JPH10172868A - 電解コンデンサ用アルミ電極箔およびその製造方法 - Google Patents
電解コンデンサ用アルミ電極箔およびその製造方法Info
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- JPH10172868A JPH10172868A JP8334243A JP33424396A JPH10172868A JP H10172868 A JPH10172868 A JP H10172868A JP 8334243 A JP8334243 A JP 8334243A JP 33424396 A JP33424396 A JP 33424396A JP H10172868 A JPH10172868 A JP H10172868A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アルミ電極箔上のピット径、ピット間隔の均
一性を高めることにより、単位面積当たりの静電容量を
高めた電解コンデンサ用のアルミ電極箔を提供する。 【解決手段】 アルミ箔を塩酸、硫酸およびりん酸を含
む酸性水溶液中に浸漬させ、前記アルミ箔に直流電圧を
印加するエッチングにより、前記アルミ箔上にピットを
形成させることにより、理想的にピットが六方配置した
アルミ電極箔の隣接する２つのピットの間隔をＬとし、
実際のエッチドアルミ電極箔のある一つのピットとこれ
に隣接する各ピットとの間隔のうち最も短いピット間隔
を最近接ピット間隔として、各ピットについて求めた最
近接ピット間隔の平均値をＬaとした場合の、Ｌa／Ｌの
値が０．５８以上、またはピット径の変動係数を０．４
５以下として単位面積当たりの静電容量を高める。
一性を高めることにより、単位面積当たりの静電容量を
高めた電解コンデンサ用のアルミ電極箔を提供する。 【解決手段】 アルミ箔を塩酸、硫酸およびりん酸を含
む酸性水溶液中に浸漬させ、前記アルミ箔に直流電圧を
印加するエッチングにより、前記アルミ箔上にピットを
形成させることにより、理想的にピットが六方配置した
アルミ電極箔の隣接する２つのピットの間隔をＬとし、
実際のエッチドアルミ電極箔のある一つのピットとこれ
に隣接する各ピットとの間隔のうち最も短いピット間隔
を最近接ピット間隔として、各ピットについて求めた最
近接ピット間隔の平均値をＬaとした場合の、Ｌa／Ｌの
値が０．５８以上、またはピット径の変動係数を０．４
５以下として単位面積当たりの静電容量を高める。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はアルミ電解コンデン
サ用電極箔の特性、特に静電容量特性に優れた電極箔と
その製造方法に関する。
サ用電極箔の特性、特に静電容量特性に優れた電極箔と
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】アルミ電解コンデンサは、近年の電子機
器の小型化に伴ってますますサイズの小さいものが求め
られている。したがって電極箔の単位面積当たりの静電
容量を大きくすることが重要な課題となっている。また
省資源・原材料コスト低減の面からも、このことは重要
である。
器の小型化に伴ってますますサイズの小さいものが求め
られている。したがって電極箔の単位面積当たりの静電
容量を大きくすることが重要な課題となっている。また
省資源・原材料コスト低減の面からも、このことは重要
である。
【０００３】従来より、アルミ電解コンデンサ用電極箔
の単位面積当たりの静電容量を大きくするためには、ア
ルミ箔を酸性または中性の水溶液に浸漬させて、化学的
または電気的にエッチングを行うことにより、アルミ箔
表面を粗面化させて表面積を拡大する方法が用いられて
いる。
の単位面積当たりの静電容量を大きくするためには、ア
ルミ箔を酸性または中性の水溶液に浸漬させて、化学的
または電気的にエッチングを行うことにより、アルミ箔
表面を粗面化させて表面積を拡大する方法が用いられて
いる。
【０００４】一般にエッチングを行うことにより、表面
積は拡大して容量は大きくなるが、箔の機械的強度は弱
くなる。したがって、形成するエッチピットの発生場所
と形状をコントロールして、箔の強度を保ちながら表面
積の拡大を図ることが重要である。
積は拡大して容量は大きくなるが、箔の機械的強度は弱
くなる。したがって、形成するエッチピットの発生場所
と形状をコントロールして、箔の強度を保ちながら表面
積の拡大を図ることが重要である。
【０００５】また、従来より高圧用のアルミ電解コンデ
ンサ用電極箔の製造においては、アルミ箔表面からその
内部に向けて垂直に柱状のエッチピットを多数形成する
エッチング法が用いられている。このエッチング法で
は、表面積は発生するピットの数と各ピット径の大きさ
によって決まる。したがって、このエッチング方で得ら
れた電極箔は、隣接するピット同士が重なり合わないよ
うに最密充填されていること、ピット径が使用する化成
電圧に最適な径であること、さらに各ピットが錐形では
なく均一な柱状をしていることが理想的である。
ンサ用電極箔の製造においては、アルミ箔表面からその
内部に向けて垂直に柱状のエッチピットを多数形成する
エッチング法が用いられている。このエッチング法で
は、表面積は発生するピットの数と各ピット径の大きさ
によって決まる。したがって、このエッチング方で得ら
れた電極箔は、隣接するピット同士が重なり合わないよ
うに最密充填されていること、ピット径が使用する化成
電圧に最適な径であること、さらに各ピットが錐形では
なく均一な柱状をしていることが理想的である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ようなエッチング法では下記のような問題があった。 （１）エッチング倍率を上げていくと、エッチング減量
に応じて表面積は増加していくが、ある程度までエッチ
ングが進行すると、隣接するエッチピット同士が重なり
合うため、逆に表面積は減少してしまう。 （２）ピット径にばらつきがあると、一定の径より小さ
いピットは化成後に化成被膜によってピットの凹部が埋
まってしまい、容量増大に寄与しないばかりでなく、化
成電力も無駄になってしまう。 （３）前記のようなことから、発生するピットの間隔、
ピット径を一定値以上にし、またピットの形状を均一な
柱状にすることは、エッチング倍率を上げるうえで重要
なポイントとなるが、従来の技術では発生するエッチピ
ットの間隔、形状を理想的にコントロールすることは困
難であった。
ようなエッチング法では下記のような問題があった。 （１）エッチング倍率を上げていくと、エッチング減量
に応じて表面積は増加していくが、ある程度までエッチ
ングが進行すると、隣接するエッチピット同士が重なり
合うため、逆に表面積は減少してしまう。 （２）ピット径にばらつきがあると、一定の径より小さ
いピットは化成後に化成被膜によってピットの凹部が埋
まってしまい、容量増大に寄与しないばかりでなく、化
成電力も無駄になってしまう。 （３）前記のようなことから、発生するピットの間隔、
ピット径を一定値以上にし、またピットの形状を均一な
柱状にすることは、エッチング倍率を上げるうえで重要
なポイントとなるが、従来の技術では発生するエッチピ
ットの間隔、形状を理想的にコントロールすることは困
難であった。
【０００７】本発明は前記従来の問題を解決するもので
あり、エッチピット間隔およびピット径を均一にするこ
とにより、エッチング倍率を上げて、単位面積当たりの
静電容量を大きくした電解コンデンサ用アルミ電極箔お
よびその製造方法を提供することを目的としている。
あり、エッチピット間隔およびピット径を均一にするこ
とにより、エッチング倍率を上げて、単位面積当たりの
静電容量を大きくした電解コンデンサ用アルミ電極箔お
よびその製造方法を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明のアルミ電極箔は、アルミ箔を酸性水溶液に
浸漬させ、前記アルミ箔に直流電圧を印加してエッチン
グを行うことにより、前記アルミ箔上にピットを形成し
た電解コンデンサ用アルミ電極箔であって、理想的にピ
ットが六方配置したアルミ電極箔、すなわちアルミ電極
箔に形成されたある一つのピットとこれに隣接する６つ
の各ピットとの間隔がすべて等しいアルミ電極箔におけ
る隣接する２つのピットの間隔をＬとし、実際のエッチ
ドアルミ電極箔のある一つのピットとこれに隣接する各
ピットとの間隔のうち最も短いピット間隔を最近接ピッ
ト間隔として、各ピットについて求めた最近接ピット間
隔の平均値をＬaとすると、Ｌa／Ｌの値が０．５８以
上、またはピット径の変動係数が０．４５以下であるこ
とを特徴とする。
に、本発明のアルミ電極箔は、アルミ箔を酸性水溶液に
浸漬させ、前記アルミ箔に直流電圧を印加してエッチン
グを行うことにより、前記アルミ箔上にピットを形成し
た電解コンデンサ用アルミ電極箔であって、理想的にピ
ットが六方配置したアルミ電極箔、すなわちアルミ電極
箔に形成されたある一つのピットとこれに隣接する６つ
の各ピットとの間隔がすべて等しいアルミ電極箔におけ
る隣接する２つのピットの間隔をＬとし、実際のエッチ
ドアルミ電極箔のある一つのピットとこれに隣接する各
ピットとの間隔のうち最も短いピット間隔を最近接ピッ
ト間隔として、各ピットについて求めた最近接ピット間
隔の平均値をＬaとすると、Ｌa／Ｌの値が０．５８以
上、またはピット径の変動係数が０．４５以下であるこ
とを特徴とする。
【０００９】本発明のアルミ電極箔によれば、ピット
径、ピット間隔の均一性が高められていることにより、
単位面積当たりの静電容量を高めることができる。
径、ピット間隔の均一性が高められていることにより、
単位面積当たりの静電容量を高めることができる。
【００１０】次に、本発明のアルミ電極箔の製造方法
は、前記本発明のアルミ電極箔のアルミ電極箔の製造方
法であって、塩酸、硫酸およびりん酸を含む酸性水溶液
中でエッチングを行うことを特徴とする。
は、前記本発明のアルミ電極箔のアルミ電極箔の製造方
法であって、塩酸、硫酸およびりん酸を含む酸性水溶液
中でエッチングを行うことを特徴とする。
【００１１】前記アルミ電極箔の製造方法においては、
りん酸イオンの濃度が２．０〜６．０Ｎであることが好
ましい。
りん酸イオンの濃度が２．０〜６．０Ｎであることが好
ましい。
【００１２】また、前記アルミ電極箔の製造方法におい
ては、硫酸イオンの濃度が５．０〜７．０Ｎであること
が好ましい。
ては、硫酸イオンの濃度が５．０〜７．０Ｎであること
が好ましい。
【００１３】また、前記アルミ電極箔の製造方法におい
ては、塩素イオンの濃度が０．５〜２．０Ｎであること
が好ましい。
ては、塩素イオンの濃度が０．５〜２．０Ｎであること
が好ましい。
【００１４】前記本発明のアルミ電極箔の製造方法によ
れば、電極箔を、塩酸、硫酸、およびりん酸を含む水溶
液中でエッチングすることにより、ピット間隔、ピット
径の均一性を高めたアルミ電極箔を製造することができ
る。
れば、電極箔を、塩酸、硫酸、およびりん酸を含む水溶
液中でエッチングすることにより、ピット間隔、ピット
径の均一性を高めたアルミ電極箔を製造することができ
る。
【００１５】次に、本発明のアルミ電解コンデンサは、
前記本発明のアルミ電極箔を用いて製造されたことを特
徴とする。
前記本発明のアルミ電極箔を用いて製造されたことを特
徴とする。
【００１６】前記本発明のアルミ電解コンデンサによれ
ば、アルミ電極箔のピット径、ピット間隔の均一性が高
められていることにより、ＥＳＲ成分が小さく優れた周
波数特性が得られる。
ば、アルミ電極箔のピット径、ピット間隔の均一性が高
められていることにより、ＥＳＲ成分が小さく優れた周
波数特性が得られる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て説明する。単位面積当たりの静電容量を上げるために
は、エッチング倍率を上げる必要がある。ただし、エッ
チング倍率は高くても、ピット径のばらつきが大きけれ
ば、一定の径より小さいピットは化成後に化成被膜によ
って、ピットの凹部が埋まってしまい静電容量に寄与し
ないばかりか、化成電力も無駄になる。したがって、ピ
ット径のばらつきを小さくして、化成被膜によって埋ま
るピットの数を少なくするほど、静電容量に寄与する度
合いが高くなることになる。
て説明する。単位面積当たりの静電容量を上げるために
は、エッチング倍率を上げる必要がある。ただし、エッ
チング倍率は高くても、ピット径のばらつきが大きけれ
ば、一定の径より小さいピットは化成後に化成被膜によ
って、ピットの凹部が埋まってしまい静電容量に寄与し
ないばかりか、化成電力も無駄になる。したがって、ピ
ット径のばらつきを小さくして、化成被膜によって埋ま
るピットの数を少なくするほど、静電容量に寄与する度
合いが高くなることになる。
【００１８】前記のようなことから、本実施形態のアル
ミ電極箔は、静電容量に寄与する度合いの高いアルミ電
極箔は、ピットの間隔およびピット径が均一であること
に着目して製造したものである。
ミ電極箔は、静電容量に寄与する度合いの高いアルミ電
極箔は、ピットの間隔およびピット径が均一であること
に着目して製造したものである。
【００１９】したがって、本実施形態のアルミ電極箔は
従来のアルミ電極箔と比べて、ピットの間隔およびピッ
ト径の均一性が高い。本実施形態では、ピットの間隔の
均一性を比較するためにピット分散性指数、ピット径の
均一性を比較するために変動係数を用いた。
従来のアルミ電極箔と比べて、ピットの間隔およびピッ
ト径の均一性が高い。本実施形態では、ピットの間隔の
均一性を比較するためにピット分散性指数、ピット径の
均一性を比較するために変動係数を用いた。
【００２０】以下、ピット分散性指数について説明す
る。ピット分散性指数とは、アルミ電極箔のピットが理
想的に六方配置した場合のピット間隔に対する、実際の
エッチド箔の平均最近接ピット間隔の比を表わした値の
ことである。以下、図面を用いて具体的に説明する。
る。ピット分散性指数とは、アルミ電極箔のピットが理
想的に六方配置した場合のピット間隔に対する、実際の
エッチド箔の平均最近接ピット間隔の比を表わした値の
ことである。以下、図面を用いて具体的に説明する。
【００２１】まず、理想的な六方配置について説明す
る。図１は、アルミ電極箔のピットが理想的に六方配置
している図を示している。ある一つのピット１に対し
て、隣接するピットは、ピット２から７の６個のピット
である。ピット１と各ピット（ピット２から６）との距
離はすべて等しくＬである。この関係は他のピットにつ
いても同じである。
る。図１は、アルミ電極箔のピットが理想的に六方配置
している図を示している。ある一つのピット１に対し
て、隣接するピットは、ピット２から７の６個のピット
である。ピット１と各ピット（ピット２から６）との距
離はすべて等しくＬである。この関係は他のピットにつ
いても同じである。
【００２２】次に、アルミ電極箔のピットが理想的に六
方配置した場合のピット間隔Ｌの計算方法について説明
する。図２は、図１のＡ部分を拡大したものである。隣
接するピットの中心点を結ぶ３本の線は、長さはすべて
Ｌであるため、正三角形を形成する。この正三角形の中
には、ピットが１／２個含まれる。この正三角形の面積
Ｓ0は、以下の（数１）で表される。
方配置した場合のピット間隔Ｌの計算方法について説明
する。図２は、図１のＡ部分を拡大したものである。隣
接するピットの中心点を結ぶ３本の線は、長さはすべて
Ｌであるため、正三角形を形成する。この正三角形の中
には、ピットが１／２個含まれる。この正三角形の面積
Ｓ0は、以下の（数１）で表される。
【００２３】
【数１】
【００２４】アルミ電極箔の面積をＳとし、この面積Ｓ
の中にｎ個のピットが存在するとすると、比例関係より
以下の（数２）の関係が成り立つ。
の中にｎ個のピットが存在するとすると、比例関係より
以下の（数２）の関係が成り立つ。
【００２５】
【数２】
【００２６】（数２）に（数１）のＳ0を代入して、展
開するとピット間隔Ｌは、以下の（数３）で表される。
開するとピット間隔Ｌは、以下の（数３）で表される。
【００２７】
【数３】
【００２８】したがって、面積Ｓとピット個数ｎとが分
かれば、理想的に六方配置した場合のピット間隔Ｌは、
計算で求まることになる。
かれば、理想的に六方配置した場合のピット間隔Ｌは、
計算で求まることになる。
【００２９】次に、実際のエッチド箔の平均最近接ピッ
ト間隔の計算方法について、説明する。図３は、実際の
エッチド箔のピット分布の一部の一例を示したものであ
る。アルミ電極箔全体の面積はＳであり、面積Ｓの中に
ｎ個のピットが存在する。すべてのピットについて座標
がわかっており、他のピットと区別できる。ｉ番目のピ
ット座標を（ｘi，ｙi）、ｊ番目のピット座標を
（ｘj，ｙj）とするとｉ番目のピットと、ｊ番目のピッ
トとの距離Ｌijは、以下の（数４）で表される。
ト間隔の計算方法について、説明する。図３は、実際の
エッチド箔のピット分布の一部の一例を示したものであ
る。アルミ電極箔全体の面積はＳであり、面積Ｓの中に
ｎ個のピットが存在する。すべてのピットについて座標
がわかっており、他のピットと区別できる。ｉ番目のピ
ット座標を（ｘi，ｙi）、ｊ番目のピット座標を
（ｘj，ｙj）とするとｉ番目のピットと、ｊ番目のピッ
トとの距離Ｌijは、以下の（数４）で表される。
【００３０】
【数４】
【００３１】ｉ番目のピットと他のすべてのｊ番目のピ
ットとの距離を求め、その中で最も小さいものが最近接
ピット間隔Ｌiとなる。同様にして、ｉ＝１〜ｎについ
ても最近接ピット間隔Ｌiとを求める。ｉ番目のピット
の最近接ピット間隔をＬiと平均最近接ピット間隔Ｌ
aは、以下の（数５）で表される。
ットとの距離を求め、その中で最も小さいものが最近接
ピット間隔Ｌiとなる。同様にして、ｉ＝１〜ｎについ
ても最近接ピット間隔Ｌiとを求める。ｉ番目のピット
の最近接ピット間隔をＬiと平均最近接ピット間隔Ｌ
aは、以下の（数５）で表される。
【００３２】
【数５】
【００３３】（数３）、（数５）を用いれば、ピット分
散性指数Ｖは、以下の（数６）で表される。
散性指数Ｖは、以下の（数６）で表される。
【００３４】
【数６】
【００３５】したがって、ピット分散性指数の値が大き
いほどピット間隔の均一性が高く、仮に実際のエッチド
箔が理想的な六方配置であれば、ピット間隔は完全に均
一でありピット分散性指数は１となる。
いほどピット間隔の均一性が高く、仮に実際のエッチド
箔が理想的な六方配置であれば、ピット間隔は完全に均
一でありピット分散性指数は１となる。
【００３６】次に、ピット径の変動係数について説明す
る。ピット径の変動係数Ｃは、ピット径の標準偏差ｓを
ピット径の平均値ＲＡで割った値であり、ｉ番目のピッ
ト径をＲiとすると、以下の（数７）で表される。
る。ピット径の変動係数Ｃは、ピット径の標準偏差ｓを
ピット径の平均値ＲＡで割った値であり、ｉ番目のピッ
ト径をＲiとすると、以下の（数７）で表される。
【００３７】
【数７】
【００３８】本変動係数Ｃは、ピット径のばらつきを相
対的に表したものであり、仮にピット径が完全に均一で
あれば、ピット径変動係数Ｃは０となる。
対的に表したものであり、仮にピット径が完全に均一で
あれば、ピット径変動係数Ｃは０となる。
【００３９】以下の実施形態、実施例におけるピット分
散性指数、ピット径の変動係数は、製造されたアルミ電
極箔の走査電子顕微鏡写真を画像解析装置にかけ、各ピ
ットの座標を測定し、さらに円相当径のデータを求め、
これら数値を前記数式に代入することにより求めた。
散性指数、ピット径の変動係数は、製造されたアルミ電
極箔の走査電子顕微鏡写真を画像解析装置にかけ、各ピ
ットの座標を測定し、さらに円相当径のデータを求め、
これら数値を前記数式に代入することにより求めた。
【００４０】次に、本実施形態のアルミ電極箔およびそ
の製造方法について具体的に説明する。本実施形態に用
いたアルミ箔は、結晶方位が均一に揃った４Ｎの高純度
箔である。これを塩酸、硫酸、およびりん酸を添加した
水溶液に浸漬し、アルミ箔を正極にして直流電圧を印加
した。第１段階のエッチング終了後、ピット径拡大のた
めの第２段階のエッチングをおこない、最後に５２０Ｖ
で化成をして、アルミ電極箔を完成させた。
の製造方法について具体的に説明する。本実施形態に用
いたアルミ箔は、結晶方位が均一に揃った４Ｎの高純度
箔である。これを塩酸、硫酸、およびりん酸を添加した
水溶液に浸漬し、アルミ箔を正極にして直流電圧を印加
した。第１段階のエッチング終了後、ピット径拡大のた
めの第２段階のエッチングをおこない、最後に５２０Ｖ
で化成をして、アルミ電極箔を完成させた。
【００４１】塩素イオン濃度１．０Ｎ、硫酸イオン濃度
６．０Ｎ、りん酸濃度を０Ｎから１０．０Ｎまで変化さ
せた場合の、ピット分散性指数、ピット径変動係数、静
電容量の各値を以下の表１に示した。
６．０Ｎ、りん酸濃度を０Ｎから１０．０Ｎまで変化さ
せた場合の、ピット分散性指数、ピット径変動係数、静
電容量の各値を以下の表１に示した。
【００４２】
【表１】
【００４３】表１における、りん酸イオン濃度と静電容
量との関係を図４に示した。図４において、横軸Ｐはり
ん酸イオン濃度を示し、縦軸Ｆは静電容量を示してい
る。表１に示したアルミ電極箔のうち、りん酸イオン濃
度が０Ｎものは従来例であり、１Ｎ〜１０Ｎのものが本
実施形態のものである。
量との関係を図４に示した。図４において、横軸Ｐはり
ん酸イオン濃度を示し、縦軸Ｆは静電容量を示してい
る。表１に示したアルミ電極箔のうち、りん酸イオン濃
度が０Ｎものは従来例であり、１Ｎ〜１０Ｎのものが本
実施形態のものである。
【００４４】従来例のものは、ピット分散性指数が０．
５７であるのに対して、表１における本実施形態のもの
は、いずれもピット分散性指数が０．５８以上またはピ
ット径変動係数が０．４５以下である。特に、りん酸イ
オン濃度が２Ｎ〜６Ｎの実施形態は、ピット分散性指数
が０．５８以上かつピット径変動係数が０．４５以下で
あり、この範囲のものは図４からも分かるように、静電
容量が７．０μＦ／１０ｃｍ2以上の大きな容量が確保
されている。
５７であるのに対して、表１における本実施形態のもの
は、いずれもピット分散性指数が０．５８以上またはピ
ット径変動係数が０．４５以下である。特に、りん酸イ
オン濃度が２Ｎ〜６Ｎの実施形態は、ピット分散性指数
が０．５８以上かつピット径変動係数が０．４５以下で
あり、この範囲のものは図４からも分かるように、静電
容量が７．０μＦ／１０ｃｍ2以上の大きな容量が確保
されている。
【００４５】これは、りん酸イオン濃度が本範囲内であ
れば、アルミ電極箔の過剰な溶解が起こらないことに加
えて、ピット径、ピット間隔のばらつきが小さいため、
一定の径より小さいピットが少ないためと考えられる。
すなわち、化成後に化成被膜によって、ピットの凹部が
埋まった静電容量に寄与しないピットが少ないためと考
えられる。
れば、アルミ電極箔の過剰な溶解が起こらないことに加
えて、ピット径、ピット間隔のばらつきが小さいため、
一定の径より小さいピットが少ないためと考えられる。
すなわち、化成後に化成被膜によって、ピットの凹部が
埋まった静電容量に寄与しないピットが少ないためと考
えられる。
【００４６】また、本発明の電解コンデンサ用アルミ電
極箔を用いたアルミ電解コンデンサは、アルミ電極箔の
ピット径、ピット間隔の均一性が高められていることに
より、一定の径より小さいすなわち抵抗の大きいピット
が少ないため、ＥＳＲ成分が小さく周波数特性に優れた
ものとなる。
極箔を用いたアルミ電解コンデンサは、アルミ電極箔の
ピット径、ピット間隔の均一性が高められていることに
より、一定の径より小さいすなわち抵抗の大きいピット
が少ないため、ＥＳＲ成分が小さく周波数特性に優れた
ものとなる。
【００４７】なお、塩素イオン濃度、硫酸イオン濃度は
本実施形態のものに、限定されるものではなく、塩素イ
オン濃度０．５〜２．０Ｎ、硫酸イオン濃度５．０〜
７．０Ｎ程度の範囲内で設定してもよい。
本実施形態のものに、限定されるものではなく、塩素イ
オン濃度０．５〜２．０Ｎ、硫酸イオン濃度５．０〜
７．０Ｎ程度の範囲内で設定してもよい。
【００４８】
【実施例】以下、実施例について説明する。以下の実施
例については、前記実施形態と同様に、用いたアルミ箔
は、結晶方位が均一に揃った４Ｎの高純度箔である。こ
れを塩酸、硫酸、およびりん酸を添加した水溶液に浸漬
し、アルミ箔を正極にして直流電圧を印加した。第１段
階のエッチング終了後、ピット径拡大のための第２段階
のエッチングをおこない、最後に５２０Ｖで化成をし
て、アルミ電極箔を完成させた。 （実施例１）本実施例１では、塩素イオン濃度１．０
Ｎ、りん酸イオン濃度４．０Ｎ、硫酸イオン濃度を５．
０〜７．０Ｎとした。また、硫酸イオン濃度３．０〜
４．０Ｎのものを比較例とした。
例については、前記実施形態と同様に、用いたアルミ箔
は、結晶方位が均一に揃った４Ｎの高純度箔である。こ
れを塩酸、硫酸、およびりん酸を添加した水溶液に浸漬
し、アルミ箔を正極にして直流電圧を印加した。第１段
階のエッチング終了後、ピット径拡大のための第２段階
のエッチングをおこない、最後に５２０Ｖで化成をし
て、アルミ電極箔を完成させた。 （実施例１）本実施例１では、塩素イオン濃度１．０
Ｎ、りん酸イオン濃度４．０Ｎ、硫酸イオン濃度を５．
０〜７．０Ｎとした。また、硫酸イオン濃度３．０〜
４．０Ｎのものを比較例とした。
【００４９】各硫酸イオン濃度におけるピット分散性指
数、ピット径変動係数の値を以下の表２に示す。
数、ピット径変動係数の値を以下の表２に示す。
【００５０】
【表２】
【００５１】表２から分かるように、硫酸イオン濃度が
５．０〜７．０Ｎのいずれにおいても、ピット分散性指
数は０．５８以上で、かつピット径変動係数０．４５以
下の良好な結果が得られた。前記実施形態で示した表１
の関係より、このようなピット分散性指数、ピット径変
動係数の値であれば、静電容量についても７．０μＦ／
１０ｃｍ2以上の大きな容量であることが予想される。 （実施例２）本実施例２では、硫酸イオン濃度６．０
Ｎ、りん酸イオン濃度４．０Ｎ、塩素イオン濃度０．５
〜２．０Ｎとした。各塩素イオン濃度におけるピット分
散性指数、ピット径変動係数の値を以下の表３に示す。
５．０〜７．０Ｎのいずれにおいても、ピット分散性指
数は０．５８以上で、かつピット径変動係数０．４５以
下の良好な結果が得られた。前記実施形態で示した表１
の関係より、このようなピット分散性指数、ピット径変
動係数の値であれば、静電容量についても７．０μＦ／
１０ｃｍ2以上の大きな容量であることが予想される。 （実施例２）本実施例２では、硫酸イオン濃度６．０
Ｎ、りん酸イオン濃度４．０Ｎ、塩素イオン濃度０．５
〜２．０Ｎとした。各塩素イオン濃度におけるピット分
散性指数、ピット径変動係数の値を以下の表３に示す。
【００５２】
【表３】
【００５３】表３から分かるように、硫酸イオン濃度が
５．０〜７．０Ｎのいずれにおいても、ピット分散性指
数は０．５８以上で、かつピット径変動係数０．４５以
下の良好な結果が得られた。前記実施形態で示した表１
の関係より、このようなピット分散性指数、ピット径変
動係数の値であれば、静電容量についても７．０μＦ／
１０ｃｍ2以上の大きな容量であることが予想される。
５．０〜７．０Ｎのいずれにおいても、ピット分散性指
数は０．５８以上で、かつピット径変動係数０．４５以
下の良好な結果が得られた。前記実施形態で示した表１
の関係より、このようなピット分散性指数、ピット径変
動係数の値であれば、静電容量についても７．０μＦ／
１０ｃｍ2以上の大きな容量であることが予想される。
【００５４】
【発明の効果】以上のように本発明の電解コンデンサ用
アルミ電極箔によれば、ピット径、ピット間隔の均一性
を高めることにより、単位面積当たりの静電容量を高め
ることができる。
アルミ電極箔によれば、ピット径、ピット間隔の均一性
を高めることにより、単位面積当たりの静電容量を高め
ることができる。
【００５５】また、本発明の電解コンデンサ用アルミ電
極箔を用いたアルミ電解コンデンサは、アルミ電極箔の
ピット径、ピット間隔の均一性が高められていることに
より、ＥＳＲ成分が小さく周波数特性に優れたものとな
る。
極箔を用いたアルミ電解コンデンサは、アルミ電極箔の
ピット径、ピット間隔の均一性が高められていることに
より、ＥＳＲ成分が小さく周波数特性に優れたものとな
る。
【００５６】また、本発明のアルミ電極箔の製造方法に
よれば、電極箔を、塩酸、硫酸、およびりん酸を含む水
溶液中でエッチングすることにより、ピット間隔、ピッ
ト径の均一性を高めたアルミ電極箔を製造することがで
きる。
よれば、電極箔を、塩酸、硫酸、およびりん酸を含む水
溶液中でエッチングすることにより、ピット間隔、ピッ
ト径の均一性を高めたアルミ電極箔を製造することがで
きる。
【図１】アルミ電極箔のピットが理想的に六方配置して
いることを示す図
いることを示す図
【図２】図１のＡ部を拡大した図
【図３】エッチド箔のピット分布の一部の一例を示す図
【図４】本発明の一実施形態における、りん酸イオン濃
度Ｐと静電容量Ｆとの関係を示す図
度Ｐと静電容量Ｆとの関係を示す図
１，２，３，４，５，６ ピット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村上 義樹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 棚橋 正和 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 アルミ箔を酸性水溶液に浸漬させ、前記
アルミ箔に直流電圧を印加してエッチングを行うことに
より、前記アルミ箔上にピットを形成した電解コンデン
サ用アルミ電極箔であって、理想的にピットが六方配置
したアルミ電極箔、すなわちアルミ電極箔に形成された
ある一つのピットとこれに隣接する６つの各ピットとの
間隔がすべて等しいアルミ電極箔における隣接する２つ
のピットの間隔をＬとし、実際のエッチドアルミ電極箔
のある一つのピットとこれに隣接する各ピットとの間隔
のうち最も短いピット間隔を最近接ピット間隔として、
各ピットについて求めた最近接ピット間隔の平均値をＬ
aとすると、Ｌa／Ｌの値が０．５８以上、またはピット
径の変動係数が０．４５以下であることを特徴とするア
ルミ電極箔。 - 【請求項２】 請求項１記載のアルミ電極箔の製造方法
であって、塩酸、硫酸およびりん酸を含む酸性水溶液中
でエッチングを行うことを特徴とするアルミ電極箔の製
造方法。 - 【請求項３】 りん酸イオンの濃度が２．０〜６．０Ｎ
である請求項２記載のアルミ電極箔の製造方法。 - 【請求項４】 硫酸イオンの濃度が５．０〜７．０Ｎで
ある請求項２記載のアルミ電極箔の製造方法。 - 【請求項５】 塩素イオンの濃度が０．５〜２．０Ｎで
ある請求項２記載のアルミ電極箔の製造方法。 - 【請求項６】 請求項１記載のアルミ電極箔を用いて製
造されたことを特徴とするアルミ電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8334243A JPH10172868A (ja) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | 電解コンデンサ用アルミ電極箔およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8334243A JPH10172868A (ja) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | 電解コンデンサ用アルミ電極箔およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10172868A true JPH10172868A (ja) | 1998-06-26 |
Family
ID=18275153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8334243A Pending JPH10172868A (ja) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | 電解コンデンサ用アルミ電極箔およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10172868A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101273348B1 (ko) * | 2011-12-08 | 2013-06-11 | 삼영전자공업(주) | 알루미늄 전해 콘덴서용 전극박 및 그 제조방법 |
-
1996
- 1996-12-13 JP JP8334243A patent/JPH10172868A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101273348B1 (ko) * | 2011-12-08 | 2013-06-11 | 삼영전자공업(주) | 알루미늄 전해 콘덴서용 전극박 및 그 제조방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040601 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040616 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041025 |