JPH10172890A5 - - Google Patents
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- JPH10172890A5 JPH10172890A5 JP1996331846A JP33184696A JPH10172890A5 JP H10172890 A5 JPH10172890 A5 JP H10172890A5 JP 1996331846 A JP1996331846 A JP 1996331846A JP 33184696 A JP33184696 A JP 33184696A JP H10172890 A5 JPH10172890 A5 JP H10172890A5
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【発明の名称】投影露光方法及び装置
【0014】
また、マスク(1)のパターン像の投影位置とマーク検出系(16)の検出位置との相対間隔を最初に求める際に、マスク(1)の複数個の位置合わせ用マーク(22A,23A〜22C,23C)の像の投影位置をそれぞれ計測し(ステップ103〜106)、この計測結果に基づいて、そのマスクのパターン像の投影位置とマーク検出系(16)の検出位置との相対間隔(ベースライン量)を決定する(ステップ107,109)ようにしてもよい。これによって、平均化効果が得られるため、より高精度にベースライン量が計測される。
次に、本発明による投影露光装置は、感光基板(5)上の位置合わせ用マークの位置をマーク検出系(16)を用いて検出することによりその感光基板とマスク(1)とを位置合わせすると共に、このマスクとその感光基板とを同期走査することによってそのマスクのパターンをその感光基板上に転写露光する投影露光装置において、そのマスク上にその走査の方向に沿って形成された複数個の位置合わせ用マーク(22A,23A〜22C,23C)の内の第1マーク(22A,23A)及び第2マーク(22C,23C)がそれぞれ所定位置に来るようにそのマスクを位置決めするステージ(2)と、その第1マーク及びその第2マークの像の投影位置を順次計測するアライメント顕微鏡(10,11)と、その第1マーク及びその第2マークの像の投影位置に基づいて、そのマスクのパターン像の投影位置とそのマーク検出系の検出位置との相対間隔を求めると共に、そのマスクのその走査の方向の倍率誤差を求める演算処理手段(9)とを有するものである。本発明の投影露光装置を用いることによって、本発明の投影露光方法を使用できる。
この場合、そのマスク上の複数個の位置合わせ用マークに対応して、その感光基板が載置されるステージ(6)上にその走査の方向に沿って複数個の基準マーク(24A,25A〜24C,25C)が形成されていてもよい。これによって、総合的なマスクの走査方向の倍率誤差が求められる。
また、マスク(1)のパターン像の投影位置とマーク検出系(16)の検出位置との相対間隔を最初に求める際に、マスク(1)の複数個の位置合わせ用マーク(22A,23A〜22C,23C)の像の投影位置をそれぞれ計測し(ステップ103〜106)、この計測結果に基づいて、そのマスクのパターン像の投影位置とマーク検出系(16)の検出位置との相対間隔(ベースライン量)を決定する(ステップ107,109)ようにしてもよい。これによって、平均化効果が得られるため、より高精度にベースライン量が計測される。
次に、本発明による投影露光装置は、感光基板(5)上の位置合わせ用マークの位置をマーク検出系(16)を用いて検出することによりその感光基板とマスク(1)とを位置合わせすると共に、このマスクとその感光基板とを同期走査することによってそのマスクのパターンをその感光基板上に転写露光する投影露光装置において、そのマスク上にその走査の方向に沿って形成された複数個の位置合わせ用マーク(22A,23A〜22C,23C)の内の第1マーク(22A,23A)及び第2マーク(22C,23C)がそれぞれ所定位置に来るようにそのマスクを位置決めするステージ(2)と、その第1マーク及びその第2マークの像の投影位置を順次計測するアライメント顕微鏡(10,11)と、その第1マーク及びその第2マークの像の投影位置に基づいて、そのマスクのパターン像の投影位置とそのマーク検出系の検出位置との相対間隔を求めると共に、そのマスクのその走査の方向の倍率誤差を求める演算処理手段(9)とを有するものである。本発明の投影露光装置を用いることによって、本発明の投影露光方法を使用できる。
この場合、そのマスク上の複数個の位置合わせ用マークに対応して、その感光基板が載置されるステージ(6)上にその走査の方向に沿って複数個の基準マーク(24A,25A〜24C,25C)が形成されていてもよい。これによって、総合的なマスクの走査方向の倍率誤差が求められる。
【0058】
また、マスクのパターン像の投影位置とマーク検出系の検出位置との相対間隔を最初に求める際に、そのマスクの複数個の位置合わせ用マークの像の投影位置をそれぞれ計測し、この計測結果に基づいて、そのマスクのパターン像の投影位置とそのマーク検出系の検出位置との相対間隔(ベースライン量)を決定する場合には、平均化効果によってそのマーク検出系のベースライン量をより高精度に求めることができる。
また、本発明の投影露光装置によれば、本発明の投影露光方法を使用できる。
また、マスクのパターン像の投影位置とマーク検出系の検出位置との相対間隔を最初に求める際に、そのマスクの複数個の位置合わせ用マークの像の投影位置をそれぞれ計測し、この計測結果に基づいて、そのマスクのパターン像の投影位置とそのマーク検出系の検出位置との相対間隔(ベースライン量)を決定する場合には、平均化効果によってそのマーク検出系のベースライン量をより高精度に求めることができる。
また、本発明の投影露光装置によれば、本発明の投影露光方法を使用できる。
Claims (5)
- 感光基板上の位置合わせ用マークの位置をマーク検出系を用いて検出することにより前記感光基板とマスクとを位置合わせすると共に、該マスクと前記感光基板とを同期走査することによって前記マスクのパターンを前記感光基板上に転写露光する投影露光方法において、
前記マスク上に前記走査の方向に沿って形成された複数個の位置合わせ用マークの内の一つのマークである第1マークが所定位置に来るように前記マスクを位置決めすると共に、該第1マークの像の投影位置を計測するステップと、
該第1マークの像の投影位置に基づいて、前記マスクのパターン像の投影位置と前記マーク検出系の検出位置との相対間隔を求めるステップと、
所定枚数の感光基板のそれぞれについて前記マーク検出系による検出結果、及び前記相対間隔に基づき前記マスクに対する位置合わせを行って前記マスクのパターンを転写露光した後に、前記マスク上の複数個の位置合わせ用マークの内の前記第1マークとは異なる第2マークが前記所定位置に来るように前記マスクを位置決めすると共に、該第2マークの像の投影位置を計測するステップと、
該第2マークの像の投影位置に基づいて、前記マスクのパターン像の投影位置と前記マーク検出系の検出位置との相対間隔を新たに求めると共に、前記第1マークの像の投影位置と前記第2マークの像の投影位置とに基づいて、前記マスクの前記走査の方向の倍率誤差を求めるステップと、
を有することを特徴とする投影露光方法。 - 前記マスク上の複数個の位置合わせ用マークに対応して、前記感光基板が載置されるステージ上に前記走査の方向に沿って複数個の基準マークを形成しておき、
前記マスクを移動して前記マスクの複数個の位置合わせ用マークの内の一つのマークを前記所定位置に位置決めする際に、前記ステージを移動して前記複数個の基準マーク中の対応する一つの基準マークを前記所定位置に対応する位置に位置決めすることを特徴とする請求項1に記載の投影露光方法。 - 前記マスクのパターン像の投影位置と前記マーク検出系の検出位置との相対間隔を最初に求める際に、前記マスクの複数個の位置合わせ用マークの像の投影位置をそれぞれ計測し、
該計測結果に基づいて、前記マスクのパターン像の投影位置と前記マーク検出系の検出位置との相対間隔を決定することを特徴とする請求項1又は2に記載の投影露光方法。 - 感光基板上の位置合わせ用マークの位置をマーク検出系を用いて検出することにより前記感光基板とマスクとを位置合わせすると共に、該マスクと前記感光基板とを同期走査することによって前記マスクのパターンを前記感光基板上に転写露光する投影露光装置において、
前記マスク上に前記走査の方向に沿って形成された複数個の位置合わせ用マークの内の第1マーク及び第2マークがそれぞれ所定位置に来るように前記マスクを位置決めするステージと、
前記第1マーク及び前記第2マークの像の投影位置を順次計測するアライメント顕微鏡と、
前記第1マーク及び前記第2マークの像の投影位置に基づいて、前記マスクのパターン像の投影位置と前記マーク検出系の検出位置との相対間隔を求めると共に、前記マスクの前記走査の方向の倍率誤差を求める演算処理手段とを有することを特徴とする投影露光装置。 - 前記マスク上の複数個の位置合わせ用マークに対応して、前記感光基板が載置されるステージ上に前記走査の方向に沿って複数個の基準マークが形成されていることを特徴とする請求項4に記載の投影露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8331846A JPH10172890A (ja) | 1996-12-12 | 1996-12-12 | 投影露光方法 |
| US08/989,518 US5981116A (en) | 1996-12-12 | 1997-12-12 | Alignment in a projection exposure method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8331846A JPH10172890A (ja) | 1996-12-12 | 1996-12-12 | 投影露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10172890A JPH10172890A (ja) | 1998-06-26 |
| JPH10172890A5 true JPH10172890A5 (ja) | 2004-12-24 |
Family
ID=18248318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8331846A Pending JPH10172890A (ja) | 1996-12-12 | 1996-12-12 | 投影露光方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5981116A (ja) |
| JP (1) | JPH10172890A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7289230B2 (en) * | 2002-02-06 | 2007-10-30 | Cyberoptics Semiconductors, Inc. | Wireless substrate-like sensor |
| US20050233770A1 (en) * | 2002-02-06 | 2005-10-20 | Ramsey Craig C | Wireless substrate-like sensor |
| US20050224902A1 (en) * | 2002-02-06 | 2005-10-13 | Ramsey Craig C | Wireless substrate-like sensor |
| JP3873811B2 (ja) * | 2002-05-15 | 2007-01-31 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US7119351B2 (en) | 2002-05-17 | 2006-10-10 | Gsi Group Corporation | Method and system for machine vision-based feature detection and mark verification in a workpiece or wafer marking system |
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| US7893697B2 (en) | 2006-02-21 | 2011-02-22 | Cyberoptics Semiconductor, Inc. | Capacitive distance sensing in semiconductor processing tools |
| DE112007002309T5 (de) * | 2006-09-29 | 2009-07-30 | Cyberoptics Semiconductor, Inc., Beaverton | Substratähnlicher Teilchensensor |
| US7778793B2 (en) * | 2007-03-12 | 2010-08-17 | Cyberoptics Semiconductor, Inc. | Wireless sensor for semiconductor processing systems |
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Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3412704B2 (ja) * | 1993-02-26 | 2003-06-03 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 |
-
1996
- 1996-12-12 JP JP8331846A patent/JPH10172890A/ja active Pending
-
1997
- 1997-12-12 US US08/989,518 patent/US5981116A/en not_active Expired - Fee Related
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