JPH0720934Y2 - 半導体レーザアレイ - Google Patents
半導体レーザアレイInfo
- Publication number
- JPH0720934Y2 JPH0720934Y2 JP1986117663U JP11766386U JPH0720934Y2 JP H0720934 Y2 JPH0720934 Y2 JP H0720934Y2 JP 1986117663 U JP1986117663 U JP 1986117663U JP 11766386 U JP11766386 U JP 11766386U JP H0720934 Y2 JPH0720934 Y2 JP H0720934Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- laser
- chips
- wide
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
【考案の詳細な説明】 （イ） 産業上の利用分野 本考案は半導体レーザアレイに関する。
（ロ） 従来の技術 現在、光学ヘッドとして消去、書込、読出用の３光源を
１体化した３ビーム型半導体レーザや、複数の半導体レ
ーザを整列してなるライン型の半導体レーザアレイプリ
ンタヘッドが提案されている。
１体化した３ビーム型半導体レーザや、複数の半導体レ
ーザを整列してなるライン型の半導体レーザアレイプリ
ンタヘッドが提案されている。
この種装置において問題となるのは各半導体レーザチッ
プから出力されるレーザ光の光軸をいかに近接（100μ
ｍ以下）させるかである。
プから出力されるレーザ光の光軸をいかに近接（100μ
ｍ以下）させるかである。
実願昭61-40952号には斯る問題を解決する方法として複
数のチップを２次元的あるいは３次元的に千鳥状に配列
することが提案されている。
数のチップを２次元的あるいは３次元的に千鳥状に配列
することが提案されている。
（ハ） 考案が解決しようとする問題点 然るに斯る構成では各チップの相対的位置合せが非常に
難しく作業性が悪い。
難しく作業性が悪い。
尚、第４図に示す如く単純に直方体状のチップ（１）を
光軸（２）間距離が100μｍとなるように整列させると
チップ（１）自身の幅ｂが約100μｍとなるため第５図
に示す如くワイヤ（３）ボンディング時に隣接するチッ
プ（１）の電極（４）が短絡する危惧がある。
光軸（２）間距離が100μｍとなるように整列させると
チップ（１）自身の幅ｂが約100μｍとなるため第５図
に示す如くワイヤ（３）ボンディング時に隣接するチッ
プ（１）の電極（４）が短絡する危惧がある。
（ニ） 問題点を解決するための手段 本考案は斯る点に鑑みてなされたもので、その構成的特
徴はヒートシンク上に第１の電極を介して各出射レーザ
光が平行となるように整列配置された複数のレーザチッ
プと、該各レーザチップ上面に設けられた第２の電極
と、から成り、該第２の電極に夫々ワイヤボンドする半
導体レーザアレイであって、上記各レーザチップは一端
が幅広で他端が幅狭となる上面を有し、この上面に設け
られた第２の電極はその上面形状に略対応した形状を有
すると共に、これらのレーザチップはその上面の幅広端
と幅狭端とが交互に一直線状に位置するように整列配置
されており、その一直線状に配置されたチップ上面の第
２の電極の幅広端側にワイヤボンドして成ることにあ
る。
徴はヒートシンク上に第１の電極を介して各出射レーザ
光が平行となるように整列配置された複数のレーザチッ
プと、該各レーザチップ上面に設けられた第２の電極
と、から成り、該第２の電極に夫々ワイヤボンドする半
導体レーザアレイであって、上記各レーザチップは一端
が幅広で他端が幅狭となる上面を有し、この上面に設け
られた第２の電極はその上面形状に略対応した形状を有
すると共に、これらのレーザチップはその上面の幅広端
と幅狭端とが交互に一直線状に位置するように整列配置
されており、その一直線状に配置されたチップ上面の第
２の電極の幅広端側にワイヤボンドして成ることにあ
る。
（ホ） 作用 斯る構成では各チップの幅広の電極部分をワイヤボンデ
ィング部とすることができる。
ィング部とすることができる。
（ヘ） 実施例 第１図（ａ）（ｂ）は本考案の一実施例を示し、半導体
もしくは金属等の良放熱体からなるヒートシンク（11）
には、第１図（ｂ）中紙面垂直方向に延在する活性領域
（12a）〜（16a）より夫々出力されるレーザ光の光軸
（12b）〜（16b）が平行となるように半導体レーザチッ
プ（12）〜（16）が整列配置されている。また、上記各
チップ（12）〜（16）は夫々光軸と直交する各辺の長さ
をB1、B2としたときB1＜B2（以下B1幅の辺を上辺、B2幅
の辺を下辺と称す）となるとような平面台形状をなすと
共に光軸（12b）〜（16b）の配列方向に上記上辺と下辺
が交互に位置している。更に、上記各チップ（12）〜
（16）の夫々のヒートシンク（11）との接触面及びその
対向面には夫々第１、第２の面電極（17）（18）が形成
されている。
もしくは金属等の良放熱体からなるヒートシンク（11）
には、第１図（ｂ）中紙面垂直方向に延在する活性領域
（12a）〜（16a）より夫々出力されるレーザ光の光軸
（12b）〜（16b）が平行となるように半導体レーザチッ
プ（12）〜（16）が整列配置されている。また、上記各
チップ（12）〜（16）は夫々光軸と直交する各辺の長さ
をB1、B2としたときB1＜B2（以下B1幅の辺を上辺、B2幅
の辺を下辺と称す）となるとような平面台形状をなすと
共に光軸（12b）〜（16b）の配列方向に上記上辺と下辺
が交互に位置している。更に、上記各チップ（12）〜
（16）の夫々のヒートシンク（11）との接触面及びその
対向面には夫々第１、第２の面電極（17）（18）が形成
されている。
斯る構成では、B1、B2を夫々約48μｍ、143μｍとする
ことにより各チップの光軸間距離を約100μｍとでき
る。
ことにより各チップの光軸間距離を約100μｍとでき
る。
従って、斯る構成では隣接する各チップのヒートシンク
（11）と直交し、かつ光軸と直交しない面（以下側面と
称す）を相対的な位置合せの基準面として整列できるの
で２次元もしくは３次元的に千鳥状に配列する場合に比
して位置合せ作業が簡単に行なえると共に各チップ（1
2）〜（16）の下辺側の第２面電極（18）が幅広くなっ
ているのでワイヤボンドを斯る幅広部で行うことにより
ワイヤボンド時の隣接チップ間の電気的短絡の危惧を減
少させることができる。
（11）と直交し、かつ光軸と直交しない面（以下側面と
称す）を相対的な位置合せの基準面として整列できるの
で２次元もしくは３次元的に千鳥状に配列する場合に比
して位置合せ作業が簡単に行なえると共に各チップ（1
2）〜（16）の下辺側の第２面電極（18）が幅広くなっ
ているのでワイヤボンドを斯る幅広部で行うことにより
ワイヤボンド時の隣接チップ間の電気的短絡の危惧を減
少させることができる。
第２図は本考案の第２実施例を示し、第１実施例との相
違点は平面形状を台形から凸形に変更したことである。
尚、第２図中第１図と同一箇所には同一番号を付し説明
を省略する。
違点は平面形状を台形から凸形に変更したことである。
尚、第２図中第１図と同一箇所には同一番号を付し説明
を省略する。
斯る構成では幅B2を有する第２面電極（18）の幅広部分
を拡張できるので、更にワイヤボンディング時の電気的
短絡を防止できる。
を拡張できるので、更にワイヤボンディング時の電気的
短絡を防止できる。
第３図は本考案の第３実施例を示し、上記第１実施例と
の相違は素子（チップ）配列をハイブリット型からモノ
リシック型に変更した点にある。尚、第３図中第１図と
同一箇所には同一番号を付し説明を省略する。
の相違は素子（チップ）配列をハイブリット型からモノ
リシック型に変更した点にある。尚、第３図中第１図と
同一箇所には同一番号を付し説明を省略する。
このような構造は例えば活性領域（12a）〜（16a）を半
導体基板上に並列に形成すると共にその表裏面に第１、
第２面電極（17）（18）となる全面電極を形成後、第２
面電極（18）表面より斯る第２面電極（18）の平面形状
が台形状となるように溝（19）を形成することにより作
成できる。尚、斯る溝（19）は各活性領域（12a）〜（1
6a）を電気的に分離するために、斯る領域（12a）〜（1
6a）より深くすることが好ましい。
導体基板上に並列に形成すると共にその表裏面に第１、
第２面電極（17）（18）となる全面電極を形成後、第２
面電極（18）表面より斯る第２面電極（18）の平面形状
が台形状となるように溝（19）を形成することにより作
成できる。尚、斯る溝（19）は各活性領域（12a）〜（1
6a）を電気的に分離するために、斯る領域（12a）〜（1
6a）より深くすることが好ましい。
（ト） 考案の効果 本考案の構成では、各レーザチップは一端が幅広で他端
が幅狭となる上面を有し、この上面に設けられた第２の
電極もその上面形状に略対応した形状を有すると共に、
これらのレーザチップはその上面の幅広端と幅狭端とが
交互に一直線状に位置するように整列配置し、上記第２
の電極の幅広部をワイヤボンディング部とすることによ
り隣接するチップとの電気的短絡を防止できる。また、
ハイブリッド構成とするときには各チップの側面を基準
面として配列できるので配列作業か簡単となる。
が幅狭となる上面を有し、この上面に設けられた第２の
電極もその上面形状に略対応した形状を有すると共に、
これらのレーザチップはその上面の幅広端と幅狭端とが
交互に一直線状に位置するように整列配置し、上記第２
の電極の幅広部をワイヤボンディング部とすることによ
り隣接するチップとの電気的短絡を防止できる。また、
ハイブリッド構成とするときには各チップの側面を基準
面として配列できるので配列作業か簡単となる。
第１図（ａ）は本考案の第１実施例を示す上面図、同図
（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ′線断面図、第２図は本
考案の第２実施例を示す上面図、第３図は本考案の第３
実施例を示す断面図、第４図及び第５図は従来例を説明
するための上面図及び断面図である。 （12）〜（16）……半導体レーザチップ、（17）〜（1
8）……第１、第２面電極
（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ′線断面図、第２図は本
考案の第２実施例を示す上面図、第３図は本考案の第３
実施例を示す断面図、第４図及び第５図は従来例を説明
するための上面図及び断面図である。 （12）〜（16）……半導体レーザチップ、（17）〜（1
8）……第１、第２面電極
Claims (1)
- 【請求項１】ヒートシンク上に第１の電極を介して各出
射レーザ光が平行となるように整列配置された複数のレ
ーザチップと、該各レーザチップ上面に設けられた第２
の電極と、から成り、該第２の電極に夫々ワイヤボンド
する半導体レーザアレイであって、上記各レーザチップ
は一端が幅広で他端が幅狭となる上面を有し、この上面
に設けられた第２の電極はその上面形状に略対応した形
状を有すると共に、これらのレーザチップはその上面の
幅広端と幅狭端とが交互に一直線状に位置するように整
列配置されており、その一直線状に配置されたチップ上
面の第２の電極の幅広端側にワイヤボンドして成ること
を特徴とする半導体レーザアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986117663U JPH0720934Y2 (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 半導体レーザアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986117663U JPH0720934Y2 (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 半導体レーザアレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6324865U JPS6324865U (ja) | 1988-02-18 |
| JPH0720934Y2 true JPH0720934Y2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=31003382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986117663U Expired - Lifetime JPH0720934Y2 (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 半導体レーザアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0720934Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008227058A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5944058U (ja) * | 1982-09-14 | 1984-03-23 | 株式会社リコー | 半導体発光素子アレイ |
| JPS5992554A (ja) * | 1982-11-17 | 1984-05-28 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-07-31 JP JP1986117663U patent/JPH0720934Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6324865U (ja) | 1988-02-18 |
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