JPH1145826A - アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 - Google Patents
アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法Info
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- JPH1145826A JPH1145826A JP9199634A JP19963497A JPH1145826A JP H1145826 A JPH1145826 A JP H1145826A JP 9199634 A JP9199634 A JP 9199634A JP 19963497 A JP19963497 A JP 19963497A JP H1145826 A JPH1145826 A JP H1145826A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い静電容量を得ることができるアルミ電解
コンデンサ用電極箔の製造方法を提供することを目的と
する。 【解決手段】 エッチング処理されたアルミニウム箔を
脱塩素処理し、その後、ｐＨの異なる複数の処理液を用
い、ｐＨの低い方から高い方へと順に水和処理を行い、
その後、熱処理を行い、さらにその後、化成処理を行う
ようにしたものである。
コンデンサ用電極箔の製造方法を提供することを目的と
する。 【解決手段】 エッチング処理されたアルミニウム箔を
脱塩素処理し、その後、ｐＨの異なる複数の処理液を用
い、ｐＨの低い方から高い方へと順に水和処理を行い、
その後、熱処理を行い、さらにその後、化成処理を行う
ようにしたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は低圧用のアルミ電解
コンデンサに用いられるアルミ電解コンデンサ用電極箔
の製造方法に関するものである。
コンデンサに用いられるアルミ電解コンデンサ用電極箔
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に陽極用の電極箔はアルミニウム箔
を電気化学的あるいは化学的にエッチングして有効表面
積を拡大したものが使用されているが、この表面積を拡
大するために種々のエッチング方法が研究されている。
一般的にはアルミニウム箔を数種類の異なるエッチング
槽に連続的に挿入し、各エッチング槽内のエッチング条
件を変えることによりアルミニウム箔の表面積を徐々に
拡大している。エッチングされたアルミニウム箔はその
後脱塩素処理を行い、水和処理を施した後に化成処理さ
れて製造されている。
を電気化学的あるいは化学的にエッチングして有効表面
積を拡大したものが使用されているが、この表面積を拡
大するために種々のエッチング方法が研究されている。
一般的にはアルミニウム箔を数種類の異なるエッチング
槽に連続的に挿入し、各エッチング槽内のエッチング条
件を変えることによりアルミニウム箔の表面積を徐々に
拡大している。エッチングされたアルミニウム箔はその
後脱塩素処理を行い、水和処理を施した後に化成処理さ
れて製造されている。
【０００３】エッチングされた後の水和処理は、アルミ
ニウム箔の表面に水酸化皮膜を形成することにより、化
成の際の陽極酸化皮膜の膜質を向上させることを目的と
するものである。通常はアルミニウム箔を高温の純水中
に浸漬することによって行われているが、特開平２−２
１６８１０号公報に見られるように高温の純水中にアミ
ンを添加したもので行われているものもある。
ニウム箔の表面に水酸化皮膜を形成することにより、化
成の際の陽極酸化皮膜の膜質を向上させることを目的と
するものである。通常はアルミニウム箔を高温の純水中
に浸漬することによって行われているが、特開平２−２
１６８１０号公報に見られるように高温の純水中にアミ
ンを添加したもので行われているものもある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た水和処理法では、更なる静電容量の増大化に対して必
ずしも満足できる結果は得られていない。
た水和処理法では、更なる静電容量の増大化に対して必
ずしも満足できる結果は得られていない。
【０００５】本発明は上記のような事情に鑑みてなされ
たもので、高い静電容量を得ることができるアルミ電解
コンデンサ用電極箔の製造方法を提供することを目的と
するものである。
たもので、高い静電容量を得ることができるアルミ電解
コンデンサ用電極箔の製造方法を提供することを目的と
するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のアルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法
は、エッチング処理されたアルミニウム箔を脱塩素処理
し、その後、ｐＨの異なる複数の処理液を用い、ｐＨの
低い方から高い方へと順に水和処理を行い、その後、熱
処理を行い、さらにその後、化成処理を行うようにした
もので、この製造方法によれば高い静電容量を得ること
ができるものである。
に本発明のアルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法
は、エッチング処理されたアルミニウム箔を脱塩素処理
し、その後、ｐＨの異なる複数の処理液を用い、ｐＨの
低い方から高い方へと順に水和処理を行い、その後、熱
処理を行い、さらにその後、化成処理を行うようにした
もので、この製造方法によれば高い静電容量を得ること
ができるものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、エッチング処理されたアルミニウム箔を脱塩素処理
し、その後、ｐＨの異なる複数の処理液を用い、ｐＨの
低い方から高い方へと順に水和処理を行い、その後、熱
処理を行い、さらにその後、化成処理を行うようにした
もので、この製造方法によれば、ｐＨの異なる複数の処
理液を用い、ｐＨの低い方から高い方へと順に水和処理
を行うようにしているため、緻密な水和皮膜を簡便にし
て均一に形成させることができ、これにより、化成処理
においても、緻密でかつ均一な化成皮膜を形成すること
ができるため、高い静電容量を得ることができるもので
ある。
は、エッチング処理されたアルミニウム箔を脱塩素処理
し、その後、ｐＨの異なる複数の処理液を用い、ｐＨの
低い方から高い方へと順に水和処理を行い、その後、熱
処理を行い、さらにその後、化成処理を行うようにした
もので、この製造方法によれば、ｐＨの異なる複数の処
理液を用い、ｐＨの低い方から高い方へと順に水和処理
を行うようにしているため、緻密な水和皮膜を簡便にし
て均一に形成させることができ、これにより、化成処理
においても、緻密でかつ均一な化成皮膜を形成すること
ができるため、高い静電容量を得ることができるもので
ある。
【０００８】請求項２に記載の発明は、水和処理におけ
る処理液のｐＨを５．５〜１０の範囲に設定したもの
で、処理液のｐＨが５．５以下では、水和皮膜の形成が
なされないものであり、一方、ｐＨが１０以上になる
と、エッチング処理と脱塩素処理がなされたアルミニウ
ム箔の処理液との反応が激しくなるため、水和処理によ
り形成される水和皮膜は密度が低く、不均一なものにな
ってしまうもので、したがって、処理液のｐＨは５．５
〜１０の範囲において、緻密でかつ均一な水和皮膜を形
成することができるものである。
る処理液のｐＨを５．５〜１０の範囲に設定したもの
で、処理液のｐＨが５．５以下では、水和皮膜の形成が
なされないものであり、一方、ｐＨが１０以上になる
と、エッチング処理と脱塩素処理がなされたアルミニウ
ム箔の処理液との反応が激しくなるため、水和処理によ
り形成される水和皮膜は密度が低く、不均一なものにな
ってしまうもので、したがって、処理液のｐＨは５．５
〜１０の範囲において、緻密でかつ均一な水和皮膜を形
成することができるものである。
【０００９】請求項３に記載の発明は、水和処理におけ
る処理液数を２〜３種類、処理温度を４０〜６０℃、１
回の水和処理時間を０．５〜３分の範囲に設定したもの
で、この範囲に設定した理由は以下の通りである。すな
わち、処理液数が４種類以上では、３種類用いたときと
静電容量的にはほぼ同等であり、また生産性においても
悪くなってしまうものであり、したがって、最適な処理
液数は２〜３種類である。また、処理温度が４０℃以下
ではエッチング処理と脱塩素処理がなされたアルミニウ
ム箔と処理液との反応が遅いため、十分な水和皮膜が形
成されにくく、一方、６０℃以上では、逆に反応が激し
すぎて不均一な水和皮膜が形成されやすくなってしまう
ものであり、したがって、最適な処理温度は４０〜６０
℃である。そしてまた、処理時間が０．５分以下では十
分な水和皮膜が形成されず、一方、３分以上では反応が
平衡状態になって静電容量的には変化は見られないもの
であり、したがって、最適な処理時間は０．５〜３分で
ある。
る処理液数を２〜３種類、処理温度を４０〜６０℃、１
回の水和処理時間を０．５〜３分の範囲に設定したもの
で、この範囲に設定した理由は以下の通りである。すな
わち、処理液数が４種類以上では、３種類用いたときと
静電容量的にはほぼ同等であり、また生産性においても
悪くなってしまうものであり、したがって、最適な処理
液数は２〜３種類である。また、処理温度が４０℃以下
ではエッチング処理と脱塩素処理がなされたアルミニウ
ム箔と処理液との反応が遅いため、十分な水和皮膜が形
成されにくく、一方、６０℃以上では、逆に反応が激し
すぎて不均一な水和皮膜が形成されやすくなってしまう
ものであり、したがって、最適な処理温度は４０〜６０
℃である。そしてまた、処理時間が０．５分以下では十
分な水和皮膜が形成されず、一方、３分以上では反応が
平衡状態になって静電容量的には変化は見られないもの
であり、したがって、最適な処理時間は０．５〜３分で
ある。
【００１０】以下、本発明の具体的な実施の形態と比較
例について説明する。エッチング工程として、純度９
９．９８％、厚さ１００μｍの高純度アルミニウム箔の
試料（有効面積２×５cm）を、液温が３０℃である１５
wt％の塩酸溶液に硫酸を１wt％添加した電解液に浸漬
し、電流密度０．５Ａ／cm2、周波数４５Hzで５分間交
流エッチングを行った。その後、このエッチング処理が
なされたアルミニウム箔を液温が６０℃である１２wt％
の硫酸溶液中に２分間浸漬して脱塩素処理を行った。そ
の後、ｐＨの異なる複数の処理液を用い、水和処理を施
してアルミニウム箔の表面に水和皮膜を形成し、さらに
その後、３００℃で１分間熱処理を行った。そしてこの
後、液温が６０℃である３wt％のアジピン酸アンモニウ
ム水溶液中で、化成電圧２２Ｖを印加して定電流による
本化成を行った。
例について説明する。エッチング工程として、純度９
９．９８％、厚さ１００μｍの高純度アルミニウム箔の
試料（有効面積２×５cm）を、液温が３０℃である１５
wt％の塩酸溶液に硫酸を１wt％添加した電解液に浸漬
し、電流密度０．５Ａ／cm2、周波数４５Hzで５分間交
流エッチングを行った。その後、このエッチング処理が
なされたアルミニウム箔を液温が６０℃である１２wt％
の硫酸溶液中に２分間浸漬して脱塩素処理を行った。そ
の後、ｐＨの異なる複数の処理液を用い、水和処理を施
してアルミニウム箔の表面に水和皮膜を形成し、さらに
その後、３００℃で１分間熱処理を行った。そしてこの
後、液温が６０℃である３wt％のアジピン酸アンモニウ
ム水溶液中で、化成電圧２２Ｖを印加して定電流による
本化成を行った。
【００１１】水和処理の条件としては、（表１）に示す
ように、各処理液で処理温度は５０℃、処理時間は２分
とし、ｐＨは溶質の種類を変えることにより調整した。
すなわち、本発明の実施の形態１では、第一水和処理で
ほう酸１％を用いた。実施の形態２では、第一水和処理
でアジピン酸アンモニウム１％を用いた。実施の形態３
では、第一水和処理で燐酸二ナトリウム１％を用いた。
実施の形態４では、第一水和処理でほう酸１％を用い、
その後、第二水和処理でアジピン酸アンモニウム１％を
用いた。実施の形態５では、第一水和処理でアジピン酸
アンモニウム１％を用い、その後、第二水和処理でほう
酸１％を用いた。実施の形態６では、第一水和処理でほ
う酸１％を用い、その後、第二水和処理で燐酸二ナトリ
ウム１％を用いた。実施の形態７では、第一水和処理で
燐酸二ナトリウム１％を用い、その後、第二水和処理で
ほう酸１％を用いた。実施の形態８では、第一水和処理
でほう酸１％を用い、その後、第二水和処理でアジピン
酸アンモニウム１％を用い、その後、第三水和処理で燐
酸二ナトリウム１％を用いた。実施の形態９では、第一
水和処理で燐酸二ナトリウム１％を用い、その後、第二
水和処理でアジピン酸アンモニウム１％を用い、その
後、第三水和処理でほう酸１％を用いた。
ように、各処理液で処理温度は５０℃、処理時間は２分
とし、ｐＨは溶質の種類を変えることにより調整した。
すなわち、本発明の実施の形態１では、第一水和処理で
ほう酸１％を用いた。実施の形態２では、第一水和処理
でアジピン酸アンモニウム１％を用いた。実施の形態３
では、第一水和処理で燐酸二ナトリウム１％を用いた。
実施の形態４では、第一水和処理でほう酸１％を用い、
その後、第二水和処理でアジピン酸アンモニウム１％を
用いた。実施の形態５では、第一水和処理でアジピン酸
アンモニウム１％を用い、その後、第二水和処理でほう
酸１％を用いた。実施の形態６では、第一水和処理でほ
う酸１％を用い、その後、第二水和処理で燐酸二ナトリ
ウム１％を用いた。実施の形態７では、第一水和処理で
燐酸二ナトリウム１％を用い、その後、第二水和処理で
ほう酸１％を用いた。実施の形態８では、第一水和処理
でほう酸１％を用い、その後、第二水和処理でアジピン
酸アンモニウム１％を用い、その後、第三水和処理で燐
酸二ナトリウム１％を用いた。実施の形態９では、第一
水和処理で燐酸二ナトリウム１％を用い、その後、第二
水和処理でアジピン酸アンモニウム１％を用い、その
後、第三水和処理でほう酸１％を用いた。
【００１２】比較例は、水和処理を９５℃の純水に２分
間浸漬して行い、３００℃で１分間の熱処理を行った
後、本化成を行った。
間浸漬して行い、３００℃で１分間の熱処理を行った
後、本化成を行った。
【００１３】本発明の実施の形態１〜９および比較例に
示した処理済み箔の静電容量を測定した結果を（表１）
に示す。
示した処理済み箔の静電容量を測定した結果を（表１）
に示す。
【００１４】
【表１】
【００１５】（表１）から明らかなように、比較例の静
電容量を１００とした場合、ｐＨが５．５〜１０の範囲
に設定され、かつこのｐＨが異なる複数の処理液を用
い、ｐＨの低い方から高い方へと順に第一水和処理、第
二水和処理、第三水和処理を行うことによって、高い静
電容量が得られるものである。
電容量を１００とした場合、ｐＨが５．５〜１０の範囲
に設定され、かつこのｐＨが異なる複数の処理液を用
い、ｐＨの低い方から高い方へと順に第一水和処理、第
二水和処理、第三水和処理を行うことによって、高い静
電容量が得られるものである。
【００１６】（表２）は、水和処理液数、処理温度、処
理時間を変化させてなる本発明の実施の形態を示したも
ので、すなわち、実施の形態１０では、第一水和処理で
は、ほう酸１％を用いて処理時間２分、処理温度５０℃
で行い、そして第二水和処理ではアジピン酸アンモニウ
ム１％を用いて処理時間２分、処理温度５０℃で行い、
さらに第三水和処理では燐酸二ナトリウム１％を用いて
処理時間２分、処理温度５０℃で行い、さらにまた第四
水和処理ではアンモニア１％と酢酸０．３％を用いて処
理時間２分、処理温度５０℃で行った。
理時間を変化させてなる本発明の実施の形態を示したも
ので、すなわち、実施の形態１０では、第一水和処理で
は、ほう酸１％を用いて処理時間２分、処理温度５０℃
で行い、そして第二水和処理ではアジピン酸アンモニウ
ム１％を用いて処理時間２分、処理温度５０℃で行い、
さらに第三水和処理では燐酸二ナトリウム１％を用いて
処理時間２分、処理温度５０℃で行い、さらにまた第四
水和処理ではアンモニア１％と酢酸０．３％を用いて処
理時間２分、処理温度５０℃で行った。
【００１７】実施の形態１１では、第一水和処理はほう
酸１％を用いて処理時間０．３分、処理温度５０℃で行
い、そして第二水和処理は燐酸二ナトリウム１％を用い
て処理時間０．３分、処理温度５０℃で行った。
酸１％を用いて処理時間０．３分、処理温度５０℃で行
い、そして第二水和処理は燐酸二ナトリウム１％を用い
て処理時間０．３分、処理温度５０℃で行った。
【００１８】実施の形態１２では、第一水和処理はほう
酸１％を用いて処理時間０．５分、処理温度５０℃で行
い、そして第二水和処理は燐酸二ナトリウム１％を用い
て処理時間０．５分、処理温度５０℃で行った。
酸１％を用いて処理時間０．５分、処理温度５０℃で行
い、そして第二水和処理は燐酸二ナトリウム１％を用い
て処理時間０．５分、処理温度５０℃で行った。
【００１９】実施の形態１３では、第一水和処理はほう
酸１％を用いて処理時間３分、処理温度５０℃で行い、
そして第二水和処理は燐酸二ナトリウム１％を用いて処
理時間３分、処理温度５０℃で行った。
酸１％を用いて処理時間３分、処理温度５０℃で行い、
そして第二水和処理は燐酸二ナトリウム１％を用いて処
理時間３分、処理温度５０℃で行った。
【００２０】実施の形態１４では、第一水和処理はほう
酸１％を用いて処理時間３．５分、処理温度５０℃で行
い、第二水和処理は燐酸二ナトリウム１％を用いて処理
時間３．５分、処理温度５０℃で行った。
酸１％を用いて処理時間３．５分、処理温度５０℃で行
い、第二水和処理は燐酸二ナトリウム１％を用いて処理
時間３．５分、処理温度５０℃で行った。
【００２１】実施の形態１５では、第一水和処理はほう
酸１％を用いて処理時間２分、処理温度３５℃で行い、
そして第二水和処理は燐酸二ナトリウム１％を用いて処
理時間２分、処理温度３５℃で行った。
酸１％を用いて処理時間２分、処理温度３５℃で行い、
そして第二水和処理は燐酸二ナトリウム１％を用いて処
理時間２分、処理温度３５℃で行った。
【００２２】実施の形態１６では、第一水和処理はほう
酸１％を用いて処理時間２分、処理温度４０℃で行い、
そして第二水和処理は燐酸二ナトリウム１％を用いて処
理時間２分、処理温度４０℃で行った。
酸１％を用いて処理時間２分、処理温度４０℃で行い、
そして第二水和処理は燐酸二ナトリウム１％を用いて処
理時間２分、処理温度４０℃で行った。
【００２３】実施の形態１７では、第一水和処理はほう
酸１％を用いて処理時間２分、処理温度６０℃で行い、
そして第二水和処理は燐酸二ナトリウム１％を用いて処
理時間２分、処理温度６０℃で行った。
酸１％を用いて処理時間２分、処理温度６０℃で行い、
そして第二水和処理は燐酸二ナトリウム１％を用いて処
理時間２分、処理温度６０℃で行った。
【００２４】実施の形態１８では、第一水和処理はほう
酸１％を用いて処理時間２分、処理温度６５℃で行い、
そして第二水和処理は燐酸二ナトリウム１％を用いて処
理時間２分、処理温度６５℃で行った。
酸１％を用いて処理時間２分、処理温度６５℃で行い、
そして第二水和処理は燐酸二ナトリウム１％を用いて処
理時間２分、処理温度６５℃で行った。
【００２５】比較例は、水和処理を９５℃の純水に２分
間浸漬して行い、３００℃で１分間の熱処理を行った後
本化成を行った。
間浸漬して行い、３００℃で１分間の熱処理を行った後
本化成を行った。
【００２６】本発明の実施の形態１０〜１８および比較
例に示した処理済み箔の静電容量を測定した結果を（表
２）に示す。
例に示した処理済み箔の静電容量を測定した結果を（表
２）に示す。
【００２７】
【表２】
【００２８】（表２）から明らかなように、比較例の静
電容量を１００とした場合、処理液数が２〜３種類、処
理温度が４０〜６０℃、処理時間が０．５〜３分の範囲
において、高い静電容量が得られるものである。
電容量を１００とした場合、処理液数が２〜３種類、処
理温度が４０〜６０℃、処理時間が０．５〜３分の範囲
において、高い静電容量が得られるものである。
【００２９】
【発明の効果】以上のように本発明のアルミ電解コンデ
ンサ用電極箔の製造方法は、エッチング処理されたアル
ミニウム箔を脱塩素処理し、その後、ｐＨの異なる複数
の処理液を用い、ｐＨの低い方から高い方へと順に水和
処理を行い、その後、熱処理を行い、さらにその後、化
成処理を行うようにしたもので、この製造方法によれ
ば、ｐＨの異なる複数の処理液を用い、ｐＨの低い方か
ら高い方へと順に水和処理を行うようにしているため、
緻密な水和皮膜を簡便にして均一に形成させることがで
き、これにより、化成処理においても、緻密でかつ均一
な化成皮膜を形成することができるため、高い静電容量
を得ることができるものである。
ンサ用電極箔の製造方法は、エッチング処理されたアル
ミニウム箔を脱塩素処理し、その後、ｐＨの異なる複数
の処理液を用い、ｐＨの低い方から高い方へと順に水和
処理を行い、その後、熱処理を行い、さらにその後、化
成処理を行うようにしたもので、この製造方法によれ
ば、ｐＨの異なる複数の処理液を用い、ｐＨの低い方か
ら高い方へと順に水和処理を行うようにしているため、
緻密な水和皮膜を簡便にして均一に形成させることがで
き、これにより、化成処理においても、緻密でかつ均一
な化成皮膜を形成することができるため、高い静電容量
を得ることができるものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 克之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 重城 明広 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 エッチング処理されたアルミニウム箔を
脱塩素処理し、その後、ｐＨの異なる複数の処理液を用
い、ｐＨの低い方から高い方へと順に水和処理を行い、
その後、熱処理を行い、さらにその後、化成処理を行う
ようにしたアルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法。 - 【請求項２】 水和処理における処理液のｐＨを５．５
〜１０の範囲に設定した請求項１に記載のアルミ電解コ
ンデンサ用電極箔の製造方法。 - 【請求項３】 水和処理における処理液数を２〜３種
類、処理温度を４０〜６０℃、１回の水和処理時間を
０．５〜３分の範囲に設定した請求項１に記載のアルミ
電解コンデンサ用電極箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19963497A JP3496465B2 (ja) | 1997-07-25 | 1997-07-25 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19963497A JP3496465B2 (ja) | 1997-07-25 | 1997-07-25 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1145826A true JPH1145826A (ja) | 1999-02-16 |
| JP3496465B2 JP3496465B2 (ja) | 2004-02-09 |
Family
ID=16411118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19963497A Expired - Fee Related JP3496465B2 (ja) | 1997-07-25 | 1997-07-25 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3496465B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008010490A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Nichicon Corp | 電解コンデンサ用電極の製造方法 |
| CN113764191A (zh) * | 2021-09-14 | 2021-12-07 | 南通海星电子股份有限公司 | 一种抑制Al（OH）3结晶生成的低压电极箔制造方法 |
-
1997
- 1997-07-25 JP JP19963497A patent/JP3496465B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008010490A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Nichicon Corp | 電解コンデンサ用電極の製造方法 |
| CN113764191A (zh) * | 2021-09-14 | 2021-12-07 | 南通海星电子股份有限公司 | 一种抑制Al（OH）3结晶生成的低压电极箔制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3496465B2 (ja) | 2004-02-09 |
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