JPH10163802A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
- Publication number
- JPH10163802A JPH10163802A JP32052196A JP32052196A JPH10163802A JP H10163802 A JPH10163802 A JP H10163802A JP 32052196 A JP32052196 A JP 32052196A JP 32052196 A JP32052196 A JP 32052196A JP H10163802 A JPH10163802 A JP H10163802A
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- JP
- Japan
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- acoustic wave
- surface acoustic
- protective layer
- piezoelectric substrate
- electrode
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 励振電極の保護を行うとともに、従来のよう
な特性劣化がなく信頼性の非常に優れた弾性表面波装置
を提供すること。 【解決手段】 圧電基板１上に、弾性表面波を発生させ
る励振電極３、及び保護層４を順次積層して成る弾性表
面波装置であって、保護層４は、比抵抗値σ、膜厚をｈ
としたときに、σ／ｈが１０9 〜１０13Ωの範囲である
ことを特徴とする。
な特性劣化がなく信頼性の非常に優れた弾性表面波装置
を提供すること。 【解決手段】 圧電基板１上に、弾性表面波を発生させ
る励振電極３、及び保護層４を順次積層して成る弾性表
面波装置であって、保護層４は、比抵抗値σ、膜厚をｈ
としたときに、σ／ｈが１０9 〜１０13Ωの範囲である
ことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、タンタル酸リチウ
ム、ニオブ酸リチウム、四ほう酸リチウム等の単結晶か
ら成る圧電基板に、励振電極を設けて成る弾性表面波
（ＳＡＷ）フィルタ等の弾性表面波装置に関する。
ム、ニオブ酸リチウム、四ほう酸リチウム等の単結晶か
ら成る圧電基板に、励振電極を設けて成る弾性表面波
（ＳＡＷ）フィルタ等の弾性表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術とその課題】従来より、タンタル酸リチウ
ム（ＬｉＴａＯ3 ）等の単結晶は、一般に圧電材料の性
能評価として用いられる電気機械結合係数が大きい材料
として大変注目されており、例えば、弾性表面波フィル
タや弾性表面波共振器等の弾性表面波装置、バルク波デ
バイス等の各種圧電デバイスに用いられる材料として有
望視されている。
ム（ＬｉＴａＯ3 ）等の単結晶は、一般に圧電材料の性
能評価として用いられる電気機械結合係数が大きい材料
として大変注目されており、例えば、弾性表面波フィル
タや弾性表面波共振器等の弾性表面波装置、バルク波デ
バイス等の各種圧電デバイスに用いられる材料として有
望視されている。
【０００３】特に、３６°ＹカットＸ伝搬のタンタル酸
リチウム単結晶を基板として用い、アルミニウムをＩＤ
Ｔ電極材料として用いた場合、伝搬させる弾性表面波の
波長に対するＩＤＴ電極の規格化膜厚Ｈ／λを０．１以
下にすることが最適であるとされている（例えば、特開
平６−１８８６７３号公報等を参照）。
リチウム単結晶を基板として用い、アルミニウムをＩＤ
Ｔ電極材料として用いた場合、伝搬させる弾性表面波の
波長に対するＩＤＴ電極の規格化膜厚Ｈ／λを０．１以
下にすることが最適であるとされている（例えば、特開
平６−１８８６７３号公報等を参照）。
【０００４】しかしながら、例えばセルラー電話、ＰＨ
Ｓ（Personal Handy-phone System）等の移動体通信用
電話に使用されるフロントエンドＳＡＷフィルタ（アナ
ログ：９００ＭＨz 帯，デジタル：１５ＧＨz 帯）を構
成するには、例えばＡＭＰＳ（Advanced Mobile Phone
Service)方式であれば、２０ｄＢ以上の大きな帯域外減
衰量が最低でも必要とされるにもかかわらず、特性的に
優れたタンタル酸リチウム単結晶を基板材料に適用しよ
うとしても、上述のような帯域外減衰量を備え、しかも
挿入損失が小さいものはなかった。また、完成品の特性
のばらつきが大きかったり、特性不良のものが多く発生
していた。
Ｓ（Personal Handy-phone System）等の移動体通信用
電話に使用されるフロントエンドＳＡＷフィルタ（アナ
ログ：９００ＭＨz 帯，デジタル：１５ＧＨz 帯）を構
成するには、例えばＡＭＰＳ（Advanced Mobile Phone
Service)方式であれば、２０ｄＢ以上の大きな帯域外減
衰量が最低でも必要とされるにもかかわらず、特性的に
優れたタンタル酸リチウム単結晶を基板材料に適用しよ
うとしても、上述のような帯域外減衰量を備え、しかも
挿入損失が小さいものはなかった。また、完成品の特性
のばらつきが大きかったり、特性不良のものが多く発生
していた。
【０００５】このような原因の一つとして以下に示すこ
とが考えられる。例えば、弾性表面波フィルタは、上記
のような圧電基板の上に、櫛歯状を成す励振電極等の金
属電極が設けられ、この励振電極等の金属電極上に絶縁
性材料から成る保護膜が被覆されて構成されているのが
一般的であるが、励振電極等の電極形成後の工程などで
圧電基板が高温の環境下に置かれると、圧電基板表面に
不均一な電荷分布が生じて、これが原因となって発生し
た放電で電極が変形等したりして、ひいてはフィルタ特
性の劣化等を誘発していたのである。
とが考えられる。例えば、弾性表面波フィルタは、上記
のような圧電基板の上に、櫛歯状を成す励振電極等の金
属電極が設けられ、この励振電極等の金属電極上に絶縁
性材料から成る保護膜が被覆されて構成されているのが
一般的であるが、励振電極等の電極形成後の工程などで
圧電基板が高温の環境下に置かれると、圧電基板表面に
不均一な電荷分布が生じて、これが原因となって発生し
た放電で電極が変形等したりして、ひいてはフィルタ特
性の劣化等を誘発していたのである。
【０００６】すなわち、励振電極等の電極形成後のパッ
ケージ実装時におけるダイボンディングやワイヤーボン
ディング等の工程において、圧電基板が約８０℃以上の
高温下に置かれると、圧電基板の焦電性により圧電基板
表面に電荷分布が生ずる。そして、この圧電基板表面に
生じた電荷は、空気中の浮遊電荷により中和されていく
が、この中和されていく速度は、圧電基板上に形成され
た電極の形状や面積等により異なり、所々に不均一な電
荷密度分布が圧電基板上に存在することになる。その結
果、例えば励振電極を構成する櫛歯状電極の電極指と電
極指との間隙の狭い部分において、非常に大きな電界が
かかることになり、上記電荷密度分布を緩和するように
放電が起こり、この放電により励振電極の電極指が変形
したり、一部が溶融して剥離するなどして、例えばフィ
ルタ特性が劣化したり、剥離した金属片が励振電極等の
電極上に付着してショート不良を招いていたのである。
ケージ実装時におけるダイボンディングやワイヤーボン
ディング等の工程において、圧電基板が約８０℃以上の
高温下に置かれると、圧電基板の焦電性により圧電基板
表面に電荷分布が生ずる。そして、この圧電基板表面に
生じた電荷は、空気中の浮遊電荷により中和されていく
が、この中和されていく速度は、圧電基板上に形成され
た電極の形状や面積等により異なり、所々に不均一な電
荷密度分布が圧電基板上に存在することになる。その結
果、例えば励振電極を構成する櫛歯状電極の電極指と電
極指との間隙の狭い部分において、非常に大きな電界が
かかることになり、上記電荷密度分布を緩和するように
放電が起こり、この放電により励振電極の電極指が変形
したり、一部が溶融して剥離するなどして、例えばフィ
ルタ特性が劣化したり、剥離した金属片が励振電極等の
電極上に付着してショート不良を招いていたのである。
【０００７】そこで、励振電極の保護を行うとともに、
従来のような特性劣化がなく信頼性の非常に優れた弾性
表面波装置を提供することを本発明の目的とする。
従来のような特性劣化がなく信頼性の非常に優れた弾性
表面波装置を提供することを本発明の目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成させるた
めに、本発明の弾性表面波装置は、圧電基板上に、弾性
表面波を発生させる励振電極、及び、比抵抗値／膜厚が
１０9 〜１０13Ωの材料から成る保護層が順次積層され
ている。
めに、本発明の弾性表面波装置は、圧電基板上に、弾性
表面波を発生させる励振電極、及び、比抵抗値／膜厚が
１０9 〜１０13Ωの材料から成る保護層が順次積層され
ている。
【０００９】また、保護層は圧電基板より弾性表面波の
速度が速い材料から成るようにすれば、励振電極の電極
指のピッチを従来の下地層を設けない場合に比して、よ
り大きな幅で設計することが可能となる。
速度が速い材料から成るようにすれば、励振電極の電極
指のピッチを従来の下地層を設けない場合に比して、よ
り大きな幅で設計することが可能となる。
【００１０】また特に、圧電基板としてタンタル酸リチ
ウム、保護層としてシリコンとした場合、その厚さは挿
入損失が大きくなりフィルタ特性が劣化しないように７
５ｎｍ以下とするとよい。なお、保護層はシリコン以外
に高抵抗にさせた半導導電性膜、樹脂又はガラス等に炭
素や金属材料などの導電材料を含有させた複合材料等で
あってもよい。
ウム、保護層としてシリコンとした場合、その厚さは挿
入損失が大きくなりフィルタ特性が劣化しないように７
５ｎｍ以下とするとよい。なお、保護層はシリコン以外
に高抵抗にさせた半導導電性膜、樹脂又はガラス等に炭
素や金属材料などの導電材料を含有させた複合材料等で
あってもよい。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る実施の形態に
ついて図面に基づき詳細に説明する。本発明の弾性表面
波装置は、例えば図１及び図３にその一部分を示すよう
に、圧電基板１上に金属から成る励振電極２及び反射器
電極３等を設けたものでありこれらの電極領域にのみ保
護層４が被着形成されている。
ついて図面に基づき詳細に説明する。本発明の弾性表面
波装置は、例えば図１及び図３にその一部分を示すよう
に、圧電基板１上に金属から成る励振電極２及び反射器
電極３等を設けたものでありこれらの電極領域にのみ保
護層４が被着形成されている。
【００１２】また、その等価回路は図２に示すように、
直列接続された複数の弾性表面波共振子１０と、並列接
続された複数の弾性表面波共振子２０等から構成され、
いわゆるバランス型フィルタなどの弾性表面波フィルタ
になっており、このように構成された弾性表面波装置Ｓ
は、複数の直列接続された弾性表面波共振子１０でもっ
てローパスフィルタを構成し、並列接続された弾性表面
波共振子２０でもってハイパスフィルタを構成して所望
の特性を得るものである。
直列接続された複数の弾性表面波共振子１０と、並列接
続された複数の弾性表面波共振子２０等から構成され、
いわゆるバランス型フィルタなどの弾性表面波フィルタ
になっており、このように構成された弾性表面波装置Ｓ
は、複数の直列接続された弾性表面波共振子１０でもっ
てローパスフィルタを構成し、並列接続された弾性表面
波共振子２０でもってハイパスフィルタを構成して所望
の特性を得るものである。
【００１３】ここで、圧電基板１はタンタル酸リチウ
ム、ニオブ酸リチウム、四ほう酸リチウム等の単結晶か
ら成るものである。また、励振電極２等の電極材料とし
ては、アルミニウムやアルミニウムを主成分とする合金
（Ａｌ−Ｓｉ系，Ａｌ−Ｃｕ系，Ａｌ−Ｔｉ系等）を好
適に用いることができる。また、保護層４は酸化シリコ
ン（ＳｉＯ2 ）、窒化シリコン（Ｓｉ2 Ｎ3 ）などの絶
縁材料やシリコン、樹脂又はガラス等に炭素や金属材料
などの導電材料を含有させた複合材料等の半導電性材料
とすることができる。これら励振電極２及び保護層４は
ＣＶＤ法、スパッタ法、真空蒸着法などにより形成した
後、リフトオフ法などにより不要部分を除去する。
ム、ニオブ酸リチウム、四ほう酸リチウム等の単結晶か
ら成るものである。また、励振電極２等の電極材料とし
ては、アルミニウムやアルミニウムを主成分とする合金
（Ａｌ−Ｓｉ系，Ａｌ−Ｃｕ系，Ａｌ−Ｔｉ系等）を好
適に用いることができる。また、保護層４は酸化シリコ
ン（ＳｉＯ2 ）、窒化シリコン（Ｓｉ2 Ｎ3 ）などの絶
縁材料やシリコン、樹脂又はガラス等に炭素や金属材料
などの導電材料を含有させた複合材料等の半導電性材料
とすることができる。これら励振電極２及び保護層４は
ＣＶＤ法、スパッタ法、真空蒸着法などにより形成した
後、リフトオフ法などにより不要部分を除去する。
【００１４】また、保護層４の比抵抗値をσ、膜厚をｈ
とした場合に、σ／ｈが１０9 〜１０13Ωの範囲内にあ
るものとする。これは、σ／ｈが１０9 Ωより小さい
と、電極がショートした状態となり、１０13Ωより大き
いと電荷密度分布の緩和が充分に起こらないからであ
る。
とした場合に、σ／ｈが１０9 〜１０13Ωの範囲内にあ
るものとする。これは、σ／ｈが１０9 Ωより小さい
と、電極がショートした状態となり、１０13Ωより大き
いと電荷密度分布の緩和が充分に起こらないからであ
る。
【００１５】この弾性表面波装置Ｓによれば、圧電基板
１の焦電性により、励振電極２等の電極指間で電荷密度
分布が不均一となっても保護層４を通じて余分な電荷が
流れ、電荷密度分布の不均一を緩和することができる。
１の焦電性により、励振電極２等の電極指間で電荷密度
分布が不均一となっても保護層４を通じて余分な電荷が
流れ、電荷密度分布の不均一を緩和することができる。
【００１６】ここで、特に圧電基板１をタンタル酸リチ
ウムとし、保護層４をシリコンとして弾性表面波フィル
タを作製した場合には、保護層４の膜厚は７５ｎｍ以下
とする。これは、７５ｎｍより厚くなると挿入損失が急
に大きくなりフィルタ特性が劣化することが判明したか
らである。
ウムとし、保護層４をシリコンとして弾性表面波フィル
タを作製した場合には、保護層４の膜厚は７５ｎｍ以下
とする。これは、７５ｎｍより厚くなると挿入損失が急
に大きくなりフィルタ特性が劣化することが判明したか
らである。
【００１７】また特に、保護層４が圧電基板１より弾性
表面波の速度が速い材料（例えば、圧電基板をタンタル
酸リチウム、保護層をシリコン）とすることで、励振電
極２等の設計において、電極指のピッチを保護層４を設
けない場合と比較して、より大きな自由度（幅）での形
成が可能となり、励振電極２の作製を容易に実現できる
という利点がある。
表面波の速度が速い材料（例えば、圧電基板をタンタル
酸リチウム、保護層をシリコン）とすることで、励振電
極２等の設計において、電極指のピッチを保護層４を設
けない場合と比較して、より大きな自由度（幅）での形
成が可能となり、励振電極２の作製を容易に実現できる
という利点がある。
【００１８】なお、弾性表面波装置は上記形態の弾性表
面波フィルタに限定されるものではなく、電極領域上に
保護層が被着形成された構成であればよく、励振電極、
及び保護層等の材質についても上記のものに限定され
ず、要旨を逸脱しない範囲で適宜変更し実施が可能であ
る。
面波フィルタに限定されるものではなく、電極領域上に
保護層が被着形成された構成であればよく、励振電極、
及び保護層等の材質についても上記のものに限定され
ず、要旨を逸脱しない範囲で適宜変更し実施が可能であ
る。
【００１９】
【実施例】次に、具体的な実施例について説明する。
【００２０】〔実施例〕まず、３６°回転ＹカットでＸ
伝搬のタンタル酸リチウムの圧電基板を用意し、この圧
電基板上に、図２に示す等価回路と同様で、所望のフィ
ルタ特性を発揮させる弾性表面波フィルタにするべく、
下の層から、アルミニウム膜／シリコン膜となるよう
に、アルミニウム膜の膜厚２００〜５００ｎｍの範囲、
シリコン膜の膜厚７５ｎｍ以下、電極指幅１μm 程度、
電極指と電極指との間隔１μm 程度でパターニング形成
した。このパターニング形成は、フォトリソグラフィに
よるレジストパターンの形成 → 蒸着法によるアルミ
ニウム膜の形成 → リフトオフ法による不要部の除去
→ フォトリソグラフィによるレジストパターンの形
成 → 蒸着法によるシリコン膜の形成 → リフトオ
フ法による不要部の除去により行った。
伝搬のタンタル酸リチウムの圧電基板を用意し、この圧
電基板上に、図２に示す等価回路と同様で、所望のフィ
ルタ特性を発揮させる弾性表面波フィルタにするべく、
下の層から、アルミニウム膜／シリコン膜となるよう
に、アルミニウム膜の膜厚２００〜５００ｎｍの範囲、
シリコン膜の膜厚７５ｎｍ以下、電極指幅１μm 程度、
電極指と電極指との間隔１μm 程度でパターニング形成
した。このパターニング形成は、フォトリソグラフィに
よるレジストパターンの形成 → 蒸着法によるアルミ
ニウム膜の形成 → リフトオフ法による不要部の除去
→ フォトリソグラフィによるレジストパターンの形
成 → 蒸着法によるシリコン膜の形成 → リフトオ
フ法による不要部の除去により行った。
【００２１】ここで、シリコン膜（比抵抗値5 ×105 Ω
・cm程度）を厚さ７５ｎｍ以下に被着形成したのは、７
５ｎｍより厚くすると良好なフィルタ特性を示さないこ
とが判明したからである。
・cm程度）を厚さ７５ｎｍ以下に被着形成したのは、７
５ｎｍより厚くすると良好なフィルタ特性を示さないこ
とが判明したからである。
【００２２】このようにして作製した弾性表面波フィル
タについて、中心周波数が900 ＭＨｚ±200 ＭＨｚでフ
ィルタ特性の測定を行ったところ良好な特性を示し、放
電等はほとんど生じなかった（約150 ℃のホットプレー
ト上に約３０分間投入した後に、スパークの発生率につ
いて調べたところ、シリコン膜を励振電極及び反射器電
極からなる共振子上にのみ（ただし、電極線間の圧電基
板上にはシリコン膜が被着されている）設けた場合３％
以下の発生率であり、きわめて良好な結果となった。ま
た、電極パッドを除いて圧電基板のほぼ全面に設けた場
合は約１２％の大きな発生率となった。
タについて、中心周波数が900 ＭＨｚ±200 ＭＨｚでフ
ィルタ特性の測定を行ったところ良好な特性を示し、放
電等はほとんど生じなかった（約150 ℃のホットプレー
ト上に約３０分間投入した後に、スパークの発生率につ
いて調べたところ、シリコン膜を励振電極及び反射器電
極からなる共振子上にのみ（ただし、電極線間の圧電基
板上にはシリコン膜が被着されている）設けた場合３％
以下の発生率であり、きわめて良好な結果となった。ま
た、電極パッドを除いて圧電基板のほぼ全面に設けた場
合は約１２％の大きな発生率となった。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の弾性表面
波装置によれば、励振電極の電極間で電荷密度分布が不
均一であっても、励振電極上に設けた保護層を通じて電
荷が流れ、電荷密度分布の不均一を緩和する。これによ
り、励振電極の電極間が非常に狭い場合であっても高電
界による放電が極力防止され、特性の優れた弾性表面波
装置を歩留り良く提供することができる。
波装置によれば、励振電極の電極間で電荷密度分布が不
均一であっても、励振電極上に設けた保護層を通じて電
荷が流れ、電荷密度分布の不均一を緩和する。これによ
り、励振電極の電極間が非常に狭い場合であっても高電
界による放電が極力防止され、特性の優れた弾性表面波
装置を歩留り良く提供することができる。
【００２４】また、フィルタ特性を損なわない程度に高
い抵抗の材料を選択するので、導電性異物による電極間
のショートに対して保護することができる。
い抵抗の材料を選択するので、導電性異物による電極間
のショートに対して保護することができる。
【００２５】また、特に保護層をシリコン膜等の疎水性
の材料とすることにより、高湿度に対する信頼性を向上
させることができる。
の材料とすることにより、高湿度に対する信頼性を向上
させることができる。
【００２６】さらに、シリコンはタンタル酸リチウムよ
り弾性表面波の速度が速いので、より速い弾性表面波を
励起することが可能になり、励振電極の電極指ピッチを
微細にしなくとも高周波に対応した優れた弾性表面波フ
ィルタを作製することができる。
り弾性表面波の速度が速いので、より速い弾性表面波を
励起することが可能になり、励振電極の電極指ピッチを
微細にしなくとも高周波に対応した優れた弾性表面波フ
ィルタを作製することができる。
【図１】本発明に係る弾性表面波装置の一部分を示す斜
視図。
視図。
【図２】本発明に係る弾性表面波装置の一例の等価回路
を説明する回路図。
を説明する回路図。
【図３】図１におけるＡ−Ａ線一部断面図。
【符号の説明】 １ ・・・ 圧電基板 ２ ・・・ 励振電極 ３ ・・・ 反射器電極 ４ ・・・ 保護層 Ｓ ・・・ 弾性表面波装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池上 佳秀 京都府相楽郡精華町光台３丁目５番地 京 セラ株式会社中央研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 圧電基板上に、弾性表面波を発生させる
励振電極を形成するとともに、該励振電極上に、比抵抗
値と膜厚との比（比抵抗値／膜厚）が１０9〜１０13Ω
の材料から成る保護層を被着させた弾性表面波装置。 - 【請求項２】 前記保護層は前記圧電基板より弾性表面
波の速度が速い材料から成ることを特徴とする請求項１
に記載の弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32052196A JPH10163802A (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32052196A JPH10163802A (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10163802A true JPH10163802A (ja) | 1998-06-19 |
Family
ID=18122371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32052196A Pending JPH10163802A (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10163802A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7301255B2 (en) | 2003-03-27 | 2007-11-27 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave apparatus and communications device |
| WO2008065834A1 (en) * | 2006-11-29 | 2008-06-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave resonator and surface acoustic wave device |
| US7504759B2 (en) | 2004-03-09 | 2009-03-17 | Tdk Corporation | Surface acoustic wave element, surface acoustic wave device, duplexer, and method of making surface acoustic wave element |
| US20170250673A1 (en) * | 2016-02-29 | 2017-08-31 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd | Surface acoustic wave (saw) resonator |
-
1996
- 1996-11-29 JP JP32052196A patent/JPH10163802A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7301255B2 (en) | 2003-03-27 | 2007-11-27 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave apparatus and communications device |
| US7504759B2 (en) | 2004-03-09 | 2009-03-17 | Tdk Corporation | Surface acoustic wave element, surface acoustic wave device, duplexer, and method of making surface acoustic wave element |
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| US7915784B2 (en) | 2006-11-29 | 2011-03-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave resonator and surface acoustic wave device in which spurious responses that occur when a SiO2 protective film is provided are suppressed |
| EP2093880A4 (en) * | 2006-11-29 | 2013-04-17 | Murata Manufacturing Co | SURFACE WAVE RECONNECTOR AND SURFACE WAVE DEVICE |
| US20170250673A1 (en) * | 2016-02-29 | 2017-08-31 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd | Surface acoustic wave (saw) resonator |
| US10177735B2 (en) * | 2016-02-29 | 2019-01-08 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Surface acoustic wave (SAW) resonator |
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