JPH10149897A - プラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理方法Info
- Publication number
- JPH10149897A JPH10149897A JP8310293A JP31029396A JPH10149897A JP H10149897 A JPH10149897 A JP H10149897A JP 8310293 A JP8310293 A JP 8310293A JP 31029396 A JP31029396 A JP 31029396A JP H10149897 A JPH10149897 A JP H10149897A
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- JP
- Japan
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- plasma
- sample
- magnetic field
- gauss
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】試料のイオンによるダメージがなくしかも安定
したプラズマの点火を可能とし、その結果長期にわたっ
て安定した処理を試料に施すことができるプラズマ処理
方法を提供する。 【解決手段】反応容器（プラズマ生成室２１および試料
室２３）内にガスを導入し、マイクロ波および磁場を印
加して、電子サイクロトロン共鳴励起によりプラズマを
発生させて試料Ｓに処理を施すプラズマ処理方法であっ
て、マイクロ波を印加してプラズマを点火させるとき、
試料Ｓ上の磁束密度が＋１０ガウスから−２００ガウス
の範囲となるように磁場を印加することを特徴とするプ
ラズマ処理方法。
したプラズマの点火を可能とし、その結果長期にわたっ
て安定した処理を試料に施すことができるプラズマ処理
方法を提供する。 【解決手段】反応容器（プラズマ生成室２１および試料
室２３）内にガスを導入し、マイクロ波および磁場を印
加して、電子サイクロトロン共鳴励起によりプラズマを
発生させて試料Ｓに処理を施すプラズマ処理方法であっ
て、マイクロ波を印加してプラズマを点火させるとき、
試料Ｓ上の磁束密度が＋１０ガウスから−２００ガウス
の範囲となるように磁場を印加することを特徴とするプ
ラズマ処理方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子サイクロトロ
ン共鳴（ＥＣＲ：Electron Cyclotron Resonance）励起
によりプラズマを発生させて、試料にエッチングやＣＶ
Ｄなどの処理を施すプラズマ処理方法に関する。
ン共鳴（ＥＣＲ：Electron Cyclotron Resonance）励起
によりプラズマを発生させて、試料にエッチングやＣＶ
Ｄなどの処理を施すプラズマ処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＥＣＲを利用してプラズマを発生させ、
このプラズマを照射して試料に処理を施す装置は、通常
の高周波プラズマなどに比べて低圧力領域で高活性なプ
ラズマを発生させることができるとともに、イオン流の
指向性や均一性に優れているため、高集積半導体素子等
の製造において広く用いられている。
このプラズマを照射して試料に処理を施す装置は、通常
の高周波プラズマなどに比べて低圧力領域で高活性なプ
ラズマを発生させることができるとともに、イオン流の
指向性や均一性に優れているため、高集積半導体素子等
の製造において広く用いられている。
【０００３】しかし、このＥＣＲを利用するプラズマ処
理装置には、アルミニウム合金膜（Ａｌ合金膜）やポリ
シリコン膜のエッチング処理などを繰り返すうちに、マ
イクロ波を導入してもプラズマが発生しなくなる場合、
すなわちプラズマの点火が困難になる場合があるという
問題があった。プラズマが安定して点火できなければ、
エッチングなどの処理ができず、さらにマイクロ波がプ
ラズマの生成に用いられないため、試料に直接入射しレ
ジストを焦がしたり、試料上に形成されるデバイスを破
壊することも起こる。
理装置には、アルミニウム合金膜（Ａｌ合金膜）やポリ
シリコン膜のエッチング処理などを繰り返すうちに、マ
イクロ波を導入してもプラズマが発生しなくなる場合、
すなわちプラズマの点火が困難になる場合があるという
問題があった。プラズマが安定して点火できなければ、
エッチングなどの処理ができず、さらにマイクロ波がプ
ラズマの生成に用いられないため、試料に直接入射しレ
ジストを焦がしたり、試料上に形成されるデバイスを破
壊することも起こる。
【０００４】このプラズマの点火が困難になる原因につ
いては、例えばＣｌ2およびＢＣｌ3の混合ガスのプラズ
マによるＡｌ合金膜のエッチングにおいては、次のよう
に考えられている。Ａｌ合金膜をエッチングするとき、
Ａｌ合金膜をマスクしているレジストもまた、プラズマ
照射により物理的にスパッタされて、ＣｌやＢＣｌまた
はＡｌなどのイオンやラジカルと反応して、反応生成物
となって反応容器内に付着する。そして、この反応生成
物が、エッチング処理を繰り返すうちに、反応容器内に
堆積し、プラズマの点火を阻害するようになる。例え
ば、マイクロ波導入窓に堆積した場合には、マイクロ波
の反応容器内への入射が妨げられるとともに、マイクロ
波のマッチング（整合）をとることが困難になる。
いては、例えばＣｌ2およびＢＣｌ3の混合ガスのプラズ
マによるＡｌ合金膜のエッチングにおいては、次のよう
に考えられている。Ａｌ合金膜をエッチングするとき、
Ａｌ合金膜をマスクしているレジストもまた、プラズマ
照射により物理的にスパッタされて、ＣｌやＢＣｌまた
はＡｌなどのイオンやラジカルと反応して、反応生成物
となって反応容器内に付着する。そして、この反応生成
物が、エッチング処理を繰り返すうちに、反応容器内に
堆積し、プラズマの点火を阻害するようになる。例え
ば、マイクロ波導入窓に堆積した場合には、マイクロ波
の反応容器内への入射が妨げられるとともに、マイクロ
波のマッチング（整合）をとることが困難になる。
【０００５】また、ポリシリコンのエッチングにおいて
も、同様にレジストの付着に起因していると考えられて
いる。
も、同様にレジストの付着に起因していると考えられて
いる。
【０００６】このような場合にプラズマを点火する方法
として、反応容器内に導入するマイクロ波の電力を大き
くすることや、磁場発生コイルにより発生させる磁場を
強めて試料上の磁束密度を２００ガウス以上にすること
などが行われている。
として、反応容器内に導入するマイクロ波の電力を大き
くすることや、磁場発生コイルにより発生させる磁場を
強めて試料上の磁束密度を２００ガウス以上にすること
などが行われている。
【０００７】しかし、マイクロ波の電力を大きくする
と、プラズマ中のプラズマ（イオン）密度が増加し、そ
の結果大量のイオンが試料に入射するため、試料のイオ
ンによるダメージ（チャージアップダメージ）が増加す
る。半導体素子の製造においては、このイオンによるダ
メージは、半導体素子の歩留まりを低下させる。
と、プラズマ中のプラズマ（イオン）密度が増加し、そ
の結果大量のイオンが試料に入射するため、試料のイオ
ンによるダメージ（チャージアップダメージ）が増加す
る。半導体素子の製造においては、このイオンによるダ
メージは、半導体素子の歩留まりを低下させる。
【０００８】また、試料上の磁束密度を大きくすると、
プラズマの発生点であるＥＣＲ励起点が、通常は試料に
近づくため、試料まで到達するプラズマ（イオン）が増
加する。そのため、試料上の磁束密度を大きくすると、
マイクロ波の電力を大きくした場合と同様、試料のイオ
ンによるダメージが増加する。
プラズマの発生点であるＥＣＲ励起点が、通常は試料に
近づくため、試料まで到達するプラズマ（イオン）が増
加する。そのため、試料上の磁束密度を大きくすると、
マイクロ波の電力を大きくした場合と同様、試料のイオ
ンによるダメージが増加する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の課題
を解決するためになされたものであって、試料のイオン
によるダメージがなくしかも安定したプラズマの点火を
可能とすることにより、長期にわたって安定した処理を
試料に施すことができるプラズマ処理方法を提供するこ
とを目的としている。
を解決するためになされたものであって、試料のイオン
によるダメージがなくしかも安定したプラズマの点火を
可能とすることにより、長期にわたって安定した処理を
試料に施すことができるプラズマ処理方法を提供するこ
とを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマ処理方
法は、反応容器内にガスを導入し、マイクロ波および磁
場を印加して、電子サイクロトロン共鳴励起によりプラ
ズマを発生させて試料に処理を施すプラズマ処理方法で
あって、マイクロ波を印加してプラズマを点火させると
き、試料上の磁束密度が＋１０ガウスから−２００ガウ
スの範囲となるように磁場を印加することを特徴として
いる。
法は、反応容器内にガスを導入し、マイクロ波および磁
場を印加して、電子サイクロトロン共鳴励起によりプラ
ズマを発生させて試料に処理を施すプラズマ処理方法で
あって、マイクロ波を印加してプラズマを点火させると
き、試料上の磁束密度が＋１０ガウスから−２００ガウ
スの範囲となるように磁場を印加することを特徴として
いる。
【００１１】なお、この試料上の磁束密度の範囲は、試
料上の中心を磁束密度の評価位置とし、この試料上の中
心位置での磁束密度に関して定めたものである。また、
磁束密度は、電子サイクロトロン共鳴励起を起こさせる
ため反応容器内に発生させる磁場の極性を＋（正）とし
ている。
料上の中心を磁束密度の評価位置とし、この試料上の中
心位置での磁束密度に関して定めたものである。また、
磁束密度は、電子サイクロトロン共鳴励起を起こさせる
ため反応容器内に発生させる磁場の極性を＋（正）とし
ている。
【００１２】本発明者らは、試料上の磁束密度を下げる
こと、すなわち、小さくするか逆の極性にすることによ
り、プラズマ（イオン）の密度を小さくして、試料のイ
オンによるダメージを低減できることに着目した。
こと、すなわち、小さくするか逆の極性にすることによ
り、プラズマ（イオン）の密度を小さくして、試料のイ
オンによるダメージを低減できることに着目した。
【００１３】そこで、プラズマ生成室および試料室に反
応生成物が堆積した装置を用いて、試料上の磁束密度を
下げる方向で変化させ安定したプラズマの点火が容易か
どうかを試験した。
応生成物が堆積した装置を用いて、試料上の磁束密度を
下げる方向で変化させ安定したプラズマの点火が容易か
どうかを試験した。
【００１４】その結果、試料上の磁束密度を＋１０ガウ
スから−２００ガウスとすると、プラズマが極めて点火
しやすくなること、特に、−５０ガウスから−１２０ガ
ウスとすると特にちらつきのない安定したプラズマの点
火ができることを確認したのである。
スから−２００ガウスとすると、プラズマが極めて点火
しやすくなること、特に、−５０ガウスから−１２０ガ
ウスとすると特にちらつきのない安定したプラズマの点
火ができることを確認したのである。
【００１５】本発明は、上記の知見に基づいてなされた
ものであり、試料上の磁束密度が＋１０ガウスから−２
００ガウスの範囲となるように磁場を印加することによ
り、ちらつきのない安定したプラズマの点火を容易と
し、また従来に比べて磁束密度を下げることにより試料
のイオンによるダメージを低減させることができる。
ものであり、試料上の磁束密度が＋１０ガウスから−２
００ガウスの範囲となるように磁場を印加することによ
り、ちらつきのない安定したプラズマの点火を容易と
し、また従来に比べて磁束密度を下げることにより試料
のイオンによるダメージを低減させることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図面
に基づき説明する。
に基づき説明する。
【００１７】図１は、ＥＣＲを利用するプラズマ処理装
置を示す模式的断面図である。
置を示す模式的断面図である。
【００１８】反応容器は、プラズマを発生させるプラズ
マ生成室２１と発生したプラズマを引き出して試料に処
理を施す試料室２３とに分かれている。
マ生成室２１と発生したプラズマを引き出して試料に処
理を施す試料室２３とに分かれている。
【００１９】プラズマ生成室２１の上部壁中央には、マ
イクロ波導入窓２１ａが設けられ、プラズマ生成室を気
密に封止するとともに、この窓からマイクロ波を導入す
るようになっている。マイクロ波導入窓２１ａは、石英
やアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）などで作製される。プラズマ生
成室２１の下部壁中央には円形のプラズマ引出口２１ｂ
が設けられ、プラズマ生成室２１で発生したプラズマが
ここから試料室２３に引き出される。プラズマは磁界に
よって引き出される。この磁界は、後述する磁場発生コ
イル３５により形成され、試料室２３に向かうに従い磁
束密度が低下する発散磁界となっている。また、プラズ
マ生成室２１にガスを供給するために、ガス供給管２４
が設けられている。
イクロ波導入窓２１ａが設けられ、プラズマ生成室を気
密に封止するとともに、この窓からマイクロ波を導入す
るようになっている。マイクロ波導入窓２１ａは、石英
やアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）などで作製される。プラズマ生
成室２１の下部壁中央には円形のプラズマ引出口２１ｂ
が設けられ、プラズマ生成室２１で発生したプラズマが
ここから試料室２３に引き出される。プラズマは磁界に
よって引き出される。この磁界は、後述する磁場発生コ
イル３５により形成され、試料室２３に向かうに従い磁
束密度が低下する発散磁界となっている。また、プラズ
マ生成室２１にガスを供給するために、ガス供給管２４
が設けられている。
【００２０】マイクロ波導入窓２１ａには導波管２２の
一端が接続され、導波管２２の他端はマイクロ波発振器
（図示せず）に接続されている。また、プラズマ生成室
２１を取り囲み、これと同心状に、ＥＣＲ励起に必要な
磁場を発生させる磁場発生コイル３５が配設されてい
る。ＥＣＲ励起に必要な磁場（ＥＣＲ磁場）は、マイク
ロ波の周波数が２．４５ＧＨｚのとき、約８７５ガウス
である。磁場強度がこのＥＣＲ磁場を満足する位置（Ｅ
ＣＲ励起点）で、プラズマが主に発生する。
一端が接続され、導波管２２の他端はマイクロ波発振器
（図示せず）に接続されている。また、プラズマ生成室
２１を取り囲み、これと同心状に、ＥＣＲ励起に必要な
磁場を発生させる磁場発生コイル３５が配設されてい
る。ＥＣＲ励起に必要な磁場（ＥＣＲ磁場）は、マイク
ロ波の周波数が２．４５ＧＨｚのとき、約８７５ガウス
である。磁場強度がこのＥＣＲ磁場を満足する位置（Ｅ
ＣＲ励起点）で、プラズマが主に発生する。
【００２１】試料室２３内には試料台２７が配設されて
おり、その上に試料Ｓが静電吸着などにより載置され
る。試料室２３の側壁にはガス供給管２５が配設され、
また下部壁には排気口２３ａが開口されている。
おり、その上に試料Ｓが静電吸着などにより載置され
る。試料室２３の側壁にはガス供給管２５が配設され、
また下部壁には排気口２３ａが開口されている。
【００２２】さらに、試料台付近での磁場強度を制御す
るために、補助コイル３６が試料台２７の下部に配設さ
れている。補助コイル３６の中心軸は、磁場発生コイル
３５の中心軸と同心にされている。補助コイル３６に、
磁場発生コイル３５とは逆の方向に電流を通流すること
により、磁場発生コイル３５により発生する磁場と逆の
極性の磁場を発生させることができる。ここでは、磁場
発生コイル３５により発生する磁場を＋（正）とする。
るために、補助コイル３６が試料台２７の下部に配設さ
れている。補助コイル３６の中心軸は、磁場発生コイル
３５の中心軸と同心にされている。補助コイル３６に、
磁場発生コイル３５とは逆の方向に電流を通流すること
により、磁場発生コイル３５により発生する磁場と逆の
極性の磁場を発生させることができる。ここでは、磁場
発生コイル３５により発生する磁場を＋（正）とする。
【００２３】本発明のプラズマ処理方法を、この装置を
用いてＡｌ−Ｓｉ−ＣｕなどのＡｌ合金膜をエッチング
する場合を例にとり説明する。試料Ｓは、例えばＡｌ合
金膜が成膜され、さらにレジストで所定パターンにマス
クされたシリコンウエハである。
用いてＡｌ−Ｓｉ−ＣｕなどのＡｌ合金膜をエッチング
する場合を例にとり説明する。試料Ｓは、例えばＡｌ合
金膜が成膜され、さらにレジストで所定パターンにマス
クされたシリコンウエハである。
【００２４】プラズマ生成室２１および試料室２３を
所要の圧力まで排気した後、エッチングガスとして例え
ばＣｌ2およびＢＣｌ3の混合ガスを供給し、プラズマ生
成室２１および試料室２３を所定の圧力とする。
所要の圧力まで排気した後、エッチングガスとして例え
ばＣｌ2およびＢＣｌ3の混合ガスを供給し、プラズマ生
成室２１および試料室２３を所定の圧力とする。
【００２５】磁場発生コイル３５に電流を通流してプ
ラズマ発生室にＥＣＲ励起に必要な磁場を形成する。ま
た、補助コイル３６に磁場発生コイル３５とは逆の方向
に所定量の電流を通流することにより、試料Ｓ上の中心
位置の磁束密度を＋１０ガウスから−２００ガウスの範
囲となるようにする。
ラズマ発生室にＥＣＲ励起に必要な磁場を形成する。ま
た、補助コイル３６に磁場発生コイル３５とは逆の方向
に所定量の電流を通流することにより、試料Ｓ上の中心
位置の磁束密度を＋１０ガウスから−２００ガウスの範
囲となるようにする。
【００２６】プラズマ生成室２１にマイクロ波を導入
して、エッチングガスをＥＣＲ励起してプラズマを点火
させる。
して、エッチングガスをＥＣＲ励起してプラズマを点火
させる。
【００２７】補助コイル３６に通流する電流量を必要
に応じて低下させ、磁場発生コイル３５により主に形成
される発散磁界を調整して、プラズマを試料室２３内の
試料台２７上に導き、試料Ｓ上のＡｌ合金膜をエッチン
グする。
に応じて低下させ、磁場発生コイル３５により主に形成
される発散磁界を調整して、プラズマを試料室２３内の
試料台２７上に導き、試料Ｓ上のＡｌ合金膜をエッチン
グする。
【００２８】この方法によれば、ちらつきのない安定し
たプラズマの点火が可能で、また従来に比べてプラズマ
点火時の磁束密度を下げることにより試料のイオンによ
るダメージを低減させることができる。
たプラズマの点火が可能で、また従来に比べてプラズマ
点火時の磁束密度を下げることにより試料のイオンによ
るダメージを低減させることができる。
【００２９】なお、この例ではプラズマの点火とプラズ
マ処理の両方に対して、同一のガスを用いたが、プラズ
マの点火の際、例えばＮ2やＣｌ2などのプラズマの点火
が容易なガスを用いても良い。
マ処理の両方に対して、同一のガスを用いたが、プラズ
マの点火の際、例えばＮ2やＣｌ2などのプラズマの点火
が容易なガスを用いても良い。
【００３０】また、Ａｌ合金膜のエッチングを例にとり
説明したが、本発明のプラズマ処理方法は、ポリシリコ
ン膜のエッチングやシリコン酸化膜のエッチングなどに
も適用することができることは言うまでもない。
説明したが、本発明のプラズマ処理方法は、ポリシリコ
ン膜のエッチングやシリコン酸化膜のエッチングなどに
も適用することができることは言うまでもない。
【００３１】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００３２】図１に示したＥＣＲプラズマ処理装置を用
いて、試料台上の磁束密度を変化させて、プラズマの点
火を評価した。試料台上の磁束密度は、磁場発生コイル
３５に通流する電流量を固定し、補助コイル３６に通流
する電流量を変化させることにより、変化させた。な
お、ここでは磁場発生コイル３５により発生する磁場の
極性を＋（正）とする。
いて、試料台上の磁束密度を変化させて、プラズマの点
火を評価した。試料台上の磁束密度は、磁場発生コイル
３５に通流する電流量を固定し、補助コイル３６に通流
する電流量を変化させることにより、変化させた。な
お、ここでは磁場発生コイル３５により発生する磁場の
極性を＋（正）とする。
【００３３】プラズマの点火の条件は、次の通りであ
る。使用したガスはＮ2とし、その流量は２００sccmと
した。また、試料室２３の圧力は、３、４、６、８mTor
rとした。マイクロ波の周波数は２．４５ＧＨｚ、その
パワーは６００Ｗとした。また、ＥＣＲ励起点は、プラ
ズマ生成室２１内であって、プラズマ引き出し口から約
６０ｍｍの位置に形成した。
る。使用したガスはＮ2とし、その流量は２００sccmと
した。また、試料室２３の圧力は、３、４、６、８mTor
rとした。マイクロ波の周波数は２．４５ＧＨｚ、その
パワーは６００Ｗとした。また、ＥＣＲ励起点は、プラ
ズマ生成室２１内であって、プラズマ引き出し口から約
６０ｍｍの位置に形成した。
【００３４】このプラズマの点火を評価した結果を表１
に示す。◎は、点火良好でしかもプラズマのちらつきも
ない状態のものである。○は、点火は良好であるが、数
回に１回プラズマがちらつくときがある状態のものであ
る。△は、点火は良好であるが、プラズマがちらつく状
態のものである。×は、点火不良であり、たとえ点火し
てもプラズマがちらつく状態のものである。すなわち、
◎および○が点火良好、△は時々点火不良、×は点火不
良を示す。
に示す。◎は、点火良好でしかもプラズマのちらつきも
ない状態のものである。○は、点火は良好であるが、数
回に１回プラズマがちらつくときがある状態のものであ
る。△は、点火は良好であるが、プラズマがちらつく状
態のものである。×は、点火不良であり、たとえ点火し
てもプラズマがちらつく状態のものである。すなわち、
◎および○が点火良好、△は時々点火不良、×は点火不
良を示す。
【００３５】
【表１】
【００３６】この結果から、試料台上の磁束密度が＋１
０ガウスから−２００ガウスの間にあるときが点火良好
とわかる。特に、試料台上の磁束密度が−５０ガウスか
ら−１２０ガウス付近にあるとき、プラズマのちらつき
もなく最も点火良好であった。
０ガウスから−２００ガウスの間にあるときが点火良好
とわかる。特に、試料台上の磁束密度が−５０ガウスか
ら−１２０ガウス付近にあるとき、プラズマのちらつき
もなく最も点火良好であった。
【００３７】なお、この結果はＮ2ガスを用いたもので
あるが、Ｃｌ2、ＢＣｌ3、Ｏ2、Ａｒなどの種々のガス
でも同様の結果が得られる。
あるが、Ｃｌ2、ＢＣｌ3、Ｏ2、Ａｒなどの種々のガス
でも同様の結果が得られる。
【００３８】また、図１に示したＥＣＲプラズマ処理装
置を用いて、Ａｌ合金膜のエッチングを行い、試料のイ
オンによるダメージ（チャージアップダメージ）をアン
テナＭＯＳキャパシタの耐圧測定により評価した。
置を用いて、Ａｌ合金膜のエッチングを行い、試料のイ
オンによるダメージ（チャージアップダメージ）をアン
テナＭＯＳキャパシタの耐圧測定により評価した。
【００３９】その結果、試料台上の磁束密度を＋１０ガ
ウス以下にすることにより、試料のダメージを低減でき
ることが確認できた。逆に、試料台上の磁束密度を＋１
００ガウス以上とすると、試料へのダメージが増加し
た。
ウス以下にすることにより、試料のダメージを低減でき
ることが確認できた。逆に、試料台上の磁束密度を＋１
００ガウス以上とすると、試料へのダメージが増加し
た。
【００４０】
【発明の効果】本発明のプラズマ処理方法は、試料のイ
オンによるダメージがなくしかも安定したプラズマの点
火を可能とする。その結果、長期にわたって安定した処
理を試料に施すことができる。
オンによるダメージがなくしかも安定したプラズマの点
火を可能とする。その結果、長期にわたって安定した処
理を試料に施すことができる。
【図１】ＥＣＲを利用するプラズマ処理装置を示す模式
的縦断面図である。
的縦断面図である。
２１ プラズマ生成室 ２１ａ マイクロ波導入窓 ２１ｂ プラズマ引出口 ２２ 導波管 ２３ 試料室 ２３ａ 排気口 ２４ ガス導入管 ２５ ガス導入管 ２７ 試料台 ３５ 磁場発生コイル ３６ 補助コイル Ｓ 試料
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ
Claims (1)
- 【請求項１】反応容器内にガスを導入し、マイクロ波お
よび磁場を印加して、電子サイクロトロン共鳴励起によ
りプラズマを発生させて試料に処理を施すプラズマ処理
方法であって、マイクロ波を印加してプラズマを点火さ
せるとき、試料上の磁束密度が＋１０ガウスから−２０
０ガウスの範囲となるように磁場を印加することを特徴
とするプラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8310293A JPH10149897A (ja) | 1996-11-21 | 1996-11-21 | プラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8310293A JPH10149897A (ja) | 1996-11-21 | 1996-11-21 | プラズマ処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10149897A true JPH10149897A (ja) | 1998-06-02 |
Family
ID=18003483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8310293A Pending JPH10149897A (ja) | 1996-11-21 | 1996-11-21 | プラズマ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10149897A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002533950A (ja) * | 1998-12-30 | 2002-10-08 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理リアクタ内でプラズマを点火するための方法 |
| KR100454457B1 (ko) * | 2001-04-26 | 2004-10-28 | 닛신덴키 가부시키 가이샤 | 이온빔 조사장치 및 이 장치용 플라즈마 점화방법 |
| KR100481685B1 (ko) * | 2002-06-20 | 2005-04-07 | 한국과학기술연구원 | 전자 싸이클로트론 공명 플라즈마와 펄스형 직류 바이어스결합형 상온 화학 증착 시스템 및 이를 이용한 금속복합막 제조방법 |
-
1996
- 1996-11-21 JP JP8310293A patent/JPH10149897A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002533950A (ja) * | 1998-12-30 | 2002-10-08 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理リアクタ内でプラズマを点火するための方法 |
| KR100454457B1 (ko) * | 2001-04-26 | 2004-10-28 | 닛신덴키 가부시키 가이샤 | 이온빔 조사장치 및 이 장치용 플라즈마 점화방법 |
| KR100481685B1 (ko) * | 2002-06-20 | 2005-04-07 | 한국과학기술연구원 | 전자 싸이클로트론 공명 플라즈마와 펄스형 직류 바이어스결합형 상온 화학 증착 시스템 및 이를 이용한 금속복합막 제조방법 |
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