JPH10144841A - リード成形方法およびリード形状修正装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】リードがガルウィング形状である半導体装置の
リードの形状のバラツキを大幅に抑制することができる
とともに、従来において必要であったリードの形状のば
らつきを抑制するための金型の調整に要する時間を大幅
に短縮可能なリード成形方法およびリード形状修正装置
を提供する。 【解決手段】半導体装置１２のリード１３をガルウィン
グ形状に成形し、ガルウィング形状に成形されたリード
１３の先端部の下面１３ｄを水平面で保持しながらリー
ド１３の肩口部１３ｂを押圧して適正な形状に修正する
ものとした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、リードがガルウィ
ング形状に成形される半導体装置のリードの形状のばら
つきを抑制して適正な形状に成形するのに好適なリード
成形方法およびリード形状修正装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】通常、モールド樹脂封止工程を経た半導
体装置は、Ｔ／Ｆ（トリム・アンド・フォーム）工程に
送られ、半導体装置のリード成形が行われる。表面実装
デバイスのリードの形状として、例えば２つの屈曲部を
有するガルウィング形状がある。リードをガルウィング
形状に成形するには、パンチとダイからなる金型を使用
してリードを曲げ加工する。上記のような曲げ加工によ
って成形されるリードの形状には、リード先端角度、コ
プラナリティ、スタンドオフ等の値が規格内の値に収ま
っていることが要求されるとともに、これらの各値が各
半導体装置においてできる限りばらつかないことが要請
されていた。ここで、リード先端角度とは、パッケージ
の下面に対するリード先端部の傾斜角度のうちの最大値
をいい、コプラナリティとは、平面上にパッケージを載
置したときの、平面からのリードの距離のうちの最大値
をいい、スタンドオフとは、パッケージ下面とリード先
端面との距離のうちの最大値をいう。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来においては、成形
金型の金型形状を調整したり、移動ストローク量を調整
したり等することにより上記の半導体装置のリードの形
状に要求される各規格値を達成し、リードの形状のばら
つきを抑制していた。しかしながら、各規格値を達成し
上記のリードの形状のばらつきを抑制するための金型の
調整には時間がかかり、工数が大きいという問題があっ
た。また、調整を行ってリードの形状を上記の各規格値
内に収めることはできるが、リード形状のばらつきを十
分に抑制することは困難であった。

【０００４】本発明は、かかる従来の課題に鑑みてなさ
れたものであって、リードがガルウィング形状である半
導体装置のリードの形状のバラツキを大幅に抑制するこ
とができるとともに、従来において必要であったリード
の形状のばらつきを抑制するための金型の調整に要する
時間を大幅に短縮可能なリード成形方法およびリード形
状修正装置を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明に係るリード成形
方法は、半導体装置のリードの形状を所定のガルウィン
グ形状に成形する成形方法であって、前記半導体装置の
リードをガルウィング形状に成形する成形工程と、ガル
ウィング形状に成形されたリードの先端部の下面を水平
面で保持しながら前記リードの肩口部を押圧して当該リ
ードを適正な形状に成形する修正工程とを有する。

【０００６】本発明に係るリード成形方法では、成形工
程においてリードがガルウィング形状に成形され、修正
工程においてはガルウィング形状に成形されたリードの
先端部の下面を水平面で保持しながら前記リードの肩口
部を押圧することにより、リード先端角度、コプラナリ
ティ、スタンドオフの各値が同時に改善されることにな
り、リードの形状のばらつきが抑制される。

【０００７】本発明に係るリード形状修正装置は、リー
ドがガルウィング形状に成形された半導体装置を保持す
るダイと、前記ダイに保持された半導体装置のリードを
当該ダイ方向に向けて押圧するパンチとを有し、前記ダ
イには、前記半導体装置のパッケージ下面に対して水平
な平面からなり、前記リードの先端部の下面を保持する
保持部が形成され、前記パンチには、前記リードの肩口
部を押圧する押圧部が形成されている。

【０００８】本発明に係るリード形状修正装置では、略
所定のガルウィング形状に成形された半導体装置は、リ
ードの先端部の下面がダイの保持部によって保持された
状態で、リードの肩口部がパンチの押圧部によって押圧
され、リード先端角度、コプラナリティ、スタンドオフ
の各値が同時に改善される。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るリード成形方
法およびリード形状修正装置の実施の形態について図面
を参照しながら説明する。図１は、本発明に係るリード
形状修正装置におけるパンチおよびダイの一実施形態を
示す説明図である。本発明に係るリード形状修正装置を
説明する前に、本発明に係るリード形状修正装置が適用
される半導体装置のＴ／Ｆ工程における設備の概要を図
４に示す。

【００１０】図４において、リードフレームを介して複
数の半導体装置が連結された半導体装置群１１は、図示
しない搬送装置によって搬送部２２に移動され、抜型装
置２３に送られる。抜型装置２３では、半導体装置群１
１のリードフレームが切断され、単体の半導体装置１２
となる。この半導体装置１２は、リード成形装置１４に
送られて、半導体装置１２のリードがガルウィング形状
に成形される。リードが成形された半導体装置１２は、
リード形状修正装置１６に送られリード形状が適正な形
状に修正される。リードの形状が修正された半導体装置
１２は、収納部１８に収納される。

【００１１】上記のリード成形装置１４は、図５（ａ）
に示すように、駆動部１４ａ、上金型１４ｂ、下金型１
４ｄおよび保持台１４ｃを有している。上金型１４ｂは
駆動部１４ａによって駆動され、保持台１４ｃに保持さ
れた下金型１４ｄに対して移動可能となっている。下金
型１４ｄの所定の位置に半導体装置１２をセットし、上
金型１４ｂを下降させて、半導体装置１２のリード１３
を上金型１４ｂと下金型１４ｄとでプレスすることによ
り、図３に示すようなガルウィング形状のリードの形状
が得られる。

【００１２】一方、リード形状修正装置１６は、図５
（ｂ）に示す駆動部１６ａによって駆動されるパンチ２
と、保持台１６ｂに保持されたダイ４とを有し、パンチ
２が下降することによってダイ４に保持された半導体装
置１２のリード１３の形状を修正するものである。ここ
で、図５（ｂ）の円Ａ内の構造を図１に示す。図１にお
いて、パンチ２は上記の駆動部１６ａによって矢印Ｂ１
およびＢ２方向に移動可能となっている。このパンチ２
の先端には、半導体装置１２のガルウィング形状に成形
されたリード１３の肩口部を押圧する押圧部２ａが半導
体装置１２の四方の側面に形成されたリード１３に対応
して四方形成されている。

【００１３】パンチ２に対向して設けられたダイ４の先
端には、ダイ４に対して下降してくるパンチ２の移動を
規制するとともに、ダイ４上の保持された半導体装置１
２がダイ４上を移動するのを防止するための凸状のスト
ッパ部４ａが四方に形成されている。上記のストッパ部
４ａの周囲は、ガルウィング形状に成形されたリード１
３の先端部下面を保持することにより半導体装置１２を
保持する保持面４ｂとなっている。上記のストッパ部４
ａによって囲まれる空間は、保持面４ｂによってリード
１３の先端部が保持された半導体装置１２のパッケージ
が隙間をもって収容される収容部４ｃとなっている。

【００１４】次に、上記のように構成されるリード成形
装置１４およびリード形状修正装置１６を使用して本発
明に係るリード成形方法の一実施形態について説明す
る。まず、上記のリードが未成形状態の単体の半導体装
置１２をリード成形装置１４にセットし、リードをガル
ウィング形状に成形する。図３に示すように、半導体装
置１２のリード１３は、第１の屈曲部１３ｂおよび第２
の屈曲部１３ｄを有するガルウィング形状に成形され
る。

【００１５】このとき、リード１３の形状のコプラナリ
ティＣｐ、スタンドオフＳｆ、リード先端角度θが規格
値内に収まるように成形する。コプラナリティＣｐは、
図３に点線で示すリード１３’のように、水平面Ｐから
浮き上がった各リードと水平面Ｐとの距離のうちの最大
値である。リード先端角度θは、半導体装置１２のパッ
ケージの下面１２ａに対する各リード先端部の傾斜角度
のうちの最大値である。スタンドオフＳｆは、パッケー
ジ下面１２ａと各リード１３の先端面との距離のうちの
最大値である。

【００１６】コプラナリティＣｐ、スタンドオフＳｆ、
リード先端角度θの規格値としては、例えば、コプラナ
リティＣｐは最大で４０μｍ、スタンドオフＳｆは１０
０±５０μｍ、リード先端角度θは３°±３°である。
したがって、コプラナリティＣｐ、スタンドオフＳｆ、
リード先端角度θは一定の範囲に収まればよいため、リ
ード成形装置１４においてはリード１３の成形を比較的
容易に行うことができる。また、リード成形装置１４に
よる成形工程においては、コプラナリティＣｐ、スタン
ドオフＳｆ、リード先端角度θが各規格値内に収まって
いればよいため、コプラナリティＣｐ、スタンドオフＳ
ｆ、リード先端角度θの値のばらつきを抑制する必要が
なく、上下の金型１４ｂおよび１４ｄに関する微調整や
メインテナンスを行う必要がほとんどなくなる。

【００１７】次いで、リード成形装置１４による成形工
程において得られたガルウィング形状に成形された半導
体装置１２をリード形状修正装置１６にセットし、半導
体装置１２のリード１３を適正な形状に修正する。半導
体装置１２の各リード１３は、リード成形装置１４にお
いて、上記のコプラナリティＣｐ、スタンドオフＳｆ、
リード先端角度θの各値のばらつきを抑制するための微
調整を行っていないため、この各値にはバラツキが存在
する。したがって、リード形状修正装置１６による修正
工程においてこのバラツキを修正する。

【００１８】リード成形装置１４による成形工程におい
て得られたガルウィング形状に成形された半導体装置１
２がリード成形装置１４のダイ４上にセットされると、
図２に示すように、リード１３の先端部の下面１３ａが
ダイ４の保持面４ｂに保持された状態となる。また、半
導体装置１２のパッケージは収容部４ｃに隙間をもって
収容された状態となり、リード１３の肩口部１３ｂとダ
イ４のストッパ部４ａの先端との間には隙間が存在する
状態となっている。

【００１９】この状態で、パンチ２を矢印Ｄ方向に所定
の移動ストローク量で下降させると、パンチ２の押圧部
２ａが半導体装置１２のリード１３の肩口部１３ｂを押
圧し、半導体装置１２の全体をダイ４方向に押し下げ
る。これにより、ダイ４の保持面４ｂが水平面となって
いることから、リード１３の先端がストッパ部４ａから
離れる方向に移動するとともに、第１および第２の屈曲
部１３ｃおよび１３ｄがこれにあわせて変形する。この
結果、リード１３は、全体的に矢印Ｅの方向に変形修正
され、コプラナリティＣｐ、スタンドオフＳｆ、リード
先端角度θのバラツキが同時に修正される。なお、パン
チ２の移動ストローク量は、リード１３のコプラナリテ
ィＣｐ、スタンドオフＳｆおよびリード先端角度θが規
格値外にならないように、予め最適な量に調整してお
く。また、パンチ２が所定の移動ストローク量で下降し
ても、パンチ２の押圧部２ａは、リード１３を介してダ
イ４のストッパ４ａの先端部には当接しない。ダイ４の
ストッパ４ａは、パンチ２が何らかの原因で所定の移動
ストローク量を越えて降下したような場合に、パンチ２
の移動を規制するために設けられているからである。

【００２０】以上のように、本実施形態に係るリード成
形方法によれば、リード１３の形状のコプラナリティＣ
ｐ、スタンドオフＳｆ、リード先端角度θのばらつきが
同時に改善された半導体装置１２を形成することが可能
となる。また、成形工程と修正工程に分かれているた
め、成形時にリード１３のコプラナリティＣｐ、スタン
ドオフＳｆ、リード先端角度θのばらつきを抑制するた
めの微調整が必要なくなり、調整に必要な工数を大幅に
削減することができる。

【００２１】本実施形態に係るリード形状修正装置によ
れば、押圧部２ａが形成されたパンチ２をダイ４に保持
された半導体装置１２のリード１３に対して所定量移動
させて押圧するだけで、コプラナリティＣｐ、スタンド
オフＳｆ、リード先端角度θのばらつきが同時に改善さ
れ、リード１３の形状が規格値内に収まった半導体装置
１２を製造することができる。また、半導体装置１２の
リード１３の先端部の上面に当接しないためリード１３
の先端部の上面に圧痕が形成されることがない。このた
め、後の工程で行うリード形状検査を画像処理装置で行
う際に問題が発生しない。

【００２２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るリー
ド成形方法によれば、半導体装置のリードの形状のコプ
ラナリティ、スタンドオフ、リード先端角度の各値を規
格値内に収めることができるとともに、これらの各値を
修正してバラツキを抑制することができる。また、本発
明に係るリード成形方法は、成形工程と修正工程に分か
れているため、成形工程において規格値内に収めるため
の微調整が必要なくなり、調整に必要な工数を大幅に削
減することができるとともに、修正工程においては容易
にバラツキを抑制することができ、全体として大幅な工
数を削減することができる。

【００２３】本発明に係るリード形状修正装置は、ダイ
に対してパンチを所定量移動して押圧することにより、
半導体装置のリードの形状のコプラナリティ、スタンド
オフ、リード先端角度の各値を修正することができるた
め、構造が非常に簡単であり、ダイおよびパンチの微調
整やメインテナンスが非常に容易である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るリード形状修正装置におけるパン
チとダイの一実施形態を示す説明図である。

【図２】図１に示すパンチとダイとによって半導体装置
のリードの形状を修正する様子を示す説明図である。

【図３】半導体装置のコプラナリティ、スタンドオフ、
リード先端角度を示す説明図である。

【図４】Ｔ／Ｆ工程の設備の概要の一例を示す説明図で
ある。

【図５】図５（ａ）は、リード成形装置の一構成例を示
す説明図であり、図５（ｂ）は本発明に係るリード形状
修正装置の一構成例を示す説明図である。

【符号の説明】

２…パンチ、２ａ…押圧部、４…ダイ、４ａ…ストッパ
部、４ｂ…保持面、４ｃ…収容部、１２…半導体装置、
１３…リード。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体装置のリードの形状を所定のガルウ
   ィング形状に成形する成形方法であって、 半導体装置のリードをガルウィング形状に成形する成形
   工程と、 ガルウィング形状に成形されたリードの先端部の下面を
   水平面で保持しながら前記リードの肩口部を押圧して当
   該リードを適正な形状に成形する修正工程とを有するリ
   ード成形方法。
2. 【請求項２】リードがガルウィング形状に成形された半
   導体装置を保持するダイと、前記ダイに保持された半導
   体装置のリードを当該ダイ方向に向けて押圧するパンチ
   とを有し、 前記ダイには、前記半導体装置のパッケージ下面に対し
   て水平な平面からなり、前記リードの先端部の下面を保
   持する保持部が形成され、 前記パンチには、前記リードの肩口部を押圧する押圧部
   が形成されているリード形状修正装置。