JPH10178304A - 非可逆回路素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 小型で高特性及び高信頼性を有しており、ま
た共振容量の調整が可能である非可逆回路素子を提供す
る。 【解決手段】 所定パターンを有する中心導体及び中心
導体と一体的に焼成された絶縁性磁性体を含む磁気回転
子と、共振容量、終端抵抗、入出力端子及びグランド端
子の少なくとも１つが形成されており、磁気回転子の側
方にこの磁気回転子を取り囲むように配置されかつ磁気
回転子と電気的に接続された少なくとも１つの基板とを
備えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波帯域等
で用いられる無線機器、例えば携帯電話のごとき移動体
無線機器等に使用される集積型の非可逆回路素子及びそ
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
移動体通信等においては高周波機器の小型化が進んでお
り、これに使用される非可逆回路素子も小型化及び高性
能化の要求が高まっている。

【０００３】一般に、集中定数型非可逆回路素子は、磁
気回転子及び励磁用永久磁石を有しており、さらに、所
定の周波数で動作させるための共振容量を付加して構成
される。

【０００４】従来の磁気回転子は、電気的に絶縁された
状態でかつ交差するように配置された複数の中心導体を
非磁性体の基板上に形成し、この基板の両面上に磁性体
部材を単に積み重ねて接合することにより製造されてい
た。このような組立式磁気回転子においては、磁性体部
材により形成される磁路が非磁性体の基板によって遮断
されてしまい、磁性体部材と非磁性体基板との境界面に
反磁界が発生する。この結果、透磁率が低減してしま
い、素子の小型化、広帯域化及び低損失化の要請に十分
応えることができなかった。

【０００５】このような問題点を解消するため、磁気回
転子を所定パターンの中心導体と一体的に焼成された絶
縁性磁性体で構成することが本出願人により既に提案さ
れている（特開平６−３４３００５号公報及び特開平６
−３３８７０７号公報）。このように構成することによ
って、磁性体内で不連続部分が存在しなくなり、その結
果、磁気回転子内に反磁界が発生しなくなる。

【０００６】磁気回転子に容量を付加して非可逆回路素
子を形成する方法として、従来より種々の提案がなされ
ている。

【０００７】例えば、上述した特開平６−３４３００５
号公報及び特開平６−３３８７０７号公報には、所定パ
ターンの中心導体が形成された磁気回転子を、上下のグ
ランド層との間で容量を形成する共振用キャパシタンス
電極と共に一体的に焼成することが記載されている。こ
の技術によると、中心導体が形成された磁性体シートを
複数積層し、この上にさらに接地用導体及び共振容量
（キャパシタンス電極）が形成された誘電体シートを積
層した後に焼成する構成となっている。しかしながら、
このように上下方向に共振容量用のシートを積層するこ
とは、高さ方向の寸法を増大させ、しかも 励磁用磁界
の磁気回路が途中で遮断されてしまうので、磁気抵抗が
増大してしまう。また、磁性体と誘電体とのような異材
質を一体的に焼成することは非常に困難である。

【０００８】特開平６−６１７０８号公報、特開平６−
２９１５１５号公報及び特開平７−１１１４０５号公報
には、マイクロ波用磁性体内にキャパシタンスを一体的
に形成した非可逆回路素子が記載されている。これらキ
ャパシタンスは、いずれも、整合容量であり共振容量を
形成するものではない。これら公知技術のように、磁性
体内にキャパシタンス電極を形成して一体焼成した場
合、得られる容量値は低くなってしまい、共振容量とし
て使用するべく十分な容量を得るためにはキャパシタン
ス電極面積を大きくするか積層数を多くしなくてはなら
なくなり、素子の小型化を図ることが難しい。また、特
開平７−１１１４０５号公報の場合は、磁性体中の中心
電極の相互の線間容量を整合容量として利用している
が、このように線間容量で共振容量を得ようとすると高
周波側での特性が悪化してしまう。

【０００９】また、中心導体と同一面内にキャパシタン
ス電極を形成し、この電極と磁気回転子の表面に形成さ
れたグランド電極との間で共振容量を得ることが考えら
れるが、この場合、所定の共振周波数で共振させようと
すると、キャパシタンス電極の面積が非常に大きくなっ
てしまい、非可逆回路素子を小型化できなくなる。ま
た、高周波特性を劣化させることなく素子を小型化する
ことが非常に困難である。

【００１０】特開平５−２９９９０４号公報及び特開平
５−３０４４０４号公報には、中心導体と共振容量とを
同時に多層基板で形成し、非可逆回路素子を小型化する
ことが記載されている。図１は、これら公報に開示され
た非可逆回路素子の断面を示す図である。

【００１１】同図において、１０は多層誘電体基板、１
１は磁気回転子を構成するためのフェライト、１２は永
久磁石をそれぞれ示している。この非可逆回路素子は、
多層誘電体基板１０中に中心導体と共振容量とが同時に
形成されており、磁気回転子を構成するためのフェライ
ト１１はその基板の片面側に設置されている。このよう
に構成されているため、この構造によると、従来の組立
式の非可逆回路素子と同様に高周波磁界の磁路を閉じる
ことができないので反磁界が発生し、動作帯域が狭くな
ってしまう。また、中心導体と共振容量とを同時に形成
すると、直流回路的には容量電極とグランド電極とが短
絡されるため、共振容量を測定することが困難となり、
そのため容量値を調整することが非常に困難となる。

【００１２】従って本発明の目的は、小型で高特性及び
高信頼性を有しており、また共振容量の調整が可能であ
る非可逆回路素子を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、所定パ
ターンを有する中心導体及び中心導体と一体的に焼成さ
れた絶縁性磁性体を含む磁気回転子と、共振容量、終端
抵抗、入出力端子及びグランド端子の少なくとも１つが
形成されており、磁気回転子の側方にこの磁気回転子を
取り囲むように配置されかつ磁気回転子と電気的に接続
された少なくとも１つの基板とを備えた非可逆回路素子
が提供される。

【００１４】共振容量、終端抵抗、入出力端子及びグラ
ンド端子の少なくとも１つが形成された基板が、磁気回
転子の側方にこの磁気回転子を取り囲むように配置され
ているため、磁気回転子の周囲を有効に使用することが
でき、非可逆回路素子の特に高さ方向の小型化に非常に
有効である。また、永久磁石により作られる直流バイア
ス磁界の磁気回路をほぼ完全に閉じることができ、これ
により磁気抵抗が低減されるため、永久磁石を薄くする
ことができる。そのため、さらに非可逆回路素子の高さ
方向の小型化が可能になる。

【００１５】基板が、例えば誘電体又は磁性体等のセラ
ミクス材料による単層基板又は多層基板であることが好
ましい。

【００１６】基板が、磁気回転子の側方に配置された単
一の基板からなるか、又は磁気回転子の側方に配置され
た複数の基板からなることも好ましい。

【００１７】本発明によれば、さらにまた、所定パター
ンを有する中心導体及び中心導体と一体的に焼成された
絶縁性磁性体を含む磁気回転子と共振容量、終端抵抗、
入出力端子及びグランド端子の少なくとも１つを有する
基板とをそれぞれ別個に形成した後、磁気回転子の側方
にこの磁気回転子を取り囲むように基板を配置し、磁気
回転子と基板とを電気的に接続することにある。

【００１８】

【発明の実施の形態】図２は本発明の非可逆回路素子の
一実施形態を示す分解斜視図、図３はその非可逆回路素
子の断面図、図４はその非可逆回路素子の基板部分の分
解平面図である。

【００１９】これらの図において、２０は磁気回転子、
２１はこの磁気回転子２０の側方にこの磁気回転子を取
り囲むように配置した基板、２２は磁気回転子２０の上
に載置される励磁用永久磁石、２３はヨークをそれぞれ
示している。

【００２０】磁気回転子２０は、本出願人により提案さ
れた特開平６−３４３００５号公報及び特開平６−３３
８７０７号公報に記載された磁気回転子のごとく、所定
パターンの中心導体と共に一体的に焼成された絶縁性磁
性体から主として構成されており、その側面には入力端
子、出力端子及びグランド電極が、上下面にはグランド
電極がそれぞれ形成されている。

【００２１】基板２１は、本実施形態においては単層の
誘電体基板であり、その上面には、入力端子２４、出力
端子２５、アイソレーション電極２６、終端抵抗２７及
びグランド端子２８が形成されており、その下面にはグ
ランド電極２９が形成されている。入力端子２４、出力
端子２５及びアイソレーション電極２６とグランド電極
２９との間で共振容量が得られる。この誘電体基板２１
には、中央部に磁気回転子２０が嵌合されるべく開口形
状が磁気回転子２０の平面外側形状にほぼ等しい穴３０
が設けられている。

【００２２】磁気回転子２０及び誘電体基板２１をそれ
ぞれ別個に製造し、磁気回転子２０を基板２１の穴３０
内に嵌合させた後、磁気回転子２０の入力端子、出力端
子及びグランド電極を基板２１の入力端子２４、出力端
子２５及びグランド電極２９にそれぞれ電気的に接続す
ることによって非可逆回路素子が形成される。

【００２３】この構成によれば、磁気回転子２０の周囲
空間を有効に使用することができ、非可逆回路素子の高
さ方向の小型化に非常に有効である。また、励磁用永久
磁石２２により作られる直流バイアス磁界の磁気回路を
ほぼ完全に閉じることができ、これにより磁気抵抗が低
減されるため、この永久磁石２２自体を薄くすることが
できる。そのため、非可逆回路素子の高さ方向のさらな
る小型化が可能となる。

【００２４】以下、本実施形態における非可逆回路素子
の具体的な製造工程を説明する。

【００２５】まず、磁気回転子２０用の磁性体グリーン
シートを作成する。酸化イットリウム（Ｙ₂ Ｏ₃ ）と酸
化鉄（Ｆｅ₂ Ｏ₃ ）とをモル比で３：５の割合で混合
し、得られた混合粉を１２００℃で仮焼きする。仮焼き
された混合粉をボールミルにて粉砕し、有機バインダ及
び溶剤を添加し、磁性体スラリーを作製する。得られた
磁性体スラリーをドクターブレード法にて、グリーンシ
ートに成形する。

【００２６】下層又は中間層のグリーンシートについて
は、グリーンシートにヴィアホール用の穴をパンチング
マシーンで形成し、その後、グリーンシートに厚膜印刷
法で中心導体パターンを形成する。このとき、ヴィアホ
ールの充填も同時に行う。導体材料としては、例えばパ
ラジウムペーストを使用する。

【００２７】上層のグリーンシートについては、グリー
ンシートに厚膜印刷法で中心導体パターンを形成する。
導体材料としては、例えばパラジウムペーストを使用す
る。

【００２８】このようにして形成したグリーンシートを
重ねて熱圧着し、積層体を得る。その後、この積層体を
所定の大きさの所定の形状に切断し、１４８０℃で焼成
する。

【００２９】次いで、焼成体の上下面、側面に銀ペース
トを焼き付けることによってグランド電極、入力端子、
出力端子を、銀ペーストを焼き付けることにより形成す
る。これにより磁性体及び中心導体が一体化して焼成さ
れた磁気回転子２０が得られる。

【００３０】一方、ガラスを主成分とした誘電体シート
をドクターブレード法にて作成することにより基板２１
用のグリーンシートを形成する。このグリーンシート
に、磁気回転子２０が嵌合されるべき穴３０を打ち抜き
型にて形成した後、所定の大きさに切断し、９００℃で
焼成する。焼成した誘電体シートの上面、下面及び側面
に入力端子２４、出力端子２５、アイソレーション電極
２６、グランド端子２８及びグランド電極２９を印刷
し、さらに厚膜による終端抵抗２７を印刷し、焼成炉に
て焼きつけて基板２１を形成する。この場合、グランド
端子２８はグランド電極２９に電気的に接続される。

【００３１】次いで、入力端子２４、出力端子２５及び
アイソレーション電極２６とグランド電極２９との間で
得られる共振容量の容量値を測定し、入力端子２４、出
力端子２５及びアイソレーション電極２６をトリミング
することにより容量値を調整する。このように、磁気回
転子の中心導体をこの基板２１に内蔵させないことによ
り、非可逆回路素子を組み立てる前に容量値を調節する
ことができ、調整工程を非常に簡略化することが可能で
ある。

【００３２】このようにして得られた磁気回転子２０を
基板２１の穴３０内に嵌合させ、電気的接続を行った
後、励磁用永久磁石２２及びヨーク２３を組み付けるこ
とにより非可逆回路素子を得ることができる。この非可
逆回路素子は、共振容量が磁気回転子２０の周囲に効率
よく形成されている。また、励磁用永久磁石２２と磁気
回転子２０及びヨーク２３との間に非磁性物がないた
め、直流バイアス磁気回路が閉じている。これにより直
流バイアス磁気回路の磁気抵抗を低下させることができ
る。さらに励磁用永久磁石２２を薄くすることができる
ため、素子全体を非常に薄くすることが可能になる。な
お、磁気回転子２０の外側形状、及び磁気回転子２０が
嵌合する穴３０の形状は図２及び図４に示した形状に限
定されるものでないことは明らかである。また、基板２
１として誘電体によるセラミクス材料を用いているが、
これは最も好ましい材料であり、その他のセラミクス材
料として磁性体等を用いることも可能である。

【００３３】図５は本発明の非可逆回路素子の他の実施
形態を示す分解斜視図、図６はその非可逆回路素子の断
面図である。

【００３４】これらの図において、５０は磁気回転子、
５１ａ及び５１ｂはこの磁気回転子５０の側方にこの磁
気回転子を取り囲むように配置した基板、５２は磁気回
転子５０の上に載置される励磁用永久磁石、５３はヨー
クをそれぞれ示している。

【００３５】磁気回転子５０は、図２の実施形態におけ
る磁気回転子２０とほぼ同じ構成である。即ち、所定パ
ターンの中心導体と共に一体的に焼成された絶縁性磁性
体から主として構成されており、その側面には入力端
子、出力端子及びグランド電極が、上下面にはグランド
電極がそれぞれ形成されている。

【００３６】基板５１ａ及び５１ｂは、本実施形態にお
いては２分割された単層の誘電体基板である。基板５１
ａの上面には入力端子５４及び出力端子５５が形成され
ており、基板５１ｂの上面にはアイソレーション電極５
６、終端抵抗５７及びグランド端子５８が形成されてお
り、基板５１ａ及び５１ｂの下面には図示されていない
がグランド電極が形成されている。入力端子５４、出力
端子５５及びアイソレーション電極５６とグランド電極
との間で共振容量が得られる。２分割された誘電体基板
５１ａ及び５１ｂには、これらが合体した場合に、磁気
回転子５０が嵌合されるべく開口形状が磁気回転子５０
の平面外側形状にほぼ等しい穴となる凹部６０ａ及び６
０ｂがそれぞれ設けられている。

【００３７】磁気回転子５０及び誘電体基板５１ａ及び
５１ｂをそれぞれ別個に製造し、磁気回転子５０を基板
５１ａ及び５１ｂの凹部６０ａ及び６０ｂによって合成
される穴内に嵌合させた後、磁気回転子５０の入力端
子、出力端子及びグランド電極を基板５１ａ及び５１ｂ
の入力端子５４、出力端子５５及びグランド電極にそれ
ぞれ電気的に接続することによって非可逆回路素子が形
成される。

【００３８】この構成によれば、磁気回転子５０の周囲
空間を有効に使用することができ、非可逆回路素子の高
さ方向の小型化に非常に有効である。また、励磁用永久
磁石５２により作られる直流バイアス磁界の磁気回路を
ほぼ完全に閉じることができ、これにより磁気抵抗が低
減されるため、この永久磁石５２自体を薄くすることが
できる。そのため、非可逆回路素子の高さ方向のさらな
る小型化が可能となる。しかも本実施形態では、基板を
２分割しているため、基板に機械的応力がかかった場合
にも基板が割れる等の不都合を回避することができる。

【００３９】本実施形態における非可逆回路素子の具体
的な製造工程は、誘電体基板を作成する際に、グリーン
シートに磁気回転子が嵌合されるべき穴を打ち抜き型に
て形成した後、所定の大きさに切断し、さらに各シート
を中心部分で２分割した後に焼成する点を除いて、図２
の実施形態の場合に準じるため、説明を省略する。

【００４０】なお、本実施形態では、誘電体基板が２分
割されているが、誘電体基板を３以上の複数に分割して
もよいことは明らかである。なお、磁気回転子５０の外
側形状、及び磁気回転子５０が嵌合する基板側の穴の形
状は図５に示した形状に限定されるものでないことは明
らかである。また、基板５１ａ及び５１ｂとして誘電体
によるセラミクス材料を用いているが、これは最も好ま
しい材料であり、その他のセラミクス材料として磁性体
等を用いることも可能である。

【００４１】図７は本発明の非可逆回路素子のさらに他
の実施形態を示す分解斜視図、図８はその非可逆回路素
子の断面図、図９はその非可逆回路素子の基板部分の分
解平面図である。

【００４２】これらの図において、７０は磁気回転子、
７１はこの磁気回転子７０の側方にこの磁気回転子を取
り囲むように配置した基板、７２は磁気回転子７０の上
に載置される励磁用永久磁石、７３はヨークをそれぞれ
示している。

【００４３】磁気回転子７０は、図２の実施形態におけ
る磁気回転子２０とほぼ同じ構成である。即ち、所定パ
ターンの中心導体と共に一体的に焼成された絶縁性磁性
体から主として構成されており、その側面には入力端
子、出力端子及びグランド電極が、上下面にはグランド
電極がそれぞれ形成されている。

【００４４】基板７１は、本実施形態においては第１、
第２、第３及び第４の誘電体層７１ａ、７１ｂ、７１ｃ
及び７１ｄが積層された多層の誘電体基板であり、その
第１の誘電体層７１ａの上面には、入力端子７４、出力
端子７５、アイソレーション端子７６、終端抵抗７７並
びにグランド電極７８に接続されているグランド端子７
８ａ、７８ｂ及び７８ｃが形成されており、その第４の
誘電体層７１ｄの下面にはグランド電極７９が形成され
ている。さらに、中間層である第２の誘電体層７１ｂの
上面には入力端子７４に接続されている第１の入力電極
８１、出力端子７５に接続されている第１の出力電極８
２、及びアイソレーション端子７６に接続されている第
１のアイソレーション電極８３が形成されている。同じ
く中間層である第３の誘電体層７１ｃの上面にはグラン
ド電極８４が形成されている。第４の誘電体層７１ｄの
上面には入力端子７４に接続されている第２の入力電極
８５、出力端子７５に接続されている第２の出力電極８
６、及びアイソレーション端子７６に接続されている第
２のアイソレーション電極８７が形成されている。グラ
ンド電極７８と第１の入力電極８１、第１の出力電極８
２及び第１のアイソレーション電極８３との間、第１の
入力電極８１、第１の出力電極８２及び第１のアイソレ
ーション電極８３とグランド電極８４との間、グランド
電極８４と第２の入力電極８５、第２の出力電極８６及
び第２のアイソレーション電極８７との間、並びに第２
の入力電極８５、第２の出力電極８６及び第２のアイソ
レーション電極８７とグランド電極７９との間で共振容
量が得られる。この誘電体基板７１には、中央部に磁気
回転子７０が嵌合されるべく開口形状が磁気回転子７０
の平面外側形状にほぼ等しい穴８０が設けられている。

【００４５】磁気回転子７０及び誘電体基板７１をそれ
ぞれ別個に製造し、磁気回転子７０を基板７１の穴８０
内に嵌合させた後、磁気回転子７０の入力端子、出力端
子及びグランド電極を基板７１の入力端子７４、出力端
子７５及びグランド電極７９にそれぞれ電気的に接続す
ることによって非可逆回路素子が形成される。

【００４６】この構成によれば、磁気回転子７０の周囲
空間を有効に使用することができ、非可逆回路素子の高
さ方向の小型化に非常に有効である。また、励磁用永久
磁石７２により作られる直流バイアス磁界の磁気回路を
ほぼ完全に閉じることができ、これにより磁気抵抗が低
減されるため、この永久磁石７２自体を薄くすることが
できる。そのため、非可逆回路素子の高さ方向のさらな
る小型化が可能となる。

【００４７】以下、本実施形態における非可逆回路素子
の具体的な製造工程を説明する。

【００４８】まず、磁気回転子７０用の磁性体グリーン
シートを作成する。酸化イットリウム（Ｙ₂ Ｏ₃ ）と酸
化鉄（Ｆｅ₂ Ｏ₃ ）とをモル比で３：５の割合で混合
し、得られた混合粉を１２００℃で仮焼きする。仮焼き
された混合粉をボールミルにて粉砕し、有機バインダ及
び溶剤を添加し、磁性体スラリーを作製する。得られた
磁性体スラリーをドクターブレード法にて、グリーンシ
ートに成形する。

【００４９】下層又は中間層のグリーンシートについて
は、グリーンシートにヴィアホール用の穴をパンチング
マシーンで形成し、その後、グリーンシートに厚膜印刷
法で中心導体パターンを形成する。このとき、ヴィアホ
ールの充填も同時に行う。導体材料としては、例えばパ
ラジウムペーストを使用する。

【００５０】上層のグリーンシートについては、グリー
ンシートに厚膜印刷法で中心導体パターンを形成する。
導体材料としては、例えばパラジウムペーストを使用す
る。

【００５１】このようにして形成したグリーンシートを
重ねて熱圧着し、積層体を得る。その後、この積層体を
所定の大きさの所定の形状に切断し、１４８０℃で焼成
する。

【００５２】次いで、焼成体の上下面、側面に銀ペース
トを焼き付けることによってグランド電極、入力端子、
出力端子を、銀ペーストを焼き付けることにより形成す
る。これにより磁性体及び中心導体が一体化して焼成さ
れた磁気回転子７０が得られる。

【００５３】一方、ガラスを主成分とした第１〜第４の
誘電体層７１ａ〜７１ｄ用のグリーンシートをドクター
ブレード法にて作成する。第２の誘電体層７１ｂ用のグ
リーンシート上には、所定の共振容量が得られるように
第１の入力電極８１、第１の出力電極８２及び第１のア
イソレーション電極８３を印刷し、第３の誘電体層７１
ｃ用のグリーンシート上にはグランド電極８４を印刷
し、第４の誘電体層７１ｄ用のグリーンシート上には第
２の入力電極８５、第２の出力電極８６及び第２のアイ
ソレーション電極８７を印刷する。次いで、第１〜第４
の誘電体層７１ａ〜７１ｄ用のグリーンシートを積層し
て熱圧着し積層体を得る。得られた積層体に、磁気回転
子７０が嵌合されるべき穴８０を打ち抜き型にて形成し
た後、所定の大きさに切断し、９００℃で焼成する。焼
成した積層体の最上面、最下面及び側面に入力端子７
４、出力端子７５、アイソレーション電極７６、グラン
ド電極７８、グランド端子７８ａ、７８ｂ及び７８ｃ並
びにグランド電極７９を印刷し、さらに厚膜による終端
抵抗７７を印刷し、焼成炉にて焼きつけて基板７１を形
成する。この場合、グランド端子７８ａ、７８ｂ及び７
８ｃとグランド電極８４とグランド電極７９とは互いに
電気的に接続される。また、入力端子７４と第１及び第
２の入力電極８１及び８５とは互いに電気的に接続さ
れ、出力端子７５と第１及び第２の出力電極８２及び８
６とは互いに電気的に接続され、アイソレーション端子
７６と第１及び第２のアイソレーション電極８３及び８
７とは互いに電気的に接続される。

【００５４】次いで、上述した電極間で得られる共振容
量の容量値を測定し、グランド電極７８及び７９をトリ
ミングすることにより容量値を調整する。このように、
磁気回転子の中心導体をこの基板７１に内蔵させないこ
とにより、非可逆回路素子を組み立てる前に容量値を調
節することができ、調整工程を非常に簡略化することが
可能である。

【００５５】このようにして得られた磁気回転子７０を
基板７１の穴８０内に嵌合させ、電気的接続を行った
後、励磁用永久磁石７２及びヨーク７３を組み付けるこ
とにより非可逆回路素子を得ることができる。この非可
逆回路素子は、共振容量が磁気回転子７０の周囲に効率
よく形成されている。また、励磁用永久磁石７２と磁気
回転子７０及びヨーク７３との間に非磁性物がないた
め、直流バイアス磁気回路が閉じている。これにより直
流バイアス磁気回路の磁気抵抗を低下させることができ
る。さらに励磁用永久磁石７２を薄くすることができる
ため、素子全体を非常に薄くすることが可能になる。な
お、磁気回転子７０の外側形状、及び磁気回転子７０が
嵌合する穴８０の形状は図７及び図９に示した形状に限
定されるものでないことは明らかである。また、基板７
１として誘電体によるセラミクス材料を用いているが、
これは最も好ましい材料であり、その他のセラミクス材
料として磁性体等を用いることも可能である。

【００５６】図１０は本発明の非可逆回路素子のまたさ
らに他の実施形態を示す分解斜視図、図１１はその非可
逆回路素子の断面図である。

【００５７】これらの図において、１００は磁気回転
子、１０１ａ及び１０１ｂはこの磁気回転子１００の側
方にこの磁気回転子を取り囲むように配置した基板、１
０２は磁気回転子１００の上に載置される励磁用永久磁
石、１０３はヨークをそれぞれ示している。

【００５８】磁気回転子１００は、図７の実施形態にお
ける磁気回転子７０とほぼ同じ構成である。即ち、所定
パターンの中心導体と共に一体的に焼成された絶縁性磁
性体から主として構成されており、その側面には入力端
子、出力端子及びグランド電極が、上下面にはグランド
電極がそれぞれ形成されている。

【００５９】基板１０１ａ及び１０１ｂは、本実施形態
においては２分割された多層の誘電体基板である。基板
１０１ａの上面には入力端子１０４、出力端子１０５、
グランド端子１０８ａ及びグランド電極１０８が形成さ
れており、基板１０１ｂの上面にはアイソレーション電
極１０６、終端抵抗１０７、グランド端子１０８ｂ及び
１０８ｃ、並びにグランド電極１０８が形成されてお
り、基板１０１ａ及び１０１ｂの下面には図示されてい
ないがグランド電極が形成されている。共振容量は、図
９の実施形態において述べた電極間で得られる。２分割
された誘電体基板１０１ａ及び１０１ｂには、これらが
合体した場合に、磁気回転子１００が嵌合されるべく開
口形状が磁気回転子１００の平面外側形状にほぼ等しい
穴となる凹部１１０ａ及び１１０ｂがそれぞれ設けられ
ている。

【００６０】磁気回転子１００及び誘電体基板１０１ａ
及び１０１ｂをそれぞれ別個に製造し、磁気回転子１０
０を基板１０１ａ及び１０１ｂの凹部１１０ａ及び１１
０ｂによって合成される穴内に嵌合させた後、磁気回転
子１００の入力端子、出力端子及びグランド電極を基板
１０１ａ及び１０１ｂの入力端子１０４、出力端子１０
５及びグランド電極にそれぞれ電気的に接続することに
よって非可逆回路素子が形成される。

【００６１】この構成によれば、磁気回転子１００の周
囲空間を有効に使用することができ、非可逆回路素子の
高さ方向の小型化に非常に有効である。また、励磁用永
久磁石１０２により作られる直流バイアス磁界の磁気回
路をほぼ完全に閉じることができ、これにより磁気抵抗
が低減されるため、この永久磁石１０２自体を薄くする
ことができる。そのため、非可逆回路素子の高さ方向の
さらなる小型化が可能となる。しかも本実施形態では、
基板を２分割しているため、基板に機械的応力がかかっ
た場合にも基板が割れる等の不都合を回避することがで
きる。

【００６２】本実施形態における非可逆回路素子の具体
的な製造工程は、誘電体基板を作成する際に、グリーン
シートに磁気回転子が嵌合されるべき穴を打ち抜き型に
て形成した後、所定の大きさに切断し、さらに各シート
を中心部分で２分割した後に焼成する点を除いて、図７
の実施形態の場合に準じるため、説明を省略する。

【００６３】なお、本実施形態では、誘電体基板が２分
割されているが、誘電体基板を３以上の複数に分割して
もよいことは明らかである。なお、磁気回転子１００の
外側形状、及び磁気回転子１００が嵌合する基板側の穴
の形状は図１０に示した形状に限定されるものでないこ
とは明らかである。また、基板１０１ａ及び１０１ｂと
して誘電体によるセラミクス材料を用いているが、これ
は最も好ましい材料であり、その他のセラミクス材料と
して磁性体等を用いることも可能である。

【００６４】以上述べた実施形態は全て本発明を例示的
に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明
は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することがで
きる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均
等範囲によってのみ規定されるものである。

【００６５】

【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、共振容量、終端抵抗、入出力端子及びグランド端子
の少なくとも１つが形成された基板が、磁気回転子の側
方にこの磁気回転子を取り囲むように配置されているた
め、磁気回転子の周囲を有効に使用することができ、非
可逆回路素子の高さ方向の小型化に非常に有効である。
また、永久磁石により作られる直流バイアス磁界の磁気
回路をほぼ完全に閉じることができ、これにより磁気抵
抗が低減されるため、永久磁石を薄くすることができ
る。そのため、さらに非可逆回路素子の高さ方向の小型
化が可能になる。もちろん、小型で高特性及び高信頼性
を有しており、また共振容量の調整が可能である非可逆
回路素子を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の非可逆回路素子の断面図である。

【図２】本発明の非可逆回路素子の一実施形態を示す分
解斜視図である。

【図３】図２の非可逆回路素子の断面図である。

【図４】図２の非可逆回路素子の基板部分の分解平面図
である。

【図５】本発明の非可逆回路素子の他の実施形態を示す
分解斜視図である。

【図６】図５の非可逆回路素子の断面図である。

【図７】本発明の非可逆回路素子のさらに他の実施形態
を示す分解斜視図である。

【図８】図７の非可逆回路素子の断面図である。

【図９】図７の非可逆回路素子の基板部分の分解平面図
である。

【図１０】本発明の非可逆回路素子のまたさらに他の実
施形態を示す分解斜視図である。

【図１１】図１０の非可逆回路素子の断面図である。

【符号の説明】

２０、５０、７０、１００ 磁気回転子 ２１、５１ａ、５１ｂ、７０、１０１ａ、１０１ｂ 基
板 ２２、５２、７２、１００ 励磁用永久磁石 ２３、５３、７３、１０３ ヨーク ２４、５４、７４、１０４ 入力端子 ２５、５５、７５、１０５ 出力端子 ２７、５７、７７、１０７ 終端抵抗 ２８、５８、７８ａ、７８ｂ、７８ｃ、１０８ａ、１０
８ｂ、１０８ｃ グランド端子 ２９、７８、７９、１０８ グランド電極 ３０、８０ 穴 ６０ａ、６０ｂ、１１０ａ、１１０ｂ 凹部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 利幸 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内 (72)発明者 大波多 秀典 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定パターンを有する中心導体及び該中
   心導体と一体的に焼成された絶縁性磁性体を含む磁気回
   転子と、共振容量、終端抵抗、入出力端子及びグランド
   端子の少なくとも１つが形成されており、前記磁気回転
   子の側方に該磁気回転子を取り囲むように配置されかつ
   該磁気回転子と電気的に接続された少なくとも１つの基
   板とを備えたことを特徴とする非可逆回路素子。
2. 【請求項２】 前記基板が、セラミクス単層基板である
   ことを特徴とする請求項１に記載の非可逆回路素子。
3. 【請求項３】 前記基板が、セラミクス多層基板である
   ことを特徴とする請求項１に記載の非可逆回路素子。
4. 【請求項４】 前記基板が、前記磁気回転子の側方に配
   置された単一の基板からなることを特徴とする請求項１
   から３のいずれか１項に記載の非可逆回路素子。
5. 【請求項５】 前記基板が、前記磁気回転子の側方に配
   置された複数の基板からなることを特徴とする請求項１
   から３のいずれか１項に記載の非可逆回路素子。
6. 【請求項６】 所定パターンを有する中心導体及び該中
   心導体と一体的に焼成された絶縁性磁性体を含む磁気回
   転子と共振容量、終端抵抗、入出力端子及びグランド端
   子の少なくとも１つを有する基板とをそれぞれ別個に形
   成した後、前記磁気回転子の側方に該磁気回転子を取り
   囲むように前記基板を配置し、該磁気回転子と該基板と
   を電気的に接続することを特徴とする非可逆回路素子の
   製造方法。