JPH0265222A - 半導体装置の露光装置 - Google Patents
半導体装置の露光装置Info
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- JPH0265222A JPH0265222A JP63217934A JP21793488A JPH0265222A JP H0265222 A JPH0265222 A JP H0265222A JP 63217934 A JP63217934 A JP 63217934A JP 21793488 A JP21793488 A JP 21793488A JP H0265222 A JPH0265222 A JP H0265222A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
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- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
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- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造に際してフォトリソグラフィ
技術に用いられる露光装置に関し、特に寸法変動の少な
いパターン転写を可能とした露光装置に関する。
技術に用いられる露光装置に関し、特に寸法変動の少な
いパターン転写を可能とした露光装置に関する。
従来、この種の露光装置を用いて行うフォトリソグラフ
ィ技術では、露光に用いる紫外線の強度が変動すると、
パターン転写を行うフォトレジストに対する露光量が変
動し、パターン幅寸法等にばらつきが生じて高精度のパ
ターン転写を行うことが難しい。このため、従来の露光
装置では、人間が紫外線強度計測用センサを露光装置内
に挿入して強度測定を行い、露光装置の強度調整ダイヤ
ルにて紫外線強度を一定に保持するように手動調整を行
っている。
ィ技術では、露光に用いる紫外線の強度が変動すると、
パターン転写を行うフォトレジストに対する露光量が変
動し、パターン幅寸法等にばらつきが生じて高精度のパ
ターン転写を行うことが難しい。このため、従来の露光
装置では、人間が紫外線強度計測用センサを露光装置内
に挿入して強度測定を行い、露光装置の強度調整ダイヤ
ルにて紫外線強度を一定に保持するように手動調整を行
っている。
上述した従来の露光装置では、−度紫外線強度の調整を
実施した後でも、次の強度調整までの間に強度の変動が
あった場合には、変動した分に対して強度が補正される
ことはない。このため、上述したような露光量の過不足
が生じ、露光された半導体装置のフォトレジストパター
ンの寸法が変動してしまうという問題がある。
実施した後でも、次の強度調整までの間に強度の変動が
あった場合には、変動した分に対して強度が補正される
ことはない。このため、上述したような露光量の過不足
が生じ、露光された半導体装置のフォトレジストパター
ンの寸法が変動してしまうという問題がある。
本発明は露光強度を自動的に補正、調整してパターン寸
法の変動を防止する半導体装置の露光装置を提供するこ
とを目的とする。
法の変動を防止する半導体装置の露光装置を提供するこ
とを目的とする。
本発明の半導体装置の露光装置は、スリットを通した紫
外線の強度を計測する計測部と、この計測値に基づいて
予め記憶したデータから紫外線強度の補正量を決定する
データ処理部と、この補正量に基づいてスリットの幅と
半導体基板等を走査させるキャリッジの速度を夫々制御
するコントローラとを備えている。
外線の強度を計測する計測部と、この計測値に基づいて
予め記憶したデータから紫外線強度の補正量を決定する
データ処理部と、この補正量に基づいてスリットの幅と
半導体基板等を走査させるキャリッジの速度を夫々制御
するコントローラとを備えている。
上述した構成では、紫外線強度の変動に対応してスリッ
ト幅及びキャリッジ速度を補正し、半導体基板に対して
常に一定の強度による紫外線露光を行い、露光強度の変
動による転写パターン幅の変動を防止する。
ト幅及びキャリッジ速度を補正し、半導体基板に対して
常に一定の強度による紫外線露光を行い、露光強度の変
動による転写パターン幅の変動を防止する。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の正面構成図である。
図において、１は光源としての紫外線を発生ずる水銀ラ
ンプであり、ここから射出された紫外線は光路２上に配
設したスリット３で絞られ、ハーフミラ−４で反射され
てフォトマスク５を照射する。
ンプであり、ここから射出された紫外線は光路２上に配
設したスリット３で絞られ、ハーフミラ−４で反射され
てフォトマスク５を照射する。
更に、紫外線は光学系６を通り、半導体基板７上にフォ
トマスクパターンを結像させる。なお、フォトマスク５
．光学系６．及び半導体基板７は走査用のキャリッジ８
に搭載されている。
トマスクパターンを結像させる。なお、フォトマスク５
．光学系６．及び半導体基板７は走査用のキャリッジ８
に搭載されている。
そして、前記ハーフミラ−４の背後には、紫外線の一部
を検出する紫外線強度計測部９を配設し、これをデータ
処理部１０に接続している。このデータ処理部１０は予
め紫外線強度の補正量が記憶された記憶部を有しており
、検出した紫外線強度をこの記憶部の補正量と比較し、
その結果に基づいて前記スリット３の幅を制御するコン
トローラ１１と、前記キャリッジ８の移動速度を制御す
るコントローラ１２を制御する。
を検出する紫外線強度計測部９を配設し、これをデータ
処理部１０に接続している。このデータ処理部１０は予
め紫外線強度の補正量が記憶された記憶部を有しており
、検出した紫外線強度をこの記憶部の補正量と比較し、
その結果に基づいて前記スリット３の幅を制御するコン
トローラ１１と、前記キャリッジ８の移動速度を制御す
るコントローラ１２を制御する。
この構成によれば、第２図及び第３図にフローチャート
を示すように、紫外線強度計測部９はスリット３を通っ
た紫外線の強度を計測し、そのデータをデータ処理部１
０へ出力する。このデータ処理部１０では計測値と記憶
値との比較から、好適な露光時間の補正量を決定し、ス
リットコントローラ１１でスリット幅を調整して半導体
基板７に照射される紫外線の強度を制御し、同時にキャ
リッジコントローラ１２でキャリッジ８の移動速度を調
整して、半導体基板に対する露光量を制御する。
を示すように、紫外線強度計測部９はスリット３を通っ
た紫外線の強度を計測し、そのデータをデータ処理部１
０へ出力する。このデータ処理部１０では計測値と記憶
値との比較から、好適な露光時間の補正量を決定し、ス
リットコントローラ１１でスリット幅を調整して半導体
基板７に照射される紫外線の強度を制御し、同時にキャ
リッジコントローラ１２でキャリッジ８の移動速度を調
整して、半導体基板に対する露光量を制御する。
なお、スリット幅の調整と、キャリッジ速度の調整は、
両者を選択的に行ってもよく、或いは両者を同時に行っ
てもよい。
両者を選択的に行ってもよく、或いは両者を同時に行っ
てもよい。
したがって、この構成によれば、紫外線の強度が変化し
た場合でも、これに対応してスリット幅やキャリッジ速
度を自動的に補正し、半導体基板７に対する紫外線照度
を常に一定に保持することが可能となる。これにより、
フォトレジストに対する露光量を一定にし、転写パター
ンの幅を均一にして高精度のパターン転写を実現する。
た場合でも、これに対応してスリット幅やキャリッジ速
度を自動的に補正し、半導体基板７に対する紫外線照度
を常に一定に保持することが可能となる。これにより、
フォトレジストに対する露光量を一定にし、転写パター
ンの幅を均一にして高精度のパターン転写を実現する。
以上説明したように本発明は、紫外線の強度を計測部で
計測した上で、予め記憶したデータからその補正量を決
定し、かつこの補正量に基づいてスリット幅とキャリッ
ジ速度を夫々制御するように構成しているので、紫外線
強度の変動に対応してスリット幅及びキャリッジ速度を
補正し、半導体基板に対して常に一定の強度による紫外
線露光を行って、紫外線強度のばらつきによるフォトレ
ジストパターンの寸法のばらつきを低減できる効果があ
る。
計測した上で、予め記憶したデータからその補正量を決
定し、かつこの補正量に基づいてスリット幅とキャリッ
ジ速度を夫々制御するように構成しているので、紫外線
強度の変動に対応してスリット幅及びキャリッジ速度を
補正し、半導体基板に対して常に一定の強度による紫外
線露光を行って、紫外線強度のばらつきによるフォトレ
ジストパターンの寸法のばらつきを低減できる効果があ
る。
第１図は本発明の一実施例の正面構成図、第２図及び第
３図は夫々露光量を補正する際の工程を示すフローチャ
ートである。 １・・・水銀ランプ、２・・・光路、３・・・スリット
、４・・・ハーフミラ−１５・・・フォトマスク、６・
・・光学系、７・・・半導体基板、８・・・キャリッジ
、９・・・紫外線強度計測部、１０・・・データ処理部
、１１・・・スリットコントローラ、１２・・・キャリ
ッジコントローラ。
３図は夫々露光量を補正する際の工程を示すフローチャ
ートである。 １・・・水銀ランプ、２・・・光路、３・・・スリット
、４・・・ハーフミラ−１５・・・フォトマスク、６・
・・光学系、７・・・半導体基板、８・・・キャリッジ
、９・・・紫外線強度計測部、１０・・・データ処理部
、１１・・・スリットコントローラ、１２・・・キャリ
ッジコントローラ。
Claims (1)
- １、フォトマスク、半導体基板等をキャリッジで移動さ
せながらスリットを通した紫外線を照射させる構成の露
光装置において、前記紫外線の強度を計測する計測部と
、この計測値に基づいて予め記憶したデータから紫外線
強度の補正量を決定するデータ処理部と、この補正量に
基づいて前記スリットの幅とキャリッジの速度を夫々制
御するコントローラとを備えることを特徴とする半導体
装置の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63217934A JP2729058B2 (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 半導体装置の露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63217934A JP2729058B2 (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 半導体装置の露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0265222A true JPH0265222A (ja) | 1990-03-05 |
| JP2729058B2 JP2729058B2 (ja) | 1998-03-18 |
Family
ID=16712001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63217934A Expired - Lifetime JP2729058B2 (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 半導体装置の露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2729058B2 (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0855793A (ja) * | 1995-08-29 | 1996-02-27 | Nikon Corp | 走査露光方法と走査露光装置 |
| JPH08250402A (ja) * | 1995-03-15 | 1996-09-27 | Nikon Corp | 走査型露光方法及び装置 |
| KR970022562A (ko) * | 1995-10-12 | 1997-05-30 | 김광호 | 노광장치 |
| US6100515A (en) * | 1993-06-14 | 2000-08-08 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus in which a mask and a substrate are moved at different scan velocities and exposure parameters are varied |
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| US6900879B2 (en) | 1993-05-28 | 2005-05-31 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
| US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
| US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
-
1988
- 1988-08-31 JP JP63217934A patent/JP2729058B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH0855793A (ja) * | 1995-08-29 | 1996-02-27 | Nikon Corp | 走査露光方法と走査露光装置 |
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| US9885959B2 (en) | 2003-04-09 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator |
| US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US9760014B2 (en) | 2003-10-28 | 2017-09-12 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US10281632B2 (en) | 2003-11-20 | 2019-05-07 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction |
| US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
| US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US10234770B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-19 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US10007194B2 (en) | 2004-02-06 | 2018-06-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
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| US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2729058B2 (ja) | 1998-03-18 |
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