JPH10154879A

JPH10154879A - 半導体パッケージ

Info

Publication number: JPH10154879A
Application number: JP8314052A
Authority: JP
Inventors: Toshiyuki Makita; 俊幸牧田
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 1996-11-25
Filing date: 1996-11-25
Publication date: 1998-06-09

Abstract

(57)【要約】【課題】その中の少なくとも１枚には導体回路１２
ｂを表面に形成した複数枚の有機系基板１１ａ，１１ｂ
を用い、その表面に形成した導体回路１２ｂにエポキシ
樹脂組成物１４を塗布した後、硬化させ、次いで各基板
１１ａ，１１ｂの間にシート状の接着剤１５を介在させ
て、導体回路１２ｂが露出している凹状の半導体素子配
置部１７を所定の位置に形成しながら積層、接着して製
造する半導体パッケージであって、導体回路１２ｂと塗
布したエポキシ樹脂組成物１４の間の接着強度が優れた
半導体パッケージを提供する。【解決手段】エポキシ樹脂組成物１４が、芳香族アミ
ン系硬化剤を含有するエポキシ樹脂組成物１４である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
に用いられる半導体パッケージに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ピングリッドアレイなどの半導体装置
は、例えば図５に示すように、基板１１の一方の面に、
半導体素子２１を配置可能に形成された凹状の半導体素
子配置部１７と、その半導体素子配置部１７の周囲に形
成され、ボンディングワイヤー２２等と接続可能に形成
された導体回路であるボンディングパット３２とを備
え、基板１１の他方の面に、ボンディングパット３２と
電気的に接続された電極１８と、その電極１８と接続さ
れ、母基板（半導体装置を実装するプリント配線板）に
実装するための端子２０とを備える半導体パッケージ１
０を用いて、半導体素子２１を実装した後、ボンディン
グワイヤー２２等でボンディングパット３２と半導体素
子２１を接続し、次いで封止材２３で封止して製造され
ている。

【０００３】近年の半導体装置の高機能化に伴い、ボン
ディングパット３２の必要数が増大する傾向にある。そ
のため、図２に示すような、表層に形成したボンディン
グパット３２ａに加え、半導体素子配置部１７の内部に
露出するボンディングパット３２ｂをも形成して、ボン
ディングパット３２ａ，３２ｂの数を増加させた半導体
パッケージ１０を用いた半導体装置が検討されている。

【０００４】このボンディングパット３２ａ，３２ｂの
数を増加させた半導体パッケージ１０は、例えば図３に
示すような方法で製造されている。図３（ａ）に示すよ
うな、一方の面（図で下の面）に導体回路を形成すると
共に、貫通して形成された基板開口部１３を有する有機
系基板１１ａ（以下第１基板１１ａと記す）と、一方の
面（図で上の面）にボンディングパット用等の導体回路
１２ｂを形成した有機系基板１１ｂ（以下第２基板１１
ｂと記す）と、エポキシ樹脂系のシート状の接着剤１５
を用いる。このとき接着剤１５としては、第１基板１１
ａの基板開口部１３とほぼ同じ大きさの接着剤開口部１
６を有する接着剤１５を用いる。

【０００５】そして、必要に応じて導体回路の表面を研
磨等を行い粗面化した後、基板開口部１３と接着剤開口
部１６の位置がほぼ一致するように第１基板１１ａと第
２基板１１ｂの間に、接着剤１５を介在させて積層し、
次いで、加熱加圧して接着すると、図３（ｂ）に示すよ
うに、ボンディングパット用等の導体回路１２ｂが露出
している凹状の半導体素子配置部１７が形成される。次
いで、図３（ｃ）に示すように、表層にボンディングパ
ット用の導体回路１２ａや、電極１８等を形成すると共
に、各層の導体回路１２ａ，１２ｂ・・等を接続するス
ルホール金属層１９を形成して製造される。

【０００６】接着剤１５で接着される第１基板１１ａ及
び第２基板１１ｂの面は、ボンディングパット用等の導
体回路１２ｂ・・を形成しているため凹凸を有してい
る。この凹凸を有する面を接着するとき凹部に気泡が残
らないように、ある程度流動性のある接着剤１５を用い
る必要があり、一般にプリプレグと呼ばれる熱硬化性樹
脂を半硬化させてシート状とした接着剤１５が用いられ
ている。この半硬化させた熱硬化性樹脂の接着剤１５は
接着するために加熱すると、いったん粘度が低下し液状
化して樹脂が流れ、さらに加熱すると硬化して樹脂が流
れなくなるため、凹部に気泡が残りにくいという特徴が
あり、一般に用いられている。

【０００７】しかし、凹部に気泡が残らないように流動
性を高めると、図４に示すように、第１基板１１ａと第
２基板１１ｂを接着するときの加圧により、接着剤１５
が半導体素子配置部内に露出するボンディングパット用
の導体回路１２ｂの部分に流れ出し、導体回路１２ｂの
部分を覆った状態で接着剤１５が硬化する場合があっ
た。この接着剤１５で覆われた導体回路１２ｂの部分は
ボンディングワイヤー等との接続が不十分となり、電気
的接続の信頼性が確保できない場合があるという問題が
あった。

【０００８】そのため、特開平７−２７３４６４号の従
来例に示すように、半導体素子配置部内に露出させよう
とする導体回路を除く導体回路に、ソルダーレジスト等
の熱硬化性樹脂を塗布した後、無加圧で硬化させて導体
回路間の凹部を埋め、次いで樹脂流れの少ない接着剤で
接着することにより、導体回路間の凹部に気泡を残りに
くくすると共に、半導体素子配置部内に露出する導体回
路への樹脂流出を少なくした製造方法が検討されてい
る。

【０００９】しかし、この導体回路にソルダーレジスト
等の熱硬化性樹脂を塗布・硬化させる方法で製造した場
合、導体回路間の凹部には気泡が残りにくいが、導体回
路と塗布した熱硬化性樹脂の間の接着強度が低下する場
合があり、接着信頼性が低いという問題があった。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を改善するために成されたもので、その目的とするとこ
ろは、その中の少なくとも１枚には導体回路を表面に形
成した複数枚の有機系基板を用い、その表面に形成した
導体回路にエポキシ樹脂組成物を塗布した後、硬化さ
せ、次いで各基板の間にシート状の接着剤を介在させ
て、導体回路が露出している凹状の半導体素子配置部を
所定の位置に形成しながら積層、接着して製造する半導
体パッケージであって、導体回路と塗布したエポキシ樹
脂組成物の間の接着強度が優れた半導体パッケージを提
供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
半導体パッケージは、その中の少なくとも１枚には導体
回路を表面に形成した複数枚の有機系基板を用い、その
表面に形成した導体回路にエポキシ樹脂組成物を塗布し
た後、硬化させ、次いで各基板の間にシート状の接着剤
を介在させて、導体回路が露出している凹状の半導体素
子配置部を所定の位置に形成しながら積層、接着して製
造する半導体パッケージにおいて、エポキシ樹脂組成物
が、芳香族アミン系硬化剤を含有するエポキシ樹脂組成
物であることを特徴とする。

【００１２】本発明の請求項２に係る半導体パッケージ
は、請求項１記載の半導体パッケージにおいて、芳香族
アミン系硬化剤が、ジアミノジフェニルメタンを含有す
ることを特徴とする。

【００１３】本発明の請求項３に係る半導体パッケージ
は、請求項１又は請求項２記載の半導体パッケージにお
いて、エポキシ樹脂組成物を塗布する導体回路の表面
が、エッチング液で粗面化されていることを特徴とす
る。

【００１４】本発明の請求項４に係る半導体パッケージ
は、請求項３記載の半導体パッケージにおいて、エッチ
ング液が、ギ酸、銅イオン及び銅イオンのキレート剤を
含有する酸性水溶液であることを特徴とする。

【００１５】本発明によると、芳香族アミン系硬化剤を
含有するエポキシ樹脂組成物を、基板表面に形成した導
体回路に塗布して製造するため、導体回路と塗布したエ
ポキシ樹脂組成物の間の接着強度が優れた半導体パッケ
ージとなる。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明に係る半導体パッケージを
図面に基づいて説明する。図１は、本発明に係る半導体
パッケージの一実施の形態の、製造方法を示す工程図で
ある。

【００１７】本発明に係る半導体パッケージの一実施の
形態は、図１（ａ）に示すように、貫通して形成された
基板開口部１３を有する有機系の第１基板１１ａと、一
方の面（図で上の面）にボンディングパット用等の導体
回路１２ｂを形成した有機系の第２基板１１ｂと、第１
基板１１ａの基板開口部１３とほぼ同じ大きさの接着剤
開口部１６を有するシート状の接着剤１５を用いて製造
する。

【００１８】なお、第１基板１１ａの接着剤１５と接し
ない面（図で上の面）は導体回路を形成していてもよ
く、全面に銅箔等の導体箔を有していてもよい。なお、
製造しようとする半導体パッケージの表層に導体回路を
設けない場合や、接着後アディティブ法等により形成す
る場合等は導体はなくてもよい。また、第１基板１１ａ
の接着剤１５と接する面（図で下の面）は、導体回路を
形成していてもよく、なくてもよい。

【００１９】また、第２基板１１ｂの接着剤１５と接し
ない面（図で下の面）は導体回路を形成していてもよ
く、全面に銅箔等の導体箔を有していてもよく、導体が
なくてもよい。なお、第２基板１１ｂの接着剤１５と接
する面（図で上の面）は、少なくとも第１基板１１ａに
形成された基板開口部１３と対応する位置に、導体回路
１２ｂを形成しているものに限定される。

【００２０】この導体回路１２ｂを形成する方法は特に
限定するものではなく、表面に導体箔を有した有機系基
板を用いて、その導体箔をエッチングして形成する方法
や、表面に導体箔を有しない有機系基板を用いて、回路
を形成しない部分にレジスト皮膜を形成した後、無電解
メッキ等を施すことにより形成する方法等が挙げられ
る。なお、導体回路１２ｂを形成する金属としては、
銅、アルミニウム、真鍮、ニッケル等の単独、合金等が
挙げられるが、電気的信頼性より銅や、銅の表面に金め
っき層等を形成したものが好ましい。

【００２１】本発明に用いる基板１１ａ，１１ｂは、有
機系であれば特に限定するものではなく、例えば、エポ
キシ樹脂系、フェノール樹脂系、ポリイミド樹脂系、不
飽和ポリエステル樹脂系、ポリフェニレンエーテル樹脂
系等の熱硬化性樹脂や、これらの熱硬化性樹脂に無機充
填材等を配合したものの板や、ガラス等の無機質繊維や
ポリエステル、ポリアミド、木綿等の有機質繊維のクロ
ス、ペーパー等の基材を、上記熱硬化性樹脂等で接着し
た板等が挙げられる。

【００２２】なお、これらの第１基板１１ａ及び第２基
板１１ｂには、その壁面に金属層を形成した貫通穴を有
していてもよく、内部に導体回路を形成していてもよ
い。また、第２基板１１ｂにも、基板開口部を有してい
てもよい。

【００２３】また、本発明に用いる接着剤１５は、第１
基板１１ａ及び第２基板１１ｂと積層した後、加熱加圧
して接着するときに、半導体素子配置部内へ流れる樹脂
量が少なくなるよう制御したものであれば特に限定する
ものではなく、例えば、エポキシ樹脂系、フェノール樹
脂系、ポリイミド樹脂系、不飽和ポリエステル樹脂系、
ポリフェニレンエーテル樹脂系等の熱硬化性樹脂や、こ
れらの熱硬化性樹脂に無機充填材等を配合したものを半
硬化させてシート状としたものや、ガラス等の無機質繊
維やポリエステル、ポリアミド、木綿等の有機質繊維の
クロス、ペーパー等の基材に、上記熱硬化性樹脂を含浸
した後、半硬化させてシート状としたもの等が挙げられ
る。なお、エポキシ樹脂系の接着剤１５の場合、加熱加
圧して接着するときに、半導体素子配置部内へ流れる樹
脂量を制御しやすく好ましい。

【００２４】なお、第２基板１１ｂの表面に形成された
導体回路１２ｂと導体回路１２ｂの間の凹部、及び導体
回路１２ｂの表面には、エポキシ樹脂組成物１４を塗布
した後硬化させることにより、硬化した樹脂の層が形成
されている。

【００２５】このエポキシ樹脂組成物１４中には、エポ
キシ樹脂及びその硬化剤を必須として含有し、必要に応
じて無機充填材及び顔料等を含有することができる。な
お、硬化剤としては、ジアミノジフェニルメタン、メタ
フェニレンジアミン等の芳香族アミン系硬化剤を含有し
ていることが重要である。含有していない場合には、導
体回路１２ｂと塗布したエポキシ樹脂組成物１４の間の
接着強度が低下する場合がある。なお、硬化剤としてジ
アミノジフェニルメタンを用いると、特に接着強度が優
れ好ましい。

【００２６】なお、含有することができる硬化剤として
は、芳香族アミン系硬化剤に限定するものではなく、２
−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダ
ゾール、２−フェニルイミダゾール等のイミダゾール系
硬化剤や、ジシアンジアミド、脂肪族ポリアミド等のア
ミド系硬化剤や、アンモニア、トリエチルアミン、ジエ
チルアミン等の脂肪族アミン系硬化剤や、フェノールノ
ボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｐ−キシレ
ン−ノボラック樹脂等のフェノール系硬化剤や、メチル
ヘキサヒドロフタル酸無水物等の酸無水物系硬化剤等を
併用してもよい。なお、芳香族アミン系硬化剤以外の硬
化剤を含有させる場合には、芳香族アミン系硬化剤を官
能基比率で５０％以上含有させると、特に接着強度が優
れ好ましい。なお、硬化剤合計の配合量としては、通常
エポキシ樹脂に対して、当量比で０．５〜１．５の範囲
で配合される。

【００２７】また、エポキシ樹脂組成物１４に含有する
エポキシ樹脂としては、特に限定するものではなく、例
えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノール
Ｆ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、
フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール
Ａノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦノボラ
ック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ
樹脂、ジアミノジフェニルメタン型エポキシ樹脂、及び
これらのエポキシ樹脂構造体中の水素原子の一部をハロ
ゲン化することにより難燃化したエポキシ樹脂等が挙げ
られる。

【００２８】また、エポキシ樹脂組成物１４に含有する
ことができる無機充填材としては、シリカ、炭酸カルシ
ウム、水酸化アルミニウム、タルク等の無機質粉末充填
材や、ガラス繊維、パルプ繊維、合成繊維、セラミック
繊維等の繊維質充填材が挙げられる。また、エポキシ樹
脂組成物１４に含有することができる顔料としては、例
えば、酸化チタン等が挙げられる。

【００２９】エポキシ樹脂組成物１４を導体回路１２ｂ
に塗布する方法としては特に限定するものではなく、例
えば、エポキシ樹脂組成物１４を溶剤で粘度調整した
後、印刷法等を用いて塗布する。なお、半導体素子配置
部内に露出させようとするボンディングパット用の導体
回路１２ｂの部分には塗布しないようにする。そして、
用いたエポキシ樹脂組成物１４が硬化する温度・時間加
熱して硬化させる。なお、熱硬化性樹脂組成物１４の粘
度調整に用いることができる溶剤としてはＮ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド等のアミド類、エチレングリコールモ
ノメチルエーテル等のエーテル類、アセトン、メチルエ
チルケトン等のケトン類、メタノール、エタノール等の
アルコール類、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素
類等が挙げられる。

【００３０】なお、導体回路１２ｂは、エポキシ樹脂組
成物１４を塗布する前に、表面を研磨等を行い粗面化
し、次いで、エポキシ樹脂組成物１４を塗布するように
すると、特に導体回路１２ｂと塗布したエポキシ樹脂組
成物１４の間の接着強度が優れ好ましい。

【００３１】この粗面化する方法としては、バフ、スク
ラブ等で機械的に表面を削って粗面化する方法や、硫酸
及び過酸化水素を含む粗面化処理液や過硫酸アンモニウ
ムを含む粗面化処理液等で化学的に表面をエッチングし
て粗面化する方法等が挙げられる。エッチングして粗面
化する方法の場合、機械的に削る方法と比較して粗面化
の凹凸を大きくすることが可能であり、接着強度を向上
することができ好ましい。

【００３２】なお、導体回路１２ｂが銅製の場合には、
ギ酸、銅イオン及び銅イオンのキレート剤を含有する酸
性水溶液で表面をエッチングして粗面化すると、吸湿後
の絶縁信頼性が優れ好ましい。この酸性水溶液には、ギ
酸、銅イオン及び銅イオンのキレート剤を含有すること
が重要である。これらのいずれかを含有していない場合
は、銅回路の表面の粗化が均一に進みにくくなり、接着
強度が低下する場合がある。

【００３３】なお、この酸性水溶液のギ酸の濃度は、一
般には１０〜１００グラム／リットルであることが望ま
しく、銅イオンの濃度は１５〜２５グラム／リットルで
あることが望ましく、銅イオンのキレート剤の濃度は
０．１〜１０グラム／リットルであることが望ましい。
また、ｐＨは４以下であることが望ましく、処理時の液
温は３２〜４３℃程度が望ましい。なお、キレート剤と
しては、銅イオンと結合してキレート効果を有するもの
であれば特に限定するものではなく、例えばエチレンジ
アミン四酢酸、シクロヘキサンジアミン四酢酸、１，１
０−フェナントロリン、８−ヒドロキシキノリン等が挙
げられる。このキレート剤が介在することにより、銅回
路の表面の銅が溶解しやすくなり、粗面化が均一に進む
と考えられる。

【００３４】また、上記酸性水溶液を用いて粗面化する
時間は、酸性水溶液の濃度、温度に応じて適宜決められ
るが、銅回路の表面を０．５〜３μｍ程度エッチングす
る条件で処理を行うと好ましい。なお、酸性水溶液を銅
回路にスプレーして処理を行う場合には、処理時間を短
縮することが可能となり好ましい。

【００３５】そして、第１基板１１ａの基板開口部１３
と、接着剤１５の接着剤開口部１６の位置がほぼ一致す
るように第１基板１１ａと第２基板１１ｂの間に、接着
剤１５を介在させて積層する。なお、この各基板１１
ａ，１１ｂの間に介在させる接着剤１５の枚数は１枚に
限定するものではなく、複数枚積層してもよい。

【００３６】次いで、加熱加圧して接着すると、図１
（ｂ）に示すように、ボンディングパット用等の導体回
路１２ｂが露出している凹状の半導体素子配置部１７が
形成されて、第１基板１１ａと第２基板１１ｂと接着剤
１５が一体化する。

【００３７】次いで、図１（ｃ）に示すように、表層に
ボンディングパット用の導体回路１２ａや、電極１８等
を形成すると共に、各層の導体回路１２ａ・・や電極１
８等を接続するスルホール金属層１９等を形成し、次い
で電極１８と接続した、針状や球状の端子２０を形成す
ることにより半導体パッケージは製造される。なお、端
子２０は、半導体素子を実装した後、形成するようにし
てもよい。

【００３８】なお、第１基板１１ａ及び第２基板１１ｂ
を用いて製造する実施の形態について説明したが、２枚
の基板（１１ａ，１１ｂ）を用いる場合に限定するもの
ではなく、第１基板１１ａ及び第２基板１１ｂの間に、
図示しないが、貫通して形成された基板開口部を有する
と共に、表面にボンディングパット用等の導体回路を形
成した有機系の基板を挟むようにしてもよく、第２基板
の外側に、表面に導体回路を形成した有機系の基板等を
積層するようにしてもよい。

【００３９】

【実施例】

（実施例１）大きさ５０×５０ｃｍ、銅箔を除く厚み
０．５ｍｍのガラス基材ポリイミド樹脂両面銅張積層板
［松下電工株式会社製、商品名Ｒ−４７８５、銅箔厚
み１８μｍ］を第１基板及び第２基板の材料として用い
た。そして、この積層板の一方の面の銅箔をエッチング
して導体回路を形成した後、その積層板に一辺が約２０
ｍｍの四角状の貫通する基板開口部を複数形成して第１
基板とした。

【００４０】また、上記積層板の一方の面の銅箔をエッ
チングして導体回路を形成して第２基板とした。なお、
この第２基板に形成した導体回路は、上記第１基板に形
成した基板開口部と対応する位置、及び上記第１基板に
形成した基板開口部以外の部分と対応する位置の両者に
形成した。

【００４１】次いで、第１基板及び第２基板に形成した
導体回路の表面を、バフ研磨を行い粗面化した。

【００４２】次いで、第２基板に形成した導体回路のう
ち第１基板が有する基板開口部に対応する部分、及び第
１基板に形成した導体回路以外の位置の導体回路の表面
に、下記のエポキシ樹脂組成物（以下樹脂Ａと記す）を
塗布した後、１３０℃で３０分加熱して硬化させた。

【００４３】塗布に用いた樹脂Ａは、重量平均分子量３
９００、数平均分子量１２００のクレゾールノボラック
型エポキシ樹脂を３０重量部と、ジアミノジフェニルメ
タンを１０重量部と、シリカを２５重量部配合したもの
に、溶剤としてブチルカルビトールとブチルセロソルブ
を配合して粘度を調整した液を用いた。

【００４４】また、接着剤として、エポキシ当量が５０
０であるテトラブロモビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
［東都化成社製、商品名ＹＤＢ−５００］を固形分とし
て９４重量部と、エポキシ当量が２２０であるクレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂［東都化成社製、商品名Ｙ
ＤＣＮ−２２０］を固形分として１３重量部と、ジシア
ンジアミドを２．８重量部、２−エチル−４−メチルイ
ミダゾールを０．１重量部、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミドを２５重量部配合した樹脂を、厚さ０．１ｍｍのガ
ラスクロス［旭シュエーベル株式会社製、商品名２１
６Ｌ］に含浸した後、加熱してシート状とした接着剤を
用いた。

【００４５】この接着剤を大きさ５０×５０ｃｍに切断
した後、第１基板に形成した基板開口部と対応する位置
に、ほぼ同じ大きさの接着剤開口部を形成した。

【００４６】次いで、第１基板の基板開口部と、接着剤
の接着剤開口部の位置がほぼ一致するように第１基板と
第２基板の間に、接着剤を１枚介在させて積層した。な
お、第１基板と第２基板に形成した導体回路が、接着剤
と接する側になるように積層した。次いで、最高温度１
７０℃、圧力２ＭＰａの条件で６０分加熱加圧して、導
体回路が露出している凹状の半導体素子配置部を形成し
た評価用半導体パッケージを得た。

【００４７】（実施例２）第１基板及び第２基板に形成
した導体回路の表面を、ギ酸及び銅イオンのキレート剤
を含有する酸性水溶液で処理を行い粗面化したこと以外
は実施例１と同様にして、評価用半導体パッケージを得
た。

【００４８】なお、ギ酸及び銅イオンのキレート剤を含
有する酸性水溶液として、メック株式会社製処理液［商
品名ＣＺ８１００］を用いて、水酸化銅を溶解させる
ことにより銅イオンを２０グラム／リットル含有する、
ｐＨ３．５の酸性水溶液を作成した。そして、その酸性
水溶液を３８℃に加熱した後、上記銅回路を形成した内
層用基板にスプレーして約２μｍエッチングを行い、次
いで水洗した後、水分を乾燥して粗面化を行った。

【００４９】（比較例１）樹脂Ａに代えて、重量平均分
子量３９００、数平均分子量１２００のクレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂を３０重量部と、２−フェニルイ
ミダゾールを７重量部と、シリカを２５重量部配合した
ものに、溶剤としてブチルカルビトールとブチルセロソ
ルブを配合して粘度を調整した液を用いたこと以外は実
施例１と同様にして、評価用半導体パッケージを得た。

【００５０】（評価、結果）実施例１，２及び比較例１
で得られた半導体パッケージについて、接着強度及び絶
縁抵抗を評価した。接着強度の評価方法は、常態の半導
体パッケージ、及び１２１℃、２気圧、相対湿度１００
％のプレッシャークッカーテストを２００時間行った半
導体パッケージの、第２基板に形成した幅５ｍｍの導体
回路と接着剤の硬化物の間を、９０度方向に５０ｍｍ／
分の速度で引き剥がし、その引き剥がし強さを測定し
た。

【００５１】また、絶縁抵抗の評価方法は、１２１℃、
２気圧、相対湿度１００％のプレッシャークッカーテス
トを２００時間及び５００時間行った半導体パッケージ
の、第２基板に形成した導体回路と導体回路の間の絶縁
抵抗を測定した。なお、測定に用いた導体回路は、１３
０μｍの絶縁間隔を設けて形成した櫛型の導体回路を用
いた。

【００５２】結果は、表１に示すように、実施例１及び
２は比較例１と比較して常態及び吸湿後の接着強度が優
れていることが確認された。また、ギ酸、銅イオン及び
銅イオンのキレート剤を含有する酸性水溶液で表面をエ
ッチングして粗面化した実施例２は、実施例１及び比較
例１と比較して吸湿後の絶縁信頼性が優れていることが
確認された。

【００５３】

【表１】

【００５４】

【発明の効果】本発明に係る半導体パッケージは、芳香
族アミン系硬化剤を含有するエポキシ樹脂組成物を、基
板表面に形成した導体回路に塗布して製造するため、導
体回路と塗布したエポキシ樹脂組成物の間の接着強度が
優れた半導体パッケージとなる。

【００５５】本発明の請求項４に係る半導体パッケージ
は上記の効果に加え、吸湿後の絶縁信頼性が優れた半導
体パッケージとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体パッケージの一実施の形態
の、製造方法を示す工程図である。

【図２】従来の半導体パッケージを説明する断面図であ
る。

【図３】従来の半導体パッケージの製造方法を示す工程
図である。

【図４】従来の半導体パッケージを説明する要部斜視図
である。

【図５】従来の半導体装置を説明する断面図である。

【符号の説明】

１０半導体パッケージ１１，１１ａ，１１ｂ基板１２ａ，１２ｂ導体回路１３基板開口部１４エポキシ樹脂組成物１５接着剤１６接着剤開口部１７半導体素子配置部１８電極１９スルホール金属層２０端子２１半導体素子２２ボンディングワイヤー２３封止材３２，３２ａ，３２ｂボンディングパット

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】その中の少なくとも１枚には導体回路
（１２ｂ）を表面に形成した複数枚の有機系基板（１１
ａ，１１ｂ）を用い、その表面に形成した導体回路（１
２ｂ）にエポキシ樹脂組成物（１４）を塗布した後、硬
化させ、次いで各基板（１１ａ，１１ｂ）の間にシート
状の接着剤（１５）を介在させて、導体回路（１２ｂ）
が露出している凹状の半導体素子配置部（１７）を所定
の位置に形成しながら積層、接着して製造する半導体パ
ッケージにおいて、エポキシ樹脂組成物（１４）が、芳
香族アミン系硬化剤を含有するエポキシ樹脂組成物（１
４）であることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】芳香族アミン系硬化剤が、ジアミノジフ
ェニルメタンを含有することを特徴とする請求項１記載
の半導体パッケージ。
【請求項３】エポキシ樹脂組成物（１４）を塗布する
導体回路（１２ｂ）の表面が、エッチング液で粗面化さ
れていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の
半導体パッケージ。
【請求項４】エッチング液が、ギ酸、銅イオン及び銅
イオンのキレート剤を含有する酸性水溶液であることを
特徴とする請求項３記載の半導体パッケージ。