JPH10173286A - 多電極型の半導体レーザアレイ装置 - Google Patents
多電極型の半導体レーザアレイ装置Info
- Publication number
- JPH10173286A JPH10173286A JP34663896A JP34663896A JPH10173286A JP H10173286 A JPH10173286 A JP H10173286A JP 34663896 A JP34663896 A JP 34663896A JP 34663896 A JP34663896 A JP 34663896A JP H10173286 A JPH10173286 A JP H10173286A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】多電極型の半導体レーザアレイ装置において、
各素子用電極とステム等に設けられた駆動用電極とを金
ワイヤによって配線する際に、電極パッドを効率的に配
置して、金ワイヤ同士の接触を避けることにある。 【解決手段】各レーザが導波路２の方向に複数の電極３
を有する半導体レーザアレイ装置１である。各電極３に
金ワイヤを取付ける電極パッド部４の、レーザ導波路２
とはほぼ垂直な面への投影像が、複数の電極３間で重な
らない部分を有するように各電極３の形状が構成されて
いる。
各素子用電極とステム等に設けられた駆動用電極とを金
ワイヤによって配線する際に、電極パッドを効率的に配
置して、金ワイヤ同士の接触を避けることにある。 【解決手段】各レーザが導波路２の方向に複数の電極３
を有する半導体レーザアレイ装置１である。各電極３に
金ワイヤを取付ける電極パッド部４の、レーザ導波路２
とはほぼ垂直な面への投影像が、複数の電極３間で重な
らない部分を有するように各電極３の形状が構成されて
いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多電極から構成さ
れる半導体レーザを複数集積化した半導体レーザアレイ
装置に関する。
れる半導体レーザを複数集積化した半導体レーザアレイ
装置に関する。
【０００２】
【従来技術】単体の半導体レーザにおいて多電極化を行
った場合、図５に示すように電極取り出しは、半導体レ
ーザ５０の側面にステム電極５４を配置して、金ワイヤ
５２によって素子電極５１との間で配線を行っていた。
尚、図５において、５０は活性層５０ａを有するリッジ
型導波路の半導体レーザであり、５３はネジなどが入る
位置決め用の孔５３ａが形成されたレーザステムであ
り、５５は半導体レーザ５０が載置されたヒートシンク
である。
った場合、図５に示すように電極取り出しは、半導体レ
ーザ５０の側面にステム電極５４を配置して、金ワイヤ
５２によって素子電極５１との間で配線を行っていた。
尚、図５において、５０は活性層５０ａを有するリッジ
型導波路の半導体レーザであり、５３はネジなどが入る
位置決め用の孔５３ａが形成されたレーザステムであ
り、５５は半導体レーザ５０が載置されたヒートシンク
である。
【０００３】また、図６に示すように、レーザステム６
３上のヒートシンク６２に載置された単電極の半導体レ
ーザアレイ装置６０等では、ステム電極６４を半導体レ
ーザアレイ装置６０のすぐ後方に配置することによっ
て、金ワイヤ６１は重なることなく配線されていた。
３上のヒートシンク６２に載置された単電極の半導体レ
ーザアレイ装置６０等では、ステム電極６４を半導体レ
ーザアレイ装置６０のすぐ後方に配置することによっ
て、金ワイヤ６１は重なることなく配線されていた。
【０００４】更に、多電極型の半導体レーザアレイ装置
７０では、図７に示すように導波路７１の伸長方向に分
割して配置された電極７２によって金ワイヤ（不図示）
を配線していた。７３は電極パッド部である。
７０では、図７に示すように導波路７１の伸長方向に分
割して配置された電極７２によって金ワイヤ（不図示）
を配線していた。７３は電極パッド部である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図７の
上記多電極型半導体レーザアレイ装置の従来例において
は以下の難点があった。従来技術における電極７２の配
置では、レーザ導波路７１の方向およびレーザの配列方
向ともに電極が並び、金ワイヤによる配線を行う際に隣
り合う金ワイヤが接触する事故が発生していた。
上記多電極型半導体レーザアレイ装置の従来例において
は以下の難点があった。従来技術における電極７２の配
置では、レーザ導波路７１の方向およびレーザの配列方
向ともに電極が並び、金ワイヤによる配線を行う際に隣
り合う金ワイヤが接触する事故が発生していた。
【０００６】従って、本出願に係る第１の発明（特許請
求の範囲の請求項１に係る発明）の目的は、多電極型の
半導体レーザアレイ装置において、各素子用電極とステ
ム等に設けられた駆動用電極とを金ワイヤによって配線
する際に、電極パッドを効率的に配置して、金ワイヤ同
士の接触を避けることにある。
求の範囲の請求項１に係る発明）の目的は、多電極型の
半導体レーザアレイ装置において、各素子用電極とステ
ム等に設けられた駆動用電極とを金ワイヤによって配線
する際に、電極パッドを効率的に配置して、金ワイヤ同
士の接触を避けることにある。
【０００７】本出願に係る第２および第３の発明（特許
請求の範囲の請求項２、３に係る発明）の目的は、多電
極型の半導体レーザアレイ装置において、電極パッド部
を効率的に配置する際に、半導体レーザアレイ装置の上
部面積を有効に使い、各素子を小型化することにある。
請求の範囲の請求項２、３に係る発明）の目的は、多電
極型の半導体レーザアレイ装置において、電極パッド部
を効率的に配置する際に、半導体レーザアレイ装置の上
部面積を有効に使い、各素子を小型化することにある。
【０００８】本出願に係る第４の発明（特許請求の範囲
の請求項４に係る発明）の目的は、多電極型の半導体レ
ーザアレイ装置において、電極パッドを効率的に配置す
る際に、半導体レーザアレイ装置の上部面積を有効に使
い、各素子を小型化するとともに、素子分離位置を２つ
の素子のできるだけ中央とし、レーザ導波路より遠ざけ
ることにある。
の請求項４に係る発明）の目的は、多電極型の半導体レ
ーザアレイ装置において、電極パッドを効率的に配置す
る際に、半導体レーザアレイ装置の上部面積を有効に使
い、各素子を小型化するとともに、素子分離位置を２つ
の素子のできるだけ中央とし、レーザ導波路より遠ざけ
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するため、本出願に係る第１の発明は、各レーザ素子
が導波路方向に複数の電極を有する半導体レーザアレイ
装置において、各電極に金ワイヤを取付ける電極パッド
部の、レーザ導波路の伸長方向とはほぼ垂直な面への投
影像が、該複数の電極間で重ならない部分を有するよう
に各電極の形状が構成されていることを特徴とする。
成するため、本出願に係る第１の発明は、各レーザ素子
が導波路方向に複数の電極を有する半導体レーザアレイ
装置において、各電極に金ワイヤを取付ける電極パッド
部の、レーザ導波路の伸長方向とはほぼ垂直な面への投
影像が、該複数の電極間で重ならない部分を有するよう
に各電極の形状が構成されていることを特徴とする。
【００１０】上記構成によって、金ワイヤを接触させる
ことなく電極パッド部に取付けることが容易となる。
ことなく電極パッド部に取付けることが容易となる。
【００１１】また、本出願に係る第２から第４の発明
は、電極パッド部が前記半導体レーザアレイ装置の隣り
合う２つのレーザ導波路間に配置されることを特徴とす
る。詳細には、本出願に係る第２の発明は、電極パッド
部が半導体レーザアレイ装置の隣り合う２つのレーザ導
波路間に配置されることを特徴とする。本出願に係る第
３の発明は、各レーザに属する複数の電極パッド部は全
てその導波路の片側に存在し、且つ、引き出し長さが異
なることを特徴とする。本出願に係る第４の発明は、各
レーザに属する複数の電極パッド部のうち少なくとも１
つは、他の電極パッド部に対してそのレーザ導波路の反
対側に配置されていることを特徴とする。
は、電極パッド部が前記半導体レーザアレイ装置の隣り
合う２つのレーザ導波路間に配置されることを特徴とす
る。詳細には、本出願に係る第２の発明は、電極パッド
部が半導体レーザアレイ装置の隣り合う２つのレーザ導
波路間に配置されることを特徴とする。本出願に係る第
３の発明は、各レーザに属する複数の電極パッド部は全
てその導波路の片側に存在し、且つ、引き出し長さが異
なることを特徴とする。本出願に係る第４の発明は、各
レーザに属する複数の電極パッド部のうち少なくとも１
つは、他の電極パッド部に対してそのレーザ導波路の反
対側に配置されていることを特徴とする。
【００１２】上記構成によって、電極パッド部をレーザ
共振器の後方に引き廻しする必要がなくなるため（図７
の構成では、電極パッド部を後方に引き廻して、そこか
ら金ワイヤを配線するなどの工夫をする必要がある）、
素子寸法の小型化が図れる。さらには、レーザ共振器端
面の後方に空間があるので、例えば、ここに高反射膜を
施すことも容易となり、レーザアレイ装置の機能を高め
ることも行える。
共振器の後方に引き廻しする必要がなくなるため（図７
の構成では、電極パッド部を後方に引き廻して、そこか
ら金ワイヤを配線するなどの工夫をする必要がある）、
素子寸法の小型化が図れる。さらには、レーザ共振器端
面の後方に空間があるので、例えば、ここに高反射膜を
施すことも容易となり、レーザアレイ装置の機能を高め
ることも行える。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は本発明の第１実施例を表す
上面図であり、１は半導体レーザアレイ装置、２はレー
ザ導波路、３は素子電極、４の斜線部は電極パッド部で
ある。レーザの構造（ＤＦＢ構造等）及びレーザ導波路
の構造（リッジ構造等）はどの様なものでもよい。レー
ザ導波路２には共振器方向で分割された２つの電極３が
形成されている。その電極３は一方では（図１において
は左側）、均等に短く形成され、他方では（図１におい
ては右側）、１つのレーザ導波路２に形成された電極３
は引き出し長さが異なっている。
上面図であり、１は半導体レーザアレイ装置、２はレー
ザ導波路、３は素子電極、４の斜線部は電極パッド部で
ある。レーザの構造（ＤＦＢ構造等）及びレーザ導波路
の構造（リッジ構造等）はどの様なものでもよい。レー
ザ導波路２には共振器方向で分割された２つの電極３が
形成されている。その電極３は一方では（図１において
は左側）、均等に短く形成され、他方では（図１におい
ては右側）、１つのレーザ導波路２に形成された電極３
は引き出し長さが異なっている。
【００１４】また、図２に示したように電極３が３つに
なった場合も同様で、電極パッド部４側は３つの電極３
がそれぞれ引き出し長さが異なっており、パッド４の位
置が、レーザ導波路２が並んだ方向において重ならない
部分が存在する様に配置されている。
なった場合も同様で、電極パッド部４側は３つの電極３
がそれぞれ引き出し長さが異なっており、パッド４の位
置が、レーザ導波路２が並んだ方向において重ならない
部分が存在する様に配置されている。
【００１５】また、他の実施例としては図３および図４
に示すものがある。前記実施例に比べ、２つ乃至３つの
電極パッド部４のうち１つを他の電極パッド部とは導波
路２の反対側に配置するものである。これにより、電極
パッド部４まで含めて１素子と考えると、１素子の境界
（図１乃至図４において１点鎖線で示す）は導波路２に
対して第１の実施例よりも離れ、半導体レーザアレイ装
置１を切り出す際に作業性が向上し、半導体レーザアレ
イ装置のうち、端に位置するレーザの歩留まりも向上す
る。さらには、電極パッド部４がレーザ導波路２間の中
央近くに配列されるため、導波路２近傍にワイヤボンデ
ィングを行う必要がなく、レーザ導波路２へのダメージ
を考慮する必要がない。
に示すものがある。前記実施例に比べ、２つ乃至３つの
電極パッド部４のうち１つを他の電極パッド部とは導波
路２の反対側に配置するものである。これにより、電極
パッド部４まで含めて１素子と考えると、１素子の境界
（図１乃至図４において１点鎖線で示す）は導波路２に
対して第１の実施例よりも離れ、半導体レーザアレイ装
置１を切り出す際に作業性が向上し、半導体レーザアレ
イ装置のうち、端に位置するレーザの歩留まりも向上す
る。さらには、電極パッド部４がレーザ導波路２間の中
央近くに配列されるため、導波路２近傍にワイヤボンデ
ィングを行う必要がなく、レーザ導波路２へのダメージ
を考慮する必要がない。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本出願に係る第１
の発明によれば、素子電極とステム等に設けられた駆動
電極とを金ワイヤによって配線する際に、電極パッド部
が効率良く配置されているために、隣り合う金ワイヤが
接触することなく多電極半導体レーザアレイ装置の配線
が行える。
の発明によれば、素子電極とステム等に設けられた駆動
電極とを金ワイヤによって配線する際に、電極パッド部
が効率良く配置されているために、隣り合う金ワイヤが
接触することなく多電極半導体レーザアレイ装置の配線
が行える。
【００１７】また、本出願に係る第２、第３の発明によ
れば、半導体レーザアレイ装置の導波路間のスペースを
有効に利用して電極パッドを配置するために、各素子全
体が小型化される。
れば、半導体レーザアレイ装置の導波路間のスペースを
有効に利用して電極パッドを配置するために、各素子全
体が小型化される。
【００１８】また、本出願に係る第４の発明によれば、
半導体レーザアレイ装置の導波路間のスペースを有効に
利用して電極パッドを配置できるため、各素子全体を小
型化できる。また、素子分離位置をレーザ導波路より離
すため、レーザ導波路への損傷を防止し、且つ、半導体
レーザアレイ装置の切り出しに伴う導波路への損傷をも
防止できる。
半導体レーザアレイ装置の導波路間のスペースを有効に
利用して電極パッドを配置できるため、各素子全体を小
型化できる。また、素子分離位置をレーザ導波路より離
すため、レーザ導波路への損傷を防止し、且つ、半導体
レーザアレイ装置の切り出しに伴う導波路への損傷をも
防止できる。
【図１】図１は本発明の第１実施例を説明するための上
面図である。
面図である。
【図２】図２は本発明の第１実施例の変形例を説明する
ための上面図である。
ための上面図である。
【図３】図３は本発明の他の実施例を説明するための上
面図である。
面図である。
【図４】図４は本発明の他の実施例を説明するための上
面図である。
面図である。
【図５】図５は単体の半導体レーザの従来技術を説明す
るための斜視図である。
るための斜視図である。
【図６】図６は単電極の半導体レーザアレイ装置の従来
技術を説明するための斜視図である。
技術を説明するための斜視図である。
【図７】図７は多電極型の半導体レーザアレイ装置の従
来技術を説明するための斜視図である。
来技術を説明するための斜視図である。
１ 半導体レーザアレイ装置 ２ レーザ導波路 ３ 素子電極 ４ 電極パッド部 ５０ 従来例の半導体レーザ ５１、７２ 素子電極 ５２、６１ 金ワイヤ ５３、６３ レーザステム ５４、６４ ステム電極 ５５、６２ ヒートシンク ６０、７０ 従来例の半導体レーザアレイ装置 ７１ 導波路 ７３ 電極パッド部
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年４月１０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
Claims (4)
- 【請求項１】各レーザが導波路方向に複数の電極を有す
る半導体レーザアレイ装置において、各電極に金ワイヤ
を取付ける電極パッド部の、レーザ導波路とはほぼ垂直
な面への投影像が、該複数の電極間で重ならない部分を
有するように各電極の形状が構成されていることを特徴
とする半導体レーザアレイ装置。 - 【請求項２】電極パッド部が半導体レーザアレイ装置の
隣り合う２つのレーザ導波路間に配置されることを特徴
とする請求項１記載の半導体レーザアレイ装置。 - 【請求項３】各レーザに属する複数の電極パッド部は全
てその導波路の片側に存在し、且つ、引き出し長さが異
なることを特徴とする請求項１または２記載の半導体レ
ーザアレイ装置。 - 【請求項４】各レーザに属する複数の電極パッド部のう
ち少なくとも１つは、他の電極パッド部に対してそのレ
ーザ導波路の反対側に配置されていることを特徴とする
請求項１または２記載の半導体レーザアレイ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34663896A JPH10173286A (ja) | 1996-12-10 | 1996-12-10 | 多電極型の半導体レーザアレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34663896A JPH10173286A (ja) | 1996-12-10 | 1996-12-10 | 多電極型の半導体レーザアレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10173286A true JPH10173286A (ja) | 1998-06-26 |
Family
ID=18384804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34663896A Pending JPH10173286A (ja) | 1996-12-10 | 1996-12-10 | 多電極型の半導体レーザアレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10173286A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005062433A1 (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体レーザ装置およびレーザ投射装置 |
| GB2447488A (en) * | 2007-03-15 | 2008-09-17 | Intense Ltd | Laser diode array contact pads |
-
1996
- 1996-12-10 JP JP34663896A patent/JPH10173286A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005062433A1 (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体レーザ装置およびレーザ投射装置 |
| JPWO2005062433A1 (ja) * | 2003-12-22 | 2007-12-13 | 松下電器産業株式会社 | 半導体レーザ装置およびレーザ投射装置 |
| US7474682B2 (en) | 2003-12-22 | 2009-01-06 | Panasonic Corporation | Semiconductor laser device and laser projector |
| JP4701086B2 (ja) * | 2003-12-22 | 2011-06-15 | パナソニック株式会社 | 半導体レーザ装置およびレーザ投射装置 |
| GB2447488A (en) * | 2007-03-15 | 2008-09-17 | Intense Ltd | Laser diode array contact pads |
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