JPH10163254A - 回路板 - Google Patents
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- JPH10163254A JPH10163254A JP8322984A JP32298496A JPH10163254A JP H10163254 A JPH10163254 A JP H10163254A JP 8322984 A JP8322984 A JP 8322984A JP 32298496 A JP32298496 A JP 32298496A JP H10163254 A JPH10163254 A JP H10163254A
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- electronic component
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
- H05K1/0366—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement reinforced, e.g. by fibres, fabrics
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W90/00—Package configurations
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- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体チップと実装基板との接続信頼性に優
れる回路板を提供する。 【解決手段】 Ｘ及びＹ方向の線膨張率が１１ｐｐｍ／
℃のガラスクロス・エポキシ樹脂両面銅張り積層板の表
面銅箔をエッチィング法で半導体チップ搭載用配線を加
工し実装基板を得た。半導体チップの突起電極と実装基
板とを接着後の４０℃における弾性率が１，２００ＭＰ
ａの異方導電フィルムにより接続する。このようにして
異方導電フィルムを介して半導体チップの突起電極と実
装基板の半導体チップ搭載用回路とが電気的に接続され
ると同時に半導体チップと実装基板間は異方導電フィル
ムの接着剤の硬化によって接続状態を保持た回路板を得
ることができる。
れる回路板を提供する。 【解決手段】 Ｘ及びＹ方向の線膨張率が１１ｐｐｍ／
℃のガラスクロス・エポキシ樹脂両面銅張り積層板の表
面銅箔をエッチィング法で半導体チップ搭載用配線を加
工し実装基板を得た。半導体チップの突起電極と実装基
板とを接着後の４０℃における弾性率が１，２００ＭＰ
ａの異方導電フィルムにより接続する。このようにして
異方導電フィルムを介して半導体チップの突起電極と実
装基板の半導体チップ搭載用回路とが電気的に接続され
ると同時に半導体チップと実装基板間は異方導電フィル
ムの接着剤の硬化によって接続状態を保持た回路板を得
ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばフェイスダ
ウンボンディング方式により半導体チップ等の電子部品
を実装基板と異方導電性接着剤等の接着剤で接着固定す
ると共に、両者の電極同士を電気的に接続する回路板に
関する。
ウンボンディング方式により半導体チップ等の電子部品
を実装基板と異方導電性接着剤等の接着剤で接着固定す
ると共に、両者の電極同士を電気的に接続する回路板に
関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体チップをフェイスダウン
ボンディング方式により直接基板に実装する方法とし
て、半導体チップの電極部分にはんだバンプを形成し実
装基板にはんだ接続するフリップチップ方式、半導体チ
ップに設けた突起電極に導電性接着剤を塗布し実装基板
電極に接着する接続方法が用いられている。
ボンディング方式により直接基板に実装する方法とし
て、半導体チップの電極部分にはんだバンプを形成し実
装基板にはんだ接続するフリップチップ方式、半導体チ
ップに設けた突起電極に導電性接着剤を塗布し実装基板
電極に接着する接続方法が用いられている。
【０００３】また、半導体チップ、トランジスタ、ダイ
オ−ド、サイリスタ等の能動素子、コンデンサ、抵抗
体、コイル等の受動素子等の電子部品と実装基板とを機
械的な電極接続により電気的に接続する方法として、接
着剤または導電粒子を分散させた異方導電性接着剤があ
る。すなわち、接着フィルムを電子部品と電極や回路の
間に設け、加圧または加熱加圧手段を構じることによっ
て、両者の電極同士が電気的に接続されると共に、隣接
電極間の絶縁性を付与して、電子部品と回路とが接着固
定されるものである。この機械的な電極接続による実装
方法は、現在ガラス基板で適用されているほか、汎用性
の高いガラスクロス補強樹脂製の配線板に適用する検討
が進められている。
オ−ド、サイリスタ等の能動素子、コンデンサ、抵抗
体、コイル等の受動素子等の電子部品と実装基板とを機
械的な電極接続により電気的に接続する方法として、接
着剤または導電粒子を分散させた異方導電性接着剤があ
る。すなわち、接着フィルムを電子部品と電極や回路の
間に設け、加圧または加熱加圧手段を構じることによっ
て、両者の電極同士が電気的に接続されると共に、隣接
電極間の絶縁性を付与して、電子部品と回路とが接着固
定されるものである。この機械的な電極接続による実装
方法は、現在ガラス基板で適用されているほか、汎用性
の高いガラスクロス補強樹脂製の配線板に適用する検討
が進められている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このガラスクロス補強
樹脂製の配線板は、配線密度に優れ、かつ経済的に多層
配線化でき、配線板材料としてもっとも一般的に利用さ
れている。しかし、従来のＦＲ−４グレードのガラスク
ロス補強樹脂製配線板では、Ｘ及びＹ方向の線膨張率が
大きく、半導体チップ実装時の加熱加圧による基板の膨
張から、実装後の室温への冷却による基板の収縮によっ
て接続部材に反りが生じ、接続信頼性を低下するという
問題があった。本発明は、導電粒子を分散させた異方導
電性接着剤等の接着剤により、半導体チップや電子部品
と実装基板とを機械的な電極接続で電気的な接続を得る
ことに際し、上記問題点に鑑みてなされたもので、半導
体チップをガラスクロス補強樹脂製配線板による実装基
板に接続でき、長期接続信頼性に優れた回路板を提供す
るものである。
樹脂製の配線板は、配線密度に優れ、かつ経済的に多層
配線化でき、配線板材料としてもっとも一般的に利用さ
れている。しかし、従来のＦＲ−４グレードのガラスク
ロス補強樹脂製配線板では、Ｘ及びＹ方向の線膨張率が
大きく、半導体チップ実装時の加熱加圧による基板の膨
張から、実装後の室温への冷却による基板の収縮によっ
て接続部材に反りが生じ、接続信頼性を低下するという
問題があった。本発明は、導電粒子を分散させた異方導
電性接着剤等の接着剤により、半導体チップや電子部品
と実装基板とを機械的な電極接続で電気的な接続を得る
ことに際し、上記問題点に鑑みてなされたもので、半導
体チップをガラスクロス補強樹脂製配線板による実装基
板に接続でき、長期接続信頼性に優れた回路板を提供す
るものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の回路板は、実装
基板表面の配線の所定の領域に電子部品の接続電極に対
応して形成された接続用電極端子上に前記電子部品の接
続電極が対応するように前記電子部品を当接載置し、前
記電子部品の前記接続電極形成面側が接着剤を介して前
記実装基板表面に接着固定され、前記接続用電極端子と
前記電子部品の接続電極とが電気的に接続される回路板
であって、前記実装基板は複数層の導体配線層が絶縁層
を介して積層接着された多層配線板であり、前記絶縁層
の少なくとも前記電子部品が接着固定される側の最外層
の１層がガラス基材で補強された樹脂よりなりＸ及びＹ
方向の線膨張率が１３ｐｐｍ／℃以下の絶縁層であるこ
とを特徴とする。
基板表面の配線の所定の領域に電子部品の接続電極に対
応して形成された接続用電極端子上に前記電子部品の接
続電極が対応するように前記電子部品を当接載置し、前
記電子部品の前記接続電極形成面側が接着剤を介して前
記実装基板表面に接着固定され、前記接続用電極端子と
前記電子部品の接続電極とが電気的に接続される回路板
であって、前記実装基板は複数層の導体配線層が絶縁層
を介して積層接着された多層配線板であり、前記絶縁層
の少なくとも前記電子部品が接着固定される側の最外層
の１層がガラス基材で補強された樹脂よりなりＸ及びＹ
方向の線膨張率が１３ｐｐｍ／℃以下の絶縁層であるこ
とを特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明における半導体チップと実
装基板の接続を図１を用いて説明する。図１において半
導体チップ１に設けた接続電極である突起電極（バン
プ）３は、実装基板２表面に設けた導体回路のチップ搭
載用電極４と位置合わせされる。導電粒子を分散させた
異方導電性接着剤１０は、半導体チップ１と実装基板２
間に配置される。この状態から半導体チップ１側から加
圧加熱することにより接着剤１０は流動し、接着剤の場
合は、半導体チップに設けた接続電極と実装基板表面に
設けた導体回路のチップ搭載用電極が直接機械的に接し
電気的な接続を得る。１１は導電粒子である。
装基板の接続を図１を用いて説明する。図１において半
導体チップ１に設けた接続電極である突起電極（バン
プ）３は、実装基板２表面に設けた導体回路のチップ搭
載用電極４と位置合わせされる。導電粒子を分散させた
異方導電性接着剤１０は、半導体チップ１と実装基板２
間に配置される。この状態から半導体チップ１側から加
圧加熱することにより接着剤１０は流動し、接着剤の場
合は、半導体チップに設けた接続電極と実装基板表面に
設けた導体回路のチップ搭載用電極が直接機械的に接し
電気的な接続を得る。１１は導電粒子である。
【０００７】本発明における実装基板の導体配線層は、
２層以上必要で高密度化をはかるためには３層またはそ
れ以上が望ましい。導体配線層は既存の銅箔をエッチィ
ング法で回路形成したもの等任意の回路形成法が使用で
きる。複数の導体配線層は絶縁層で絶縁され、この絶縁
層の少なくとも半導体チップが接着固定される側の最外
層の１層はガラス基材で補強された樹脂よりなりＸ及び
Ｙ方向の線膨張率が室温で１３ｐｐｍ／℃以下の絶縁層
を使用する必要がある。導体配線の表面には、錫（Ｓ
ｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、はんだ等のめっ
き等による表面層を形成することもできる。本発明の実
装基板は、複数層の導体配線層が絶縁層を介して積層接
着され、所定の導体配線層間を導体化された穴で電気的
に接続してなる多層配線板も使用される。
２層以上必要で高密度化をはかるためには３層またはそ
れ以上が望ましい。導体配線層は既存の銅箔をエッチィ
ング法で回路形成したもの等任意の回路形成法が使用で
きる。複数の導体配線層は絶縁層で絶縁され、この絶縁
層の少なくとも半導体チップが接着固定される側の最外
層の１層はガラス基材で補強された樹脂よりなりＸ及び
Ｙ方向の線膨張率が室温で１３ｐｐｍ／℃以下の絶縁層
を使用する必要がある。導体配線の表面には、錫（Ｓ
ｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、はんだ等のめっ
き等による表面層を形成することもできる。本発明の実
装基板は、複数層の導体配線層が絶縁層を介して積層接
着され、所定の導体配線層間を導体化された穴で電気的
に接続してなる多層配線板も使用される。
【０００８】本発明における接着剤は、チップと基板の
熱膨張係数の違いに基づく応力を緩和する目的で接着後
の４０℃での弾性率が１００〜４０００ＭＰａが好まし
く、特に１００〜１５００ＭＰａであれば特に好まし
い。例えば、接着剤として、エポキシ樹脂とイミダゾー
ル系、ヒドラジド系、三フッ化ホウ素−アミン錯体、ス
ルホニウム塩、アミンイミド、ポリアミンの塩、ジシア
ンジアミド等の潜在性硬化剤の混合物に、接着後の４０
℃での弾性率が１００〜１５００ＭＰａになるようにア
クリルゴムを配合した接着剤があげられる。接着剤硬化
物の弾性率は、例えば、レオロジ（株）製レオスペクト
ラＤＶＥ−４（引っぱりモード、周波数１０Ｈｚ、５℃
／ｍｉｎで昇温）を使用して測定できる。
熱膨張係数の違いに基づく応力を緩和する目的で接着後
の４０℃での弾性率が１００〜４０００ＭＰａが好まし
く、特に１００〜１５００ＭＰａであれば特に好まし
い。例えば、接着剤として、エポキシ樹脂とイミダゾー
ル系、ヒドラジド系、三フッ化ホウ素−アミン錯体、ス
ルホニウム塩、アミンイミド、ポリアミンの塩、ジシア
ンジアミド等の潜在性硬化剤の混合物に、接着後の４０
℃での弾性率が１００〜１５００ＭＰａになるようにア
クリルゴムを配合した接着剤があげられる。接着剤硬化
物の弾性率は、例えば、レオロジ（株）製レオスペクト
ラＤＶＥ−４（引っぱりモード、周波数１０Ｈｚ、５℃
／ｍｉｎで昇温）を使用して測定できる。
【０００９】本発明で用いるアクリルゴムとしては、ア
クリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル
またはアクリロニトリルのうち少なくともひとつをモノ
マー成分とした重合体または共重合体があげられ、中で
もグリシジルエーテル基を含有するグリシジルアクリレ
ートやグリシジルメタクリレートを含む共重合体系アク
リルゴムが好適に用いられる。これらアクリルゴムの分
子量は、接着剤の凝集力を高める点から２０万以上が好
ましい。アクリルゴムの接着剤中の配合量は、１５ｗｔ
％以下であると接着後の４０℃での弾性率が１５００Ｍ
Ｐａを越えてしまい、また４０ｗｔ％以上になると低弾
性率化は図れるが接続時の溶融粘度が高くなり接続電極
界間、または接続電極と導電粒子界面の溶融接着剤の排
除性が低下するため、接続電極間または接続電極と導電
粒子間の電気的導通を確保できなくなる。このため、ア
クリル配合量としては１５〜４０ｗｔ％が好ましい。接
着剤に配合されたこれらのアクリルゴムは、ゴム成分に
起因する誘電正接のピーク温度が４０〜６０℃付近にあ
るため、接着剤の低弾性率化を図ることができる。
クリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル
またはアクリロニトリルのうち少なくともひとつをモノ
マー成分とした重合体または共重合体があげられ、中で
もグリシジルエーテル基を含有するグリシジルアクリレ
ートやグリシジルメタクリレートを含む共重合体系アク
リルゴムが好適に用いられる。これらアクリルゴムの分
子量は、接着剤の凝集力を高める点から２０万以上が好
ましい。アクリルゴムの接着剤中の配合量は、１５ｗｔ
％以下であると接着後の４０℃での弾性率が１５００Ｍ
Ｐａを越えてしまい、また４０ｗｔ％以上になると低弾
性率化は図れるが接続時の溶融粘度が高くなり接続電極
界間、または接続電極と導電粒子界面の溶融接着剤の排
除性が低下するため、接続電極間または接続電極と導電
粒子間の電気的導通を確保できなくなる。このため、ア
クリル配合量としては１５〜４０ｗｔ％が好ましい。接
着剤に配合されたこれらのアクリルゴムは、ゴム成分に
起因する誘電正接のピーク温度が４０〜６０℃付近にあ
るため、接着剤の低弾性率化を図ることができる。
【００１０】本発明に用いられる接着剤には、チップの
バンプや回路電極の高さばらつきを吸収するために、異
方導電性を積極的に付与する目的で導電粒子を分散する
こともできる。本発明において導電粒子は例えばＡｕ、
Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｗやはんだなどの金属粒子またはこ
れらの金属粒子表面に金やパラジウムなどの薄膜をめっ
きや蒸着によって形成した金属粒子であり、ポリスチレ
ン等の高分子の球状の核材にＮｉ、Ｃｕ、Ａｕ、はんだ
等の導電層を設けた導電粒子を用いることができる。
バンプや回路電極の高さばらつきを吸収するために、異
方導電性を積極的に付与する目的で導電粒子を分散する
こともできる。本発明において導電粒子は例えばＡｕ、
Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｗやはんだなどの金属粒子またはこ
れらの金属粒子表面に金やパラジウムなどの薄膜をめっ
きや蒸着によって形成した金属粒子であり、ポリスチレ
ン等の高分子の球状の核材にＮｉ、Ｃｕ、Ａｕ、はんだ
等の導電層を設けた導電粒子を用いることができる。
【００１１】粒径は基板の電極の最小の間隔よりも小さ
いことが必要で、電極の高さばらつきがある場合、高さ
ばらつきよりも大きいことが好ましく、１μｍ〜１０μ
ｍが好ましい。また、接着剤に分散される導電粒子量
は、０．１〜３０体積％であり、好ましくは０．２〜１
５体積％である。
いことが必要で、電極の高さばらつきがある場合、高さ
ばらつきよりも大きいことが好ましく、１μｍ〜１０μ
ｍが好ましい。また、接着剤に分散される導電粒子量
は、０．１〜３０体積％であり、好ましくは０．２〜１
５体積％である。
【００１２】本発明における半導体チップの接続電極に
は、金、ニッケル、ハンダ等をめっきし突起電極とした
めっきバンプ、また 金、アルミニウム等の金属ワイヤ
の先端を熱エネルギによりボール状としこのボールを接
続端子が構成される半導体チップの電極パッド上に圧着
した後前記金属ワイヤを切断して構成された突起電極で
あるボールバンプ、はんだボール、溶融はんだ成形バン
プ、カラムの半田付け等による突起電極が使用できる。
本発明の電子部品としては、半導体チップ、トランジス
タ、ダイオ−ド、サイリスタ等の能動素子、コンデン
サ、抵抗体、コイル等の受動素子が使用される。
は、金、ニッケル、ハンダ等をめっきし突起電極とした
めっきバンプ、また 金、アルミニウム等の金属ワイヤ
の先端を熱エネルギによりボール状としこのボールを接
続端子が構成される半導体チップの電極パッド上に圧着
した後前記金属ワイヤを切断して構成された突起電極で
あるボールバンプ、はんだボール、溶融はんだ成形バン
プ、カラムの半田付け等による突起電極が使用できる。
本発明の電子部品としては、半導体チップ、トランジス
タ、ダイオ−ド、サイリスタ等の能動素子、コンデン
サ、抵抗体、コイル等の受動素子が使用される。
【００１３】
【作用】一般のガラスエポキシ基材（ＦＲ−４グレー
ド）はＸ及びＹ方向の線膨張率が１６ｐｐｍ／℃である
のに対し、本発明における実装基板には線膨張率１３ｐ
ｐｍ／℃以下のガラスクロス補強樹脂製の絶縁層等のガ
ラス基材で補強された樹脂よりなる絶縁層を用いるた
め、半導体チップ等の電子部品との接続部分に生じる内
部応力を小さくできる。同時に、本発明における接着剤
は、好ましくは４０℃での弾性率が１００〜１５００Ｍ
Ｐａのため、熱衝撃試験、ＰＣＴ試験やはんだバス浸漬
試験などの信頼性試験において生じる内部応力を接着剤
で吸収できるため、信頼性試験後においても接続部での
接続抵抗の増大や接着剤の剥離がなく、接続信頼性が大
幅に向上する。
ド）はＸ及びＹ方向の線膨張率が１６ｐｐｍ／℃である
のに対し、本発明における実装基板には線膨張率１３ｐ
ｐｍ／℃以下のガラスクロス補強樹脂製の絶縁層等のガ
ラス基材で補強された樹脂よりなる絶縁層を用いるた
め、半導体チップ等の電子部品との接続部分に生じる内
部応力を小さくできる。同時に、本発明における接着剤
は、好ましくは４０℃での弾性率が１００〜１５００Ｍ
Ｐａのため、熱衝撃試験、ＰＣＴ試験やはんだバス浸漬
試験などの信頼性試験において生じる内部応力を接着剤
で吸収できるため、信頼性試験後においても接続部での
接続抵抗の増大や接着剤の剥離がなく、接続信頼性が大
幅に向上する。
【００１４】
実施例 Ｘ及びＹ方向の線膨張率が１１ｐｐｍ／℃のガラスクロ
ス・エポキシ樹脂両面銅張り積層板であるＭＣＬ−Ｅ−
６７９ＬＤ（日立化成工業株式会社製、商品名）の表面
銅箔を既存のエッチィング法で半導体チップ搭載用配線
を加工し、表面にニッケル／金めっきを施し実装基板を
得た。半導体チップの接続電極として金めっきにより突
起電極を形成したものを用いた。この後、半導体チップ
の突起電極と実装基板とを接着後の４０℃における弾性
率が１，２００ＭＰａの異方導電フィルムにより接続す
る。まず、実装基板に異方導電フィルムを転写した後、
半導体チップの突起電極と実装基板の半導体チップ搭載
用回路との位置合せを行い、半導体チップを１８０℃、
１０ｋｇｆ／チップの温度及び圧力により２０秒間加熱
圧着して異方導電フィルムを硬化させる。これによっ
て、異方導電フィルムを介して半導体チップの突起電極
と実装基板の半導体チップ搭載用回路とを電気的に接続
されると同時に半導体チップと実装基板間は異方導電フ
ィルムの接着剤の硬化によって、この接続状態を保持す
る。このようにして得た半導体チップと実装基板を接続
した部材を（−５５℃、３０分）／（１２５℃、３０
分）の条件で繰り返す冷熱サイクル試験に曝した。この
冷熱サイクル試験１，０００回後の半導体チップの突起
電極と実装基板の半導体チップ搭載用回路の接続抵抗を
測定したところ５０ｍΩ以下であった。また実装後の半
導体チップのソリは５μｍであった。
ス・エポキシ樹脂両面銅張り積層板であるＭＣＬ−Ｅ−
６７９ＬＤ（日立化成工業株式会社製、商品名）の表面
銅箔を既存のエッチィング法で半導体チップ搭載用配線
を加工し、表面にニッケル／金めっきを施し実装基板を
得た。半導体チップの接続電極として金めっきにより突
起電極を形成したものを用いた。この後、半導体チップ
の突起電極と実装基板とを接着後の４０℃における弾性
率が１，２００ＭＰａの異方導電フィルムにより接続す
る。まず、実装基板に異方導電フィルムを転写した後、
半導体チップの突起電極と実装基板の半導体チップ搭載
用回路との位置合せを行い、半導体チップを１８０℃、
１０ｋｇｆ／チップの温度及び圧力により２０秒間加熱
圧着して異方導電フィルムを硬化させる。これによっ
て、異方導電フィルムを介して半導体チップの突起電極
と実装基板の半導体チップ搭載用回路とを電気的に接続
されると同時に半導体チップと実装基板間は異方導電フ
ィルムの接着剤の硬化によって、この接続状態を保持す
る。このようにして得た半導体チップと実装基板を接続
した部材を（−５５℃、３０分）／（１２５℃、３０
分）の条件で繰り返す冷熱サイクル試験に曝した。この
冷熱サイクル試験１，０００回後の半導体チップの突起
電極と実装基板の半導体チップ搭載用回路の接続抵抗を
測定したところ５０ｍΩ以下であった。また実装後の半
導体チップのソリは５μｍであった。
【００１５】比較例 実施例において、ガラスクロス・エポキシ樹脂両面銅張
り積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７９ＬＤ（日立化成工業
株式会社製、商品名）に代えて、Ｘ及びＹ方向の線膨張
率が１６ｐｐｍ／℃のガラスクロス・エポキシ樹脂両面
銅張り積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株
式会社製、商品名）を用いた外は、実施例と同様にして
半導体チップと実装基板を接続した。このようにして得
た半導体チップと実装基板を接続した部材を（−５５
℃、３０分）／（１２５℃、３０分）の条件で繰り返す
冷熱サイクル試験に曝した。この冷熱サイクル試験１，
０００回後の半導体チップの突起電極と実装基板の半導
体チップ搭載用回路の接続抵抗を測定したところ１Ω以
上であった。また実装後の半導体チップのソリは１８μ
ｍであった。
り積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７９ＬＤ（日立化成工業
株式会社製、商品名）に代えて、Ｘ及びＹ方向の線膨張
率が１６ｐｐｍ／℃のガラスクロス・エポキシ樹脂両面
銅張り積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株
式会社製、商品名）を用いた外は、実施例と同様にして
半導体チップと実装基板を接続した。このようにして得
た半導体チップと実装基板を接続した部材を（−５５
℃、３０分）／（１２５℃、３０分）の条件で繰り返す
冷熱サイクル試験に曝した。この冷熱サイクル試験１，
０００回後の半導体チップの突起電極と実装基板の半導
体チップ搭載用回路の接続抵抗を測定したところ１Ω以
上であった。また実装後の半導体チップのソリは１８μ
ｍであった。
【００１６】
【発明の効果】本発明により、半導体チップ等の電子部
品と実装基板との接続信頼性に優れる回路板を得ること
ができる。
品と実装基板との接続信頼性に優れる回路板を得ること
ができる。
【図１】 本発明の回路板の断面図である。
１： 半導体チップ ２： 実装基板 ３： 突起電極（バンプ） ４： チップ搭載用電極 １０：異方導電性接着剤 １１：導電粒子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 治 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社筑波開発研究所内 (72)発明者 小島 和良 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社筑波開発研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】 実装基板表面の配線の所定の領域に電子
部品の接続電極に対応して形成された接続用電極端子上
に前記電子部品の接続電極が対応するように前記電子部
品を当接載置し、前記電子部品の前記接続電極形成面側
が接着剤を介して前記実装基板表面に接着固定され、前
記接続用電極端子と前記電子部品の接続電極とが電気的
に接続される回路板であって、前記実装基板は複数層の
導体配線層が絶縁層を介して積層接着された多層配線板
であり、前記絶縁層の少なくとも前記電子部品が接着固
定される側の最外層の１層がガラス基材で補強された樹
脂よりなりＸ及びＹ方向の線膨張率が１３ｐｐｍ／℃以
下の絶縁層であることを特徴とする回路板。 - 【請求項２】 電子部品を実装基板表面に接着固定する
接着剤が、接着後の４０℃における弾性率が１００〜
１，５００ＭＰａである請求項１記載の回路板。 - 【請求項３】 電子部品を実装基板表面に接着固定する
接着剤が、異方導電性接着剤である請求項１又は２記載
の回路板。 - 【請求項４】 電子部品の接続電極形成面側の全面が接
着剤を介して実装基板表面に接着固定される請求項１〜
３各項記載の回路板。 - 【請求項５】 電子部品が半導体チップであるの請求項
１〜４各項記載の回路板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8322984A JPH10163254A (ja) | 1996-12-03 | 1996-12-03 | 回路板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8322984A JPH10163254A (ja) | 1996-12-03 | 1996-12-03 | 回路板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10163254A true JPH10163254A (ja) | 1998-06-19 |
Family
ID=18149852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8322984A Pending JPH10163254A (ja) | 1996-12-03 | 1996-12-03 | 回路板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10163254A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000009623A1 (fr) * | 1998-08-13 | 2000-02-24 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Adhesif pour fixer des elements de circuit, carte de circuit imprime et procede de production |
| EP1454973A1 (en) * | 1998-08-13 | 2004-09-08 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Adhesive for bonding circuit members, circuit board and process for its production |
| KR100832283B1 (ko) * | 2000-03-15 | 2008-05-26 | 소니 케미카루 앤드 인포메이션 디바이스 가부시키가이샤 | 이방성 도전접속재료 |
| US7750310B2 (en) | 2005-08-16 | 2010-07-06 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor radioactive ray detector, radioactive ray detection module, and nuclear medicine diagnosis apparatus |
| JP4930598B2 (ja) * | 2007-10-18 | 2012-05-16 | 日立化成工業株式会社 | 回路接続材料、回路接続体及び回路部材の接続方法 |
-
1996
- 1996-12-03 JP JP8322984A patent/JPH10163254A/ja active Pending
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| US8273458B2 (en) | 1997-02-14 | 2012-09-25 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Adhesive for bonding circuit members, circuit board and process for its production |
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| US8273457B2 (en) | 1998-08-13 | 2012-09-25 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Adhesive for bonding circuit members, circuit board and process for its production |
| KR100832283B1 (ko) * | 2000-03-15 | 2008-05-26 | 소니 케미카루 앤드 인포메이션 디바이스 가부시키가이샤 | 이방성 도전접속재료 |
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| JP4930598B2 (ja) * | 2007-10-18 | 2012-05-16 | 日立化成工業株式会社 | 回路接続材料、回路接続体及び回路部材の接続方法 |
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|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040426 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040506 |
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