｍあっても、それ
だけで０．２ｄＢ／ｃｍの伝送損失となることが分か
る。なお、結晶の数は光学顕微鏡で見ながら、５μｍ以
上のものを数えた。
【００１４】光導波路として使用する場合、伝送損失は
出来るだけ小さくする必要があるので、回路部分にかか
る結晶の数を出来るだけ零にする必要がある。図３はガ
ラス微粒子が堆積した基板をマッフル内で冷却する時に
供給する乾燥空気の相対湿度、及びマッフルから取り出
して保管、搬送するときの密閉容器内の雰囲気の相対湿
度と、ガラス薄膜とした時に析出する結晶の数との相関
図である。図３から、冷却時に乾燥空気を供給すること
が、析出結晶の数の減少に相当寄与していることが分か
る。また、保管搬送時に密閉容器を使用することも析出
結晶の減少に効果があることが分かる。
出来るだけ小さくする必要があるので、回路部分にかか
る結晶の数を出来るだけ零にする必要がある。図３はガ
ラス微粒子が堆積した基板をマッフル内で冷却する時に
供給する乾燥空気の相対湿度、及びマッフルから取り出
して保管、搬送するときの密閉容器内の雰囲気の相対湿
度と、ガラス薄膜とした時に析出する結晶の数との相関
図である。図３から、冷却時に乾燥空気を供給すること
が、析出結晶の数の減少に相当寄与していることが分か
る。また、保管搬送時に密閉容器を使用することも析出
結晶の減少に効果があることが分かる。
【００１５】なお、光導波路として、例えば８分岐のス
プリッター回路を形成する場合、回路部分の面積は約
２．８ｍｍ2となるので、その回路部分に結晶がかかる
確率を１以下とするためには、析出結晶数を約０．３６
個／ｍｍ2以下にしておく必要がある。図３から、冷却
時の供給乾燥空気の相対湿度を４０％以下にすれば、析
出結晶の数を約０．３６個／ ｍｍ2以下にすることが出
来る。従って、供給乾燥空気の相対湿度を４０％以下と
することによって、分岐のスプリッター回路の回路部分
の結晶を１個以下にすることが出来るので、十分な性能
を持った光導波路の製造が可能になる。
プリッター回路を形成する場合、回路部分の面積は約
２．８ｍｍ2となるので、その回路部分に結晶がかかる
確率を１以下とするためには、析出結晶数を約０．３６
個／ｍｍ2以下にしておく必要がある。図３から、冷却
時の供給乾燥空気の相対湿度を４０％以下にすれば、析
出結晶の数を約０．３６個／ ｍｍ2以下にすることが出
来る。従って、供給乾燥空気の相対湿度を４０％以下と
することによって、分岐のスプリッター回路の回路部分
の結晶を１個以下にすることが出来るので、十分な性能
を持った光導波路の製造が可能になる。
【００１６】
【実施例】マッフル中の回転台上に厚さ１．５ｍｍ、直
径１０ｃｍの石英基板を配置して、バーナー４から四塩
化珪素、三塩化ボロン、四塩化ゲルマニウム、オキシ塩
化燐、水素、酸素、アルゴンを供給し燃焼させてガラス
微粒子を生成し、前記基板上に堆積させた。その後ガス
を止めて、乾燥空気供給口から相対湿度２０％の乾燥空
気を供給しながらガラス微粒子は堆積した基板を自然に
室温まで冷却した。なお、排気口からの排気量は乾燥空
気の供給量以下に抑えた。その後基板をマッフルから相
対湿度２０％の雰囲気にした密閉容器内に取り出し加熱
炉まで搬送した。
径１０ｃｍの石英基板を配置して、バーナー４から四塩
化珪素、三塩化ボロン、四塩化ゲルマニウム、オキシ塩
化燐、水素、酸素、アルゴンを供給し燃焼させてガラス
微粒子を生成し、前記基板上に堆積させた。その後ガス
を止めて、乾燥空気供給口から相対湿度２０％の乾燥空
気を供給しながらガラス微粒子は堆積した基板を自然に
室温まで冷却した。なお、排気口からの排気量は乾燥空
気の供給量以下に抑えた。その後基板をマッフルから相
対湿度２０％の雰囲気にした密閉容器内に取り出し加熱
炉まで搬送した。
【００１７】次にガラス微粒子が堆積した基板を加熱炉
に入れて、ヘリウム雰囲気の中で１３９０℃に２時間加
熱し、ガラス微粒子を透明ガラス化した。そして光学顕
微鏡でガラス薄膜を観察したが、５μｍ以上の大きさの
結晶の数は零であった。またその基板を使って、フォト
リソグラフイーによってマスクパターンを形成し、エッ
チングしてコアを形成し、その上にクラッド層を設け
て、コアの幅が８μｍ、厚さが８μｍの直線状の光導波
路を作成した。その光導波路の伝送損失を波長１．５５
μｍで測定したところ、０．０７±０．０２ｄＢ／ｃｍ
で、製品としての要求に十分に応えられるものであっ
た。
に入れて、ヘリウム雰囲気の中で１３９０℃に２時間加
熱し、ガラス微粒子を透明ガラス化した。そして光学顕
微鏡でガラス薄膜を観察したが、５μｍ以上の大きさの
結晶の数は零であった。またその基板を使って、フォト
リソグラフイーによってマスクパターンを形成し、エッ
チングしてコアを形成し、その上にクラッド層を設け
て、コアの幅が８μｍ、厚さが８μｍの直線状の光導波
路を作成した。その光導波路の伝送損失を波長１．５５
μｍで測定したところ、０．０７±０．０２ｄＢ／ｃｍ
で、製品としての要求に十分に応えられるものであっ
た。
【００１８】
【発明の効果】本発明によるガラス薄膜の形成方法で
は、火炎による加水分解反応によってガラス微粒子を生
成して基板上に堆積させ、しかる後乾燥状態下で該ガラ
ス微粒子が堆積した基板を冷却し、その後加熱炉にてガ
ラス微粒子が堆積した基板を加熱してガラス微粒子を透
明ガラス化するものであるので、透明ガラスのガラス薄
膜中に析出する結晶の数を少なくすることが出来、その
ガラス薄膜を使って製造される光導波路の伝送損失を小
さくすることが出来る。
は、火炎による加水分解反応によってガラス微粒子を生
成して基板上に堆積させ、しかる後乾燥状態下で該ガラ
ス微粒子が堆積した基板を冷却し、その後加熱炉にてガ
ラス微粒子が堆積した基板を加熱してガラス微粒子を透
明ガラス化するものであるので、透明ガラスのガラス薄
膜中に析出する結晶の数を少なくすることが出来、その
ガラス薄膜を使って製造される光導波路の伝送損失を小
さくすることが出来る。
【００１９】更に、ガラス微粒子が堆積した基板を冷却
した後、該基板の保管及び透明ガラス化するための加熱
炉まで、乾燥空気を満たした密閉容器内に収容する等に
よって乾燥状態下で保持するようにすれば、よりガラス
薄膜中の結晶析出を少なくすることが出来る。
した後、該基板の保管及び透明ガラス化するための加熱
炉まで、乾燥空気を満たした密閉容器内に収容する等に
よって乾燥状態下で保持するようにすれば、よりガラス
薄膜中の結晶析出を少なくすることが出来る。
【００２０】また、冷却時に供給する乾燥空気の相対湿
度及び加熱までの保持時の雰囲気の相対湿度を、４０％
以下にすることによって、光導波路の回路面積が約３ｍ
ｍ2の製品での回路部分の結晶析出を１以下とすること
が出来る。
度及び加熱までの保持時の雰囲気の相対湿度を、４０％
以下にすることによって、光導波路の回路面積が約３ｍ
ｍ2の製品での回路部分の結晶析出を１以下とすること
が出来る。
【図１】（Ａ）は回転台上の基板上にガラス微粒子を堆
積させているところを示す斜視図であって、（Ｂ）はマ
ッフルの斜視図である。
積させているところを示す斜視図であって、（Ｂ）はマ
ッフルの斜視図である。
【図２】回路部分にかかった結晶の数と導波路の伝送損
失との関係を示す図である。
失との関係を示す図である。
【図３】冷却時、保管搬送時の相対湿度と析出結晶の数
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
【符号の説明】 １：基板 ２：ガラス微粒子 ３：回転台 ４：バーナー ５：燃料及び原料等からなるガス ６：マッフル ７：乾燥空気供給口 ８：排気口 ９：試料挿入取出し口
Claims (3)
- 【請求項１】 四塩化珪素を主体とする原料ガスの火炎
による加水分解反応によってガラス微粒子を生成して基
板上に堆積させ、しかる後乾燥状態下で該ガラス微粒子
が堆積した基板を冷却し、その後加熱炉にてガラス微粒
子が堆積した基板を加熱してガラス微粒子を透明ガラス
化することを特徴とするガラス薄膜の形成方法。 - 【請求項２】 ガラス微粒子が堆積した基板を冷却した
後、該基板を透明ガラス化するための加熱まで乾燥状態
下で保持することを特徴とする請求項１に記載のガラス
薄膜の形成方法。 - 【請求項３】 ガラス微粒子が堆積した基板の冷却時に
おける雰囲気の相対湿度は、４０％以下であることを特
徴とする請求項１又は請求項２に記載のガラス薄膜の形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1358998A JPH11209131A (ja) | 1998-01-27 | 1998-01-27 | ガラス薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1358998A JPH11209131A (ja) | 1998-01-27 | 1998-01-27 | ガラス薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11209131A true JPH11209131A (ja) | 1999-08-03 |
Family
ID=11837391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1358998A Pending JPH11209131A (ja) | 1998-01-27 | 1998-01-27 | ガラス薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11209131A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1153894A1 (en) * | 2000-05-12 | 2001-11-14 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Manufacturing method of optical waveguide |
| KR100347433B1 (ko) * | 2000-09-28 | 2002-08-03 | 김인하 | 실리카 도파로 제조장치 |
-
1998
- 1998-01-27 JP JP1358998A patent/JPH11209131A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1153894A1 (en) * | 2000-05-12 | 2001-11-14 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Manufacturing method of optical waveguide |
| KR100347433B1 (ko) * | 2000-09-28 | 2002-08-03 | 김인하 | 실리카 도파로 제조장치 |
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