JPH10303681A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JPH10303681A JPH10303681A JP10796797A JP10796797A JPH10303681A JP H10303681 A JPH10303681 A JP H10303681A JP 10796797 A JP10796797 A JP 10796797A JP 10796797 A JP10796797 A JP 10796797A JP H10303681 A JPH10303681 A JP H10303681A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】圧電基板の焦電効果により電極指間がショート
するのを防止、抑制し、同時に電極指を保護する保護膜
を放電を抑制して形成する。 【解決手段】一対のＩＤＴ電極２ａ，２ｂを有する少な
くとも一個のＳＡＷ共振子２と配線パターン５及びパッ
ド電極４用の導電膜を、圧電基板１上に形成して成るＳ
ＡＷ装置であって、導電膜の面積を圧電基板１の一主面
の面積の２５％以上とし、ＳＡＷ共振子２上に保護膜６
を設けた。
するのを防止、抑制し、同時に電極指を保護する保護膜
を放電を抑制して形成する。 【解決手段】一対のＩＤＴ電極２ａ，２ｂを有する少な
くとも一個のＳＡＷ共振子２と配線パターン５及びパッ
ド電極４用の導電膜を、圧電基板１上に形成して成るＳ
ＡＷ装置であって、導電膜の面積を圧電基板１の一主面
の面積の２５％以上とし、ＳＡＷ共振子２上に保護膜６
を設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話等の移動
体通信機器に内蔵される弾性表面波装置に関する。
体通信機器に内蔵される弾性表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の弾性表面波（Surface Acoustic W
ave で、以下、ＳＡＷと略す）装置の一種のＳＡＷフィ
ルタＦ1 の一例を図３に示す。同図は、ＳＡＷフィルタ
Ｆ1 の基本構成の平面図である。ＬｉＴａＯ3 等の圧電
基板１の主面に、一対の櫛歯状電極（Inter Digitail T
ransducer で、以下、ＩＤＴ電極と略す）２ａ，２ｂ及
び反射器２ｃ，２ｃから成るＳＡＷ共振子２が１個又は
複数個形成されており、例えば同図のように、２．５段
π型のＳＡＷフィルタを構成する。そして、各ＳＡＷ共
振子２は配線パターン５により接続され、配線パターン
５の所定の箇所には入出力用及び接地用のワイヤーに接
続すべき外部導出用のパッド電極（以下、パッド電極と
いう）４が設けられる。
ave で、以下、ＳＡＷと略す）装置の一種のＳＡＷフィ
ルタＦ1 の一例を図３に示す。同図は、ＳＡＷフィルタ
Ｆ1 の基本構成の平面図である。ＬｉＴａＯ3 等の圧電
基板１の主面に、一対の櫛歯状電極（Inter Digitail T
ransducer で、以下、ＩＤＴ電極と略す）２ａ，２ｂ及
び反射器２ｃ，２ｃから成るＳＡＷ共振子２が１個又は
複数個形成されており、例えば同図のように、２．５段
π型のＳＡＷフィルタを構成する。そして、各ＳＡＷ共
振子２は配線パターン５により接続され、配線パターン
５の所定の箇所には入出力用及び接地用のワイヤーに接
続すべき外部導出用のパッド電極（以下、パッド電極と
いう）４が設けられる。
【０００３】また、パッケージング，ワイヤーボンディ
ング等の熱処理時に、圧電基板１の焦電効果によってＩ
ＤＴ電極２ａ，２ｂ及び反射器２ｃ，２ｃの電極指間に
放電が生じ、電極指が損傷するのを防ぐ目的、電極指間
に導電性の異物が侵入して電極指間がショートするのを
防止する目的、更には湿度の影響で電極指が腐食するの
を防止する目的で、ＳｉＯ2 等の絶縁性の保護膜６をパ
ッド電極４以外の全面に設けていた。
ング等の熱処理時に、圧電基板１の焦電効果によってＩ
ＤＴ電極２ａ，２ｂ及び反射器２ｃ，２ｃの電極指間に
放電が生じ、電極指が損傷するのを防ぐ目的、電極指間
に導電性の異物が侵入して電極指間がショートするのを
防止する目的、更には湿度の影響で電極指が腐食するの
を防止する目的で、ＳｉＯ2 等の絶縁性の保護膜６をパ
ッド電極４以外の全面に設けていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
通り、ＬｉＴａＯ3 等の圧電基板１は焦電性を持ってい
るため、８０℃程度で熱処理する際に電極指が損傷し、
ＳＡＷ共振子が機能しなくなるという問題点があった。
この問題に対し、本出願人は、ＳＡＷ共振子２，配線パ
ターン５及びパッド電極４用の導電膜の面積を圧電基板
１のＳＡＷフィルタ形成面の２５％以上とすることで、
電極指間の放電を低減できることを提案した（特願平８
−１２８５７号）。これは、焦電効果により圧電基板１
表面に発生した電荷が大気中の浮遊電荷と結合し中和す
る速度が、Ａｌ等から成る導電膜の方が圧電基板１より
も早いことに因っている。従って、電極指、パッド電極
４及び配線パターン５の面積をできるだけ大きくした方
が、電極指間の放電を低減できる。
通り、ＬｉＴａＯ3 等の圧電基板１は焦電性を持ってい
るため、８０℃程度で熱処理する際に電極指が損傷し、
ＳＡＷ共振子が機能しなくなるという問題点があった。
この問題に対し、本出願人は、ＳＡＷ共振子２，配線パ
ターン５及びパッド電極４用の導電膜の面積を圧電基板
１のＳＡＷフィルタ形成面の２５％以上とすることで、
電極指間の放電を低減できることを提案した（特願平８
−１２８５７号）。これは、焦電効果により圧電基板１
表面に発生した電荷が大気中の浮遊電荷と結合し中和す
る速度が、Ａｌ等から成る導電膜の方が圧電基板１より
も早いことに因っている。従って、電極指、パッド電極
４及び配線パターン５の面積をできるだけ大きくした方
が、電極指間の放電を低減できる。
【０００５】一方、ＳＡＷフィルタの製造プロセスにお
いて、０．数μｍ及び数μｍオーダーの導電性の異物が
電極指間に侵入し、電極指間がショートするという問題
点、更には、微細構造の電極指は湿度が高いと腐食し易
いという問題点があり、これらの問題に対して、圧電基
板１表面にＳｉＯ2 等の絶縁性の保護膜を設けることで
対処していた。
いて、０．数μｍ及び数μｍオーダーの導電性の異物が
電極指間に侵入し、電極指間がショートするという問題
点、更には、微細構造の電極指は湿度が高いと腐食し易
いという問題点があり、これらの問題に対して、圧電基
板１表面にＳｉＯ2 等の絶縁性の保護膜を設けることで
対処していた。
【０００６】しかしながら、ＳｉＯ2 等の保護膜上の電
荷の中和速度は、電極指上での中和速度よりも遅いた
め、電極指を前記保護膜で覆うことは放電の発生の抑制
に関しては逆効果であった。従って、放電を抑制しよう
として電極指、パッド電極４及び配線パターン５の面積
を大きくすれば、電極指を保護するための保護膜を設け
た際に、逆に放電が発生し易くなるという矛盾が生じて
いた。
荷の中和速度は、電極指上での中和速度よりも遅いた
め、電極指を前記保護膜で覆うことは放電の発生の抑制
に関しては逆効果であった。従って、放電を抑制しよう
として電極指、パッド電極４及び配線パターン５の面積
を大きくすれば、電極指を保護するための保護膜を設け
た際に、逆に放電が発生し易くなるという矛盾が生じて
いた。
【０００７】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的は圧電基板の焦電効果により
電極指間がショートして損傷するのを防止、抑制し、同
時に電極指を保護する保護膜を放電を抑制した状態で形
成可能とすることにある。
れたものであり、その目的は圧電基板の焦電効果により
電極指間がショートして損傷するのを防止、抑制し、同
時に電極指を保護する保護膜を放電を抑制した状態で形
成可能とすることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】第１の発明の弾性表面波
装置は、一対の櫛歯状電極を有する少なくとも一個の弾
性表面波共振子と配線パターン及び外部導出用のパッド
電極電極用の導電膜を、圧電基板の一主面の面積の２５
％以上に形成し、前記弾性表面波共振子上に保護膜を設
けたことを特徴とし、電荷の中和作用の大きい配線パタ
ーンや外部接続パッド電極上に保護膜を設けないことに
より、放電の抑制効果が大きくなる。前記保護膜を半導
電性とした方が、絶縁性のものより放電の発生率が低下
し好ましい。
装置は、一対の櫛歯状電極を有する少なくとも一個の弾
性表面波共振子と配線パターン及び外部導出用のパッド
電極電極用の導電膜を、圧電基板の一主面の面積の２５
％以上に形成し、前記弾性表面波共振子上に保護膜を設
けたことを特徴とし、電荷の中和作用の大きい配線パタ
ーンや外部接続パッド電極上に保護膜を設けないことに
より、放電の抑制効果が大きくなる。前記保護膜を半導
電性とした方が、絶縁性のものより放電の発生率が低下
し好ましい。
【０００９】また、第２の発明の弾性表面波装置は、一
対の櫛歯状電極を有する少なくとも一個の弾性表面波共
振子と配線パターン及び外部導出用のパッド電極電極用
の導電膜を、圧電基板の一主面の面積の２５％以上に形
成し、前記圧電基板の一主面の外部導出用のパッド電極
電極を除く全面に半導電性の保護膜を設けたことを特徴
とし、半導電性の保護膜により絶縁性のものと比較して
放電の発生率を大幅に低減できる。
対の櫛歯状電極を有する少なくとも一個の弾性表面波共
振子と配線パターン及び外部導出用のパッド電極電極用
の導電膜を、圧電基板の一主面の面積の２５％以上に形
成し、前記圧電基板の一主面の外部導出用のパッド電極
電極を除く全面に半導電性の保護膜を設けたことを特徴
とし、半導電性の保護膜により絶縁性のものと比較して
放電の発生率を大幅に低減できる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明のＳＡＷフィルタＦを図
１，図２に示す。図１及び図２は、ＳＡＷフィルタＦの
２つの実施形態であり、その基本構成の平面図である。
図１，図２において、１はＬｉＴａＯ3 等の圧電基板、
２は一対のＩＤＴ電極２ａ，２ｂ及びＳＡＷ伝搬路の両
端に設けられた反射器２ｃ，２ｃから成るＳＡＷ共振
子、４は入出力用及び接地用のワイヤーに接続すべきパ
ッド電極、５は配線パターン、６，６ａは保護膜であ
る。尚、図１，図２において、図３と同じ箇所には同一
の符号を付している。
１，図２に示す。図１及び図２は、ＳＡＷフィルタＦの
２つの実施形態であり、その基本構成の平面図である。
図１，図２において、１はＬｉＴａＯ3 等の圧電基板、
２は一対のＩＤＴ電極２ａ，２ｂ及びＳＡＷ伝搬路の両
端に設けられた反射器２ｃ，２ｃから成るＳＡＷ共振
子、４は入出力用及び接地用のワイヤーに接続すべきパ
ッド電極、５は配線パターン、６，６ａは保護膜であ
る。尚、図１，図２において、図３と同じ箇所には同一
の符号を付している。
【００１１】第１の発明において、図１に示すように、
圧電基板１の一主面上におけるＩＤＴ電極２ａ，２ｂ及
び反射器２ｃ，２ｃの電極指，パッド電極４及び配線パ
ターン５用の導電膜の面積を、前記圧電基板１の一主面
の面積の２５％以上とすることにより、空気中に浮遊し
た電荷を捕獲する速度が早い導電膜の面積が大きくな
り、導電膜及び圧電基板１上の電荷を早く中和する。ま
た、保護膜６は、圧電基板１の一主面全面に設ける場合
及び全く設けない場合よりも、ＳＡＷ共振子２上にのみ
設けた方が放電の発生率が低下する。
圧電基板１の一主面上におけるＩＤＴ電極２ａ，２ｂ及
び反射器２ｃ，２ｃの電極指，パッド電極４及び配線パ
ターン５用の導電膜の面積を、前記圧電基板１の一主面
の面積の２５％以上とすることにより、空気中に浮遊し
た電荷を捕獲する速度が早い導電膜の面積が大きくな
り、導電膜及び圧電基板１上の電荷を早く中和する。ま
た、保護膜６は、圧電基板１の一主面全面に設ける場合
及び全く設けない場合よりも、ＳＡＷ共振子２上にのみ
設けた方が放電の発生率が低下する。
【００１２】前記保護膜６としては、ＳｉＯ2 ，Ｓｉ
Ｏ，Ｃｒ−ＳｉＯ2 ，Ｃｒ−ＳｉＯ，ＳｉＮ等の絶縁性
もの、好ましくは膜方向（膜に平行な方向）の抵抗が１
０9 〜１０13Ω程度の半導電性（半導伝性）のもので、
Ｓｉ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｇｅ，ＮｉＣｒ，ＮｉＣｒ−Ｓｉ，
Ｔａの酸化物又は窒化物，Ｍｏの酸化物又は窒化物，Ｇ
ｅの酸化物又は窒化物等が良い。１０9 Ω未満では電極
指間がショートし易くなり、１０13Ω超では電荷の中和
作用が低下する。前記半導電性の保護膜は、絶縁性のも
のと比較して放電の発生率を約３０％〜約５０％に低減
できる。これは、半導電性の保護膜が電極指間の電荷密
度差を緩和するからである。また、保護膜６は、公知の
蒸着法，スパッタリング法，ＣＶＤ法等の薄膜形成法に
より形成する。
Ｏ，Ｃｒ−ＳｉＯ2 ，Ｃｒ−ＳｉＯ，ＳｉＮ等の絶縁性
もの、好ましくは膜方向（膜に平行な方向）の抵抗が１
０9 〜１０13Ω程度の半導電性（半導伝性）のもので、
Ｓｉ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｇｅ，ＮｉＣｒ，ＮｉＣｒ−Ｓｉ，
Ｔａの酸化物又は窒化物，Ｍｏの酸化物又は窒化物，Ｇ
ｅの酸化物又は窒化物等が良い。１０9 Ω未満では電極
指間がショートし易くなり、１０13Ω超では電荷の中和
作用が低下する。前記半導電性の保護膜は、絶縁性のも
のと比較して放電の発生率を約３０％〜約５０％に低減
できる。これは、半導電性の保護膜が電極指間の電荷密
度差を緩和するからである。また、保護膜６は、公知の
蒸着法，スパッタリング法，ＣＶＤ法等の薄膜形成法に
より形成する。
【００１３】第２の発明において、図２に示すように、
ＩＤＴ電極２ａ，２ｂ及び反射器２ｃ，２ｃの電極指，
パッド電極４及び配線パターン５用の導電膜の面積を、
圧電基板１の一主面の面積の２５％以上とし、且つパッ
ド電極４を除く圧電基板１の一主面の全面、即ち圧電基
板１の一主面のほぼ全面に半導電性の保護膜６ａを設け
る。このように、保護膜６ａをパッド電極４を除く圧電
基板１の一主面の全面に設ける場合は、保護膜６ａを半
導電性のものとする。この場合、前記保護膜６ａは、図
１の場合と同様の半導電性（半導伝性）のもので、Ｓ
ｉ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｇｅ，ＮｉＣｒ，ＮｉＣｒ−Ｓｉ，Ｔ
ａの酸化物又は窒化物，Ｍｏの酸化物又は窒化物，Ｇｅ
の酸化物又は窒化物等とし、上記の薄膜形成法により形
成する。
ＩＤＴ電極２ａ，２ｂ及び反射器２ｃ，２ｃの電極指，
パッド電極４及び配線パターン５用の導電膜の面積を、
圧電基板１の一主面の面積の２５％以上とし、且つパッ
ド電極４を除く圧電基板１の一主面の全面、即ち圧電基
板１の一主面のほぼ全面に半導電性の保護膜６ａを設け
る。このように、保護膜６ａをパッド電極４を除く圧電
基板１の一主面の全面に設ける場合は、保護膜６ａを半
導電性のものとする。この場合、前記保護膜６ａは、図
１の場合と同様の半導電性（半導伝性）のもので、Ｓ
ｉ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｇｅ，ＮｉＣｒ，ＮｉＣｒ−Ｓｉ，Ｔ
ａの酸化物又は窒化物，Ｍｏの酸化物又は窒化物，Ｇｅ
の酸化物又は窒化物等とし、上記の薄膜形成法により形
成する。
【００１４】これらの保護膜の厚みは、ＳｉＯ2 等の絶
縁性の場合２５〜７５０Åが良く、２５Å未満では保護
膜としての効果がほとんどなくなり、７５０Å超ではＳ
ＡＷの伝搬特性が劣化し易い。Ｓｉ等の半導電性の場
合、５０〜７５０Åが良く、５０Å未満では保護膜とし
ての効果がほとんどなくなり、７５０Å超ではＳＡＷの
伝搬特性が劣化し易い。
縁性の場合２５〜７５０Åが良く、２５Å未満では保護
膜としての効果がほとんどなくなり、７５０Å超ではＳ
ＡＷの伝搬特性が劣化し易い。Ｓｉ等の半導電性の場
合、５０〜７５０Åが良く、５０Å未満では保護膜とし
ての効果がほとんどなくなり、７５０Å超ではＳＡＷの
伝搬特性が劣化し易い。
【００１５】本発明において、ＳＡＷ共振子２のＩＤＴ
電極２ａ，２ｂはＡｌあるいはＡｌ合金（Ａｌ−Ｃｕ
系，Ａｌ−Ｔｉ系等）からなり、特にＡｌが励振効率が
高く、材料コストが低いため好ましい。また、ＩＤＴ電
極２ａ，２ｂは蒸着法、スパッタリング法又はＣＶＤ法
等の薄膜形成法により形成する。
電極２ａ，２ｂはＡｌあるいはＡｌ合金（Ａｌ−Ｃｕ
系，Ａｌ−Ｔｉ系等）からなり、特にＡｌが励振効率が
高く、材料コストが低いため好ましい。また、ＩＤＴ電
極２ａ，２ｂは蒸着法、スパッタリング法又はＣＶＤ法
等の薄膜形成法により形成する。
【００１６】そして、ＩＤＴ電極２ａ，２ｂの対数は５
０〜２００程度、電極指の幅は０．１〜１０．０μｍ程
度、電極指の間隔は０．１〜１０．０μｍ程度、電極指
の開口幅（交差幅）は１０〜１００μｍ程度、ＩＤＴ電
極２ａ，２ｂの厚みは０．２〜０．５μｍ程度とするこ
とが、共振器あるいはフィルタとしての所期の特性を得
るうえで好適である。また、ＩＤＴ電極２ａ，２ｂの電
極指間に酸化亜鉛，酸化アルミニウム等の圧電材料を成
膜すれば、ＳＡＷの共振効率が向上し好適である。
０〜２００程度、電極指の幅は０．１〜１０．０μｍ程
度、電極指の間隔は０．１〜１０．０μｍ程度、電極指
の開口幅（交差幅）は１０〜１００μｍ程度、ＩＤＴ電
極２ａ，２ｂの厚みは０．２〜０．５μｍ程度とするこ
とが、共振器あるいはフィルタとしての所期の特性を得
るうえで好適である。また、ＩＤＴ電極２ａ，２ｂの電
極指間に酸化亜鉛，酸化アルミニウム等の圧電材料を成
膜すれば、ＳＡＷの共振効率が向上し好適である。
【００１７】ＳＡＷフィルタ用の圧電基板１としては、
３６°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 結晶、６４°Ｙ
カット−Ｘ伝搬のＬｉＮｂＯ3 結晶、４５°Ｘカット−
Ｚ伝搬のＬｉＢ4 Ｏ7 結晶等が、電気機械結合係数が大
きく且つ群遅延時間温度係数が小さいため好ましい。圧
電基板１の厚みは０．３〜０．５ｍｍ程度がよく、０．
３ｍｍ未満では圧電基板が脆くなり、０．５ｍｍ超では
材料コストが大きくなる。
３６°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 結晶、６４°Ｙ
カット−Ｘ伝搬のＬｉＮｂＯ3 結晶、４５°Ｘカット−
Ｚ伝搬のＬｉＢ4 Ｏ7 結晶等が、電気機械結合係数が大
きく且つ群遅延時間温度係数が小さいため好ましい。圧
電基板１の厚みは０．３〜０．５ｍｍ程度がよく、０．
３ｍｍ未満では圧電基板が脆くなり、０．５ｍｍ超では
材料コストが大きくなる。
【００１８】かくして、本発明は、圧電基板の焦電効果
により電極指間がショートするのを防止、抑制し、同時
に電極指を保護する保護膜を放電を抑制した状態で形成
するという作用効果を有する。
により電極指間がショートするのを防止、抑制し、同時
に電極指を保護する保護膜を放電を抑制した状態で形成
するという作用効果を有する。
【００１９】なお、本発明は上記の実施形態に限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種
々の変更は何等差し支えない。
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種
々の変更は何等差し支えない。
【００２０】
【実施例】本発明の実施例を以下に示す。まず、本発明
のＳＡＷフィルタの構成を下記のように変化させて、放
電発生率について評価を行った。
のＳＡＷフィルタの構成を下記のように変化させて、放
電発生率について評価を行った。
【００２１】〔１〕ＩＤＴ電極，配線パターン及びパッ
ド電極用の導電膜の面積が、圧電基板の圧電基板の一主
面の面積の３８％と２０％の２種類とした。
ド電極用の導電膜の面積が、圧電基板の圧電基板の一主
面の面積の３８％と２０％の２種類とした。
【００２２】〔２〕保護膜はＳｉとＳｉＯ2 の２種類と
した。
した。
【００２３】〔３〕保護膜の形成部分を、パッド電極以
外の圧電基板の一主面の全面としたもの、ＳＡＷ共振子
及び反射器のみとしたもの、無いものの３通りとした。
外の圧電基板の一主面の全面としたもの、ＳＡＷ共振子
及び反射器のみとしたもの、無いものの３通りとした。
【００２４】これら各種のＳＡＷフィルタを、１５０℃
のホットプレートに３０分間放置することにより、放電
発生率を調査した結果を表１に示す。
のホットプレートに３０分間放置することにより、放電
発生率を調査した結果を表１に示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】従来の絶縁性の保護膜をパッド電極以外の
全面に設けたものは、放電発生率が１００％であるが、
半導電性のＳｉの場合は放電発生率が大幅に低下した。
また、保護膜をＳＡＷ共振子と反射器のみに設けた場合
は、更に放電発生率が低減できた。これは、配線パター
ンとパッド電極での電荷の中和作用が放電発生の低減に
大きく寄与しているためと考えられる。
全面に設けたものは、放電発生率が１００％であるが、
半導電性のＳｉの場合は放電発生率が大幅に低下した。
また、保護膜をＳＡＷ共振子と反射器のみに設けた場合
は、更に放電発生率が低減できた。これは、配線パター
ンとパッド電極での電荷の中和作用が放電発生の低減に
大きく寄与しているためと考えられる。
【００２７】以下に具体的実施例について記す。
【００２８】〔実施例１〕図１のＳＡＷフィルタＦを以
下のようにして作製した。
下のようにして作製した。
【００２９】（１）圧電基板１として３６°Ｙカット−
Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 結晶を用い、圧電基板１の一主面
にレジスト膜を塗布し、ＳＡＷ共振子２，パッド電極４
及び配線パターン５のネガパターンをフォトリソグラフ
ィ法により前記レジスト膜に形成した。
Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 結晶を用い、圧電基板１の一主面
にレジスト膜を塗布し、ＳＡＷ共振子２，パッド電極４
及び配線パターン５のネガパターンをフォトリソグラフ
ィ法により前記レジスト膜に形成した。
【００３０】（２）前記レジスト膜上に、膜厚４００ｎ
ｍ程度の導電膜（Ａｌ）を蒸着法により成膜した。
ｍ程度の導電膜（Ａｌ）を蒸着法により成膜した。
【００３１】（３）導電膜の不要な部分をリフトオフ
し、ＳＡＷ共振子２，パッド電極４及び配線パターン５
の面積が圧電基板１の一主面の面積の３８％で、ＩＤＴ
電極２ａ，２ｂ及び反射器２ｃの電極指幅，電極指間隔
がともに約１μｍであり、８００〜９００ＭＨｚ帯域用
の２．５段π型のラダー型ＳＡＷフィルタとした。
し、ＳＡＷ共振子２，パッド電極４及び配線パターン５
の面積が圧電基板１の一主面の面積の３８％で、ＩＤＴ
電極２ａ，２ｂ及び反射器２ｃの電極指幅，電極指間隔
がともに約１μｍであり、８００〜９００ＭＨｚ帯域用
の２．５段π型のラダー型ＳＡＷフィルタとした。
【００３２】（４）更に、圧電基板１の一主面にレジス
ト膜を塗布し、ＳＡＷ共振子２のみを覆う保護膜６のネ
ガパターンをフォトリソグラフィ法により前記レジスト
膜に形成した。
ト膜を塗布し、ＳＡＷ共振子２のみを覆う保護膜６のネ
ガパターンをフォトリソグラフィ法により前記レジスト
膜に形成した。
【００３３】（５）このレジスト膜上に、膜厚２５０Å
程度のＳｉ膜を蒸着法により成膜し、Ｓｉ膜の不要な部
分をリフトオフにより除去し、本発明のＳＡＷフィルタ
を作製した。
程度のＳｉ膜を蒸着法により成膜し、Ｓｉ膜の不要な部
分をリフトオフにより除去し、本発明のＳＡＷフィルタ
を作製した。
【００３４】そして、このＳＡＷフィルタを１５０℃の
ホットプレート上に３０分放置し、放電発生率を調べた
ところ、約７％であった。
ホットプレート上に３０分放置し、放電発生率を調べた
ところ、約７％であった。
【００３５】〔実施例２〕保護膜６をＳｉＯ2 とした以
外は実施例１と同様にＳＡＷフィルタを作製した。その
ＳＡＷフィルタについて、実施例１と同様にして放電発
生率を調べたところ、約１４％であった。
外は実施例１と同様にＳＡＷフィルタを作製した。その
ＳＡＷフィルタについて、実施例１と同様にして放電発
生率を調べたところ、約１４％であった。
【００３６】〔実施例３〕図２のように、Ｓｉから成る
保護膜６ａをパッド電極４以外の圧電基板１の一主面全
面に設けた以外は、実施例１と同様にＳＡＷフィルタを
作製した。そのＳＡＷフィルタについて、実施例１と同
様にして放電発生率を調べたところ、約３５％であっ
た。
保護膜６ａをパッド電極４以外の圧電基板１の一主面全
面に設けた以外は、実施例１と同様にＳＡＷフィルタを
作製した。そのＳＡＷフィルタについて、実施例１と同
様にして放電発生率を調べたところ、約３５％であっ
た。
【００３７】
【発明の効果】本発明は、導電膜の面積を圧電基板１の
一主面の面積の２５％以上とし、ＳＡＷ共振子上に保護
膜を設けるという構成、又は、導電膜の面積を圧電基板
１の一主面の面積の２５％以上とし、パッド電極を除く
圧電基板１の一主面に半導電性の保護膜を設けるという
構成とすることにより、パッケージング，ワイヤーボン
ディング等の熱処理時に、圧電基板の焦電効果によって
ＩＤＴ電極及び反射器の電極指間に放電が生じ、電極指
が損傷するのを抑制、防止する。また、保護膜を半導電
性のものとすると、電極指間の放電を抑制した状態で保
護膜を形成できるという効果も有する。
一主面の面積の２５％以上とし、ＳＡＷ共振子上に保護
膜を設けるという構成、又は、導電膜の面積を圧電基板
１の一主面の面積の２５％以上とし、パッド電極を除く
圧電基板１の一主面に半導電性の保護膜を設けるという
構成とすることにより、パッケージング，ワイヤーボン
ディング等の熱処理時に、圧電基板の焦電効果によって
ＩＤＴ電極及び反射器の電極指間に放電が生じ、電極指
が損傷するのを抑制、防止する。また、保護膜を半導電
性のものとすると、電極指間の放電を抑制した状態で保
護膜を形成できるという効果も有する。
【００３８】更に、保護膜により、ＩＤＴ電極間に導電
性の異物が侵入して電極指間がショートすること、及
び、湿気による電極指の腐食が防止でき、その結果、製
造歩留りが向上し、信頼性も高くなる。
性の異物が侵入して電極指間がショートすること、及
び、湿気による電極指の腐食が防止でき、その結果、製
造歩留りが向上し、信頼性も高くなる。
【図１】本発明のＳＡＷフィルタＦの基本構成の平面図
である。
である。
【図２】本発明の他の実施形態を示し、ＳＡＷフィルタ
Ｆの基本構成の平面図である。
Ｆの基本構成の平面図である。
【図３】従来のＳＡＷフィルタＦ1 の基本構成の平面図
である。
である。
１：圧電基板 ２：ＳＡＷ共振子 ２ａ：ＩＤＴ電極 ２ｂ：ＩＤＴ電極 ２ｃ：反射器 ４：パッド電極 ５：配線パターン ６：保護膜 ６ａ：保護膜
Claims (2)
- 【請求項１】一対の櫛歯状電極を有する少なくとも一個
の弾性表面波共振子と配線パターン及び外部導出用のパ
ッド電極用の導電膜を、圧電基板の一主面の面積の２５
％以上に形成し、前記弾性表面波共振子上に保護膜を設
けたことを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項２】一対の櫛歯状電極を有する少なくとも一個
の弾性表面波共振子と配線パターン及び外部導出用のパ
ッド電極用の導電膜を、圧電基板の一主面の面積の２５
％以上に形成し、前記圧電基板の一主面の外部導出用の
パッド電極を除く全面に半導電性の保護膜を設けたこと
を特徴とする弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10796797A JPH10303681A (ja) | 1997-04-24 | 1997-04-24 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10796797A JPH10303681A (ja) | 1997-04-24 | 1997-04-24 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10303681A true JPH10303681A (ja) | 1998-11-13 |
Family
ID=14472617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10796797A Pending JPH10303681A (ja) | 1997-04-24 | 1997-04-24 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10303681A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6984540B2 (en) | 1999-09-30 | 2006-01-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and method for producing the same |
| JP2006086701A (ja) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置およびその製造方法ならびに通信装置 |
| WO2006120994A1 (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | 複合圧電基板 |
| US7965155B2 (en) * | 2006-12-27 | 2011-06-21 | Panasonic Corporation | Surface acoustic wave resonator, and surface acoustic wave filter and antenna duplexer in which the surface acoustic wave resonator is used |
-
1997
- 1997-04-24 JP JP10796797A patent/JPH10303681A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6984540B2 (en) | 1999-09-30 | 2006-01-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and method for producing the same |
| JP2006086701A (ja) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置およびその製造方法ならびに通信装置 |
| WO2006120994A1 (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | 複合圧電基板 |
| JP2006319679A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 複合圧電基板 |
| US7965155B2 (en) * | 2006-12-27 | 2011-06-21 | Panasonic Corporation | Surface acoustic wave resonator, and surface acoustic wave filter and antenna duplexer in which the surface acoustic wave resonator is used |
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