JPH10172878A5 - - Google Patents
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- JPH10172878A5 JPH10172878A5 JP1996326669A JP32666996A JPH10172878A5 JP H10172878 A5 JPH10172878 A5 JP H10172878A5 JP 1996326669 A JP1996326669 A JP 1996326669A JP 32666996 A JP32666996 A JP 32666996A JP H10172878 A5 JPH10172878 A5 JP H10172878A5
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また、その照明光学系内にオプティカル・インテグレータ用のリレーレンズや光路折り曲げ用のミラー等が備えられている場合、その照明領域の切り換え時にこれらのリレーレンズやミラー等も切り換えるようにしてもよい。
また、本発明の別の走査型露光装置の調整方法は、照明光(IL)に対してマスク(R)と基板(W)とを同期走査することによりそのマスクのパターンの像を投影光学系(PL)を介してその基板上に転写する走査型露光装置の調整方法において、走査露光時における第1の照明領域(22)と異なる第2の照明領域(23)を設定し、その第2の照明領域のもとで、その投影光学系の結像特性を測定し、この測定結果に基づいてその投影光学系を調整するものである。
本発明によれば、例えばその第2の照明領域としてその第1の照明領域外の領域を含む広い領域を設定すれば、その投影光学系の特に規則的な結像特性(ディストーション、像面湾曲等)を2次元的に正確に把握することができ、それに基づいてその結像特性を所望の状態に高精度に調整できる。
本発明において、その第2の照明領域は、その第1の照明領域外の領域を含むことができる。
また、その投影光学系の結像特性は、その第1の照明領域外における結像特性を含むことができる。
また、その投影光学系の結像特性は、ディストーション又は像面湾曲を含むことができる。
また、本発明の別の走査型露光装置の調整方法は、照明光(IL)に対してマスク(R)と基板(W)とを同期走査することによりそのマスクのパターンの像を投影光学系(PL)を介してその基板上に転写する走査型露光装置の調整方法において、走査露光時における第1の照明領域(22)と異なる第2の照明領域(23)を設定し、その第2の照明領域のもとで、その投影光学系の結像特性を測定し、この測定結果に基づいてその投影光学系を調整するものである。
本発明によれば、例えばその第2の照明領域としてその第1の照明領域外の領域を含む広い領域を設定すれば、その投影光学系の特に規則的な結像特性(ディストーション、像面湾曲等)を2次元的に正確に把握することができ、それに基づいてその結像特性を所望の状態に高精度に調整できる。
本発明において、その第2の照明領域は、その第1の照明領域外の領域を含むことができる。
また、その投影光学系の結像特性は、その第1の照明領域外における結像特性を含むことができる。
また、その投影光学系の結像特性は、ディストーション又は像面湾曲を含むことができる。
Claims (11)
- 照明光に対してマスクと基板とを同期走査することにより前記マスクのパターンの像を投影光学系を介して前記基板上に転写する走査型露光装置の調整方法において、
前記照明光による照明領域を走査露光時と異なるように変更し、
該照明領域の変更後に、所定のマスクパターンの像を前記投影光学系を介して投影することにより前記投影光学系の結像特性を測定し、
該測定結果に基づいて前記投影光学系を調整することを特徴とする走査型露光装置の調整方法。 - 前記走査露光時における照明領域は、前記走査の方向を短辺方向とするスリット状であり、前記投影光学系の結像特性を測定する際の照明領域は前記走査の方向に関して前記スリット状の照明領域の外側を含むように変更されることを特徴とする請求項1に記載の走査型露光装置の調整方法。
- 前記投影光学系の結像特性を調整した後に、前記照明光による照明領域を走査露光時の照明領域に戻して、前記投影光学系の結像特性を確認することを特徴とする請求項1又は2に記載の走査型露光装置の調整方法。
- 光源からの照明光に対してマスクと基板とを同期して移動することにより前記マスクのパターンの像を投影光学系を介して前記基板上に転写する走査型露光装置において、
前記光源からの照明光による照明領域を変更可能な照明光学系と、
前記投影光学系の結像特性を測定するときと走査露光を行うときとで、前記照明光の照明領域が異なるように前記照明光学系の光学要素を制御する制御系と、
前記照明光の照明領域が走査露光を行うときとは異なる状態で測定された前記投影光学系の結像特性に応じて前記投影光学系を調整する調整系と、
を備えたことを特徴とする走査型露光装置。 - 前記投影光学系を介して投影された所定のマスクパターンの像を検出するセンサと、該センサの検出結果に基づいて前記投影光学系の結像特性を求める演算手段と、を更に備えたことを特徴とする請求項4に記載の走査型露光装置。
- 前記照明光学系は、前記照明光の照明領域を規定するための視野絞りを有し、
前記制御系は、前記投影光学系の結像特性を測定するときと走査露光を行うときとで前記照明光の照明領域が異なるように前記視野絞りを調整することを特徴とする請求項4又は5に記載の走査型露光装置。 - 前記照明光学系は、前記照明光の照度分布を均一化するためのオプティカル・インテグレータを切り換え可能に複数種類有し、前記投影光学系の結像特性を測定するときと走査露光を行うときとで前記オプティカル・インテグレータの切り換えを行うことを特徴とする請求項4、5、又は6に記載の走査型露光装置。
- 照明光に対してマスクと基板とを同期走査することにより前記マスクのパターンの像を投影光学系を介して前記基板上に転写する走査型露光装置の調整方法において、
走査露光時における第1の照明領域と異なる第2の照明領域を設定し、
前記第2の照明領域のもとで、前記投影光学系の結像特性を測定し、
該測定結果に基づいて前記投影光学系を調整することを特徴とする走査型露光装置の調整方法。 - 前記第2の照明領域は、前記第1の照明領域外の領域を含むことを特徴とする請求項8に記載の走査型露光装置の調整方法。
- 前記投影光学系の結像特性は、前記第1の照明領域外における結像特性を含むことを特徴とする請求項9に記載の走査型露光装置の調整方法。
- 前記投影光学系の結像特性は、ディストーション又は像面湾曲を含むことを特徴とする請求項8〜10のいずれか一項に記載の走査型露光装置の調整方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32666996A JP3728613B2 (ja) | 1996-12-06 | 1996-12-06 | 走査型露光装置の調整方法及び該方法を使用する走査型露光装置 |
| US09/465,696 US6310680B1 (en) | 1996-12-06 | 1999-12-17 | Method of adjusting a scanning exposure apparatus and scanning exposure apparatus using the method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32666996A JP3728613B2 (ja) | 1996-12-06 | 1996-12-06 | 走査型露光装置の調整方法及び該方法を使用する走査型露光装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10172878A JPH10172878A (ja) | 1998-06-26 |
| JPH10172878A5 true JPH10172878A5 (ja) | 2005-08-04 |
| JP3728613B2 JP3728613B2 (ja) | 2005-12-21 |
Family
ID=18190351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32666996A Expired - Fee Related JP3728613B2 (ja) | 1996-12-06 | 1996-12-06 | 走査型露光装置の調整方法及び該方法を使用する走査型露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6310680B1 (ja) |
| JP (1) | JP3728613B2 (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI283798B (en) * | 2000-01-20 | 2007-07-11 | Asml Netherlands Bv | A microlithography projection apparatus |
| JP2001265000A (ja) * | 2000-03-16 | 2001-09-28 | Toray Eng Co Ltd | レーザー露光装置 |
| US7561270B2 (en) | 2000-08-24 | 2009-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
| TW527526B (en) * | 2000-08-24 | 2003-04-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| US6753963B1 (en) * | 2000-10-26 | 2004-06-22 | General Phosphorix | Method of calibration of magnification of optical devices |
| JP4191923B2 (ja) * | 2001-11-02 | 2008-12-03 | 株式会社東芝 | 露光方法および露光装置 |
| KR101506408B1 (ko) | 2003-02-26 | 2015-03-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| EP1467253A1 (en) * | 2003-04-07 | 2004-10-13 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP3062152B1 (en) * | 2003-04-10 | 2017-12-20 | Nikon Corporation | Environmental system including vaccum scavenge for an immersion lithography apparatus |
| KR20180089562A (ko) | 2003-04-10 | 2018-08-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템 |
| WO2005006418A1 (ja) | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP3959383B2 (ja) | 2003-10-17 | 2007-08-15 | 株式会社東芝 | 露光装置補正システム、露光装置補正方法及び半導体装置製造方法 |
| JP4400200B2 (ja) * | 2003-12-10 | 2010-01-20 | セイコーエプソン株式会社 | 画像表示方法、画像表示装置および画像表示プログラム |
| KR101504445B1 (ko) | 2004-03-25 | 2015-03-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| DE112004002826T5 (de) * | 2004-06-08 | 2007-04-26 | Advantest Corporation | Bildsensor-Prüfsystem |
| TWI396225B (zh) * | 2004-07-23 | 2013-05-11 | 尼康股份有限公司 | 成像面測量方法、曝光方法、元件製造方法以及曝光裝置 |
| JPWO2007043535A1 (ja) * | 2005-10-07 | 2009-04-16 | 株式会社ニコン | 光学特性計測方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに検査装置及び計測方法 |
| JP5006711B2 (ja) * | 2007-06-27 | 2012-08-22 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| JP6338377B2 (ja) * | 2014-01-08 | 2018-06-06 | キヤノン株式会社 | 露光装置、および物品の製造方法 |
| JP2018045060A (ja) * | 2016-09-13 | 2018-03-22 | キヤノン株式会社 | 照明装置、露光装置及び物品の製造方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5117255A (en) | 1990-09-19 | 1992-05-26 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| US5473410A (en) | 1990-11-28 | 1995-12-05 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| US6078380A (en) * | 1991-10-08 | 2000-06-20 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method involving variation and correction of light intensity distributions, detection and control of imaging characteristics, and control of exposure |
| JP2946950B2 (ja) * | 1992-06-25 | 1999-09-13 | キヤノン株式会社 | 照明装置及びそれを用いた露光装置 |
| US5591958A (en) * | 1993-06-14 | 1997-01-07 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus |
| JP3255312B2 (ja) * | 1993-04-28 | 2002-02-12 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
| US5581324A (en) | 1993-06-10 | 1996-12-03 | Nikon Corporation | Thermal distortion compensated projection exposure method and apparatus for manufacturing semiconductors |
| JP3374991B2 (ja) | 1993-06-14 | 2003-02-10 | 株式会社ニコン | 投影光学系の調整方法、露光方法、及び露光装置 |
| JP3451604B2 (ja) | 1994-06-17 | 2003-09-29 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置 |
| JPH08115872A (ja) | 1994-10-13 | 1996-05-07 | Nikon Corp | 露光装置 |
| KR960042227A (ko) | 1995-05-19 | 1996-12-21 | 오노 시게오 | 투영노광장치 |
-
1996
- 1996-12-06 JP JP32666996A patent/JP3728613B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-12-17 US US09/465,696 patent/US6310680B1/en not_active Expired - Fee Related
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