JPH10149905A - バリスタの製造方法 - Google Patents
バリスタの製造方法Info
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- JPH10149905A JPH10149905A JP8310330A JP31033096A JPH10149905A JP H10149905 A JPH10149905 A JP H10149905A JP 8310330 A JP8310330 A JP 8310330A JP 31033096 A JP31033096 A JP 31033096A JP H10149905 A JPH10149905 A JP H10149905A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ８５０〜１１００℃の温度範囲でバリスタ素
子１と外部電極２ａ，２ｂを同時に焼成することができ
る製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 ＺｎＯを主成分とし、副成分として少な
くともＢｉ2Ｏ3を０．２〜２．０ｍｏｌ％、Ｓｂ2Ｏ3を
０．０１〜１．５ｍｏｌ％、ＳｎＯ2を０．０１〜０．
５ｍｏｌ％添加した組成でバリスタ素子１を形成し、電
極ペーストを塗布した後、８５０〜１１００℃の温度で
バリスタ素子１と外部電極２ａ，２ｂを同時に焼成す
る。
子１と外部電極２ａ，２ｂを同時に焼成することができ
る製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 ＺｎＯを主成分とし、副成分として少な
くともＢｉ2Ｏ3を０．２〜２．０ｍｏｌ％、Ｓｂ2Ｏ3を
０．０１〜１．５ｍｏｌ％、ＳｎＯ2を０．０１〜０．
５ｍｏｌ％添加した組成でバリスタ素子１を形成し、電
極ペーストを塗布した後、８５０〜１１００℃の温度で
バリスタ素子１と外部電極２ａ，２ｂを同時に焼成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は各種電子機器を異常
高電圧から保護するバリスタの製造方法に関するもので
ある。
高電圧から保護するバリスタの製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】酸化亜鉛バリスタは、ＺｎＯを主成分と
して副成分としてＢｉ2Ｏ3、Ｃｏ2Ｏ3、ＭｎＯ2、Ａｌ2
Ｏ3等を添加したバリスタ材料でバリスタ素子を成形
し、この成形体を１１５０〜１３５０℃の温度で焼成し
た後、焼結体の両面に電極ペーストを塗布、焼付してい
た。
して副成分としてＢｉ2Ｏ3、Ｃｏ2Ｏ3、ＭｎＯ2、Ａｌ2
Ｏ3等を添加したバリスタ材料でバリスタ素子を成形
し、この成形体を１１５０〜１３５０℃の温度で焼成し
た後、焼結体の両面に電極ペーストを塗布、焼付してい
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記酸化亜鉛バリスタ
は、実用に適したバリスタ特性を得るためには、１１５
０℃以上の温度で焼成する必要がある。このためＡｇ等
の電極ペーストを成形体に塗布し、成形体の焼結と同時
にバリスタの表面に外部電極を形成しようとすると電極
が溶融してしまうので、外部電極形成は別個に行わなけ
ればならないという問題があった。
は、実用に適したバリスタ特性を得るためには、１１５
０℃以上の温度で焼成する必要がある。このためＡｇ等
の電極ペーストを成形体に塗布し、成形体の焼結と同時
にバリスタの表面に外部電極を形成しようとすると電極
が溶融してしまうので、外部電極形成は別個に行わなけ
ればならないという問題があった。
【０００４】本発明はこの問題点を解決するものであ
り、バリスタ素体の焼成と外部電極形成が同時に行える
バリスタの製造方法を提供することを目的とする。
り、バリスタ素体の焼成と外部電極形成が同時に行える
バリスタの製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明のバリスタはＺｎＯを主成分とし、副成分と
して少なくともＢｉをＢｉ2Ｏ3に換算して０．２〜２．
０ｍｏｌ％、ＳｂをＳｂ 2Ｏ3に換算して０．０１〜１．
５ｍｏｌ％、ＳｎをＳｎＯ2に換算して０．０１〜０．
５ｍｏｌ％添加した組成で形成したバリスタ素子を８５
０〜１１００℃の温度で焼成したものである。本発明に
よると、焼成後のバリスタ素子内部のＺｎＯ結晶粒子の
大きさは均一となり、得られたバリスタのバリスタ電圧
の分布（標準偏差σ）は小さくなり特性歩留りが向上
し、また焼成温度が低いので外部電極形成も同時に行え
る。
め、本発明のバリスタはＺｎＯを主成分とし、副成分と
して少なくともＢｉをＢｉ2Ｏ3に換算して０．２〜２．
０ｍｏｌ％、ＳｂをＳｂ 2Ｏ3に換算して０．０１〜１．
５ｍｏｌ％、ＳｎをＳｎＯ2に換算して０．０１〜０．
５ｍｏｌ％添加した組成で形成したバリスタ素子を８５
０〜１１００℃の温度で焼成したものである。本発明に
よると、焼成後のバリスタ素子内部のＺｎＯ結晶粒子の
大きさは均一となり、得られたバリスタのバリスタ電圧
の分布（標準偏差σ）は小さくなり特性歩留りが向上
し、また焼成温度が低いので外部電極形成も同時に行え
る。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載のバリス
タの製造方法は、ＺｎＯを主成分とし、副成分として少
なくともＢｉをＢｉ2Ｏ3に換算して０．２〜２．０ｍｏ
ｌ％、ＳｂをＳｂ2Ｏ3に換算して０．０１〜１．５ｍｏ
ｌ％、ＳｎをＳｎＯ2に換算して０．０１〜０．５ｍｏ
ｌ％添加して形成したバリスタ素子を、８５０〜１１０
０℃の温度で焼成するものである。これにより従来の焼
成温度より低い温度でバリスタ素子の焼成が可能で外部
電極形成も同時に行え、かつＺｎＯ結晶粒子の大きさは
均一となり、得られたバリスタのバリスタ電圧の分布
（標準偏差σ）は小さくなり特性歩留りを向上すること
もできる。
タの製造方法は、ＺｎＯを主成分とし、副成分として少
なくともＢｉをＢｉ2Ｏ3に換算して０．２〜２．０ｍｏ
ｌ％、ＳｂをＳｂ2Ｏ3に換算して０．０１〜１．５ｍｏ
ｌ％、ＳｎをＳｎＯ2に換算して０．０１〜０．５ｍｏ
ｌ％添加して形成したバリスタ素子を、８５０〜１１０
０℃の温度で焼成するものである。これにより従来の焼
成温度より低い温度でバリスタ素子の焼成が可能で外部
電極形成も同時に行え、かつＺｎＯ結晶粒子の大きさは
均一となり、得られたバリスタのバリスタ電圧の分布
（標準偏差σ）は小さくなり特性歩留りを向上すること
もできる。
【０００７】本発明の請求項２に記載のバリスタの製造
方法は、組成の中の、ＳｎとＳｂの組成比をＳｎＯ2／
Ｓｂ2Ｏ3≦１．０とするものである。この組成により８
５０〜１１００℃の温度範囲で焼成が可能で、得られた
バリスタのＺｎＯ結晶粒子の大きさは均一となりバリス
タ電圧の分布（標準偏差σ）が小さくなる。
方法は、組成の中の、ＳｎとＳｂの組成比をＳｎＯ2／
Ｓｂ2Ｏ3≦１．０とするものである。この組成により８
５０〜１１００℃の温度範囲で焼成が可能で、得られた
バリスタのＺｎＯ結晶粒子の大きさは均一となりバリス
タ電圧の分布（標準偏差σ）が小さくなる。
【０００８】本発明の請求項３に記載のバリスタの製造
方法は、融点が８５０℃以上の外部電極ペーストを塗布
後焼成したものである。これによりバリスタ素体と、そ
の表面に形成した外部電極を同時に焼成することが可能
となる。
方法は、融点が８５０℃以上の外部電極ペーストを塗布
後焼成したものである。これによりバリスタ素体と、そ
の表面に形成した外部電極を同時に焼成することが可能
となる。
【０００９】本発明の請求項４に記載のバリスタの製造
方法は、バリスタ素子の内部電極を融点が８５０℃以上
の金属で形成するものである。これにより、８５０〜１
１００℃の温度範囲で焼結が可能な積層型のバリスタを
得ることができる。
方法は、バリスタ素子の内部電極を融点が８５０℃以上
の金属で形成するものである。これにより、８５０〜１
１００℃の温度範囲で焼結が可能な積層型のバリスタを
得ることができる。
【００１０】本発明の請求項５に記載のバリスタの製造
方法は、内、外部電極がＡｇまたはＡｇ−Ｐｄとするも
のであり、バリスタ素子と８５０〜１１００℃の温度範
囲で焼結と同時に電極形成をすることを可能とするもの
である。
方法は、内、外部電極がＡｇまたはＡｇ−Ｐｄとするも
のであり、バリスタ素子と８５０〜１１００℃の温度範
囲で焼結と同時に電極形成をすることを可能とするもの
である。
【００１１】
【実施例】以下本発明の実施例について説明する。
【００１２】図１は本発明の一実施例のバリスタの側面
図、図２は積層型バリスタの分解斜視図、図３は積層型
バリスタの断面図である。図１において１はバリスタ素
子、２ａ，２ｂは外部電極である。図２，図３の３はグ
リーンシート、４は内部電極、５は積層型バリスタ、６
は外部電極である。
図、図２は積層型バリスタの分解斜視図、図３は積層型
バリスタの断面図である。図１において１はバリスタ素
子、２ａ，２ｂは外部電極である。図２，図３の３はグ
リーンシート、４は内部電極、５は積層型バリスタ、６
は外部電極である。
【００１３】（実施例１）主成分のＺｎＯに、副成分と
してＢｉ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％、Ｃｏ2Ｏ3を０．５ｍｏ
ｌ％、ＭｎＯ2を０．５ｍｏｌ％、ＳｎＯ2を０．１ｍｏ
ｌ％、Ａｌを硝酸アルミニウムの形で０．０１ａｔ．％
添加し、更にＳｂ2Ｏ3を０〜２．０ｍｏｌ％の範囲で秤
量、混合した後、ポリビニルアルコールを加えて造粒を
行う。次に造粒粉を８００kg／cm2の成形圧力で、図１
に示す直径１５mm、厚さ１．５mmの円板状のバリスタ素
子１を成形した後、この両面にＡｇを主成分とした電極
ペーストを塗布し、直径１０mmの外部電極２ａ，２ｂを
形成する。次いで９５０℃の温度でバリスタ素子１と外
部電極２ａ，２ｂを同時に焼成した。得られたバリスタ
の
してＢｉ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％、Ｃｏ2Ｏ3を０．５ｍｏ
ｌ％、ＭｎＯ2を０．５ｍｏｌ％、ＳｎＯ2を０．１ｍｏ
ｌ％、Ａｌを硝酸アルミニウムの形で０．０１ａｔ．％
添加し、更にＳｂ2Ｏ3を０〜２．０ｍｏｌ％の範囲で秤
量、混合した後、ポリビニルアルコールを加えて造粒を
行う。次に造粒粉を８００kg／cm2の成形圧力で、図１
に示す直径１５mm、厚さ１．５mmの円板状のバリスタ素
子１を成形した後、この両面にＡｇを主成分とした電極
ペーストを塗布し、直径１０mmの外部電極２ａ，２ｂを
形成する。次いで９５０℃の温度でバリスタ素子１と外
部電極２ａ，２ｂを同時に焼成した。得られたバリスタ
の
【００１４】
【外１】
【００１５】を測定し、バリスタ電圧（Ｖ1mA／mm）及
び電圧非直線係数αを算出し、その結果を（表１）に示
した。尚、電圧非直線係数αは（数１）より求めたもの
である。
び電圧非直線係数αを算出し、その結果を（表１）に示
した。尚、電圧非直線係数αは（数１）より求めたもの
である。
【００１６】
【数１】
【００１７】
【表１】
【００１８】（表１）に示したように、Ｓｂ2Ｏ3の添加
量が０．０１ｍｏｌ％より少ない場合、電圧非直線係数
αは小さく、１．５ｍｏｌ％より多い場合、バリスタ電
圧が高すぎ実用的でなくなる。従って電圧非直線係数α
及びバリスタ電圧が望ましい特性を得るためには、Ｓｂ
2Ｏ3の添加量を０．０１〜１．５ｍｏｌ％とする必要が
あることが分かる。
量が０．０１ｍｏｌ％より少ない場合、電圧非直線係数
αは小さく、１．５ｍｏｌ％より多い場合、バリスタ電
圧が高すぎ実用的でなくなる。従って電圧非直線係数α
及びバリスタ電圧が望ましい特性を得るためには、Ｓｂ
2Ｏ3の添加量を０．０１〜１．５ｍｏｌ％とする必要が
あることが分かる。
【００１９】（実施例２）主成分のＺｎＯに、副成分と
してＢｉ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％、Ｃｏ2Ｏ3を０．５ｍｏ
ｌ％、ＭｎＯ2を０．５ｍｏｌ％、Ｓｂ2Ｏ3を０．５ｍ
ｏｌ％、Ａｌを硝酸アルミニウムの形で０．０１ａｔ．
％、更にＳｎＯ2を０〜１．０ｍｏｌ％の範囲で秤量、
混合し、以降の工程は実施例１と同じ方法でバリスタを
作製した。作製したバリスタのバリスタ電圧（Ｖ1mA）
を測定、その標準偏差σを算出した。その結果を（表
２）に示した。
してＢｉ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％、Ｃｏ2Ｏ3を０．５ｍｏ
ｌ％、ＭｎＯ2を０．５ｍｏｌ％、Ｓｂ2Ｏ3を０．５ｍ
ｏｌ％、Ａｌを硝酸アルミニウムの形で０．０１ａｔ．
％、更にＳｎＯ2を０〜１．０ｍｏｌ％の範囲で秤量、
混合し、以降の工程は実施例１と同じ方法でバリスタを
作製した。作製したバリスタのバリスタ電圧（Ｖ1mA）
を測定、その標準偏差σを算出した。その結果を（表
２）に示した。
【００２０】
【表２】
【００２１】（表２）に示したように、ＳｎＯ2を添加
することによりバリスタ電圧の標準偏差σ値は小さくな
ることがわかる。しかしながら添加量が０．５ｍｏｌ％
を越えると、外部電極２ａ，２ｂ金属中のＡｇ成分が焼
結過程でバリスタ成分中のＳｎと反応してバリスタ素子
１内部に拡散し、外部電極２ａ，２ｂが消失するととも
に、バリスタ電圧のバラツキが大きくなるため好ましく
ない。
することによりバリスタ電圧の標準偏差σ値は小さくな
ることがわかる。しかしながら添加量が０．５ｍｏｌ％
を越えると、外部電極２ａ，２ｂ金属中のＡｇ成分が焼
結過程でバリスタ成分中のＳｎと反応してバリスタ素子
１内部に拡散し、外部電極２ａ，２ｂが消失するととも
に、バリスタ電圧のバラツキが大きくなるため好ましく
ない。
【００２２】（実施例３）主成分のＺｎＯに、副成分と
してＢｉ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％、Ｃｏ2Ｏ3を０．５ｍｏ
ｌ％、ＭｎＯ2を０．５ｍｏｌ％、Ｓｂ2Ｏ3を０．２５
ｍｏｌ％、Ａｌを硝酸アルミニウムの形で０．０１ａ
ｔ．％、更にＳｎＯ2とＳｂ2Ｏ3の成分比をＳｎＯ2／Ｓ
ｂ2Ｏ3が０〜２．０の比率になるように秤量、混合し、
以降の工程は実施例１と同じ方法でバリスタを作製し
た。得られたバリスタのバリスタ電圧（Ｖ1mA）を測
定、標準偏差σを算出し、その結果を（表３）に示し
た。
してＢｉ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％、Ｃｏ2Ｏ3を０．５ｍｏ
ｌ％、ＭｎＯ2を０．５ｍｏｌ％、Ｓｂ2Ｏ3を０．２５
ｍｏｌ％、Ａｌを硝酸アルミニウムの形で０．０１ａ
ｔ．％、更にＳｎＯ2とＳｂ2Ｏ3の成分比をＳｎＯ2／Ｓ
ｂ2Ｏ3が０〜２．０の比率になるように秤量、混合し、
以降の工程は実施例１と同じ方法でバリスタを作製し
た。得られたバリスタのバリスタ電圧（Ｖ1mA）を測
定、標準偏差σを算出し、その結果を（表３）に示し
た。
【００２３】
【表３】
【００２４】（表３）に示したように、ＳｎＯ2／Ｓｂ2
Ｏ3の成分比が１．０以下では、得られたバリスタ電圧
の標準偏差σは小さく、ＳｎＯ2／Ｓｂ2Ｏ3の比率が
１．０以上では急激にバリスタ電圧の標準偏差σが大き
くなることがわかる。従ってＳｎＯ2／Ｓｂ2Ｏ3≦１．
０の範囲ではバリスタ電圧の標準偏差σが小さく特性歩
留りが向上することが分かる。
Ｏ3の成分比が１．０以下では、得られたバリスタ電圧
の標準偏差σは小さく、ＳｎＯ2／Ｓｂ2Ｏ3の比率が
１．０以上では急激にバリスタ電圧の標準偏差σが大き
くなることがわかる。従ってＳｎＯ2／Ｓｂ2Ｏ3≦１．
０の範囲ではバリスタ電圧の標準偏差σが小さく特性歩
留りが向上することが分かる。
【００２５】（実施例４）主成分のＺｎＯに、副成分と
してＢｉ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％、Ｃｏ2Ｏ3を０．５ｍｏ
ｌ％、ＭｎＯ2を０．５ｍｏｌ％、ＳｎＯ2を０．１ｍｏ
ｌ％、Ａｌを硝酸アルミニウムの形で０．０１ａｔ．％
添加し、更にＳｂ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％秤量、混合した
後、実施例１と同じ方法でバリスタ素子１を成形した
後、この両面に（表４）に示す組成の電極ペーストを用
い、直径１０mmの外部電極２ａ，２ｂを塗布し、８５０
〜１１００℃の温度範囲でバリスタ素子１と外部電極２
ａ，２ｂを同時に焼成し、バリスタを作製した。得られ
たバリスタの電極２ａ，２ｂの形成状態を評価し、その
結果を（表４）に示した。
してＢｉ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％、Ｃｏ2Ｏ3を０．５ｍｏ
ｌ％、ＭｎＯ2を０．５ｍｏｌ％、ＳｎＯ2を０．１ｍｏ
ｌ％、Ａｌを硝酸アルミニウムの形で０．０１ａｔ．％
添加し、更にＳｂ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％秤量、混合した
後、実施例１と同じ方法でバリスタ素子１を成形した
後、この両面に（表４）に示す組成の電極ペーストを用
い、直径１０mmの外部電極２ａ，２ｂを塗布し、８５０
〜１１００℃の温度範囲でバリスタ素子１と外部電極２
ａ，２ｂを同時に焼成し、バリスタを作製した。得られ
たバリスタの電極２ａ，２ｂの形成状態を評価し、その
結果を（表４）に示した。
【００２６】
【表４】
【００２７】（表４）に示したように、電極金属がＡｇ
のみの場合、焼成温度がＡｇの融点の９６０℃を越える
と電極金属か溶融してしまい外部電極２ａ，２ｂとして
の働きがなくなるため、Ａｇのみの場合は８５０〜９５
０℃の温度範囲で焼成する必要がある。またＰｄの添加
量を多くした場合でも１１００℃を越える焼成温度では
バリスタ成分中のＢｉと電極成分のＰｄが反応して好ま
しくない。更に８５０℃より低い焼成温度ではバリスタ
素子１が十分に焼結せず、形成された外部電極２ａ，２
ｂの状態は良好であるが、バリスタ電圧が高くなりすぎ
実用的でない。なお、本実施例では電極金属をＡｇまた
はＡｇ−Ｐｄを用いたが、本発明のバリスタの焼成温度
範囲で溶融しない、またはバリスタ成分中の元素と反応
しない金属であれば、その他の金属を使用しても良い。
のみの場合、焼成温度がＡｇの融点の９６０℃を越える
と電極金属か溶融してしまい外部電極２ａ，２ｂとして
の働きがなくなるため、Ａｇのみの場合は８５０〜９５
０℃の温度範囲で焼成する必要がある。またＰｄの添加
量を多くした場合でも１１００℃を越える焼成温度では
バリスタ成分中のＢｉと電極成分のＰｄが反応して好ま
しくない。更に８５０℃より低い焼成温度ではバリスタ
素子１が十分に焼結せず、形成された外部電極２ａ，２
ｂの状態は良好であるが、バリスタ電圧が高くなりすぎ
実用的でない。なお、本実施例では電極金属をＡｇまた
はＡｇ−Ｐｄを用いたが、本発明のバリスタの焼成温度
範囲で溶融しない、またはバリスタ成分中の元素と反応
しない金属であれば、その他の金属を使用しても良い。
【００２８】（実施例５）主成分のＺｎＯに、副成分と
してＢｉ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％、Ｃｏ2Ｏ3を０．５ｍｏ
ｌ％、ＭｎＯ2を０．５ｍｏｌ％、ＳｎＯ2を０．１ｍｏ
ｌ％、Ａｌを０．０１ａｔ．％、更にＳｂ2Ｏ3を０〜
２．０ｍｏｌ％の範囲で秤量、混合した後、ジブチルフ
タレート、酢酸ブチルを加えてスラリーを作製する。こ
のスラリーをドクターブレード法で図２のグリーンシー
ト３を作製した。次に、図２に示すようにグリーンシー
ト３上にＡｇ−Ｐｄペーストを用い内部電極４を形成
し、図３に示す積層型バリスタ５を作製した。次いで積
層型バリスタ５を９５０℃の温度で焼成した後、外部電
極６として銀ペーストを端面に塗布し、８００℃で焼き
付けを行った。得られた積層型バリスタ５の
してＢｉ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％、Ｃｏ2Ｏ3を０．５ｍｏ
ｌ％、ＭｎＯ2を０．５ｍｏｌ％、ＳｎＯ2を０．１ｍｏ
ｌ％、Ａｌを０．０１ａｔ．％、更にＳｂ2Ｏ3を０〜
２．０ｍｏｌ％の範囲で秤量、混合した後、ジブチルフ
タレート、酢酸ブチルを加えてスラリーを作製する。こ
のスラリーをドクターブレード法で図２のグリーンシー
ト３を作製した。次に、図２に示すようにグリーンシー
ト３上にＡｇ−Ｐｄペーストを用い内部電極４を形成
し、図３に示す積層型バリスタ５を作製した。次いで積
層型バリスタ５を９５０℃の温度で焼成した後、外部電
極６として銀ペーストを端面に塗布し、８００℃で焼き
付けを行った。得られた積層型バリスタ５の
【００２９】
【外２】
【００３０】を測定し、および電圧非直線係数αを測定
し、その結果を（表５）に示した。
し、その結果を（表５）に示した。
【００３１】
【表５】
【００３２】（表５）に示すようにＳｂ2Ｏ3の添加量が
０．０１より少ない場合は電圧非直線係数αが小さくな
り、１．５より多いとバリスタ電圧が高くなりすぎ、実
施例１での円板状バリスタと同様な結果となった。従っ
て積層型バリスタ５においても、望ましいバリスタ特性
を得るにはＳｂ2Ｏ3の添加量を０．０１〜１．５ｍｏｌ
％の範囲にする必要がある。
０．０１より少ない場合は電圧非直線係数αが小さくな
り、１．５より多いとバリスタ電圧が高くなりすぎ、実
施例１での円板状バリスタと同様な結果となった。従っ
て積層型バリスタ５においても、望ましいバリスタ特性
を得るにはＳｂ2Ｏ3の添加量を０．０１〜１．５ｍｏｌ
％の範囲にする必要がある。
【００３３】尚、本実施例１〜５においてＢｉ2Ｏ3の添
加量を０．５ｍｏｌ％としたが、Ｂｉ2Ｏ3の添加量は
０．２〜２．０ｍｏｌ％の範囲であれば特性的に満足で
きるバリスタが得られる。
加量を０．５ｍｏｌ％としたが、Ｂｉ2Ｏ3の添加量は
０．２〜２．０ｍｏｌ％の範囲であれば特性的に満足で
きるバリスタが得られる。
【００３４】
【発明の効果】以上のごとく本発明によれば、バリスタ
素体を成形した後、その表面に８５０℃以上の融点を有
する外部電極ペーストを塗布し、８５０〜１１００℃の
温度範囲でバリスタ素子と同時に焼成することが可能と
なる。得られたバリスタはＺｎＯ結晶粒子の大きさが均
一となりバリスタ電圧の標準偏差σが小さく、特性歩留
まりの向上が期待できる。
素体を成形した後、その表面に８５０℃以上の融点を有
する外部電極ペーストを塗布し、８５０〜１１００℃の
温度範囲でバリスタ素子と同時に焼成することが可能と
なる。得られたバリスタはＺｎＯ結晶粒子の大きさが均
一となりバリスタ電圧の標準偏差σが小さく、特性歩留
まりの向上が期待できる。
【図１】本発明の一実施例におけるバリスタの側面図
【図２】本発明の他の実施例における積層型バリスタの
分解斜視図
分解斜視図
【図３】同積層型バリスタの断面図
１ バリスタ素子 ２ａ 外部電極 ２ｂ 外部電極 ３ グリーンシート ４ 内部電極 ５ 積層型バリスタ ６ 外部電極
Claims (5)
- 【請求項１】 ＺｎＯを主成分とし、副成分として少な
くともＢｉをＢｉ2Ｏ3に換算して０．２〜２．０ｍｏｌ
％、ＳｂをＳｂ2Ｏ3に換算して０．０１〜１．５ｍｏｌ
％、ＳｎをＳｎＯ2に換算して０．０１〜０．５ｍｏｌ
％添加した組成で形成したバリスタ素子を、８５０〜１
１００℃の温度で焼成するバリスタの製造方法。 - 【請求項２】 ＳｎとＳｂの成分比がＳｎＯ2／Ｓｂ2Ｏ
3≦１．０とする請求項１記載のバリスタの製造方法。 - 【請求項３】 バリスタ素子の両面に融点が８５０℃以
上の外部電極ペーストを塗布後焼成した請求項１または
請求項２に記載のバリスタの製造方法。 - 【請求項４】 バリスタ素子の内部電極を、融点が８５
０℃以上の金属で形成した請求項１〜３のいずれか一つ
に記載のバリスタの製造方法。 - 【請求項５】 内、外部電極がＡｇまたはＡｇ−Ｐｄで
ある請求項１〜４のいずれか一つに記載のバリスタの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8310330A JPH10149905A (ja) | 1996-11-21 | 1996-11-21 | バリスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8310330A JPH10149905A (ja) | 1996-11-21 | 1996-11-21 | バリスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10149905A true JPH10149905A (ja) | 1998-06-02 |
Family
ID=18003943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8310330A Pending JPH10149905A (ja) | 1996-11-21 | 1996-11-21 | バリスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10149905A (ja) |
-
1996
- 1996-11-21 JP JP8310330A patent/JPH10149905A/ja active Pending
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