JPH10178271A - 多層配線基板の製造方法および多層配線基板 - Google Patents
多層配線基板の製造方法および多層配線基板Info
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- JPH10178271A JPH10178271A JP35391896A JP35391896A JPH10178271A JP H10178271 A JPH10178271 A JP H10178271A JP 35391896 A JP35391896 A JP 35391896A JP 35391896 A JP35391896 A JP 35391896A JP H10178271 A JPH10178271 A JP H10178271A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐熱性、寸法安定性に優れ、層間接続の信頼
性に優れ、薄型化が可能で、フレキシビリティーに富
み、高密度配線を可能とした多層フレキシブル配線基板
とその製造方法を提供する。 【解決手段】 有機高分子材料を絶縁層として銅配線を
多層に形成した多層配線基板の製造法であって、感光性
を有する有機高分子材料を製版して層間接続用孔を配線
形成領域に形成し、これを硬化させ絶縁層とした後、該
層間接続用孔に電解めっき法により銅を埋め込み、さら
に該絶縁層上および層間接続用孔に埋められた銅上に、
導電性薄膜を全面覆うように形成し、導電性薄膜上にフ
ォトレジストをパターンニングしてこれをめっき用マス
クとして、電解めっき法により、配線を形成する工程を
複数回行う。
性に優れ、薄型化が可能で、フレキシビリティーに富
み、高密度配線を可能とした多層フレキシブル配線基板
とその製造方法を提供する。 【解決手段】 有機高分子材料を絶縁層として銅配線を
多層に形成した多層配線基板の製造法であって、感光性
を有する有機高分子材料を製版して層間接続用孔を配線
形成領域に形成し、これを硬化させ絶縁層とした後、該
層間接続用孔に電解めっき法により銅を埋め込み、さら
に該絶縁層上および層間接続用孔に埋められた銅上に、
導電性薄膜を全面覆うように形成し、導電性薄膜上にフ
ォトレジストをパターンニングしてこれをめっき用マス
クとして、電解めっき法により、配線を形成する工程を
複数回行う。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は,多層配線基板の製
造方法に関し、特に有機高分子材料を用いた多層フレキ
シブル配線基板の製造方法に関する。
造方法に関し、特に有機高分子材料を用いた多層フレキ
シブル配線基板の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、電子機器の小型化、軽量化、
薄型化、高密度化の要求に伴い、配線を多層としたリジ
ットタイプの多層配線基板が使われてきた。この多層配
線基板は表裏は勿論内部にも幾層もの配線を有している
ため、その使用はIC、LSI、超LSI等の集積回路
との併用により、電子回路の部品間短縮、部品数と接続
部品の大幅な削減を可能にした。このような状況のも
と、近年、フレキシブル配線基板にもリジット配線基板
と同様に多層化の要求が強まり、多層フレキシブル配線
基板も製造、使用されるようになってきた。フレキシブ
ル配線基板は、屈曲可能な薄いベースフィルム上に金属
配線を施したもので、実装スペースの節約や信頼性の向
上に役立ち、従来よりコンピュータ関連機器、オーディ
オ製品、通信機器等に広く利用されているものである。
薄型化、高密度化の要求に伴い、配線を多層としたリジ
ットタイプの多層配線基板が使われてきた。この多層配
線基板は表裏は勿論内部にも幾層もの配線を有している
ため、その使用はIC、LSI、超LSI等の集積回路
との併用により、電子回路の部品間短縮、部品数と接続
部品の大幅な削減を可能にした。このような状況のも
と、近年、フレキシブル配線基板にもリジット配線基板
と同様に多層化の要求が強まり、多層フレキシブル配線
基板も製造、使用されるようになってきた。フレキシブ
ル配線基板は、屈曲可能な薄いベースフィルム上に金属
配線を施したもので、実装スペースの節約や信頼性の向
上に役立ち、従来よりコンピュータ関連機器、オーディ
オ製品、通信機器等に広く利用されているものである。
【0003】ここで、従来の多層フレキシブル配線基板
の製造方法の代表例を図4に基づいて説明しておく。
尚、図4に示す製造方法は配線が3層の多層フレキシブ
ル配線基板の作製を示したものである。まず、ポリイミ
ド等の絶縁層410をベースとし、その両面に銅箔から
なる導電層(420、425)を設けた両面銅張基板4
00(図4(a))の片面に内層となる回路導体420
Aをフォトエッチング法により形成する。(図4
(b)) 次いで、内層と外層との導通をとるための導通孔430
をドリルによって形成した後、触媒付与、無電解めっき
を行い、内層となる回路導体420Aと外層の導体42
5とを導通させた基板400Aを得る。(図4(c)) この後、基板400Aの内層となる回路導体420A形
成面側と、ポリイミド等の絶縁層410をベースとしそ
の一面に銅箔からなる導電層427を設けた片面銅張基
板401の絶縁層410側とを圧着治具450、451
を用い、エポキシ系あるいはアクリル系の接着剤(プリ
プレグ)440を介して圧着して積層する。(図4
(d)) 積層後、表裏導体層425、427と内部導体層420
との導通をとるための貫通孔(スルーホール)435を
設け、触媒付与の後、無電解および電解銅めっきを行
い、更に、フォトエッチング法により表裏回路導体42
5A、427Aを形成する。(図4(e)) このようにして、配線が3層、絶縁層2層とした多層フ
レキシブル配線基板が作製される。そして、配線が4層
以上のものは、更に工程を繰り返すことにより、作製し
ていた。
の製造方法の代表例を図4に基づいて説明しておく。
尚、図4に示す製造方法は配線が3層の多層フレキシブ
ル配線基板の作製を示したものである。まず、ポリイミ
ド等の絶縁層410をベースとし、その両面に銅箔から
なる導電層(420、425)を設けた両面銅張基板4
00(図4(a))の片面に内層となる回路導体420
Aをフォトエッチング法により形成する。(図4
(b)) 次いで、内層と外層との導通をとるための導通孔430
をドリルによって形成した後、触媒付与、無電解めっき
を行い、内層となる回路導体420Aと外層の導体42
5とを導通させた基板400Aを得る。(図4(c)) この後、基板400Aの内層となる回路導体420A形
成面側と、ポリイミド等の絶縁層410をベースとしそ
の一面に銅箔からなる導電層427を設けた片面銅張基
板401の絶縁層410側とを圧着治具450、451
を用い、エポキシ系あるいはアクリル系の接着剤(プリ
プレグ)440を介して圧着して積層する。(図4
(d)) 積層後、表裏導体層425、427と内部導体層420
との導通をとるための貫通孔(スルーホール)435を
設け、触媒付与の後、無電解および電解銅めっきを行
い、更に、フォトエッチング法により表裏回路導体42
5A、427Aを形成する。(図4(e)) このようにして、配線が3層、絶縁層2層とした多層フ
レキシブル配線基板が作製される。そして、配線が4層
以上のものは、更に工程を繰り返すことにより、作製し
ていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図3に
示すような製造方法であると、積層時に用いる接着剤
(プリプレグ)がエポキシあるいはアクリルであるた
め、耐熱性、寸法安定性に劣るという問題がある。ま
た、ポリイミド等の絶縁層をベースとする銅張基板が絶
縁層厚35μm〜50μm、導体である銅箔厚が18μ
m〜35μmであるため、この銅張基板を用いて積層す
ると積層後の基板総厚が厚くなり、薄型化に反するばか
りか、フレキシブル配線基板の特徴であるフレキシビリ
ティが低下しかねないという問題がある。また、スルー
ホールにより表裏導体層と内部導体層との導通をとって
いるため、屈曲時に発生するスルーホール部への応力集
中により内壁部が断線し易くなってしまうという問題も
ある。更に、積層アライメントを確保するために表裏お
よび内層のランド径が大きくなり、表裏及び内層の導体
の配線が制限され高密度配線が困難となるとともに、設
計面でも制限が大きくなる。本発明は、これに対応する
もので、耐熱性、寸法安定性に優れ、層間接続の信頼性
に優れ、薄型化が可能で、フレキシビリティーに富み、
高密度配線を可能とした多層フレキシブル配線基板と、
多層フレキシブル配線基板の製造方法を提供しようとす
るものである。
示すような製造方法であると、積層時に用いる接着剤
(プリプレグ)がエポキシあるいはアクリルであるた
め、耐熱性、寸法安定性に劣るという問題がある。ま
た、ポリイミド等の絶縁層をベースとする銅張基板が絶
縁層厚35μm〜50μm、導体である銅箔厚が18μ
m〜35μmであるため、この銅張基板を用いて積層す
ると積層後の基板総厚が厚くなり、薄型化に反するばか
りか、フレキシブル配線基板の特徴であるフレキシビリ
ティが低下しかねないという問題がある。また、スルー
ホールにより表裏導体層と内部導体層との導通をとって
いるため、屈曲時に発生するスルーホール部への応力集
中により内壁部が断線し易くなってしまうという問題も
ある。更に、積層アライメントを確保するために表裏お
よび内層のランド径が大きくなり、表裏及び内層の導体
の配線が制限され高密度配線が困難となるとともに、設
計面でも制限が大きくなる。本発明は、これに対応する
もので、耐熱性、寸法安定性に優れ、層間接続の信頼性
に優れ、薄型化が可能で、フレキシビリティーに富み、
高密度配線を可能とした多層フレキシブル配線基板と、
多層フレキシブル配線基板の製造方法を提供しようとす
るものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の多層配線基板の
製造方法は、有機高分子材料を絶縁層として銅配線を多
層に形成した多層配線基板の製造法であって、順に、
(a)金属基板上に第1の導電層を設け、該第1の導電
層上にフォトレジストをパターンニングしてこれをめっ
き用マスクとして、電解めっき法により、第1の配線を
形成する工程と、(b)第1の導電層上のフォトレジス
トを剥離した後、金属基板の第1の導電層側に、感光性
を有する有機高分子材料を塗布する工程と、(c)該感
光性を有する有機高分子材料を製版して層間接続用孔を
第1の配線形成領域に形成する工程と、(d)第1の導
電層と、感光性を有する有機高分子材料と、第1の配線
とを一体として、これから金属基板のみを分離除去する
工程と、(e)前記有機高分子材料を硬化し、第1の絶
縁層とする工程と、(f)第1の導電層側を電極とし
て、層間接続用孔を電解めっき法により銅を埋める工程
と、(g)第1の絶縁層上および層間接続用孔に埋めら
れた銅上に、導電性薄膜を全面覆うように形成する工程
と、(h)前記導電性薄膜上にフォトレジストをパター
ンニングしてこれをめっき用マスクとして、電解めっき
法により、第2の配線を形成する工程と、(i)フォト
レジストを除去し、前記導電性薄膜の第2の配線領域以
外の部分をエッチング除去する工程とを実施した後、
(j)露出された配線形成領域側に、感光性を有する有
機高分子材料を塗布し、該感光性を有する有機高分子材
料を製版して層間接続用孔を露出された配線形成領域に
形成する工程と、(k)前記有機高分子材料を硬化し、
絶縁層とする工程と、(l)第1の導電層側を電極とし
て、前記層間接続用孔を電解めっき法により銅を埋める
工程と、(m)前記絶縁層上および前記層間接続用孔に
埋められた銅上に、導電性薄膜を全面覆うように形成す
る工程と、(n)前記導電性薄膜上にフォトレジストを
パターンニングしてこれをめっき用マスクとして、電解
めっき法により、配線を形成する工程と、(o)前記フ
ォトレジストを除去し、前記導電性薄膜の配線領域以外
の部分をエッチング除去する工程とを少なくとも1回以
上繰り返すもので、最後の繰り返しの(o)工程の後
に、第1の導電層を除去することを特徴とするものであ
る。また、本発明の多層配線基板の製造方法は、有機高
分子材料を絶縁層として銅配線を多層に形成した多層配
線基板の製造法であって、順に、(A)金属基板上に第
1の導電層を設け、該第1の導電層上にフォトレジスト
をパターンニングしてこれをめっき用マスクとして、電
解めっき法により、第1の配線を形成する工程と、
(B)第1の導電層上のフォトレジストを剥離せず、金
属基板の第1の導電層側に、感光性を有する有機高分子
材料を塗布する工程と、(C)該感光性を有する有機高
分子材料を製版して層間接続用孔を第1の配線形成領域
に形成する工程と、(D)第1の導電層と、感光性を有
する有機高分子材料と、第1の配線とを一体として、こ
れから金属基板のみを分離除去する工程と、(E)前記
有機高分子材料を硬化し、第1の絶縁層とする工程と、
(F)第1の導電層側を電極として、層間接続用孔を電
解めっき法により銅を埋める工程と、(G)第1の絶縁
層上および層間接続用孔に埋められた銅上に、導電性薄
膜を全面覆うように形成する工程と、(H)前記導電性
薄膜上にフォトレジストをパターンニングしてこれをめ
っき用マスクとして、電解めっき法により、第2の配線
を形成する工程と、(I)フォトレジストを除去し、前
記導電性薄膜の第2の配線領域以外の部分をエッチング
除去する工程とを実施した後、(J)露出された配線形
成領域側に、感光性を有する有機高分子材料を塗布し、
該感光性を有する有機高分子材料を製版して層間接続用
孔を露出された配線形成領域に形成する工程と、(K)
前記有機高分子材料を硬化し、絶縁層とする工程と、
(L)第1の導電層側を電極として、前記層間接続用孔
を電解めっき法により銅を埋める工程と、(M)前記絶
縁層上および前記層間接続用孔に埋められた銅上に、導
電性薄膜を全面覆うように形成する工程と、(N)前記
導電性薄膜上にフォトレジストをパターンニングしてこ
れをめっき用マスクとして、電解めっき法により、配線
を形成する工程と、(O)前記フォトレジストを除去
し、前記導電性薄膜の配線領域以外の部分をエッチング
除去する工程とを少なくとも1回以上繰り返すもので、
最後の繰り返しの(O)工程の後に、第1の導電層を除
去することを特徴とするものである。そして、上記感光
性を有する有機高分子材料の上に、該有機高分子材料と
銅との密着性を向上させるための材料からなる薄い層を
設けた後、前記有機高分子材料を製版することを特徴と
するものである。そして、上記における感光性を有する
有機高分子材料がポリイミドであることを特徴とするも
のである。
製造方法は、有機高分子材料を絶縁層として銅配線を多
層に形成した多層配線基板の製造法であって、順に、
(a)金属基板上に第1の導電層を設け、該第1の導電
層上にフォトレジストをパターンニングしてこれをめっ
き用マスクとして、電解めっき法により、第1の配線を
形成する工程と、(b)第1の導電層上のフォトレジス
トを剥離した後、金属基板の第1の導電層側に、感光性
を有する有機高分子材料を塗布する工程と、(c)該感
光性を有する有機高分子材料を製版して層間接続用孔を
第1の配線形成領域に形成する工程と、(d)第1の導
電層と、感光性を有する有機高分子材料と、第1の配線
とを一体として、これから金属基板のみを分離除去する
工程と、(e)前記有機高分子材料を硬化し、第1の絶
縁層とする工程と、(f)第1の導電層側を電極とし
て、層間接続用孔を電解めっき法により銅を埋める工程
と、(g)第1の絶縁層上および層間接続用孔に埋めら
れた銅上に、導電性薄膜を全面覆うように形成する工程
と、(h)前記導電性薄膜上にフォトレジストをパター
ンニングしてこれをめっき用マスクとして、電解めっき
法により、第2の配線を形成する工程と、(i)フォト
レジストを除去し、前記導電性薄膜の第2の配線領域以
外の部分をエッチング除去する工程とを実施した後、
(j)露出された配線形成領域側に、感光性を有する有
機高分子材料を塗布し、該感光性を有する有機高分子材
料を製版して層間接続用孔を露出された配線形成領域に
形成する工程と、(k)前記有機高分子材料を硬化し、
絶縁層とする工程と、(l)第1の導電層側を電極とし
て、前記層間接続用孔を電解めっき法により銅を埋める
工程と、(m)前記絶縁層上および前記層間接続用孔に
埋められた銅上に、導電性薄膜を全面覆うように形成す
る工程と、(n)前記導電性薄膜上にフォトレジストを
パターンニングしてこれをめっき用マスクとして、電解
めっき法により、配線を形成する工程と、(o)前記フ
ォトレジストを除去し、前記導電性薄膜の配線領域以外
の部分をエッチング除去する工程とを少なくとも1回以
上繰り返すもので、最後の繰り返しの(o)工程の後
に、第1の導電層を除去することを特徴とするものであ
る。また、本発明の多層配線基板の製造方法は、有機高
分子材料を絶縁層として銅配線を多層に形成した多層配
線基板の製造法であって、順に、(A)金属基板上に第
1の導電層を設け、該第1の導電層上にフォトレジスト
をパターンニングしてこれをめっき用マスクとして、電
解めっき法により、第1の配線を形成する工程と、
(B)第1の導電層上のフォトレジストを剥離せず、金
属基板の第1の導電層側に、感光性を有する有機高分子
材料を塗布する工程と、(C)該感光性を有する有機高
分子材料を製版して層間接続用孔を第1の配線形成領域
に形成する工程と、(D)第1の導電層と、感光性を有
する有機高分子材料と、第1の配線とを一体として、こ
れから金属基板のみを分離除去する工程と、(E)前記
有機高分子材料を硬化し、第1の絶縁層とする工程と、
(F)第1の導電層側を電極として、層間接続用孔を電
解めっき法により銅を埋める工程と、(G)第1の絶縁
層上および層間接続用孔に埋められた銅上に、導電性薄
膜を全面覆うように形成する工程と、(H)前記導電性
薄膜上にフォトレジストをパターンニングしてこれをめ
っき用マスクとして、電解めっき法により、第2の配線
を形成する工程と、(I)フォトレジストを除去し、前
記導電性薄膜の第2の配線領域以外の部分をエッチング
除去する工程とを実施した後、(J)露出された配線形
成領域側に、感光性を有する有機高分子材料を塗布し、
該感光性を有する有機高分子材料を製版して層間接続用
孔を露出された配線形成領域に形成する工程と、(K)
前記有機高分子材料を硬化し、絶縁層とする工程と、
(L)第1の導電層側を電極として、前記層間接続用孔
を電解めっき法により銅を埋める工程と、(M)前記絶
縁層上および前記層間接続用孔に埋められた銅上に、導
電性薄膜を全面覆うように形成する工程と、(N)前記
導電性薄膜上にフォトレジストをパターンニングしてこ
れをめっき用マスクとして、電解めっき法により、配線
を形成する工程と、(O)前記フォトレジストを除去
し、前記導電性薄膜の配線領域以外の部分をエッチング
除去する工程とを少なくとも1回以上繰り返すもので、
最後の繰り返しの(O)工程の後に、第1の導電層を除
去することを特徴とするものである。そして、上記感光
性を有する有機高分子材料の上に、該有機高分子材料と
銅との密着性を向上させるための材料からなる薄い層を
設けた後、前記有機高分子材料を製版することを特徴と
するものである。そして、上記における感光性を有する
有機高分子材料がポリイミドであることを特徴とするも
のである。
【0006】本発明の多層配線基板は、上記本発明の多
層配線基板の製造方法により作製されたことを特徴とす
るものである。
層配線基板の製造方法により作製されたことを特徴とす
るものである。
【0007】
【作用】本発明の多層配線基板の製造方法は、上記のよ
うに構成することにより、耐熱性、寸法安定性に優れ、
層間接続の信頼性に優れ、薄型化が可能で、フレキシビ
リティーに富み、高密度配線ができる多層フレキシブル
配線基板の製造方法の提供を可能としている。詳しく
は、順に、(a)金属基板上に第1の導電層を設け、該
第1の導電層上にフォトレジストをパターンニングして
これをめっき用マスクとして、電解めっき法により、第
1の配線を形成する工程と、(b)第1の導電層上のフ
ォトレジストを剥離した後、金属基板の第1の導電層側
に、感光性を有する有機高分子材料を塗布する工程と、
(c)該感光性を有する有機高分子材料を製版して層間
接続用孔を第1の配線形成領域に形成する工程と、
(d)第1の導電層と、感光性を有する有機高分子材料
と、第1の配線とを一体として、これから金属基板のみ
を分離除去する工程と、(e)前記有機高分子材料を硬
化し、第1の絶縁層とする工程と、(f)第1の導電層
側を電極として、層間接続用孔を電解めっき法により銅
を埋める工程と、(g)第1の絶縁層上および層間接続
用孔に埋められた銅上に、導電性薄膜を全面覆うように
形成する工程と、(h)前記導電性薄膜上にフォトレジ
ストをパターンニングしてこれをめっき用マスクとし
て、電解めっき法により、第2の配線を形成する工程
と、(i)フォトレジストを除去し、前記導電性薄膜の
第2の配線領域以外の部分をエッチング除去する工程と
を実施した後、(j)露出された配線形成領域側に、感
光性を有する有機高分子材料を塗布し、該感光性を有す
る有機高分子材料を製版して層間接続用孔を露出された
配線形成領域に形成する工程と、(k)前記有機高分子
材料を硬化し、絶縁層とする工程と、(l)第1の導電
層側を電極として、前記層間接続用孔を電解めっき法に
より銅を埋める工程と、(m)前記絶縁層上および前記
層間接続用孔に埋められた銅上に、導電性薄膜を全面覆
うように形成する工程と、(n)前記導電性薄膜上にフ
ォトレジストをパターンニングしてこれをめっき用マス
クとして、電解めっき法により、配線を形成する工程
と、(o)前記フォトレジストを除去し、前記導電性薄
膜の配線領域以外の部分をエッチング除去する工程とを
少なくとも1回以上繰り返すもので、最後の繰り返しの
(o)工程の後に、第1の導電層を除去することにより
これを達成している。また、順に、(A)金属基板上に
第1の導電層を設け、該第1の導電層上にフォトレジス
トをパターンニングしてこれをめっき用マスクとして、
電解めっき法により、第1の配線を形成する工程と、
(B)第1の導電層上のフォトレジストを剥離せず、金
属基板の第1の導電層側に、感光性を有する有機高分子
材料を塗布する工程と、(C)該感光性を有する有機高
分子材料を製版して層間接続用孔を第1の配線形成領域
に形成する工程と、(D)第1の導電層と、感光性を有
する有機高分子材料と、第1の配線とを一体として、こ
れから金属基板のみを分離除去する工程と、(E)前記
有機高分子材料を硬化し、第1の絶縁層とする工程と、
(F)第1の導電層側を電極として、層間接続用孔を電
解めっき法により銅を埋める工程と、(G)第1の絶縁
層上および層間接続用孔に埋められた銅上に、導電性薄
膜を全面覆うように形成する工程と、(H)前記導電性
薄膜上にフォトレジストをパターンニングしてこれをめ
っき用マスクとして、電解めっき法により、第2の配線
を形成する工程と、(I)フォトレジストを除去し、前
記導電性薄膜の第2の配線領域以外の部分をエッチング
除去する工程とを実施した後、(J)露出された配線形
成領域側に、感光性を有する有機高分子材料を塗布し、
該感光性を有する有機高分子材料を製版して層間接続用
孔を露出された配線形成領域に形成する工程と、(K)
前記有機高分子材料を硬化し、絶縁層とする工程と、
(L)第1の導電層側を電極として、前記層間接続用孔
を電解めっき法により銅を埋める工程と、(M)前記絶
縁層上および前記層間接続用孔に埋められた銅上に、導
電性薄膜を全面覆うように形成する工程と、(N)前記
導電性薄膜上にフォトレジストをパターンニングしてこ
れをめっき用マスクとして、電解めっき法により、配線
を形成する工程と、(O)前記フォトレジストを除去
し、前記導電性薄膜の配線領域以外の部分をエッチング
除去する工程とを少なくとも1回以上繰り返すもので、
最後の繰り返しの(O)工程の後に、第1の導電層を除
去することによりこれを達成している。
うに構成することにより、耐熱性、寸法安定性に優れ、
層間接続の信頼性に優れ、薄型化が可能で、フレキシビ
リティーに富み、高密度配線ができる多層フレキシブル
配線基板の製造方法の提供を可能としている。詳しく
は、順に、(a)金属基板上に第1の導電層を設け、該
第1の導電層上にフォトレジストをパターンニングして
これをめっき用マスクとして、電解めっき法により、第
1の配線を形成する工程と、(b)第1の導電層上のフ
ォトレジストを剥離した後、金属基板の第1の導電層側
に、感光性を有する有機高分子材料を塗布する工程と、
(c)該感光性を有する有機高分子材料を製版して層間
接続用孔を第1の配線形成領域に形成する工程と、
(d)第1の導電層と、感光性を有する有機高分子材料
と、第1の配線とを一体として、これから金属基板のみ
を分離除去する工程と、(e)前記有機高分子材料を硬
化し、第1の絶縁層とする工程と、(f)第1の導電層
側を電極として、層間接続用孔を電解めっき法により銅
を埋める工程と、(g)第1の絶縁層上および層間接続
用孔に埋められた銅上に、導電性薄膜を全面覆うように
形成する工程と、(h)前記導電性薄膜上にフォトレジ
ストをパターンニングしてこれをめっき用マスクとし
て、電解めっき法により、第2の配線を形成する工程
と、(i)フォトレジストを除去し、前記導電性薄膜の
第2の配線領域以外の部分をエッチング除去する工程と
を実施した後、(j)露出された配線形成領域側に、感
光性を有する有機高分子材料を塗布し、該感光性を有す
る有機高分子材料を製版して層間接続用孔を露出された
配線形成領域に形成する工程と、(k)前記有機高分子
材料を硬化し、絶縁層とする工程と、(l)第1の導電
層側を電極として、前記層間接続用孔を電解めっき法に
より銅を埋める工程と、(m)前記絶縁層上および前記
層間接続用孔に埋められた銅上に、導電性薄膜を全面覆
うように形成する工程と、(n)前記導電性薄膜上にフ
ォトレジストをパターンニングしてこれをめっき用マス
クとして、電解めっき法により、配線を形成する工程
と、(o)前記フォトレジストを除去し、前記導電性薄
膜の配線領域以外の部分をエッチング除去する工程とを
少なくとも1回以上繰り返すもので、最後の繰り返しの
(o)工程の後に、第1の導電層を除去することにより
これを達成している。また、順に、(A)金属基板上に
第1の導電層を設け、該第1の導電層上にフォトレジス
トをパターンニングしてこれをめっき用マスクとして、
電解めっき法により、第1の配線を形成する工程と、
(B)第1の導電層上のフォトレジストを剥離せず、金
属基板の第1の導電層側に、感光性を有する有機高分子
材料を塗布する工程と、(C)該感光性を有する有機高
分子材料を製版して層間接続用孔を第1の配線形成領域
に形成する工程と、(D)第1の導電層と、感光性を有
する有機高分子材料と、第1の配線とを一体として、こ
れから金属基板のみを分離除去する工程と、(E)前記
有機高分子材料を硬化し、第1の絶縁層とする工程と、
(F)第1の導電層側を電極として、層間接続用孔を電
解めっき法により銅を埋める工程と、(G)第1の絶縁
層上および層間接続用孔に埋められた銅上に、導電性薄
膜を全面覆うように形成する工程と、(H)前記導電性
薄膜上にフォトレジストをパターンニングしてこれをめ
っき用マスクとして、電解めっき法により、第2の配線
を形成する工程と、(I)フォトレジストを除去し、前
記導電性薄膜の第2の配線領域以外の部分をエッチング
除去する工程とを実施した後、(J)露出された配線形
成領域側に、感光性を有する有機高分子材料を塗布し、
該感光性を有する有機高分子材料を製版して層間接続用
孔を露出された配線形成領域に形成する工程と、(K)
前記有機高分子材料を硬化し、絶縁層とする工程と、
(L)第1の導電層側を電極として、前記層間接続用孔
を電解めっき法により銅を埋める工程と、(M)前記絶
縁層上および前記層間接続用孔に埋められた銅上に、導
電性薄膜を全面覆うように形成する工程と、(N)前記
導電性薄膜上にフォトレジストをパターンニングしてこ
れをめっき用マスクとして、電解めっき法により、配線
を形成する工程と、(O)前記フォトレジストを除去
し、前記導電性薄膜の配線領域以外の部分をエッチング
除去する工程とを少なくとも1回以上繰り返すもので、
最後の繰り返しの(O)工程の後に、第1の導電層を除
去することによりこれを達成している。
【0008】即ち、本発明の多層配線基板の製造方法に
おいては、感光性を有する有機高分子材料を製版して層
間接続用孔を配線形成領域に形成する工程の後、第1の
導電層側を電極として、前記層間接続用孔を電解めっき
法により銅を埋める工程を設けており、層間接続用孔全
体をめっきにより生成された銅で埋めることができ、ス
ルホールめっきとは異なり、導通不良の起きにくい構造
として多層配線基板を作製できる。そして、層間接続用
孔を電解めっき法により銅を埋める工程の後、絶縁層上
および層間接続用孔に埋められた銅上に、導電性薄膜を
全面覆うように形成し、導電性薄膜上にフォトレジスト
をパターンニングしてこれをめっき用マスクとして、電
解めっき法により、配線を形成することにより、配線パ
ターンの形成位置を自由にとれるものとしている。そし
て、電解めっきで層間接続孔がめっき銅で埋め込まれて
いるため層間接続の信頼性が高く、部品搭載用パッドと
して層間接続孔に埋め込まれているめっき銅部を使用で
き、配線の高密度化を可能としている。更に、電解めっ
き法のみで絶縁層上に配線を形成できるため、配線の微
細化、高密度化を可能としている。また、感光性を有す
る有機高分子材料のみを層間接続孔形成のための絶縁層
としているため基板の厚みを薄くできる。
おいては、感光性を有する有機高分子材料を製版して層
間接続用孔を配線形成領域に形成する工程の後、第1の
導電層側を電極として、前記層間接続用孔を電解めっき
法により銅を埋める工程を設けており、層間接続用孔全
体をめっきにより生成された銅で埋めることができ、ス
ルホールめっきとは異なり、導通不良の起きにくい構造
として多層配線基板を作製できる。そして、層間接続用
孔を電解めっき法により銅を埋める工程の後、絶縁層上
および層間接続用孔に埋められた銅上に、導電性薄膜を
全面覆うように形成し、導電性薄膜上にフォトレジスト
をパターンニングしてこれをめっき用マスクとして、電
解めっき法により、配線を形成することにより、配線パ
ターンの形成位置を自由にとれるものとしている。そし
て、電解めっきで層間接続孔がめっき銅で埋め込まれて
いるため層間接続の信頼性が高く、部品搭載用パッドと
して層間接続孔に埋め込まれているめっき銅部を使用で
き、配線の高密度化を可能としている。更に、電解めっ
き法のみで絶縁層上に配線を形成できるため、配線の微
細化、高密度化を可能としている。また、感光性を有す
る有機高分子材料のみを層間接続孔形成のための絶縁層
としているため基板の厚みを薄くできる。
【0009】また、感光性を有する有機高分子材料の上
に、該有機高分子材料と銅との密着性を向上させるため
の材料からなる薄い層を設けた後、前記有機高分子材料
を製版することにより、積層される有機高分子材料から
なる絶縁層と銅との密着性を向上できる。尚、この有機
高分子材料と銅との密着性を向上させるための材料から
なる薄い層は、膜厚が薄く、有機高分子材料が現像除去
される箇所においては、有機高分子材料と伴に除去でき
ることが必要である。例えば、有機高分子材料の現像時
に現像液が浸透するか、あるいは該薄い層自体にも感光
性があるものが使用できる。更に具体的には、感光性を
有する有機高分子材料をポリイミドとすることにより、
従来より用いられている材料の使用で、比較的簡単に実
施できるものとしている。
に、該有機高分子材料と銅との密着性を向上させるため
の材料からなる薄い層を設けた後、前記有機高分子材料
を製版することにより、積層される有機高分子材料から
なる絶縁層と銅との密着性を向上できる。尚、この有機
高分子材料と銅との密着性を向上させるための材料から
なる薄い層は、膜厚が薄く、有機高分子材料が現像除去
される箇所においては、有機高分子材料と伴に除去でき
ることが必要である。例えば、有機高分子材料の現像時
に現像液が浸透するか、あるいは該薄い層自体にも感光
性があるものが使用できる。更に具体的には、感光性を
有する有機高分子材料をポリイミドとすることにより、
従来より用いられている材料の使用で、比較的簡単に実
施できるものとしている。
【0010】本発明の多層配線基板は、本発明の多層配
線基板の製造方法により作製されるもので、耐熱性、寸
法安定性に優れ、層間接続の信頼性に優れ、薄型化が可
能で、フレキシビリティーに富み、高密度配線ができる
とともに、層間接続用孔全体をめっきにより生成された
銅で埋められており、スルホールめっきとは異なり、導
通不良の起きにくい構造となっている。そして、配線パ
ターンの形成位置をの自由度が高いものでもある。
線基板の製造方法により作製されるもので、耐熱性、寸
法安定性に優れ、層間接続の信頼性に優れ、薄型化が可
能で、フレキシビリティーに富み、高密度配線ができる
とともに、層間接続用孔全体をめっきにより生成された
銅で埋められており、スルホールめっきとは異なり、導
通不良の起きにくい構造となっている。そして、配線パ
ターンの形成位置をの自由度が高いものでもある。
【0011】
【発明の実施の形態】本発明を図にもとづいて説明す
る。はじめに、本発明の多層配線基板の製造方法の実施
の形態の第1の例を説明する。図1は、本発明の多層配
線基板の製造方法の実施の形態の第1の例を示した工程
図であり、製造過程の一断面を示している。図1中、1
10は金属基板、120は導電層、130、135はフ
ォトレジスト、140、141、142は配線、15
0、は有機高分子、150A、151Aは絶縁層、15
0B、151Bは層間接続孔、160、161はめっき
銅、170、171は導電性薄膜である。先ず、金属基
板110(図1(a))上に電解めっき法により、多層
配線基板製造の際のキャリアとなるNi等の導電層12
0を形成する。(図1(b)) 次いで、導電層120上に配線を形成するためのフォト
レジストからなるパターンを形成した後、電解めっき法
により配線140を形成する。(図1(c)) 次いで、フォトレジスト130を剥離した後、感光性を
有する有機高分子150を塗布し、製版して、層間接続
用孔150Bを形成する。(図1(d)) ここで、導電層120と、有機高分子150と配線14
0を一体として、導電層120から金属基板110を分
離した後、有機高分子150を硬化させ、これを多層基
板の絶縁層150として形成する。(図1(e)) 次いで、導電層120側を電極として、絶縁層150に
より形成されている層間接続用孔150Bに電解めっき
法にてめっき銅160を埋める。(図1(f)) 次いで、絶縁層150上および層間接続用孔に埋められ
ためっき銅160上に、導電性薄膜170を全面覆うよ
うに形成した(図1(g))後、導電性薄膜170上に
フォトレジスト135をパターンニングしてこれをめっ
き用マスクとして、電解めっき法により、配線141を
形成する。(図1(h)) この後、フォトレジスト135を除去し、導電性薄膜1
70の配線141の領域以外の部分をエッチング除去す
る。(図1(i))
る。はじめに、本発明の多層配線基板の製造方法の実施
の形態の第1の例を説明する。図1は、本発明の多層配
線基板の製造方法の実施の形態の第1の例を示した工程
図であり、製造過程の一断面を示している。図1中、1
10は金属基板、120は導電層、130、135はフ
ォトレジスト、140、141、142は配線、15
0、は有機高分子、150A、151Aは絶縁層、15
0B、151Bは層間接続孔、160、161はめっき
銅、170、171は導電性薄膜である。先ず、金属基
板110(図1(a))上に電解めっき法により、多層
配線基板製造の際のキャリアとなるNi等の導電層12
0を形成する。(図1(b)) 次いで、導電層120上に配線を形成するためのフォト
レジストからなるパターンを形成した後、電解めっき法
により配線140を形成する。(図1(c)) 次いで、フォトレジスト130を剥離した後、感光性を
有する有機高分子150を塗布し、製版して、層間接続
用孔150Bを形成する。(図1(d)) ここで、導電層120と、有機高分子150と配線14
0を一体として、導電層120から金属基板110を分
離した後、有機高分子150を硬化させ、これを多層基
板の絶縁層150として形成する。(図1(e)) 次いで、導電層120側を電極として、絶縁層150に
より形成されている層間接続用孔150Bに電解めっき
法にてめっき銅160を埋める。(図1(f)) 次いで、絶縁層150上および層間接続用孔に埋められ
ためっき銅160上に、導電性薄膜170を全面覆うよ
うに形成した(図1(g))後、導電性薄膜170上に
フォトレジスト135をパターンニングしてこれをめっ
き用マスクとして、電解めっき法により、配線141を
形成する。(図1(h)) この後、フォトレジスト135を除去し、導電性薄膜1
70の配線141の領域以外の部分をエッチング除去す
る。(図1(i))
【0012】次いで、露出された配線(141)形成領
域側に、感光性を有する有機高分子材料を塗布し、該感
光性を有する有機高分子材料151を製版して層間接続
用孔151Bを露出された配線(141)形成領域に形
成した後、有機高分子材料151を硬化し、絶縁層15
1Aとする。((図1(j)) この後、導電層120側を電極として、層間接続用孔1
51Bを電解めっき法によりめっき銅161を埋めた
(図1(k))後、絶縁層151A上および層間接続用
孔151Bに埋められた銅上に、導電性薄膜171を全
面覆うように形成する。(図1(l)) 次いで、導電性薄膜171上にフォトレジスト135を
パターンニングしてこれをめっき用マスクとして、電解
めっき法により、配線142を形成する。(図1
(m)) 次いで、フォトレジスト135を除去し、導電性薄膜1
71の配線(142)領域以外の部分をエッチング除去
する。(図1(n)) これにて、絶縁層を2層設け、配線層を3層とした多層
基板が形成される。更に、この後、上記図1(j)〜図
1(n)の工程をN回繰り返すことにより、更に絶縁層
をN層、配線層をN層多く形成した多層基板を得る。そ
して、最後の繰り返しにおける図1(n)の工程の後
に、導電層120を除去する。
域側に、感光性を有する有機高分子材料を塗布し、該感
光性を有する有機高分子材料151を製版して層間接続
用孔151Bを露出された配線(141)形成領域に形
成した後、有機高分子材料151を硬化し、絶縁層15
1Aとする。((図1(j)) この後、導電層120側を電極として、層間接続用孔1
51Bを電解めっき法によりめっき銅161を埋めた
(図1(k))後、絶縁層151A上および層間接続用
孔151Bに埋められた銅上に、導電性薄膜171を全
面覆うように形成する。(図1(l)) 次いで、導電性薄膜171上にフォトレジスト135を
パターンニングしてこれをめっき用マスクとして、電解
めっき法により、配線142を形成する。(図1
(m)) 次いで、フォトレジスト135を除去し、導電性薄膜1
71の配線(142)領域以外の部分をエッチング除去
する。(図1(n)) これにて、絶縁層を2層設け、配線層を3層とした多層
基板が形成される。更に、この後、上記図1(j)〜図
1(n)の工程をN回繰り返すことにより、更に絶縁層
をN層、配線層をN層多く形成した多層基板を得る。そ
して、最後の繰り返しにおける図1(n)の工程の後
に、導電層120を除去する。
【0013】次いで、本発明の多層配線基板の製造方法
の実施の形態の第2の例を説明する。図2は、本発明の
多層配線基板の製造方法の実施の形態の第2の例を示し
た工程図であり、製造過程の一断面を示している。図2
中、210は金属基板、220は導電層、230、23
5はフォトレジスト、240、241、242は配線、
250は有機高分子、250A、251Aは絶縁層、2
50B、251Bは層間接続孔、260、261はめっ
き銅、270、171は導電性薄膜である。図2に示す
第2の例が、図1に示す第1の例と違う点は、電解めっ
き法により配線240を形成した(図2(c))後、フ
ォトレジスト230を剥離せずに、感光性を有する有機
高分子250を塗布し、製版して、層間接続用孔250
Bを形成する(図2(d))点であり、これ以外の工程
は第2の例と第1の例は同じである。ここで、フォトレ
ジスト230は感光性を有する有機高分子250もしく
は同等の特性を有するものを使用する。
の実施の形態の第2の例を説明する。図2は、本発明の
多層配線基板の製造方法の実施の形態の第2の例を示し
た工程図であり、製造過程の一断面を示している。図2
中、210は金属基板、220は導電層、230、23
5はフォトレジスト、240、241、242は配線、
250は有機高分子、250A、251Aは絶縁層、2
50B、251Bは層間接続孔、260、261はめっ
き銅、270、171は導電性薄膜である。図2に示す
第2の例が、図1に示す第1の例と違う点は、電解めっ
き法により配線240を形成した(図2(c))後、フ
ォトレジスト230を剥離せずに、感光性を有する有機
高分子250を塗布し、製版して、層間接続用孔250
Bを形成する(図2(d))点であり、これ以外の工程
は第2の例と第1の例は同じである。ここで、フォトレ
ジスト230は感光性を有する有機高分子250もしく
は同等の特性を有するものを使用する。
【0014】上記実施の形態の第1の例、第2の例にお
いて、感光性を有する有機高分子材料の上に、該有機高
分子材料とめっき銅との密着性を向上させるための材料
からなる薄い層を設けた後、前記有機高分子材料を製版
することにより、積層される有機高分子材料からなる絶
縁層とめっき銅との密着性を向上できる。尚、この有機
高分子材料とめっき銅との密着性を向上させるための材
料からなる薄い層は、膜厚が薄く、有機高分子材料が現
像除去される箇所においては、有機高分子材料と伴に除
去できることが必要である。例えば、有機高分子材料の
現像時に現像液が浸透するか、あるいは該薄い層自体に
も感光性があるものが使用できる。薄い層としては、エ
ポキシ系、、アクリル系、ウレタン系、フェノール系の
材料等からなり、感光性があっても良い。
いて、感光性を有する有機高分子材料の上に、該有機高
分子材料とめっき銅との密着性を向上させるための材料
からなる薄い層を設けた後、前記有機高分子材料を製版
することにより、積層される有機高分子材料からなる絶
縁層とめっき銅との密着性を向上できる。尚、この有機
高分子材料とめっき銅との密着性を向上させるための材
料からなる薄い層は、膜厚が薄く、有機高分子材料が現
像除去される箇所においては、有機高分子材料と伴に除
去できることが必要である。例えば、有機高分子材料の
現像時に現像液が浸透するか、あるいは該薄い層自体に
も感光性があるものが使用できる。薄い層としては、エ
ポキシ系、、アクリル系、ウレタン系、フェノール系の
材料等からなり、感光性があっても良い。
【0015】尚、本発明では、各有機高分子を硬化させ
て、多層基板の各絶縁層としているが、この硬化を半硬
化とした場合には、多層基板を作製後に、再度硬化させ
る処理を施す。
て、多層基板の各絶縁層としているが、この硬化を半硬
化とした場合には、多層基板を作製後に、再度硬化させ
る処理を施す。
【0016】次いで、本発明の多層配線基板を、図3に
示し、簡単に説明する。図3(a)は、図1に示す本発
明の多層配線基板の製造方法の実施の形態の第1の例に
より作製された多層配線基板の断面図であり、図3
(b)は図2に示す本発明の多層配線基板の製造方法の
実施の形態の第2の例により作製された多層配線基板の
断面図であり、ここでは、便宜上、絶縁層を4層、配線
を5層とした多層配線基板を示している。図3(a)
中、300は多層配線基板、340、341、342、
343は配線、350、351、352、353は絶縁
層、360はめっき銅であり、図3(b)中、300A
は多層配線基板、330Aはフォトレジスト、340
A、341A、342A、343Aは配線、350A、
351A、352A、353Aは絶縁層、360Aはめ
っき銅である。図1、図2に示すように、本発明の多層
配線基板の製造方法においては、感光性を有する有機高
分子材料を製版して層間接続用孔を配線形成領域に形成
する工程の後、第1の導電層側を電極として、前記層間
接続用孔を電解めっき法により銅を埋める工程を設けて
おり、これにより、本発明の多層配線基板300、30
0Aは、それぞれ層間接続用孔全体がめっきにより生成
されためっき銅360、360Aで埋め込まれ、層間接
続の信頼性が高い、即ち導通不良の起きにくい構造とな
っている。また、図1、図2に示すように、本発明の製
造方法においては、層間接続用孔を電解めっき法により
めっき銅を埋める工程の後、絶縁層上および層間接続用
孔に埋められた銅上に、導電性薄膜を全面覆うように形
成し、導電性薄膜上にフォトレジストをパターンニング
してこれをめっき用マスクとして、電解めっき法によ
り、配線を形成している。この為、本発明の多層配線基
板300、300Aは、配線パターンの形成位置を自由
にとれる。また、図1、図2に示すように、本発明の製
造方法により作製されるため、図3に示すように、絶縁
層、配線層がそれぞれ平坦面に形成されるており、物理
的にも安定な構造である。
示し、簡単に説明する。図3(a)は、図1に示す本発
明の多層配線基板の製造方法の実施の形態の第1の例に
より作製された多層配線基板の断面図であり、図3
(b)は図2に示す本発明の多層配線基板の製造方法の
実施の形態の第2の例により作製された多層配線基板の
断面図であり、ここでは、便宜上、絶縁層を4層、配線
を5層とした多層配線基板を示している。図3(a)
中、300は多層配線基板、340、341、342、
343は配線、350、351、352、353は絶縁
層、360はめっき銅であり、図3(b)中、300A
は多層配線基板、330Aはフォトレジスト、340
A、341A、342A、343Aは配線、350A、
351A、352A、353Aは絶縁層、360Aはめ
っき銅である。図1、図2に示すように、本発明の多層
配線基板の製造方法においては、感光性を有する有機高
分子材料を製版して層間接続用孔を配線形成領域に形成
する工程の後、第1の導電層側を電極として、前記層間
接続用孔を電解めっき法により銅を埋める工程を設けて
おり、これにより、本発明の多層配線基板300、30
0Aは、それぞれ層間接続用孔全体がめっきにより生成
されためっき銅360、360Aで埋め込まれ、層間接
続の信頼性が高い、即ち導通不良の起きにくい構造とな
っている。また、図1、図2に示すように、本発明の製
造方法においては、層間接続用孔を電解めっき法により
めっき銅を埋める工程の後、絶縁層上および層間接続用
孔に埋められた銅上に、導電性薄膜を全面覆うように形
成し、導電性薄膜上にフォトレジストをパターンニング
してこれをめっき用マスクとして、電解めっき法によ
り、配線を形成している。この為、本発明の多層配線基
板300、300Aは、配線パターンの形成位置を自由
にとれる。また、図1、図2に示すように、本発明の製
造方法により作製されるため、図3に示すように、絶縁
層、配線層がそれぞれ平坦面に形成されるており、物理
的にも安定な構造である。
【0017】
【実施例】更に、本発明の多層配線基板の製造方法の実
施例を挙げ、本発明を説明する。本実施例は図1に示す
実施の形態の第1の例の製造方法に当たり、金属基板1
10として厚さ100μmのSUS430を用い、その
一面に電解めっきによりNiからなる導電層120を多
層基板作製のためのキャリアとして厚さ10μmで設け
た。(図1(b)) そして、Niからなる導電層120上に東京応化工業株
式会社製のフォトレジストAR−900を約7μmの厚
さにロールコートし、配線のネガパターンのマスクを用
い露光、現像してフォトレジストからなるめっき用マス
クを作成した後、硫酸銅めっき浴を用い5μm厚の銅配
線140を電解めっきにて形成した。(図1(c)) 硫酸銅めっき浴は、表1に示す組成のものを25°Cで
使用した。 (表1) 硫酸銅(5水塩) 75 g/l 硫酸 190 g/l 塩素イオン 60 mg/l スルカップAC−90M 2.5mg/l (上村工業製硫酸銅めっき添加剤)
施例を挙げ、本発明を説明する。本実施例は図1に示す
実施の形態の第1の例の製造方法に当たり、金属基板1
10として厚さ100μmのSUS430を用い、その
一面に電解めっきによりNiからなる導電層120を多
層基板作製のためのキャリアとして厚さ10μmで設け
た。(図1(b)) そして、Niからなる導電層120上に東京応化工業株
式会社製のフォトレジストAR−900を約7μmの厚
さにロールコートし、配線のネガパターンのマスクを用
い露光、現像してフォトレジストからなるめっき用マス
クを作成した後、硫酸銅めっき浴を用い5μm厚の銅配
線140を電解めっきにて形成した。(図1(c)) 硫酸銅めっき浴は、表1に示す組成のものを25°Cで
使用した。 (表1) 硫酸銅(5水塩) 75 g/l 硫酸 190 g/l 塩素イオン 60 mg/l スルカップAC−90M 2.5mg/l (上村工業製硫酸銅めっき添加剤)
【0018】次に、フォトレジストAR−900を剥離
し、感光性を有する有機高分子材料150として感光性
ポリイミド(旭化成工業株式会社製のPIMEL(R)
G−7613N)を用い、プリベーク後21μmの厚さ
となるようロールコートした後、所定の領域を露光し、
現像して層間接続用孔150Bを形成した。(図1
(d)) この後、SUS430からなる金属基板110をNiか
らなる導電層120から引き剥がし、有機高分子材料1
50を酸素濃度100ppmの窒素雰囲気中で350°
C、2時間の熱処理で硬化し、厚さ10μmの絶縁層1
50Aを形成した。(図1(e)) 次いで、導電層120を電極として、表1に示した組成
の硫酸銅めっき浴にて電解めっきを行い、層間接続用孔
150B全体をめっき銅160で埋めた。(図1
(f)) 次に、絶縁層150A上および層間接続用孔150Bに
埋められためっき銅160上に、全面覆うように、10
00Å厚に銅からなる導電性薄膜170をスパッタにて
形成した(図1(g))後、図1(c)の処理と同様
に、フォトレジスト135(東京応化工業株式会社製の
フォトレジストAR−900)を約7μmの厚さにロー
ルコートし、これをパターンニングしてめっき用マスク
として、導電性薄膜170上に、電解めっき法により、
配線141を形成した。(図1(h)) 次いで、フォトレジスト135を剥離し、1000Å厚
の銅からなる導電性薄膜170の配線141以外を部分
をフラッシュエッチングして取り除いた。(図1
(i))
し、感光性を有する有機高分子材料150として感光性
ポリイミド(旭化成工業株式会社製のPIMEL(R)
G−7613N)を用い、プリベーク後21μmの厚さ
となるようロールコートした後、所定の領域を露光し、
現像して層間接続用孔150Bを形成した。(図1
(d)) この後、SUS430からなる金属基板110をNiか
らなる導電層120から引き剥がし、有機高分子材料1
50を酸素濃度100ppmの窒素雰囲気中で350°
C、2時間の熱処理で硬化し、厚さ10μmの絶縁層1
50Aを形成した。(図1(e)) 次いで、導電層120を電極として、表1に示した組成
の硫酸銅めっき浴にて電解めっきを行い、層間接続用孔
150B全体をめっき銅160で埋めた。(図1
(f)) 次に、絶縁層150A上および層間接続用孔150Bに
埋められためっき銅160上に、全面覆うように、10
00Å厚に銅からなる導電性薄膜170をスパッタにて
形成した(図1(g))後、図1(c)の処理と同様
に、フォトレジスト135(東京応化工業株式会社製の
フォトレジストAR−900)を約7μmの厚さにロー
ルコートし、これをパターンニングしてめっき用マスク
として、導電性薄膜170上に、電解めっき法により、
配線141を形成した。(図1(h)) 次いで、フォトレジスト135を剥離し、1000Å厚
の銅からなる導電性薄膜170の配線141以外を部分
をフラッシュエッチングして取り除いた。(図1
(i))
【0019】次いで、感光性を有する有機高分子材料1
51として感光性ポリイミド(旭化成工業株式会社製の
PIMEL(R)G−7613N)を用い、露出された
配線(141)形成領域側に、感光性を有する有機高分
子材料151を塗布し、該感光性を有する有機高分子材
料151を製版して層間接続用孔151Bを露出された
配線(141)形成領域に形成した後、有機高分子材料
151を酸素濃度100ppmの窒素雰囲気中で350
°C、2時間の熱処理で硬化し、厚さ10μmの絶縁層
151Aを形成した。((図1(j)) この後、表1に示すめっき浴を用い、導電層120側を
電極として、層間接続用孔151Bを、電解めっき法に
より銅を埋めた(図1(k))後、絶縁層151A上お
よび層間接続用孔151Bに埋められためっき銅上に、
前述と同様にしてスパッタにて1000Å厚に銅からな
る導電性薄膜171を全面覆うように形成した。(図1
(l)) 次いで、導電性薄膜171上にフォトレジスト135
(東京応化工業株式会社製のフォトレジストAR−90
0)を約7μmの厚さにロールコートし、これをパター
ンニングしてめっき用マスクとして、電解めっき法によ
り、配線142を形成した。(図1(m)) 次いで、フォトレジスト135を除去し、導電性薄膜1
71の配線(142)領域以外の部分をエッチング除去
した。(図1(n)) これにて、絶縁層を2層設け、配線層を3層とした多層
基板が形成された。更に、この後、同様にして、上記図
1(j)〜図1(n)の工程を2回繰り返した。そし
て、最後の繰り返しにおける図1(n)の工程の後に、
導電層120を除去した。このようにして、絶縁層を4
層、配線層を5層からなる図3(a)に示す多層基板を
得た。尚、導電性薄膜170、171の形成方法はスパ
ッタに限定されない。例えば、蒸着、無電解めっき等で
も良い。
51として感光性ポリイミド(旭化成工業株式会社製の
PIMEL(R)G−7613N)を用い、露出された
配線(141)形成領域側に、感光性を有する有機高分
子材料151を塗布し、該感光性を有する有機高分子材
料151を製版して層間接続用孔151Bを露出された
配線(141)形成領域に形成した後、有機高分子材料
151を酸素濃度100ppmの窒素雰囲気中で350
°C、2時間の熱処理で硬化し、厚さ10μmの絶縁層
151Aを形成した。((図1(j)) この後、表1に示すめっき浴を用い、導電層120側を
電極として、層間接続用孔151Bを、電解めっき法に
より銅を埋めた(図1(k))後、絶縁層151A上お
よび層間接続用孔151Bに埋められためっき銅上に、
前述と同様にしてスパッタにて1000Å厚に銅からな
る導電性薄膜171を全面覆うように形成した。(図1
(l)) 次いで、導電性薄膜171上にフォトレジスト135
(東京応化工業株式会社製のフォトレジストAR−90
0)を約7μmの厚さにロールコートし、これをパター
ンニングしてめっき用マスクとして、電解めっき法によ
り、配線142を形成した。(図1(m)) 次いで、フォトレジスト135を除去し、導電性薄膜1
71の配線(142)領域以外の部分をエッチング除去
した。(図1(n)) これにて、絶縁層を2層設け、配線層を3層とした多層
基板が形成された。更に、この後、同様にして、上記図
1(j)〜図1(n)の工程を2回繰り返した。そし
て、最後の繰り返しにおける図1(n)の工程の後に、
導電層120を除去した。このようにして、絶縁層を4
層、配線層を5層からなる図3(a)に示す多層基板を
得た。尚、導電性薄膜170、171の形成方法はスパ
ッタに限定されない。例えば、蒸着、無電解めっき等で
も良い。
【0020】
【効果】本発明は、上記のように、耐熱性、寸法安定性
に優れ、層間接続の信頼性に優れ、薄型化が可能で、フ
レキシビリティーに富み、高密度配線を可能とした多層
フレキシブル配線基板と、多層フレキシブル配線基板の
製造方法の提供を可能としている。また、電解めっき法
のみで絶縁層上に配線を形成できるため、配線の微細
化、高密度化が可能である。そして、電解めっきで層間
接続孔がめっき銅で埋め込まれているため層間接続の信
頼性が高く、部品搭載用パッドとして層間接続孔に埋め
込まれているめっき銅部を使用できる。また、電解めっ
きで層間接続孔がめっき銅で埋め込まれているため、層
間接続孔をスタック構造とすることができる。さらに、
感光性を有する有機高分子材料のみを層間接続孔形成の
ための絶縁層としているため基板の厚みを薄くできる。
に優れ、層間接続の信頼性に優れ、薄型化が可能で、フ
レキシビリティーに富み、高密度配線を可能とした多層
フレキシブル配線基板と、多層フレキシブル配線基板の
製造方法の提供を可能としている。また、電解めっき法
のみで絶縁層上に配線を形成できるため、配線の微細
化、高密度化が可能である。そして、電解めっきで層間
接続孔がめっき銅で埋め込まれているため層間接続の信
頼性が高く、部品搭載用パッドとして層間接続孔に埋め
込まれているめっき銅部を使用できる。また、電解めっ
きで層間接続孔がめっき銅で埋め込まれているため、層
間接続孔をスタック構造とすることができる。さらに、
感光性を有する有機高分子材料のみを層間接続孔形成の
ための絶縁層としているため基板の厚みを薄くできる。
【図1】本発明の多層配線基板の製造方法の実施の形態
の第1の例の工程図
の第1の例の工程図
【図2】本発明の多層配線基板の製造方法の実施の形態
の第2の例の工程図
の第2の例の工程図
【図3】本発明の多層配線基板を示した断面図
【図4】従来の多層フレキシブル配線基板の製造方法の
工程図
工程図
110 金属基板 120 導電層 130、135 フォトレジ
スト 140、141、142 配線 150、151 有機高分子 150A、151A 絶縁層 150B、151B 層間接続孔 160、161 めっき銅 170、171 導電性薄膜 210 金属基板 220 導電層 230、235 フォトレジ
スト 240、241、242 配線 250、251 有機高分子 250A、251A 絶縁層 250B、251B 層間接続孔 260、261 めっき銅 270、271 導電性薄膜 300、300A 多層配線基
板 330A フォトレジ
スト 340、341、342、343 配線 340A、341A、342A、343A 配線 350、351、352、353 絶縁層 350A、351A、352A、353A 絶縁層 360、360A めっき銅 400 両面銅張基
板 401 片面胴張基
板 410 絶縁層 420、425、427 導電層 420A、425A、427A 回路導体 430、435 貫通孔(ス
ルーホール) 450、451 圧着治具
スト 140、141、142 配線 150、151 有機高分子 150A、151A 絶縁層 150B、151B 層間接続孔 160、161 めっき銅 170、171 導電性薄膜 210 金属基板 220 導電層 230、235 フォトレジ
スト 240、241、242 配線 250、251 有機高分子 250A、251A 絶縁層 250B、251B 層間接続孔 260、261 めっき銅 270、271 導電性薄膜 300、300A 多層配線基
板 330A フォトレジ
スト 340、341、342、343 配線 340A、341A、342A、343A 配線 350、351、352、353 絶縁層 350A、351A、352A、353A 絶縁層 360、360A めっき銅 400 両面銅張基
板 401 片面胴張基
板 410 絶縁層 420、425、427 導電層 420A、425A、427A 回路導体 430、435 貫通孔(ス
ルーホール) 450、451 圧着治具
Claims (5)
- 【請求項1】 有機高分子材料を絶縁層として銅配線を
多層に形成した多層配線基板の製造法であって、順に、
(a)金属基板上に第1の導電層を設け、該第1の導電
層上にフォトレジストをパターンニングしてこれをめっ
き用マスクとして、電解めっき法により、第1の配線を
形成する工程と、(b)第1の導電層上のフォトレジス
トを剥離した後、金属基板の第1の導電層側に、感光性
を有する有機高分子材料を塗布する工程と、(c)該感
光性を有する有機高分子材料を製版して層間接続用孔を
第1の配線形成領域に形成する工程と、(d)第1の導
電層と、感光性を有する有機高分子材料と、第1の配線
とを一体として、これから金属基板のみを分離除去する
工程と、(e)前記有機高分子材料を硬化し、第1の絶
縁層とする工程と、(f)第1の導電層側を電極とし
て、層間接続用孔を電解めっき法により銅を埋める工程
と、(g)第1の絶縁層上および層間接続用孔に埋めら
れた銅上に、導電性薄膜を全面覆うように形成する工程
と、(h)前記導電性薄膜上にフォトレジストをパター
ンニングしてこれをめっき用マスクとして、電解めっき
法により、第2の配線を形成する工程と、(i)フォト
レジストを除去し、前記導電性薄膜の第2の配線領域以
外の部分をエッチング除去する工程とを実施した後、
(j)露出された配線形成領域側に、感光性を有する有
機高分子材料を塗布し、該感光性を有する有機高分子材
料を製版して層間接続用孔を露出された配線形成領域に
形成する工程と、(k)前記有機高分子材料を硬化し、
絶縁層とする工程と、(l)第1の導電層側を電極とし
て、前記層間接続用孔を電解めっき法により銅を埋める
工程と、(m)前記絶縁層上および前記層間接続用孔に
埋められた銅上に、導電性薄膜を全面覆うように形成す
る工程と、(n)前記導電性薄膜上にフォトレジストを
パターンニングしてこれをめっき用マスクとして、電解
めっき法により、配線を形成する工程と、(o)前記フ
ォトレジストを除去し、前記導電性薄膜の配線領域以外
の部分をエッチング除去する工程とを少なくとも1回以
上繰り返すもので、最後の繰り返しの(o)工程の後
に、第1の導電層を除去することを特徴とする多層配線
基板の製造方法。 - 【請求項2】 有機高分子材料を絶縁層として銅配線を
多層に形成した多層配線基板の製造法であって、順に、
(A)金属基板上に第1の導電層を設け、該第1の導電
層上にフォトレジストをパターンニングしてこれをめっ
き用マスクとして、電解めっき法により、第1の配線を
形成する工程と、(B)第1の導電層上のフォトレジス
トを剥離せず、金属基板の第1の導電層側に、感光性を
有する有機高分子材料を塗布する工程と、(C)該感光
性を有する有機高分子材料を製版して層間接続用孔を第
1の配線形成領域に形成する工程と、(D)第1の導電
層と、感光性を有する有機高分子材料と、第1の配線と
を一体として、これから金属基板のみを分離除去する工
程と、(E)前記有機高分子材料を硬化し、第1の絶縁
層とする工程と、(F)第1の導電層側を電極として、
層間接続用孔を電解めっき法により銅を埋める工程と、
(G)第1の絶縁層上および層間接続用孔に埋められた
銅上に、導電性薄膜を全面覆うように形成する工程と、
(H)前記導電性薄膜上にフォトレジストをパターンニ
ングしてこれをめっき用マスクとして、電解めっき法に
より、第2の配線を形成する工程と、(I)フォトレジ
ストを除去し、前記導電性薄膜の第2の配線領域以外の
部分をエッチング除去する工程とを実施した後、(J)
露出された配線形成領域側に、感光性を有する有機高分
子材料を塗布し、該感光性を有する有機高分子材料を製
版して層間接続用孔を露出された配線形成領域に形成す
る工程と、(K)前記有機高分子材料を硬化し、絶縁層
とする工程と、(L)第1の導電層側を電極として、前
記層間接続用孔を電解めっき法により銅を埋める工程
と、(M)前記絶縁層上および前記層間接続用孔に埋め
られた銅上に、導電性薄膜を全面覆うように形成する工
程と、(N)前記導電性薄膜上にフォトレジストをパタ
ーンニングしてこれをめっき用マスクとして、電解めっ
き法により、配線を形成する工程と、(O)前記フォト
レジストを除去し、前記導電性薄膜の配線領域以外の部
分をエッチング除去する工程とを少なくとも1回以上繰
り返すもので、最後の繰り返しの(O)工程の後に、第
1の導電層を除去することを特徴とする多層配線基板の
製造方法。 - 【請求項3】 請求項1ないし2の感光性を有する有機
高分子材料の上に、該有機高分子材料と銅との密着性を
向上させるための材料からなる薄い層を設けた後、前記
有機高分子材料を製版することを特徴とする多層配線基
板の製造方法。 - 【請求項4】 請求項1ないし3における感光性を有す
る有機高分子材料がポリイミドであることを特徴とする
多層配線基板の製造方法。 - 【請求項5】 請求項1ないし4の多層配線基板の製造
方法により作製されたことを特徴とする多層配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35391896A JPH10178271A (ja) | 1996-12-19 | 1996-12-19 | 多層配線基板の製造方法および多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35391896A JPH10178271A (ja) | 1996-12-19 | 1996-12-19 | 多層配線基板の製造方法および多層配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10178271A true JPH10178271A (ja) | 1998-06-30 |
Family
ID=18434104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35391896A Withdrawn JPH10178271A (ja) | 1996-12-19 | 1996-12-19 | 多層配線基板の製造方法および多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10178271A (ja) |
Cited By (11)
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-
1996
- 1996-12-19 JP JP35391896A patent/JPH10178271A/ja not_active Withdrawn
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| US9768122B2 (en) | 2005-12-14 | 2017-09-19 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Electronic part embedded substrate and method of producing an electronic part embedded substrate |
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