JPH10178234A - 面発光レーザ - Google Patents
面発光レーザInfo
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- JPH10178234A JPH10178234A JP33669796A JP33669796A JPH10178234A JP H10178234 A JPH10178234 A JP H10178234A JP 33669796 A JP33669796 A JP 33669796A JP 33669796 A JP33669796 A JP 33669796A JP H10178234 A JPH10178234 A JP H10178234A
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- JP
- Japan
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- layer
- type
- emitting laser
- reflective film
- band gap
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- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
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- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 素子抵抗を低減して駆動電流を低減する。
【解決手段】 上部半導体多層反射膜６の一部分をエッ
チングして電極を形成し、上部半導体多層反射膜６を迂
回して電流の注入を行う面発光レーザであって、電極形
成層８と活性層２２との間のバンドギャップが大きい層
２０の組成を変更して、バンドギャップを小さくする。
このとき、バンドギャップが大きい層２０を、Ａｌ組成
を小さくしたＡｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ層とすることができ
る。
チングして電極を形成し、上部半導体多層反射膜６を迂
回して電流の注入を行う面発光レーザであって、電極形
成層８と活性層２２との間のバンドギャップが大きい層
２０の組成を変更して、バンドギャップを小さくする。
このとき、バンドギャップが大きい層２０を、Ａｌ組成
を小さくしたＡｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ層とすることができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は面発光レーザ素子に
関し、特に低抵抗な面発光レーザに関する。
関し、特に低抵抗な面発光レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】光情報処理、並列光通信に適した発光デ
バイスの１つとして、面型に並列可能な面発光レーザが
ある。この面発光レーザの従来の技術は、例えばアイオ
ーオーシー '９５ テクニカル ダイジェスト ＴｕＢ
１−２（IOOC '95 technical digest TuB1-2）に報告さ
れている。
バイスの１つとして、面型に並列可能な面発光レーザが
ある。この面発光レーザの従来の技術は、例えばアイオ
ーオーシー '９５ テクニカル ダイジェスト ＴｕＢ
１−２（IOOC '95 technical digest TuB1-2）に報告さ
れている。
【０００３】図２は、従来例における面発光レーザの構
造を示す断面図である。図２に示した面発光レーザは、
ｎ型ＧａＡｓ基板１の上に、媒質内波長λの１／４の厚
さでｎ型にドーピングされたＡｌＡｓ層とＧａＡｓ層と
を交互に積層したｎ型多層反射膜２と、ｎ型Ａｌ0.3 Ｇ
ａ0.7 Ａｓクラッド層３と、Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活性
層４と、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層５と、媒
質内波長λの１／４の厚さでｐ型にドーピングされたＡ
ｌＡｓ層とＧａＡｓ層とを交互に積層したｐ型多層反射
膜６とが形成されている。ここで、ｎ型多層反射膜２は
ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ２５周期からなり、ｐ型多層反射膜
６はＧａＡｓ／ＡｌＡｓ２０周期からなっている。
造を示す断面図である。図２に示した面発光レーザは、
ｎ型ＧａＡｓ基板１の上に、媒質内波長λの１／４の厚
さでｎ型にドーピングされたＡｌＡｓ層とＧａＡｓ層と
を交互に積層したｎ型多層反射膜２と、ｎ型Ａｌ0.3 Ｇ
ａ0.7 Ａｓクラッド層３と、Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活性
層４と、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層５と、媒
質内波長λの１／４の厚さでｐ型にドーピングされたＡ
ｌＡｓ層とＧａＡｓ層とを交互に積層したｐ型多層反射
膜６とが形成されている。ここで、ｎ型多層反射膜２は
ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ２５周期からなり、ｐ型多層反射膜
６はＧａＡｓ／ＡｌＡｓ２０周期からなっている。
【０００４】ｎ型多層反射膜２のｎ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7
Ａｓクラッド層３に近接する層は、ワイドバンドギャッ
プ層であるＡｌＡｓ層となっている。ｐ型多層反射膜６
内のナローバンドギャップ層であるＧａＡｓ層の最下層
は、横方向のシート抵抗値を減少させるために通常の５
倍の厚さの５／４λコンタクト層７となっている。ｐ型
多層反射膜６のｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層５
に近接する層である最下層のワイドバンドギャップ層
は、ＡｌＡｓ層３０となっている。
Ａｓクラッド層３に近接する層は、ワイドバンドギャッ
プ層であるＡｌＡｓ層となっている。ｐ型多層反射膜６
内のナローバンドギャップ層であるＧａＡｓ層の最下層
は、横方向のシート抵抗値を減少させるために通常の５
倍の厚さの５／４λコンタクト層７となっている。ｐ型
多層反射膜６のｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層５
に近接する層である最下層のワイドバンドギャップ層
は、ＡｌＡｓ層３０となっている。
【０００５】素子分離は、ｐ型多層反射膜６を５／４λ
コンタクト層７の手前までエッチングしてメサ２１を形
成した後に、メサ２１を厚膜のｐ型電極８で覆い、それ
をマスクとしてＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活性層４の深さの
イオン注入を行って高抵抗領域９を形成することによっ
て行われている。Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活性層４のうち
のメサ２１の下の領域が、発光に寄与する活性領域２２
となる。
コンタクト層７の手前までエッチングしてメサ２１を形
成した後に、メサ２１を厚膜のｐ型電極８で覆い、それ
をマスクとしてＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活性層４の深さの
イオン注入を行って高抵抗領域９を形成することによっ
て行われている。Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活性層４のうち
のメサ２１の下の領域が、発光に寄与する活性領域２２
となる。
【０００６】電流は主として、ｐ型電極８と５／４λコ
ンタクト層７とが接触するメサ２１の周辺部分から、メ
サ２１の下の活性領域２２に向かって横方向に電流が注
入される。ｎ型電極１０は、ｎ型ＧａＡｓ基板１の一部
の中間層部分をエッチングしてｎ型半導体多層膜２を露
出させて、その上部に作製する。ｎ型電極１０を形成し
た後に、メサ２１およびｎ型電極１０の上部にヒートシ
ンクを兼ねた厚膜金属によるボンディングパッド１１を
形成する。その後、ｎ型ＧａＡｓ基板１を研磨して、レ
ーザ光出射面であるｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面に無反射
コート２３を施す。
ンタクト層７とが接触するメサ２１の周辺部分から、メ
サ２１の下の活性領域２２に向かって横方向に電流が注
入される。ｎ型電極１０は、ｎ型ＧａＡｓ基板１の一部
の中間層部分をエッチングしてｎ型半導体多層膜２を露
出させて、その上部に作製する。ｎ型電極１０を形成し
た後に、メサ２１およびｎ型電極１０の上部にヒートシ
ンクを兼ねた厚膜金属によるボンディングパッド１１を
形成する。その後、ｎ型ＧａＡｓ基板１を研磨して、レ
ーザ光出射面であるｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面に無反射
コート２３を施す。
【０００７】このようにすることによって、抵抗値の高
いｐ型多層反射膜６を迂回して５／４λコンタクト層７
から電流を注入することが可能となる。また、横方向の
シート抵抗は、層の厚さを通常の５倍の５／４λとする
ことによって抵抗値の低減に寄与している。
いｐ型多層反射膜６を迂回して５／４λコンタクト層７
から電流を注入することが可能となる。また、横方向の
シート抵抗は、層の厚さを通常の５倍の５／４λとする
ことによって抵抗値の低減に寄与している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
面発光レーザにおいては、Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活性層
４の部分に電流を注入するためには、もう１層、５／４
λコンタクト層７の下に位置するワイドバンドギャップ
層であるＡｌＡｓ層３０を通過する必要があるが、その
界面の抵抗値を無視することができないという問題点が
あった。そのため、印加電圧が上昇して消費電力が増す
だけでなく、その部分の抵抗によって熱が発生すると、
Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活性層４に近いので微分量子効率
も低下させるなどして、発光効率が低下するという問題
点があった。
面発光レーザにおいては、Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活性層
４の部分に電流を注入するためには、もう１層、５／４
λコンタクト層７の下に位置するワイドバンドギャップ
層であるＡｌＡｓ層３０を通過する必要があるが、その
界面の抵抗値を無視することができないという問題点が
あった。そのため、印加電圧が上昇して消費電力が増す
だけでなく、その部分の抵抗によって熱が発生すると、
Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活性層４に近いので微分量子効率
も低下させるなどして、発光効率が低下するという問題
点があった。
【０００９】このような点に鑑み本発明は、素子抵抗を
低減して駆動電流を低減した面発光レーザを提供するこ
とを目的とする。
低減して駆動電流を低減した面発光レーザを提供するこ
とを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の面発光レーザ
は、上部半導体多層反射膜（６）の一部分をエッチング
して電極を形成し、該上部半導体多層反射膜（６）を迂
回して電流の注入を行う面発光レーザであって、電極形
成層（８）と活性層（２２）との間のバンドギャップが
大きい層（２０）の組成を変更して、該バンドギャップ
を小さくする。
は、上部半導体多層反射膜（６）の一部分をエッチング
して電極を形成し、該上部半導体多層反射膜（６）を迂
回して電流の注入を行う面発光レーザであって、電極形
成層（８）と活性層（２２）との間のバンドギャップが
大きい層（２０）の組成を変更して、該バンドギャップ
を小さくする。
【００１１】上記本発明の面発光レーザは、前記バンド
ギャップが大きい層（２０）を、Ａｌ組成を小さくした
Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ層とする。
ギャップが大きい層（２０）を、Ａｌ組成を小さくした
Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ層とする。
【００１２】本発明の面発光レーザによれば、５／４λ
コンタクト層（７）から注入された電流はその下のＡｌ
ＧａＡｓ層（２０）を通過してＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活
性層（４）に注入されるが、５／４λコンタクト層
（７）とその下のＡｌＧａＡｓ層（２０）との間の抵抗
値は、ワイドバンドギャップ層にＡｌＡｓ層（３０）を
用いた場合と比較して、バンド構造中のスパイクに相当
する界面の素子抵抗が小さくなる。
コンタクト層（７）から注入された電流はその下のＡｌ
ＧａＡｓ層（２０）を通過してＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活
性層（４）に注入されるが、５／４λコンタクト層
（７）とその下のＡｌＧａＡｓ層（２０）との間の抵抗
値は、ワイドバンドギャップ層にＡｌＡｓ層（３０）を
用いた場合と比較して、バンド構造中のスパイクに相当
する界面の素子抵抗が小さくなる。
【００１３】また、上部半導体多層反射膜（６）のワイ
ドバンドギャップ層全体をＡｌＧａＡｓにした場合に
は、ＧａＡｓ層との屈折率差が小さくなるので反射率が
低下して発光効率が減少する。しかし、本発明のように
ワイドバンドギャップ層のうちの１周期だけをＡｌＡｓ
層（３０）からＡｌＧａＡｓ層（２０）に変更した場合
には、反射率の低下はわずかであり、発光効率の減少を
抑えることが可能となる。
ドバンドギャップ層全体をＡｌＧａＡｓにした場合に
は、ＧａＡｓ層との屈折率差が小さくなるので反射率が
低下して発光効率が減少する。しかし、本発明のように
ワイドバンドギャップ層のうちの１周期だけをＡｌＡｓ
層（３０）からＡｌＧａＡｓ層（２０）に変更した場合
には、反射率の低下はわずかであり、発光効率の減少を
抑えることが可能となる。
【００１４】このようにして、発光効率の低下を招くこ
となく素子抵抗を低減した面発光レーザを実現すると、
駆動電流を低減することが可能となり、例えばＣＭＯＳ
レベルで駆動することができる面発光レーザを実現する
ことが可能となる。
となく素子抵抗を低減した面発光レーザを実現すると、
駆動電流を低減することが可能となり、例えばＣＭＯＳ
レベルで駆動することができる面発光レーザを実現する
ことが可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて図面を参照して詳細に説明する。
いて図面を参照して詳細に説明する。
【００１６】図１は、本発明の一実施の形態における面
発光レーザの構造を示す断面図である。図１に示した面
発光レーザは、ｎ型ＧａＡｓ基板１の上に、媒質内波長
λの１／４の厚さでｎ型にドーピングされたＡｌＡｓ層
とＧａＡｓ層とを交互に積層したｎ型多層反射膜２と、
ｎ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層３と、Ｉｎ0.2Ｇ
ａ0.8 Ａｓ活性層４と、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラ
ッド層５と、媒質内波長λの１／４の厚さでｐ型にドー
ピングされたＡｌＡｓ層とＧａＡｓ層とを交互に積層し
たｐ型多層反射膜６とを形成する構成となっている。こ
こで、ｎ型多層反射膜２はＡｌＡｓ／ＧａＡｓ２５周期
からなり、ｐ型多層反射膜６はＧａＡｓ／ＡｌＡｓ２０
周期からなっている。
発光レーザの構造を示す断面図である。図１に示した面
発光レーザは、ｎ型ＧａＡｓ基板１の上に、媒質内波長
λの１／４の厚さでｎ型にドーピングされたＡｌＡｓ層
とＧａＡｓ層とを交互に積層したｎ型多層反射膜２と、
ｎ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層３と、Ｉｎ0.2Ｇ
ａ0.8 Ａｓ活性層４と、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラ
ッド層５と、媒質内波長λの１／４の厚さでｐ型にドー
ピングされたＡｌＡｓ層とＧａＡｓ層とを交互に積層し
たｐ型多層反射膜６とを形成する構成となっている。こ
こで、ｎ型多層反射膜２はＡｌＡｓ／ＧａＡｓ２５周期
からなり、ｐ型多層反射膜６はＧａＡｓ／ＡｌＡｓ２０
周期からなっている。
【００１７】ｎ型多層反射膜２のｎ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7
Ａｓクラッド層３に近接する層は、ワイドバンドギャッ
プ層であるＡｌＡｓ層となっている。ｐ型多層反射膜６
内のナローバンドギャップ層であるＧａＡｓ層の最下層
は、横方向のシート抵抗値を減少させるために通常の５
倍の厚さの５／４λコンタクト層７となっている。ｐ型
多層反射膜６のｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層５
に近接する層である最下層のワイドバンドギャップ層
は、Ａｌ組成を小さくしたＡｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ層２０
となっている。
Ａｓクラッド層３に近接する層は、ワイドバンドギャッ
プ層であるＡｌＡｓ層となっている。ｐ型多層反射膜６
内のナローバンドギャップ層であるＧａＡｓ層の最下層
は、横方向のシート抵抗値を減少させるために通常の５
倍の厚さの５／４λコンタクト層７となっている。ｐ型
多層反射膜６のｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層５
に近接する層である最下層のワイドバンドギャップ層
は、Ａｌ組成を小さくしたＡｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ層２０
となっている。
【００１８】素子分離は、ｐ型多層反射膜６を５／４λ
コンタクト層７の手前までエッチングしてメサ２１を形
成した後に、メサ２１を厚膜のｐ型電極８で覆い、それ
をマスクとしてＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活性層４の深さの
イオン注入を行って高抵抗領域９を形成することによっ
て行われている。Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活性層４のうち
のメサ２１の下の領域が、発光に寄与する活性領域２２
となる。
コンタクト層７の手前までエッチングしてメサ２１を形
成した後に、メサ２１を厚膜のｐ型電極８で覆い、それ
をマスクとしてＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活性層４の深さの
イオン注入を行って高抵抗領域９を形成することによっ
て行われている。Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活性層４のうち
のメサ２１の下の領域が、発光に寄与する活性領域２２
となる。
【００１９】電流は主として、ｐ型電極８と５／４λコ
ンタクト層７とが接触するメサ２１の周辺部分から、メ
サ２１の下の活性領域２２に向かって横方向に電流が注
入される。ｎ型電極１０は、ｎ型ＧａＡｓ基板１の一部
の中間層部分をエッチングしてｎ型半導体多層膜２を露
出させて、その上部に作製する。ｎ型電極１０を形成し
た後に、メサ２１およびｎ型電極１０の上部にヒートシ
ンクを兼ねた厚膜金属によるボンディングパッド１１を
形成する。その後、ｎ型ＧａＡｓ基板１を研磨して、レ
ーザ光出射面であるｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面に無反射
コート２３を施す。
ンタクト層７とが接触するメサ２１の周辺部分から、メ
サ２１の下の活性領域２２に向かって横方向に電流が注
入される。ｎ型電極１０は、ｎ型ＧａＡｓ基板１の一部
の中間層部分をエッチングしてｎ型半導体多層膜２を露
出させて、その上部に作製する。ｎ型電極１０を形成し
た後に、メサ２１およびｎ型電極１０の上部にヒートシ
ンクを兼ねた厚膜金属によるボンディングパッド１１を
形成する。その後、ｎ型ＧａＡｓ基板１を研磨して、レ
ーザ光出射面であるｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面に無反射
コート２３を施す。
【００２０】このように、ナローバンドギャップ層であ
る５／４λコンタクト層７の下のワイドバンドギャップ
層を、図２に示したＡｌＡｓ層３０から図１に示したＡ
ｌ組成の小さいＡｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ層２０に変更する
ことによって、ナローバンドギャップ層とワイドバンド
ギャップ層との間のＧａＡｓ／ＡｌＡｓ界面の抵抗値を
低減し、駆動電流を低減することができる。
る５／４λコンタクト層７の下のワイドバンドギャップ
層を、図２に示したＡｌＡｓ層３０から図１に示したＡ
ｌ組成の小さいＡｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ層２０に変更する
ことによって、ナローバンドギャップ層とワイドバンド
ギャップ層との間のＧａＡｓ／ＡｌＡｓ界面の抵抗値を
低減し、駆動電流を低減することができる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、クラッド
層に近接したワイドバンドギャップ層を、ＡｌＡｓ層か
らＡｌ組成の小さいＡｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ層に変更する
ことによって、ナローバンドギャップ層である５／４λ
コンタクト層とワイドバンドギャップ層であるＡｌＧａ
Ａｓ層との間のＧａＡｓ／ＡｌＡｓ界面の抵抗値を低減
し、駆動電流を低減することができるという効果を有す
る。すなわち、ウエハ成長および素子プロセスの工数を
増加することなく、素子抵抗の多くの部分を占めるＧａ
Ａｓ／ＡｌＡｓ界面の抵抗値を減少することができ、素
子抵抗を低減し、ひいては駆動電流を低減することがで
きるという効果を有する。
層に近接したワイドバンドギャップ層を、ＡｌＡｓ層か
らＡｌ組成の小さいＡｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ層に変更する
ことによって、ナローバンドギャップ層である５／４λ
コンタクト層とワイドバンドギャップ層であるＡｌＧａ
Ａｓ層との間のＧａＡｓ／ＡｌＡｓ界面の抵抗値を低減
し、駆動電流を低減することができるという効果を有す
る。すなわち、ウエハ成長および素子プロセスの工数を
増加することなく、素子抵抗の多くの部分を占めるＧａ
Ａｓ／ＡｌＡｓ界面の抵抗値を減少することができ、素
子抵抗を低減し、ひいては駆動電流を低減することがで
きるという効果を有する。
【００２２】また、ワイドバンドギャップ層のうちの１
周期だけをＡｌＡｓ層からＡｌＧａＡｓ層に変更するこ
とによって、反射率の低下を抑えることができ、発光効
率の減少を防ぐことができるという効果を有する。
周期だけをＡｌＡｓ層からＡｌＧａＡｓ層に変更するこ
とによって、反射率の低下を抑えることができ、発光効
率の減少を防ぐことができるという効果を有する。
【００２３】本発明の面発光レーザを用いることによっ
て、例えば低抵抗でＣＭＯＳレベルで駆動可能な面発光
レーザを実現することができるという効果を有する。
て、例えば低抵抗でＣＭＯＳレベルで駆動可能な面発光
レーザを実現することができるという効果を有する。
【図１】本発明の一実施の形態における面発光レーザの
構造を示す断面図
構造を示す断面図
【図２】従来例における面発光レーザの構造を示す断面
図
図
１ ｎ型ＧａＡｓ基板 ２ ｎ型多層反射膜 ３ ｎ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層 ４ Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活性層 ５ ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層 ６ ｐ型多層反射膜 ７ ５／４λコンタクト層 ８ ｐ型電極 ９ 高抵抗領域 １０ ｎ型電極 １１ ボンディングパッド ２０ ｐ型Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ層 ２１ メサ ２２ 活性領域 ２３ 無反射コート ３０ ＡｌＡｓ層
Claims (2)
- 【請求項１】 上部半導体多層反射膜の一部分をエッチ
ングして電極を形成し、該上部半導体多層反射膜を迂回
して電流の注入を行う面発光レーザにおいて、 電極形成層と活性層との間のバンドギャップが大きい層
の組成を変更して、該バンドギャップを小さくすること
を特徴とする、面発光レーザ。 - 【請求項２】 前記バンドギャップが大きい層が、Ａｌ
組成を小さくしたＡｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ層である、請求
項１に記載の面発光レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33669796A JP2910710B2 (ja) | 1996-12-17 | 1996-12-17 | 面発光レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33669796A JP2910710B2 (ja) | 1996-12-17 | 1996-12-17 | 面発光レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10178234A true JPH10178234A (ja) | 1998-06-30 |
| JP2910710B2 JP2910710B2 (ja) | 1999-06-23 |
Family
ID=18301872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33669796A Expired - Fee Related JP2910710B2 (ja) | 1996-12-17 | 1996-12-17 | 面発光レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2910710B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004327862A (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
| JP2008159627A (ja) * | 2006-12-20 | 2008-07-10 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
| WO2025220525A1 (ja) * | 2024-04-16 | 2025-10-23 | ソニーグループ株式会社 | 発光素子 |
-
1996
- 1996-12-17 JP JP33669796A patent/JP2910710B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
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| JP2004327862A (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
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| JP2910710B2 (ja) | 1999-06-23 |
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