JPH10149557A - 光学ピックアップ用受発光素子及びそのカバー - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 各種光学要素を一体に構成することにより、
部品点数を削減し、組立コストが低減されるようにし
た、光学ピックアップ用受発光素子及びそのカバーを提
供すること。 【解決手段】 光学ピックアップ用受発光素子１３に対
して、その半導体基板の上面，発光素子，マイクロプリ
ズム及び第一及び第二の光検出器を覆うカバー１４であ
って、前記カバー１４の前記発光素子から出射されたレ
ーザ光の通過する一面に、光学要素１４ｂが一体に備え
られるように、受発光素子１３を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばミニディス
ク（ＭＤ）・コンパクトディスク（ＣＤ）等の記録・再
生光ディスク装置の光学ピックアップ用受発光素子及び
そのカバーに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、コンパクトディスク用の光学ピッ
クアップは、例えば、図１０に示すように構成されてい
る。図１０において、光学ピックアップ１は、対物レン
ズ２と、ベース部（図示せず）上に固定配置された受発
光素子３と、光学系４とを含んでいる。

【０００３】光学ピックアップ１は、対物レンズ２がフ
ォーカシング方向及びトラッキング方向に移動されるこ
とにより、受発光素子３から出射されたレーザ光を光学
系４及び対物レンズ２を介して、対物レンズ２の上方で
回転駆動される光ディスク５の信号記録面上のある一点
に収束合焦させ、光ディスク５の信号記録面からのレー
ザ光（戻り光）を対物レンズ２及び光学系４を介して受
発光素子３内に入射させる。

【０００４】ここで、光学系４は、受発光素子３から出
射されたレーザ光を対物レンズ２に導き、また、光ディ
スク５からの戻り光を対物レンズ２から受発光素子３に
導くもので、図示の場合、二つの光路折曲げ用ミラー４
ａ，４ｂから構成されている。また、図示しない二軸ア
クチュエータにより、対物レンズ２がフォーカシング方
向及びトラッキング方向に移動調整されることにより、
受発光素子３から出射されたレーザ光は、光学系４のミ
ラー４ａ，４ｂそして対物レンズ２を介して、光ディス
ク５の信号記録面に収束合焦するようになっている。光
ディスク５の信号記録面からの戻り光は、対物レンズ２
及び光学系のミラー４ａ，４ｂを介して、受発光素子３
に入射される。

【０００５】上記受発光素子３は、図１１及び図１２に
示すように、第一の半導体基板３ａ上に光出力用の第二
の半導体基板３ｂが載置され、この第二の半導体基板３
ｂ上に発光素子としての半導体レーザ素子３ｃが搭載さ
れている。半導体レーザ素子３ｃの前方の第一の半導体
基板３ａ上には、台形形状のマイクロプリズム３ｄが、
その半透過面としての傾斜面を半導体レーザ素子３ｃ側
にして、設置されている。さらに、受発光素子３は、上
端が開放した直方体状のケース６内に収容されていると
共に、そのケース６の上端が、ガラス板７により閉じら
れている。

【０００６】これにより、半導体レーザ素子３ｃから第
二の半導体基板３ｂの表面に沿って出射した光ビーム
は、マイクロプリズム３ｄの傾斜面にて反射されて、上
方に向かって進み、ガラス板７を透過して、光学系４の
ミラー４ａに向かって進むことになる。そして、ミラー
４ａにより反射された光ビームは、さらに光学系４のミ
ラー４ｂにより反射された後、対物レンズ２を介して、
光ディスク５の信号記録面に収束される。光ディスク５
の信号記録面からの戻り光は、再び、対物レンズ２，光
学系４のミラー４ｂ，４ａを介して、さらにガラス板７
を介して、マイクロプリズム３ｄの傾斜面から、マイク
ロプリズム３ｄ内に入射し、マイクロプリズム３ｄの底
面に達する。このマイクロプリズム３ｄの底面に達した
戻り光は、一部がこの底面を透過すると共に、一部がこ
の底面で反射され、マイクロプリズム３ｄの上面に向か
って進む。ここで、マイクロプリズム３ｄの戻り光入射
位置の下部の第一の半導体基板３ａ上には、第一の光検
出器３ｅが形成されている。

【０００７】また、上記底面で反射された戻り光は、マ
イクロプリズム３ｄの上面にて反射されて、再びマイク
ロプリズム３ｄの底面に入射される。そして、マイクロ
プリズム３ｄの上面で反射された戻り光の入射されるマ
イクロプリズム３ｄの底面部分の下部の第一の半導体基
板３ａには、第二の光検出器３ｆが形成されている。

【０００８】上記第一の光検出器３ｅ，第二の光検出器
３ｆは、それぞれ複数のセンサブロックに分割されてお
り、各センサブロックの検出信号がそれぞれ独立して出
力されるようになっている。尚、第二の半導体基板３ｂ
上には、半導体レーザ素子３ｃの出射側とは反対側に、
第三の光検出器３ｇが備えられている。この第三の光検
出器３ｇは、半導体レーザ素子３ｃの発光強度をモニタ
するためのものである。

【０００９】このように構成された光学ピックアップ１
によれば、受発光素子３の半導体レーザ素子３ｃから出
射されたレーザ光は、マイクロプリズム３ｄの傾斜面に
入射し、この傾斜面で反射される。マイクロプリズム３
ｄの傾斜面で反射されたレーザ光は、光学系４のミラー
４ａ，４ｂ及び対物レンズ２を介して、光ディスク５の
信号記録面の所望のトラック位置のある一点に集束され
る。光ディスク５からの戻り光は、再び、対物レンズ
２，光学系４のミラー４ｂ，４ａを介して、受発光素子
３のマイクロプリズム３ｄの傾斜面に入射し、この傾斜
面を透過することにより、マイクロプリズム３ｄ内に進
む。

【００１０】マイクロプリズム３ｄ内に入射した戻り光
は、このマイクロプリズム３ｄの底面に達する。この底
面に入射した戻り光は、一部が透過すると共に、一部が
マイクロプリズム３ｄの上面方向に反射される。底面を
通過した戻り光は、第一の光検出器３ｅに入射され、他
方、底面で反射された戻り光は、マイクロプリズム３ｄ
の上面で反射され、マイクロプリズム３ｄの底面を通過
して、第二の光検出器３ｆに入射する。

【００１１】このように戻り光が、第一の光検出器３ｅ
及び第二の光検出器３ｆに入射するので、光検出器３ｅ
及び３ｆの各センサブロックからの検出信号に基づい
て、再生信号や、例えばいわゆる差動３分割法（Ｄ−３
ＤＦ法）により、フォーカス信号が検出され、また第一
の光検出器３ｅの各センサ部の検出信号の差に基づい
て、トラッキングエラーが検出される。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１０
に示したコンパクトディスク用の光学ピックアップ１に
おいては、光学ピックアップ１全体の厚さ、即ち光ディ
スク５の下面から光学ピックアップ１の最下部までの厚
さをできるだけ薄くするために、光学系４のミラー４
ａ，４ｂにより光路を折曲げるようにしている。このた
め部品点数が多くなると共に、光学系４の各ミラー４
ａ，４ｂの位置決めを正確に行なう必要があるため、組
立が複雑になり、部品コスト及び組立コストが高くなっ
てしまうという問題があった。

【００１３】また、半導体レーザ素子３ｃから出射する
光ビームの非点隔差を補正するためには、例えば図１３
に示すように、出射側に斜めに配設された非点隔差補正
板としての平板ガラス８ａを備えた、半導体レーザダイ
オード８が知られているが、受発光素子３は、例えばセ
ラミックパッケージにより封止されているため、半導体
レーザ素子３ｃ固有の非点隔差を補正するための非点隔
差補正板等の補正手段を受発光素子３内に組み込むこと
は困難である。また、このような補正手段は、使用する
半導体レーザ素子３ｃの光ビームの波長が異なると、非
点隔差も異なることから、非点隔差補正板も対応して変
更する必要があるという問題があった。

【００１４】さらに、無限光学系を構成する場合には、
光路中にコリメータレンズを挿入する必要があると共
に、半導体レーザ素子３ｃとして高出力のものを使用す
る場合には、光軸に対する偏光方向による光量の差が比
較的大きくなることから、これを補正する光学部品を挿
入する必要がある。従って、これらの場合には、それぞ
れ部品点数が多くなり、部品コスト及び組立コストが高
くなってしまうという問題があった。

【００１５】本発明は、以上の点に鑑み、各種光学要素
を一体に構成することにより、部品点数を削減し、組立
コストが低減されるようにした、光学ピックアップ用受
発光素子及びそのカバーを提供することを目的としてい
る。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明によ
れば、第一の半導体基板上に形成された第一及び第二の
光検出器と、前記第一の半導体基板上に搭載された第二
の半導体基板上に形成され、レーザ光を出射する発光素
子と、前記第一の半導体基板上に載置され、前記発光素
子から出射されたレーザ光の照射される部分に傾斜面が
形成され、その底面に半透過膜と無反射膜が形成され、
その上面に全反射膜の形成されたマイクロプリズムと、
前記基板の表面と発光素子，光検出器及びマイクロプリ
ズムを覆うカバーと、を有し、前記発光素子からのレー
ザ光を、前記傾斜面で反射させて、カバーの一面を介し
て、光ディスクに導くと共に、光ディスクからの戻り光
を、このカバーの一面を介して前記傾斜面からマイクロ
プリズム内に入射させ、前記第一の光検出器に照射させ
ると共に、前記半透過膜で反射されたレーザ光を、前記
全反射膜で、さらに反射した後、前記無反射膜を透過さ
せて、前記第二の光検出器に照射させる構成とし、さら
に、前記カバーの一面に、特定の光学機能を持つ光学要
素が一体に備えられている、受発光素子により、達成さ
れる。

【００１７】上記構成によれば、半導体基板の上面，発
光素子，マイクロプリズム及び第一及び第二の光検出器
を覆うカバーの発光素子からの光ビームが通過する一面
に、光学要素、即ち発光素子からの光ビームの非点隔差
を補正するための非点隔差補正板，アナモルフィック光
学系，コリメータレンズとしてもしくはこれと同等に作
用する偏光ホログラム素子等が一体に形成されているの
で、当該光学要素が容易に組み込まれることになり、当
該光学要素の作用を受けた光ビームに基づいて、光ディ
スクの信号記録面に記録された情報信号の再生が行なわ
れることになる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態を
添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述べ
る実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術
的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範
囲は、以下の説明において、特に本発明を限定する旨の
記載がない限り、これらの態様に限られるものではな
い。

【００１９】図１は、本発明による受発光素子及びその
カバーを備えたコンパクトディスク用の光学ピックアッ
プの好適な実施形態を示す図である。図１において、光
学ピックアップ１０は、光収束手段としての対物レンズ
１１と、ベース部（基板）１２と、ベース部１２上に配
設された受発光素子１３及び光学系を一体に組み込んだ
カバー１４と、コリメータレンズ１５とを含んでいる。

【００２０】光学ピックアップ１０は、対物レンズ１１
がフォーカシング方向及びトラッキング方向に移動され
ることにより、受発光素子１３から出射されたレーザ光
をカバー１４内の光学系及びコリメータレンズ１５，対
物レンズ１１を介して、対物レンズ１１の図示の場合左
方で回転駆動される光ディスク１６の信号記録面上のあ
る一点に収束合焦させる。そして、光ディスク１６の信
号記録面からの戻り光を対物レンズ１１，コリメータレ
ンズ１５及びカバー１４内の光学系を介して受発光素子
１４内に入射させる。

【００２１】上記カバー１４は、受発光素子１３全体を
覆うように、ベース部１２に取り付けられており、受発
光素子１３を外気から保護するようになっている。ここ
で、カバー１４内の光学系は、図２及び図３に示すよう
に、受発光素子１３から出射されたレーザ光をコリメー
タレンズ１５に導き、また、光ディスク１５からの戻り
光を対物レンズ１１，コリメータレンズ１５から受発光
素子１３に導くものである。この光学系は、カバー１４
の内面に一体に形成された第一の反射面１４ａと、図面
にて左端付近に一体に設けられた非点隔差補正用の手
段、例えば、平行平板等の平板部１４ｂとを備えてい
る。また、このカバー１４は、さらに平板部１４ｂとは
反対側の端部（即ち、図面にて右側の端部）付近の内面
に４５度だけ斜め下方に向いた第二の反射面１４ｃを備
えている。

【００２２】第一の反射面１４ａは、受発光素子１３か
ら上方に向かって進む光ビームを、反射によりベース部
１２の表面に沿ってほぼ平行に導くように、４５度だけ
傾斜して配設されている。

【００２３】さらに、上記平板部１４ｂは、カバー１４
と一体的に取り付けられていると共に、光透過性を有し
ており、図２に示すように、受発光素子１３からの光ビ
ームの光軸に対して、傾斜角θ１だけ傾斜して配設され
ている。この場合、平板部１４ｂは、図２にて鎖線で示
すように、異なる傾斜角例えばθ２等に調整されるよう
に構成されている。これにより、受発光素子１３からの
光ビームは、その波長に応じて、平板部１４ｂの傾きを
調整することで、この平板部１４ｂを通過する際に、そ
の非点隔差が補正されることになる。

【００２４】ここで、カバー１４は、例えば透明材料で
あるプラスチック等から成形されるが、平板部１４ｂ以
外は、光透過性を必要としないため、例えばアクリル，
ポリエステル，アモルファスポリオレフィン等の透明な
光学プラスチックとポリフェニレンサルファイド（ＰＰ
Ｓ），熱硬化性エポキシ樹脂等の不透明樹脂による二色
成形や、透明ガラスと不透明樹脂による一体成形等によ
っても構成される。また、上記反射面１４ａ，１４ｃ
は、例えば誘電体多層膜や高反射金属膜から成る反射膜
（図示せず）を備えている。尚、カバー１４の内面のう
ち、上記反射面１４ａ，１４ｃ以外の内面は、好ましく
は、不要光を吸収する特性を有するように、例えば反射
防止コーティング等の光吸収膜を形成することにより構
成されてもよく、また黒色塗料を塗布したり、黒色材料
を表面処理し、さらには所定角度に傾斜して形成される
ことにより、受発光素子１３からの光の散乱（迷光）を
防止するように構成されてもよい。

【００２５】かくして、図示しない二軸アクチュエータ
により、対物レンズ１１がフォーカシング方向及びトラ
ッキング方向に移動調整されることにより、受発光素子
１３から出射されたレーザ光は、上記第一の反射面１４
ａ及び平板部１４ｂを介して、コリメータレンズ１５で
平行光に変換された後、対物レンズ１１に入射し、さら
に対物レンズ１１により光ディスク１６の信号記録面に
収束合焦するようになっている。光ディスク１６の信号
記録面からの戻り光は、対物レンズ１１，コリメータレ
ンズ１５及び平板部１４ｂを通って、第一の反射面１４
ａで反射され、受発光素子１３に入射されるようになっ
ている。

【００２６】上記受発光素子１３は、図４に示すよう
に、第一の半導体基板１３ａ上に光出力用の第二の半導
体基板１３ｂが載置され、この第二の半導体基板１３ｂ
上に発光素子としての半導体レーザ素子１３ｃが搭載さ
れている。半導体レーザ素子１３ｃの前方の第一の半導
体基板１３ａ上には、台形形状のマイクロプリズム１３
ｄが、その半透過面としての傾斜面を半導体レーザ素子
１３ｃ側にして、設置されている。

【００２７】これにより、半導体レーザ素子１３ｃから
第二の半導体基板１３ｂの表面に沿って出射した光ビー
ムは、マイクロプリズム１３ｄの傾斜面にて反射され
て、上方に向かって進み、前記カバー１４の第一の反射
面１４ａによって反射され、平板部１４ｃを通って、コ
リメータレンズ１５に向かって進むことになる。また、
光ディスク１６の信号記録面からの戻り光は、コリメー
タレンズ１５を通った後、カバー１４の平板部１４ｂ及
び第一の反射面１４ａを介して、マイクロプリズム１３
ｄの傾斜面を透過して、マイクロプリズム１３ｄの底面
に達する。このマイクロプリズム１３ｄの底面に達した
戻り光は、一部がこの底面を透過すると共に、一部がこ
の底面で反射され、マイクロプリズム１３ｄの上面に向
かって進む。

【００２８】ここで、マイクロプリズム１３ｄの戻り光
入射位置の下部の第一の半導体基板１３ａ上には、第一
の光検出器１３ｅが形成されている。また、上記底面で
反射された戻り光は、マイクロプリズム１３ｄの上面に
て反射されて、再びマイクロプリズム１３ｄの底面に入
射される。そして、マイクロプリズム１３ｄの上面で反
射された戻り光の入射されるマイクロプリズム１３ｄの
底面部分の下部の第一の半導体基板１３ａには、第二の
光検出器１３ｆが形成されている。上記第一の光検出器
１３ｅ，第二の光検出器１３ｆは、図５に示すように、
それぞれ複数（図示の場合には、中央と両側の三つ）の
センサブロックＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆに分割されてお
り、各センサブロックＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆの検出信
号ＳＡ，ＳＢ，ＳＣ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＦがそれぞれ独立
して出力されるようになっている。

【００２９】さらに、第一の半導体基板１３ａ上には、
マイクロプリズム１３ｄの第二の半導体基板１３ｂとは
反対側に、第三の光検出器１３ｇが備えられている。こ
の第三の光検出器１３ｇは、半導体レーザ素子１３ｃの
発光強度をモニタするためのものであり、半導体レーザ
素子１３ｃから出射した光ビームが、マイクロプリズム
１３ｄの傾斜面から入射して、マイクロプリズムｄの反
対側の端面から出射した後、前述したカバー１４の第三
の反射面１４ｄにより反射されて、入射するようになっ
ている。

【００３０】本実施形態は以上のように構成されてお
り、受発光素子１３の半導体レーザ素子１３ｃから出射
されたレーザ光は、マイクロプリズム１３ｄの傾斜面に
入射し、この傾斜面で反射される。マイクロプリズム１
３ｄの傾斜面で反射されたレーザ光は、カバー１４の第
一の反射面１４ａで反射され、平板部１４ｂにより非点
隔差の補正が行なわれた後、コリメータレンズ１５及び
対物レンズ１１を介して、光ディスク１６の信号記録面
の所望のトラック位置のある一点に集束される。光ディ
スク１６からの戻り光は、再び、対物レンズ１１，コリ
メータレンズ１５，平板部１４ｂ及び第一の反射面１４
ａを介して、受発光素子１３のマイクロプリズム１３ｄ
の傾斜面に入射し、この傾斜面を透過することにより、
マイクロプリズム１３ｄ内に進む。

【００３１】マイクロプリズム１３ｄ内に入射した戻り
光は、このマイクロプリズム１３ｄの底面に達し、一部
が透過すると共に、一部がマイクロプリズム１３ｄの上
面方向に反射される。底面を通過した戻り光は、第一の
光検出器１３ｅに入射され、他方、底面で反射された戻
り光は、マイクロプリズム１３ｄの上面で反射され、マ
イクロプリズム１３ｄの底面を通過して、第二の光検出
器１３ｆに入射する。ここで、光ディスク１６がジャス
トフォーカスの位置にある場合には、上記第一の光検出
器１３ｅと第二の光検出器１３ｆ上に形成されるスポッ
トは、図５に示すように、同じ大きさである。また、光
ディスク１６が近い場合には、図６に示すように、第一
の光検出器１３ｅ上に形成されるスポットが大きく、ま
た第二の光検出器１３ｆ上に形成されるスポットは小さ
くなる。さらに、光ディスク１６が遠い場合には、図７
に示すように、第一の光検出器１３ｅ上に形成されるス
ポットが小さく、また第二の光検出器１３ｆ上に形成さ
れるスポットは大きくなる。

【００３２】このように戻り光が、第一の光検出器１３
ｅ及び第二の光検出器１３ｆに入射し、光ディスク１６
のフォーカス状態に応じて各光検出器１３ｅ，１３ｆ上
に形成されるスポットの大きさが変化するので、光検出
器１３ｅ及び１３ｆの各センサブロックからの検出信号
に基づいて、再生信号や、例えばいわゆる差動３分割法
（Ｄ−３ＤＦ法）により、フォーカス信号が検出され、
また第一の光検出器１３ｅの各センサ部の検出信号の差
に基づいて、トラッキングエラーが検出される。例え
ば、差動３分割法においては、第一の光検出器１３ｅ及
び第二の光検出器１３ｆからの検出信号ＳＡ乃至ＳＦに
基づいて、フォーカスエラー信号ＦＥは、

【数１】 により得られる。また、トラッキングエラー信号ＴＥ
は、

【数２】 により得られる。さらに、再生信号ＲＦは、

【数３】 により得られる。

【００３３】ところで、受発光素子１３の半導体レーザ
素子１３ｃから出射した光ビームは、図２及び図３に示
すように、マイクロプリズム１３ｄの傾斜面に入射した
とき、一部がマイクロプリズム１３ｄ内に進み、マイク
ロプリズム１３ｄの反対側の端面から出射した後、カバ
ー１４の内面に形成された第二の反射面１４ｃにより反
射されて、第一の半導体基板１３ａ上の第三の光検出器
１３ｇに入射する。これにより、半導体レーザ素子１３
ｃの発光光量のモニタが行なわれる。この場合、第三の
光検出器１３ｇには、光ディスク１６からの戻り光が入
射することはないので、戻り光による干渉が排除される
ことになり、半導体レーザ素子１３ｃの発光光量の正確
なモニタが行われる。従って、光ディスク１６の信号記
録面に照射する光ビームの光量が、正確に制御されるこ
とになり、光学ピックアップ１０の再生動作の安定性が
向上することになる。

【００３４】尚、図１に示した光学ピックアップ１０に
おいて、再生すべき光ディスク１６の種類が異なる場合
に、受発光素子１３の半導体レーザ素子１３ｃから出射
する光ビームの波長が変更されることがある。この場
合、半導体レーザ素子１３ｃからの光ビームの非点隔差
が変化するので、カバー１４の非点隔差補正板としての
平板部１４ｂの傾斜角度θ１が変更される必要がある。
かくして、平板部１４ｂは、例えば図２にて鎖線で示す
ように、傾斜角度θ２に変更されることにより、半導体
レーザ素子１３ｃの光ビームの波長変更に対応すること
ができるようになっている。

【００３５】図８は、本発明による受発光素子のための
カバーの第二の実施形態を示している。図８において、
カバー２０は、図１に示したカバー１４と基本的には同
じ構成であるが、平板部１４ｂの代わりに、アルモルフ
ィックレンズ部２１を有していると共に、受発光素子１
３の半導体レーザ素子１３ｃが高出力のものである点で
異なる構成である。アナモルフィックレンズ部２１は、
例えば第一の反射部１４ａで反射され水平にコリメータ
レンズ１５に向かって延びる光軸に関して、横方向に比
較的大きな倍率を有していると共に、縦方向に比較的小
さな倍率を有している。これにより、高出力の半導体レ
ーザ素子１３ｃの偏光方向に関して異なる指向性を有し
ている場合であっても、この指向性が補正され、光軸に
関して、強度が平均化されると共に、半導体レーザ素子
１３ｃから出射された光ビームが有効に利用されること
になる。

【００３６】図９は、本発明による受発光素子のための
カバーの第三の実施形態を示している。図８において、
カバー３０は、図１に示したカバー１４と基本的には同
じ構成であるが、平板部１４ｂの代わりに、偏光ホログ
ラム素子部３１を有していると共に、コリメータレンズ
１５が省略されている点で異なる構成である。この偏光
ホログラム素子部３１は、偏光に応じて回折し、かつ平
行光に変換する機能を有している。つまり、偏光ホログ
ラム素子部３１は、例えばホログラムパターンを適宜に
設定して、入射光ビームの偏光に応じて回折作用を発揮
するとともに、凸レンズの機能を有している。このた
め、例えば第一の反射部１４ａで反射され水平に延びる
光軸に関して、コリメータレンズとして作用することに
よって、第一の反射面１４ａで反射された光ビームを平
行光に変換する。これにより、別体のコリメータレンズ
１５が省略されることになり、光学ピックアップ全体の
部品点数が少なくて済み、部品コスト及び組立コストが
低減されることになる。

【００３７】上記実施形態においては、コンパクトディ
スク用の光学ピックアップ１０の場合について説明した
が、これに限らず、ミニディスク等の光磁気ディスクを
含む他のタイプの光ディスクのための光学ピックアップ
のための受発光素子及びそのカバーに対して、本発明を
適用できることは明らかである。

【００３８】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、各種
光学要素を一体に構成することにより、部品点数を削減
し、組立コストが低減されるようにした、光学ピックア
ップ用受発光素子及びそのカバーを提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるカバーを備えた受発光素子の第一
の実施形態を組み込んだ光学ピックアップを示す概略断
面図である。

【図２】図１の光学ピックアップにおけるカバーの拡大
平面図である。

【図３】図１の光学ピックアップにおけるカバーの拡大
断面図である。

【図４】図１の光学ピックアップにおける受発光素子の
拡大斜視図である。

【図５】図１の光学ピックアップにおける受発光素子の
第一及び第二の光検出器の合焦状態を示す拡大平面図で
ある。

【図６】図５の第一及び第二の光検出器における光ディ
スクが合焦位置より近い場合を示す拡大平面図である。

【図７】図５の第一及び第二の光検出器における光ディ
スクが合焦位置より遠い場合を示す拡大平面図である。

【図８】本発明によるカバーを備えた受発光素子の第二
の実施形態を示す概略断面図である。

【図９】本発明によるカバーを備えた受発光素子の第三
の実施形態を示す概略断面図である。

【図１０】従来の光学ピックアップの一例を示す概略図
である。

【図１１】図１０の光学ピックアップにおける受発光素
子の構成を示す拡大斜視図である。

【図１２】図１１の受発光素子の断面図である。

【図１３】従来の光学ピックアップで使用される非点隔
差補正用ガラス板を備えた半導体レーザ素子の構成例を
示す概略図である。

【符号の説明】

１０・・・光学ピックアップ、１１・・・対物レンズ、
１２・・・ベース部、１３・・・受発光素子、１４・・
・カバー、１４ａ・・・第一の反射面、１４ｂ・・・平
板部（傾斜角度調整可能な非点隔差補正板）、１５・・
・コリメータレンズ、１６・・・光ディスク、２０，３
０・・・カバー、２１・・・アナモルフィックレンズ
部、３１・・・偏光ホログラム素子（コリメータレン
ズ）。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第一の半導体基板上に形成された第一及
   び第二の光検出器と、 前記第一の半導体基板上に搭載された第二の半導体基板
   上に形成され、レーザ光を出射する発光素子と、 前記第一の半導体基板上に載置され、前記発光素子から
   出射されたレーザ光の照射される部分に傾斜面が形成さ
   れ、その底面に半透過膜と無反射膜が形成され、その上
   面に全反射膜の形成されたマイクロプリズムと、 前記基板の表面と発光素子，光検出器及びマイクロプリ
   ズムを覆うカバーと、を有し、 前記発光素子からのレーザ光を、前記傾斜面で反射させ
   て、カバーの一面を介して、光ディスクに導くと共に、
   光ディスクからの戻り光を、このカバーの一面を介して
   前記傾斜面からマイクロプリズム内に入射させ、前記第
   一の光検出器に照射させると共に、前記半透過膜で反射
   されたレーザ光を、前記全反射膜で、さらに反射した
   後、前記無反射膜を透過させて、前記第二の光検出器に
   照射させる構成とし、 さらに、前記カバーの一面に、特定の光学機能を持つ光
   学要素が一体に備えられていることを特徴とする受発光
   素子。
2. 【請求項２】 前記カバーの一面に備えられた光学要素
   が、傾斜角度が調整可能に支持された発光素子からのレ
   ーザ光の非点隔差を補正するための非点隔差補正板であ
   ることを特徴とする請求項１に記載の受発光素子。
3. 【請求項３】 前記カバーの一面に備えられた光学要素
   が、アナモルフィックレンズの機能を有していることを
   特徴とする請求項１に記載の受発光素子。
4. 【請求項４】 前記カバーの一面に備えられた光学要素
   が、コリメータレンズもしくはこれと同等に作用する偏
   光ホログラム素子であることを特徴とする請求項１に記
   載の受発光素子。
5. 【請求項５】 第一の半導体基板上に形成された第一及
   び第二の光検出器と、前記第一の半導体基板上に搭載さ
   れた第二の半導体基板上に形成され、レーザ光を出射す
   る発光素子と、前記第一の半導体基板上に載置され、前
   記発光素子から出射されたレーザ光の照射される部分に
   傾斜面が形成され、その底面に半透過膜と無反射膜が形
   成され、その上面に全反射膜の形成されたマイクロプリ
   ズムと、を有する受発光素子に対して、 前記第一の半導体基板の上面，発光素子，マイクロプリ
   ズム及び第一及び第二の光検出器を覆うようにした、受
   発光素子のカバーであって、 前記カバーの一面に、光学要素が一体に備えられている
   ことを特徴とする、受発光素子のカバー。