JPH10186121A - 吸収型回折格子の形成方法、およびその回折格子を利用した利得結合型ｄｆｂレーザの作製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】吸収領域が連続的でなく離散的に形成された吸
収型回折格子の形成方法及び利得結合型ＤＦＢレーザの
作製法である。 【解決手段】吸収型回折格子の形成方法は、第１の半導
体１、２上に、第１の半導体１、２とは組成の異なる半
導体単層膜３または第１の半導体１、２と組成の異なる
半導体層を一部に有する半導体多層膜を形成する工程
と、単層膜３または多層膜をエッチングし回折格子４を
作製する工程と、回折格子４上に吸収領域となる半導体
膜６を形成する工程と、回折格子４の高さ５を低減する
工程を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、長距離、大容量光
通信用光源等に適した分布帰還型半導体レーザおよびそ
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】大容量データ伝送、ＣＡＴＶ等の多チャ
ンネル映像伝送用光源として、分布帰還型半導体レーザ
（ＤＦＢレーザ）が実用化されている。これは、通常の
ファブリペロー型半導体レーザがマルチ軸モードの発振
であるのに対し、単一軸モード発振が得られるので、雑
音レベルが低い。また、発振信号が伝送路中を伝送され
る時に分散による信号劣化の影響を受けにくい特徴を持
つものである。

【０００３】現在のＤＦＢレーザは屈折率結合型ＤＦＢ
レーザが主流である。この屈折率結合型ＤＦＢレーザ
は、回折格子の周期と共振器の屈折率で決まるブラッグ
波長の両側（ストップバンドの両側）に２本の発振モー
ドが存在し、共振器端面での位相により何れかの発振モ
ードが選択されるため、安定な単一発振モードが得られ
る確率は低いと考えられている。また、キャリアの高注
入時においては、軸方向ホールバーニング効果による屈
折率変化によって位相変動が発生し、発振モードの変化
が生じ易く、高出力まで安定して単一モード発振が得ら
れる歩留まりは更に小さくなる。加えて、この屈折率結
合型ＤＦＢレーザは戻り光に弱く、戻り光がある場合は
発振状態の変化が生じ、雑音の増大やマルチモード化が
生じるため、通常、実用には光アイソレータが必要とな
る。

【０００４】近年、この屈折率結合型ＤＦＢレーザの問
題を解決する新しい構造のＤＦＢレーザとして、利得結
合型ＤＦＢレーザが注目されている。利得結合型レーザ
は、基本的にブラッグ波長モードで発振モードが規定さ
れるため、端面位相の影響なく安定な単一軸モード発振
が高い歩留まりで期待できる。また、軸方向ホールバー
ニングによる位相変動の影響も受けにくい為、高出力に
おいても単一モードが維持されて、歩留まりが向上す
る。更に、戻り光に対する安定性も向上することが報告
されており、低コストの単一軸モード光源として期待で
きるものである。

【０００５】利得結合型ＤＦＢレーザの代表的構成を図
７に示す。ここで、ｎ−ＩｎＰ基板１０１上に、第１ク
ラッド層であるｎ−ＩｎＰ１０２、ｎ−ＩｎＧａＡｓ吸
収型回折格子１０３、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ下部光ガイド
層１０４、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰの多重量子井
戸（ＭＱＷ）活性層１０５、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ上部光
ガイド層１０６、ｐ−ＩｎＰクラッド層１０７、最後に
ｐ−ＩｎＧａＡｓキャップ層１０８を形成し、結晶成長
を終了している。ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ下部光ガイド層１
０４に埋め込まれたｐ−ＩｎＧａＡｓ吸収型回折格子１
０３の働きにより吸収係数の周期的変化が形成され、利
得の変化が得られ、利得結合発振が得られている。図８
を用いて良好な特性を得る吸収型回折格子について説明
する。

【０００６】図８の１１０は吸収層となるｎ−ＩｎＧａ
Ａｓの横方向の厚さである。１０９は回折格子１０３の
周期である。このデューティ比（吸収層の厚さ１１０／
回折格子周期１０９）は、０．１から０．２程度にする
ことが望ましいことがわかっており、再現性のある回折
格子の形状に制御することが非常に重要となる。しかし
ながら、回折格子の周期１０９としては０．２μｍから
０．３μｍ程度必要であり、これの作製時のレジストパ
ターンとしては０．１μｍから０．１５μｍの超微細パ
ターンが必要となる。実際、このような超微細パターン
を再現性良く形成するには電子ビーム（ＥＢ）露光を用
いることは可能であるが、露光に長時間要することや装
置コストが高くなること等の問題が生じて実用的ではな
い。従って、レジストパターンは二光束干渉露光を用い
て形成し、半導体層エッチングはドライエッチングかウ
エットエッチングを用いることが、より現実的ではあ
る。

【０００７】干渉露光法を用いた代表的な吸収層の形成
法を、図９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を用いて説明する。
先ず、基板であるｎ−ＩｎＰ１１１上にグレーティング
１１２を形成する。このグレーティング１１２上に、図
９（ｂ）に示す様に、吸収層となるｎ−ＩｎＧａＡｓ１
１３を全体的に形成する。この吸収層１１３の領域を拡
大して示したのが図９（ｃ）である。ｎ−ＩｎＧａＡｓ
１１３はグレーティング谷部で成長速度が速いため、谷
部に溜まり易い。よって、谷部１１５の膜厚と頂上部１
１４の膜厚は異なり周期的構成が形成される。ここで、
少なくとも頂上部１１４の膜厚を量子効果が発生する程
度（これぐらい薄くするとエネルギーギャップが広がっ
て吸収が起きなくなる）にしておき、活性層の光を吸収
しない構成とする。この結果、谷部１１５では活性層か
らの光を吸収し、頂上部１１４では活性層の光を吸収し
ない構成となり、吸収型のＤＦＢレーザ構造が実現でき
る。この現象を利用して、図８に示した吸収型の回折格
子を実現しようとするものである。

【０００８】しかしながら、本方法にも問題がある。吸
収を行うＩｎＧａＡｓ１１３はグレーティング１１２の
頂上部にも形成されるため溝部すなわち谷部と連続的に
つながってしまう。この為、成長の状態やグレーティン
グ作製時の面内分布で、吸収層として働く領域が変化
し、所望の特性を有したレーザを歩留り良く作製するの
が困難である。ひどい場合には、頂上部１１４の膜厚が
増加してこの部分でも吸収が生じ、見掛け上、回折格子
が形成されないことも容易に発生すると考えられる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】以上説明した様に、二
光束干渉露光を用いた従来の方法ではグレーティングの
頂上部にもバンドギャップの狭い膜が残り、成長条件に
より吸収層の幅が変わりレーザ特性にばらつきが発生し
ていた。また、場合によっては、頂上部も吸収層となっ
て回折格子が形成されず、ＤＦＢレーザとならないとい
う問題点が発生していた。

【００１０】従って、本発明の目的は、量産性に優れた
二光束干渉露光法などを用いて従来の様に頂上部にバン
ドギャップの狭い膜が残ることがない吸収型回折格子の
形成方法及び利得結合型ＤＦＢレーザの作製法を提供す
るものである。具体的には、グレーティング上に吸収層
を形成した後、グレーティングの凸部を一部分取り除く
方法を提供するものである。この結果、吸収領域が連続
的でなく離散的に形成された吸収型回折格子或は利得結
合型ＤＦＢレーザが実現できる。また、吸収型回折格子
を作製した後の再成長時の段差が小さな構成も実現でき
た。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する第１
の発明（請求項１に係る発明に対応）は、第１の半導体
上に、第１の半導体とは組成の異なる半導体単層膜また
は第１の半導体と組成の異なる半導体層を一部に有する
半導体多層膜を形成する工程と、該単層膜または多層膜
をエッチングし回折格子を作製する工程（代表的には二
光束干渉露光法を用いるが、これに限らない）と、該回
折格子上に吸収領域となる半導体膜を形成する工程（こ
れには、以下に説明する様に、一様に形成する場合と溝
部に形成する場合がある）と、該回折格子の高さを低減
する工程（これには、以下に説明する様に、幾つかの方
法がある）を有することを特徴とする吸収型回折格子の
形成方法である。

【００１２】第２の発明（請求項２に係る発明に対応）
では、第１の発明における前記回折格子上に吸収領域と
なる半導体膜を形成する工程は、回折格子上に吸収領域
となる半導体膜を一様に形成する工程であることを特徴
とする。

【００１３】第３の発明（請求項３に係る発明に対応）
では、第２の発明における前記回折格子の高さを低減す
る工程は、回折格子の溝部に吸収領域となる半導体膜を
保護するエッチング保護層を形成する工程と選択エッチ
ングを行なう工程を有することを特徴とする。

【００１４】第４の発明（請求項４に係る発明に対応）
では、第２の発明における前記回折格子の高さを低減す
る工程は、回折格子上に一様に形成された吸収領域とな
る半導体膜をするライトエッチングする工程と選択エッ
チングを行なう工程を有することを特徴とする。

【００１５】また、第５の発明（請求項５に係る発明に
対応）では、第１の発明における前記回折格子上に吸収
領域となる半導体膜を形成する工程は、回折格子の溝部
に吸収領域となる半導体膜を形成する工程であることを
特徴とする。

【００１６】第６の発明（請求項６に係る発明に対応）
では、第１または第５の発明における前記回折格子の高
さを低減する工程は、選択エッチングを行なう工程であ
ることを特徴とする。

【００１７】第７の発明（請求項７に係る発明に対応）
では、第１、第２または第５の発明における前記回折格
子の高さを低減する工程は、回折格子の溝部を埋めて平
坦にする工程と均一にエッチングを行なう工程を有する
ことを特徴とする。

【００１８】以上の吸収型回折格子の形成方法により、
グレーティング頂上部に対応した領域に吸収膜を残さな
い吸収型回折格子の作製法を、量産性の高い二光束干渉
露光、通常のエッチング法等を用いて実現できるもので
ある。

【００１９】また、第８及び第１１乃至第１６の発明
（請求項８及び１１乃至１６に係る発明に対応）では、
上記形成法で吸収型回折格子を形成する利得結合型ＤＦ
Ｂレーザの作製法であることを特徴とする。

【００２０】例えば、基板に多層膜を形成する工程と、
この多層膜を含めてグレーティングを形成する工程と、
このグレーティング上に吸収層を形成する工程と、再成
長時に多層膜の一部をエッチングする工程により、グレ
ーティング頂上部に対応した領域に活性層よりバンドギ
ャップの狭い膜を残さない半導体レーザの作製法を、量
産性の高い二光束干渉露光、通常のエッチング法などを
用いて実現できる。

【００２１】第９の発明（請求項９に係る発明に対応）
では、前記吸収型回折格子を光ガイド層の中に形成する
ことを特徴とする。

【００２２】第１０の発明（請求項１０に係る発明に対
応）では、活性層の上部に前記吸収型回折格子を形成す
ることを特徴とする。

【００２３】

【発明の実施の形態】第１実施例 図１を用いて本発明の第１実施例を説明する。１は基板
であるところのｎ−ＩｎＰである。この上に、２に示す
ｎ−ＩｎＰを厚さ０．１μｍ形成している。続いて、エ
ッチング補助膜として３に示すＩｎＧａＡｓＰを０．１
μｍ形成して、一旦成長を終了する。

【００２４】この後、成長した膜２、３にレジストと二
光束干渉露光法を用いて回折格子４を形成する。半導体
膜２、３のエッチングは塩素のドライエッチングにより
行い、図１（ｂ）の５に示す様に０．１５μｍの深さを
持つ回折格子４を形成する。ここで、基板１とｎ−Ｉｎ
Ｐ層２の第１の半導体と組成の異なるエッチング補助膜
３がある為にグレーティング４を深く形成でき、グレー
ティング４の溝部１６を細く形成することができる。

【００２５】続いて、２回目の成長を行う。図１（ｃ）
に示す様に吸収層であるｎ−ＩｎＧａＡｓ６を形成す
る。ここでは、溝部１６で３０ｎｍの膜厚になるように
成長する。この時、回折格子４の頂上部１４にもわずか
にｎ−ＩｎＧａＡｓ膜が成長する。続いて、７に示すエ
ッチング保護層を形成する。この層７は、この後のエッ
チングにおいてＩｎＧａＡｓ吸収層６を保護する役目を
もつ。７に示す膜の組成は、ｎ−ＩｎＰで形成し、膜厚
は谷部で２０ｎｍである。谷部のみに保護層７を形成す
るには、成膜後に塩酸でエッチングすればよい。

【００２６】続いて、１４に示した回折格子頂上部のＩ
ｎＧａＡｓＰ膜６のエッチングを行う。エッチング液は
硫酸系を用い、硫酸：水：過酸化水素水＝１：１：１０
０の割合とする。エッチング後の形状を図１（ｄ）に示
す。吸収層ＩｎＧａＡｓ膜６は保護層７で保護された溝
部のみとなり、１４に示した回折格子頂上部のＩｎＧａ
ＡｓＰ膜のエッチングにより、基板はほぼ平坦になる。
図１（ｄ）中に示した７のｎ−ＩｎＰ膜は、吸収層とし
ては働かないので残っていてもよいが、不必要であれば
除去してもよい。

【００２７】ここで重要な点は、グレーティング４の頂
上部１４（凸部）をエッチングすることにより、ｎ−Ｉ
ｎＧａＡｓ吸収層６が連続的でなく離散的になった点
と、最初に形成したエッチング補助膜３により、５で示
す高さの大きいグレーティング４が実現できた点であ
る。この後者の結果、グレーティング４の溝部１６の先
端が狭くなり、図１（ｄ）中の１５に示す様に吸収層６
の幅が細くなった。こうして、デューティ比０．３の吸
収型グレーティングが実現できた。

【００２８】この後の半導体レーザの作製工程を図２に
示す。吸収層６が形成された基板１上に光ガイド層とな
る８のノンドープＩｎＧａＡｓＰを厚さ０．１μｍ成長
し、その上に９に示す活性層を積層する。活性層９の構
成は、量子井戸であるＩｎＧａＡｓ（厚さ６ｎｍ）とバ
リア層であるＩｎＧａＡｓＰ（厚さ１０ｎｍ）のペアを
５回繰り返している。更に、上部光ガイド層であるノン
ドープＩｎＧａＡｓＰ１０を厚さ０．１μｍ、上部クラ
ッド層であるＢｅドープＩｎＰ１１を厚さ１．５μｍ、
キャップ層であるＢｅドープＩｎＧａＡｓ１２を厚さ
０．２μｍ形成している。

【００２９】尚、図１（ｂ）におけるエッチング深さ１
３のばらつきはそれほど重要ではない。このばらつきは
図１（ｄ）に示す再成長時の段差となって影響してくる
が、多少ずれても成長に際して支障とはならない。

【００３０】以上説明した様に、本作製法により、吸収
層６を離散的に形成でき、半導体レーザ特性のばらつき
が低減された。また、グレーティング４の溝部１６が狭
くなりデューティ比が小さくなった。この構成により、
安定な利得結合型ＤＦＢレーザが作製できた。

【００３１】第２実施例 図３をもって本発明の第２実施例を説明する。本実施例
は、吸収型回折格子を光ガイド層の中に形成した例を示
す。

【００３２】図３（ａ）において、２１は基板であると
ころのｎ−ＩｎＰ膜である。この上に、２２に示したｎ
−ＩｎＧａＡｓＰ膜を厚さ０．１μｍ形成する。２３は
ｎ−ＩｎＰ膜のエッチング補助膜であり、厚さ０．１μ
ｍ形成している。この補助膜２３は、第１実施例でも示
した様にグレーティングの溝部の先端を細くし先端に形
成される吸収領域のデューティ比を改善（小さく）する
ものである。この成長が終了した後は、図３（ｂ）に示
す様にグレーティング２５を形成する。グレーティング
２５の深さ２６は、０．１５μｍである。この後、図３
（ｃ）に示す様に、ｎ−ＩｎＧａＡｓ層２７を溝部の厚
さが２５ｎｍになるように形成する。ｎ−ＩｎＧａＡｓ
膜２７はグレーティング２５の斜面および頂上部にも形
成される。この後、硫酸系のエッチャントで斜面部、頂
上部に形成されたｎ−ＩｎＧａＡｓ２７を除去したもの
が、図３（ｄ）に示す形状のものである。溝部に吸収結
合型のグレーティングとなるｎ−ＩｎＧａＡｓ２８が形
成されている。最後にエッチング補助層２３を除去し
て、吸収層２８の形成が終了する。

【００３３】この吸収基板上への半導体レーザの作製工
程について、図４を用いて説明する。吸収型回折格子２
８を含んだ基板上に、２９に示す光ガイド層であるノン
ドープＩｎＧａＡｓＰを厚さ０．１μｍ形成する。この
上に、３０に示す活性層を形成する。活性層３０の構成
は、量子井戸であるＩｎＧａＡｓ（厚さ１０ｎｍ）とバ
リア層であるＩｎＧａＡｓＰ（厚さ１０ｎｍ）のペアを
６回繰り返している。３１は上部光ガイド層であるノン
ドープＩｎＧａＡｓＰであり、厚さ０．０５μｍ形成し
ている。３２は上部クラッド層であるＢｅドープＩｎＰ
であり、厚さ１．３μｍ形成する。３３はキャップ層で
あるＢｅドープＩｎＧａＡｓであり、厚さ０．２μｍ形
成する。こうして成長を終了する。

【００３４】ここで、吸収型回折格子２８はｎ−ＩｎＧ
ａＡｓＰ膜２２中に形成されている。よって、２２は光
ガイド層として働き、光が光ガイド層２２に引き寄せら
れる形となる。つまり、光の吸収割合が増え結合を強く
することができる。

【００３５】本実施例でも、図４におけるエッチング深
さ３４のばらつきはそれほど重要ではない。このばらつ
きは図３（ｅ）に示す再成長時の段差となって影響して
くるが、多少ずれても成長に際して支障とはならない。
尚、成長条件の最適化を図れば、図３（ｂ）の状態から
図３（ｄ）の状態に直接来ることもできる。

【００３６】以上、本実施例に示す工程により二光束干
渉露光とウエットエッチング、ドライエッチングを用い
て、溝部のみに吸収領域２８を持つ吸収型回折格子を形
成することが出来た。また吸収領域２８のデューティ比
も改善することができた。

【００３７】第３実施例 本発明の第３の実施例を図５をもって説明する。本実施
例は、活性層を持つ基板上に本発明の吸収型回折格子を
適用したものである。

【００３８】図５において、４１は基板であるところの
ｐ−ＩｎＰ膜である。この上に、４２に示す光ガイド層
のノンドープＩｎＧａＡｓＰを厚さ０．２μｍ形成す
る。この上に、４３に示す活性層を形成する。活性層４
３の構成は、量子井戸であるＩｎＧａＡｓ（厚さ６ｎ
ｍ）とバリア層であるＩｎＧａＡｓＰ（厚さ１２ｎｍ）
のペアを４回繰り返している。４４は上部光ガイド層で
あるノンドープＩｎＧａＡｓＰである。更に、４９は吸
収型の回折格子、５０は上部クラッド層であるＳｉドー
プＩｎＰで、厚さは１．３μｍ形成する。５１はキャッ
プ層であり、ＳｉドープＩｎＧａＡｓを厚さ０．２μｍ
形成している。これが全体の構成である。

【００３９】図６を用いてこの吸収型回折格子４９の形
成法を説明する。図６（ａ）において、４０は図５にて
説明した層４１から層４３までの層を指している。この
上に、上部光ガイド層となる４４のノンドープＩｎＧａ
ＡｓＰを厚さ０．１μｍ形成する。４５はエッチング補
助層であるＩｎＰ膜であり、厚さは０．０８μｍ形成す
る。図６（ｂ）はエッチングを行った後の構成である。
４６のグレーティングの溝の深さ４７は０．１３μｍと
する。このエッチングした上に、４８に示すｎ−ＩｎＧ
ａＡｓを厚さ２０ｎｍ形成する（図６（ｃ））。

【００４０】続いて、頂上部および斜面に形成されたｎ
−ＩｎＧａＡｓ４８を硫酸系のエッチャントでライトエ
ッチングして除去する（図６（ｄ））。この後、エッチ
ング補助層４５を除去すると図６（ｅ）に示す構成とな
る。この後の成長は、図５をもって説明した様な手順と
なる。

【００４１】本実施例により、活性層を有する基板にお
いても本発明が適用できることが示された。尚、図５に
示した第３実施例では、吸収型回折格子４９の上に直ぐ
に上部クラッド５０を形成したが、この部分に光ガイド
層を挿入してもよい。この光ガイド層により結合係数の
改善が図れる。

【００４２】

【発明の効果】以上説明した如く、本発明により、量産
性に優れた干渉露光法などを用いて、分離された吸収領
域を有する回折格子が形成でき、半導体レーザ特性のば
らつきが低減された。また、グレーティングの溝部が狭
くなりデューティ比が小さくなり、この構成により、安
定な利得結合型ＤＦＢレーザができた。

【００４３】また、光ガイド層内に吸収層が形成でき、
吸収係数の増大が図れ、安定した動作が確認できた。更
に、下地に活性層がある場合でも、再現性良く利得結合
型半導体レーザが作製できる様になった。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は本発明の第１実施例の製造工程を示す図
である。

【図２】図２は本発明の第１実施例で作製されたデバイ
スの全体構成の断面図である。

【図３】図３は本発明の第２実施例の製造工程を示す図
である。

【図４】図４は本発明の第２実施例で作製されたデバイ
スの全体構成の断面図である。

【図５】図５は本発明の第３実施例で作製されたデバイ
スの全体構成の断面図である。

【図６】図６は本発明の第３実施例の製造工程を示す図
である。

【図７】図７は従来例の全体構成の断面図である。

【図８】図８は従来例の吸収型回折格子を説明する図で
ある。

【図９】図９は従来例の回折格子の製法と問題点を説明
する図である。

【符号の説明】

１、２１、４１ 基板 ２ ＩｎＰ層 ３、２３、４５ エッチング補助層 ４、２５、４６ グレーティング ６、２７、２８、４８、４９ 吸収層（吸収領域） ７ エッチング保護層 ８、１０、２９、３１、４２、４４ 光ガイド層 ９、３０、４３ 活性層 １１、３２、５０ クラッド層 １２、３３、５１ キャップ層 １４ グレーティング頂上部 １６ グレーティング溝部 ２２ ＩｎＧａＡｓＰ層

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の半導体上に、第１の半導体とは組
   成の異なる半導体単層膜または第１の半導体と組成の異
   なる半導体層を一部に有する半導体多層膜を形成する工
   程と、該単層膜または多層膜をエッチングし回折格子を
   作製する工程と、該回折格子上に吸収領域となる半導体
   膜を形成する工程と、該回折格子の高さを低減する工程
   を有することを特徴とする吸収型回折格子の形成方法。
2. 【請求項２】 前記回折格子上に吸収領域となる半導体
   膜を形成する工程は、回折格子上に吸収領域となる半導
   体膜を一様に形成する工程であることを特徴とする請求
   項１記載の吸収型回折格子の形成方法。
3. 【請求項３】 前記回折格子の高さを低減する工程は、
   回折格子の溝部に吸収領域となる半導体膜を保護するエ
   ッチング保護層を形成する工程と選択エッチングを行な
   う工程を有することを特徴とする請求項２記載の吸収型
   回折格子の形成方法。
4. 【請求項４】 前記回折格子の高さを低減する工程は、
   回折格子上に一様に形成された吸収領域となる半導体膜
   をするライトエッチングする工程と選択エッチングを行
   なう工程を有することを特徴とする請求項２記載の吸収
   型回折格子の形成方法。
5. 【請求項５】 前記回折格子上に吸収領域となる半導体
   膜を形成する工程は、回折格子の溝部に吸収領域となる
   半導体膜を形成する工程であることを特徴とする請求項
   １記載の吸収型回折格子の形成方法。
6. 【請求項６】 前記回折格子の高さを低減する工程は、
   選択エッチングを行なう工程であることを特徴とする請
   求項１または５記載の吸収型回折格子の形成方法。
7. 【請求項７】 前記回折格子の高さを低減する工程は、
   回折格子の溝部を埋めて平坦にする工程と均一にエッチ
   ングを行なう工程を有することを特徴とする請求項１、
   ２または５記載の吸収型回折格子の形成方法。
8. 【請求項８】 利得結合型ＤＦＢレーザの作製法におい
   て、第１の半導体上に、第１の半導体とは組成の異なる
   半導体単層膜または第１の半導体と組成の異なる半導体
   層を一部に有する半導体多層膜を形成する工程と、該単
   層膜または多層膜をエッチングし回折格子を作製する工
   程と、該回折格子上に吸収領域となる半導体膜を形成す
   る工程と、該回折格子の高さを低減する工程を有する形
   成法で吸収型回折格子を形成することを特徴とする利得
   結合型ＤＦＢレーザの作製法。
9. 【請求項９】 前記吸収型回折格子を光ガイド層の中に
   形成することを特徴とする請求項８記載の利得結合型Ｄ
   ＦＢレーザの作製法。
10. 【請求項１０】 活性層の上部に前記吸収型回折格子を
    形成することを特徴とする請求項８記載の利得結合型Ｄ
    ＦＢレーザの作製法。
11. 【請求項１１】 前記回折格子上に吸収領域となる半導
    体膜を形成する工程は、回折格子上に吸収領域となる半
    導体膜を一様に形成する工程であることを特徴とする請
    求項８、９または１０記載の利得結合型ＤＦＢレーザの
    作製法。
12. 【請求項１２】 前記回折格子の高さを低減する工程
    は、回折格子の溝部に吸収領域となる半導体膜を保護す
    るエッチング保護層を形成する工程と選択エッチングを
    行なう工程を有することを特徴とする請求項１１記載の
    利得結合型ＤＦＢレーザの作製法。
13. 【請求項１３】 前記回折格子の高さを低減する工程
    は、回折格子上に一様に形成された吸収領域となる半導
    体膜をするライトエッチングする工程と選択エッチング
    を行なう工程を有することを特徴とする請求項１１記載
    の利得結合型ＤＦＢレーザの作製法。
14. 【請求項１４】 前記回折格子上に吸収領域となる半導
    体膜を形成する工程は、回折格子の溝部に吸収領域とな
    る半導体膜を形成する工程であることを特徴とする請求
    項８、９または１０記載の利得結合型ＤＦＢレーザの作
    製法。
15. 【請求項１５】 前記回折格子の高さを低減する工程
    は、選択エッチングを行なう工程であることを特徴とす
    る請求項８、９、１０または１４記載の利得結合型ＤＦ
    Ｂレーザの作製法。
16. 【請求項１６】 前記回折格子の高さを低減する工程
    は、回折格子の溝部を埋めて平坦にする工程と均一にエ
    ッチングを行なう工程を有することを特徴とする請求項
    ８、９、１０、１１または１４記載の利得結合型ＤＦＢ
    レーザの作製法。