JPH10188339A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JPH10188339A JPH10188339A JP8343688A JP34368896A JPH10188339A JP H10188339 A JPH10188339 A JP H10188339A JP 8343688 A JP8343688 A JP 8343688A JP 34368896 A JP34368896 A JP 34368896A JP H10188339 A JPH10188339 A JP H10188339A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- recording
- dye
- layer
- recording layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 21
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 5
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 2
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 abstract description 58
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 5
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- -1 sulfonealkyl group Chemical group 0.000 description 180
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 79
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 16
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical group C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical group C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 125000005448 ethoxyethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])OC([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 4
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 4
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003806 alkyl carbonyl amino group Chemical group 0.000 description 3
- 125000005157 alkyl carboxy group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 3
- XPFVYQJUAUNWIW-UHFFFAOYSA-N furfuryl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CO1 XPFVYQJUAUNWIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- AIDFJGKWTOULTC-UHFFFAOYSA-N 1-butylsulfonylbutane Chemical group CCCCS(=O)(=O)CCCC AIDFJGKWTOULTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001731 2-cyanoethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C([H])([H])C#N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005041 acyloxyalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005081 alkoxyalkoxyalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005078 alkoxycarbonylalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005205 alkoxycarbonyloxyalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000278 alkyl amino alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005094 alkyl carbonyl amino alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004103 aminoalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 125000004966 cyanoalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001007 phthalocyanine dye Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- NVBFHJWHLNUMCV-UHFFFAOYSA-N sulfamide Chemical group NS(N)(=O)=O NVBFHJWHLNUMCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JWZZKOKVBUJMES-UHFFFAOYSA-N (+-)-Isoprenaline Chemical compound CC(C)NCC(O)C1=CC=C(O)C(O)=C1 JWZZKOKVBUJMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSUFEOXMCRPQBB-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2-tetrafluoropropan-1-ol Chemical compound CC(F)(F)C(O)(F)F CSUFEOXMCRPQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005918 1,2-dimethylbutyl group Chemical group 0.000 description 1
- AIGNCQCMONAWOL-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoselenazole Chemical group C1=CC=C2[se]C=NC2=C1 AIGNCQCMONAWOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000355 1,3-benzoxazolyl group Chemical group O1C(=NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- ODIRBFFBCSTPTO-UHFFFAOYSA-N 1,3-selenazole Chemical group C1=C[se]C=N1 ODIRBFFBCSTPTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004973 1-butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006218 1-ethylbutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- MBDUIEKYVPVZJH-UHFFFAOYSA-N 1-ethylsulfonylethane Chemical group CCS(=O)(=O)CC MBDUIEKYVPVZJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLUGCAKOZAODBF-UHFFFAOYSA-N 1-pentylsulfonylpentane Chemical group CCCCCS(=O)(=O)CCCCC NLUGCAKOZAODBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEXYCADTAFPULN-UHFFFAOYSA-N 1-propylsulfonylpropane Chemical group CCCS(=O)(=O)CCC JEXYCADTAFPULN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004206 2,2,2-trifluoroethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C(F)(F)F 0.000 description 1
- NBUKAOOFKZFCGD-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3-tetrafluoropropan-1-ol Chemical compound OCC(F)(F)C(F)F NBUKAOOFKZFCGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAQVDANXTSFXGA-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydro-1h-benzo[g]indole Chemical group C1=CC=CC2=C(NCC3)C3=CC=C21 FAQVDANXTSFXGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003764 2,4-dimethylpentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- QQLILYBIARWEIF-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxyethylsulfonyl)ethanol Chemical group OCCS(=O)(=O)CCO QQLILYBIARWEIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 2-(3,4-dimethoxyphenyl)-5-hydroxy-7-methoxychromen-4-one Chemical compound C=1C(OC)=CC(O)=C(C(C=2)=O)C=1OC=2C1=CC=C(OC)C(OC)=C1 HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000022 2-aminoethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])N([H])[H] 0.000 description 1
- 125000006176 2-ethylbutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(C([H])([H])*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- FKFDAXFMZOXLSV-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(2-methylbutylsulfonyl)butane Chemical group CCC(C)CS(=O)(=O)CC(C)CC FKFDAXFMZOXLSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULSLZZKKTPQNNJ-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(2-methylpropylsulfonyl)propane Chemical group CC(C)CS(=O)(=O)CC(C)C ULSLZZKKTPQNNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006026 2-methyl-1-butenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006029 2-methyl-2-butenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004493 2-methylbut-1-yl group Chemical group CC(C*)CC 0.000 description 1
- 125000004680 2-methylbutylcarbonyl group Chemical group CC(CC(=O)*)CC 0.000 description 1
- 125000003229 2-methylhexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000005916 2-methylpentyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006024 2-pentenyl group Chemical group 0.000 description 1
- SPJQDMKTFSPPLO-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butylsulfonyl-2-methylpropane Chemical group CC(C)(C)S(=O)(=O)C(C)(C)C SPJQDMKTFSPPLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PPHKBPXYLUBVBY-UHFFFAOYSA-N 3-(2-cyanoethylsulfonyl)propanenitrile Chemical group N#CCCS(=O)(=O)CCC#N PPHKBPXYLUBVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBSPARWZQMEZEU-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-1-(3-methylbutylsulfonyl)butane Chemical group CC(C)CCS(=O)(=O)CCC(C)C FBSPARWZQMEZEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006027 3-methyl-1-butenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003542 3-methylbutan-2-yl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000003469 3-methylhexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000005917 3-methylpentyl group Chemical group 0.000 description 1
- HCCNHYWZYYIOFM-UHFFFAOYSA-N 3h-benzo[e]benzimidazole Chemical group C1=CC=C2C(N=CN3)=C3C=CC2=C1 HCCNHYWZYYIOFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIZZUEJIOKEFFZ-UHFFFAOYSA-M C3-oxacyanine Chemical compound [I-].O1C2=CC=CC=C2[N+](CC)=C1C=CC=C1N(CC)C2=CC=CC=C2O1 FIZZUEJIOKEFFZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical group C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBTVPTIVOLLIIK-UHFFFAOYSA-N [I-].[NH+]1=CSC2=C1C1=CC=CC=C1C=C2 Chemical compound [I-].[NH+]1=CSC2=C1C1=CC=CC=C1C=C2 MBTVPTIVOLLIIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004202 aminomethyl group Chemical group [H]N([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000005110 aryl thio group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001555 benzenes Chemical group 0.000 description 1
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical group N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- AMTXUWGBSGZXCJ-UHFFFAOYSA-N benzo[e][1,3]benzoselenazole Chemical group C1=CC=C2C(N=C[se]3)=C3C=CC2=C1 AMTXUWGBSGZXCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXNQKOAQSGJCQU-UHFFFAOYSA-N benzo[e][1,3]benzothiazole Chemical group C1=CC=C2C(N=CS3)=C3C=CC2=C1 KXNQKOAQSGJCQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMUIZUWOEIQJEH-UHFFFAOYSA-N benzo[e][1,3]benzoxazole Chemical group C1=CC=C2C(N=CO3)=C3C=CC2=C1 WMUIZUWOEIQJEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVXMFSUEQYXHCC-UHFFFAOYSA-N benzo[g][1,3]benzothiazol-3-ium iodide Chemical compound [I-].c1[nH+]c2ccc3ccccc3c2s1 AVXMFSUEQYXHCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical group C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005997 bromomethyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006226 butoxyethyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 125000002603 chloroethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])Cl 0.000 description 1
- 125000004218 chloromethyl group Chemical group [H]C([H])(Cl)* 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 125000002946 cyanobenzyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004802 cyanophenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 150000004662 dithiols Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005745 ethoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])OC([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004672 ethylcarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000002485 formyl group Chemical group [H]C(*)=O 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 125000006289 hydroxybenzyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004464 hydroxyphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003387 indolinyl group Chemical group N1(CCC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INQOMBQAUSQDDS-UHFFFAOYSA-N iodomethane Chemical group IC INQOMBQAUSQDDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 125000006328 iso-butylcarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C(*)=O)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002510 isobutoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000004491 isohexyl group Chemical group C(CCC(C)C)* 0.000 description 1
- 125000005921 isopentoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 125000004184 methoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000006178 methyl benzyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000250 methylamino group Chemical group [H]N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004674 methylcarbonyl group Chemical group CC(=O)* 0.000 description 1
- 125000002816 methylsulfanyl group Chemical group [H]C([H])([H])S[*] 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- SQNVFBHILRFQJY-UHFFFAOYSA-N n-(methylsulfamoyl)methanamine Chemical group CNS(=O)(=O)NC SQNVFBHILRFQJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006606 n-butoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004676 n-butylcarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 125000003136 n-heptyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000003935 n-pentoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004923 naphthylmethyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)C* 0.000 description 1
- 125000005484 neopentoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 125000006502 nitrobenzyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 125000006501 nitrophenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002971 oxazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 125000004368 propenyl group Chemical group C(=CC)* 0.000 description 1
- 125000006225 propoxyethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])OC([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000005767 propoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[#8]C([H])([H])* 0.000 description 1
- UCFSULAKAYDAAE-UHFFFAOYSA-N quinolin-1-ium;iodide Chemical compound I.N1=CC=CC2=CC=CC=C21 UCFSULAKAYDAAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 125000005920 sec-butoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000003548 sec-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 125000001174 sulfone group Chemical group 0.000 description 1
- HHVIBTZHLRERCL-UHFFFAOYSA-N sulfonyldimethane Chemical group CS(C)(=O)=O HHVIBTZHLRERCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006253 t-butylcarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(C(*)=O)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001973 tert-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 125000006493 trifluoromethyl benzyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Indole Compounds (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 スパイラル状にプリグルーブが形成され
た基板上に、レーザー光を吸収する色素を含有する記録
層、該記録層の上に金属の反射層を有する光記録媒体に
おいて、トラックピッチ及びグルーブ深さをλ／ＮＡで
表される記録ビーム径（λは記録波長、ＮＡは対物レン
ズの開口数）に対して規定し、また記録層を含めた光学
位相差を規定し、さらに記録層に含有される色素がトリ
メチンシアニン化合物であることを特徴とする高密度光
記録媒体。 【効果】 記録時のトラッキングが安定し、良好な記録
特性を有した高密度記録が可能な追記型光記録媒体を提
供する。
た基板上に、レーザー光を吸収する色素を含有する記録
層、該記録層の上に金属の反射層を有する光記録媒体に
おいて、トラックピッチ及びグルーブ深さをλ／ＮＡで
表される記録ビーム径（λは記録波長、ＮＡは対物レン
ズの開口数）に対して規定し、また記録層を含めた光学
位相差を規定し、さらに記録層に含有される色素がトリ
メチンシアニン化合物であることを特徴とする高密度光
記録媒体。 【効果】 記録時のトラッキングが安定し、良好な記録
特性を有した高密度記録が可能な追記型光記録媒体を提
供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明基板上に、色
素を含有する記録層、反射層を有する光記録媒体で、特
に高密度に記録可能な光記録媒体に関する。
素を含有する記録層、反射層を有する光記録媒体で、特
に高密度に記録可能な光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】色素を記録層とし、且つ反射率を大きく
するため、記録層の上に金属の反射層を設けた記録可能
な光記録媒体は、例えば、 Optical Data Storage 1989
Technical Digest Series Vol.1 45(1989)に開示さ
れ、記録層にシアニン系色素やフタロシアニン系色素を
用いた媒体はＣＤ−Ｒ媒体として市場に供されている。
これらの媒体は780 ｎｍの半導体レーザーで記録するこ
とが出来、且つ780 ｎｍの半導体レーザーを搭載してい
る市販のＣＤプレーヤーやＣＤ−ＲＯＭプレーヤーで再
生できるという特徴を有する。しかし、これらの媒体は
650MB程度の容量しか持たず、デジタル動画等のように
大容量の情報を記録するには記録時間が15分以下と短
い。又、機器の小型化が進む状況に対応するために、従
来の媒体を小型にすると容量が不足する。前記した従来
のＣＤ−Ｒ媒体は 780ｎｍ前後の波長を有する半導体レ
ーザーを用いて記録及び再生を行っていたが、最近 630
〜655 ｎｍの半導体レーザーが開発され、より高密度の
記録及び又は再生が可能となり、直径 120mmの媒体に約
２時間の高画質の動画を記録した光記録媒体がＤＶＤと
して開発されている。この媒体は４．７GB／面の記録容
量を有するが、ピットを基板に転写して作られる再生専
用の媒体である。最近、上記のような再生専用のＤＶＤ
の記録容量に近い容量を有する記録可能な光記録媒体が
求められている。
するため、記録層の上に金属の反射層を設けた記録可能
な光記録媒体は、例えば、 Optical Data Storage 1989
Technical Digest Series Vol.1 45(1989)に開示さ
れ、記録層にシアニン系色素やフタロシアニン系色素を
用いた媒体はＣＤ−Ｒ媒体として市場に供されている。
これらの媒体は780 ｎｍの半導体レーザーで記録するこ
とが出来、且つ780 ｎｍの半導体レーザーを搭載してい
る市販のＣＤプレーヤーやＣＤ−ＲＯＭプレーヤーで再
生できるという特徴を有する。しかし、これらの媒体は
650MB程度の容量しか持たず、デジタル動画等のように
大容量の情報を記録するには記録時間が15分以下と短
い。又、機器の小型化が進む状況に対応するために、従
来の媒体を小型にすると容量が不足する。前記した従来
のＣＤ−Ｒ媒体は 780ｎｍ前後の波長を有する半導体レ
ーザーを用いて記録及び再生を行っていたが、最近 630
〜655 ｎｍの半導体レーザーが開発され、より高密度の
記録及び又は再生が可能となり、直径 120mmの媒体に約
２時間の高画質の動画を記録した光記録媒体がＤＶＤと
して開発されている。この媒体は４．７GB／面の記録容
量を有するが、ピットを基板に転写して作られる再生専
用の媒体である。最近、上記のような再生専用のＤＶＤ
の記録容量に近い容量を有する記録可能な光記録媒体が
求められている。
【０００３】記録可能な媒体に於いて、記録容量を大き
くするには記録レーザービームを小さくする必要があ
る。ビーム径は用いるレーザーの波長が短い程、又対物
レンズの開口数（ＮＡ）が大きい程小さくなり、高密度
記録に好ましいが、現在の半導体レーザー技術やレンズ
のＮＡからは、ビーム径には限界がある。例えば、前記
したＤＶＤのビーム径は、従来のＣＤの場合に比較し
て、記録密度の割には小さくない。従って、記録時に
は、ＣＤ−Ｒの場合と比較して、ビーム径に比してより
小さなピットを正確に形成しなければならない。しか
し、ピットの大きさが小さくなるほど、最短ピットの変
調度が小さくなり、ジッターやエラーレートが大きくな
るという問題点が生じる。そこで記録時に変調度を犠牲
にせずに、細く小さなピットを正確に形成できる媒体が
求められている。さらに、記録時のグルーブに沿ってレ
ーザーを位置づかせるトラッキングの安定性を考慮する
と、未記録のラジアルコントラスト（ＲＣｂ）が０．０
５より大きいことが望まれる。また、短波長の光を吸収
するトリメチンシアニン色素を用いた媒体が、特開平6-
40162 に開示されている。しかし、高密度記録のための
短波長レーザー光に記録感度を有する色素としてトリメ
チンシアニン色素が挙げられているのみで、記録容量を
大きくするための種々の条件に関しては何も開示されて
いない。
くするには記録レーザービームを小さくする必要があ
る。ビーム径は用いるレーザーの波長が短い程、又対物
レンズの開口数（ＮＡ）が大きい程小さくなり、高密度
記録に好ましいが、現在の半導体レーザー技術やレンズ
のＮＡからは、ビーム径には限界がある。例えば、前記
したＤＶＤのビーム径は、従来のＣＤの場合に比較し
て、記録密度の割には小さくない。従って、記録時に
は、ＣＤ−Ｒの場合と比較して、ビーム径に比してより
小さなピットを正確に形成しなければならない。しか
し、ピットの大きさが小さくなるほど、最短ピットの変
調度が小さくなり、ジッターやエラーレートが大きくな
るという問題点が生じる。そこで記録時に変調度を犠牲
にせずに、細く小さなピットを正確に形成できる媒体が
求められている。さらに、記録時のグルーブに沿ってレ
ーザーを位置づかせるトラッキングの安定性を考慮する
と、未記録のラジアルコントラスト（ＲＣｂ）が０．０
５より大きいことが望まれる。また、短波長の光を吸収
するトリメチンシアニン色素を用いた媒体が、特開平6-
40162 に開示されている。しかし、高密度記録のための
短波長レーザー光に記録感度を有する色素としてトリメ
チンシアニン色素が挙げられているのみで、記録容量を
大きくするための種々の条件に関しては何も開示されて
いない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、記録
ビーム径、トラックピッチ、グルーブ形状及び色素の最
適化を行い、記録ビーム径に対してトラックピッチを小
さくしても、記録時のトラッキングが安定しており、従
来より小さなピットを形成した際に良好な記録特性を有
する高密度光記録媒体を提供することにある。
ビーム径、トラックピッチ、グルーブ形状及び色素の最
適化を行い、記録ビーム径に対してトラックピッチを小
さくしても、記録時のトラッキングが安定しており、従
来より小さなピットを形成した際に良好な記録特性を有
する高密度光記録媒体を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、記録ビーム径、ト
ラックピッチ、グルーブ形状及び色素構造の最適化を行
うことにより、記録ビーム径に対してトラックピッチを
小さくしても、ＲＣｂ値が適度の大きさで記録時のトラ
ッキングが安定しており、従来より小さなピットを形成
した際に変調度が大きく、ジッター、エラー率が良好な
高密度光記録媒体が実現されることを見出し、本発明を
完成するに至った。
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、記録ビーム径、ト
ラックピッチ、グルーブ形状及び色素構造の最適化を行
うことにより、記録ビーム径に対してトラックピッチを
小さくしても、ＲＣｂ値が適度の大きさで記録時のトラ
ッキングが安定しており、従来より小さなピットを形成
した際に変調度が大きく、ジッター、エラー率が良好な
高密度光記録媒体が実現されることを見出し、本発明を
完成するに至った。
【０００６】すなわち、本発明は、スパイラル状にグ
ルーブが形成された基板上に直接または他の層を介して
レーザー光を吸収する色素を含有する記録層、該記録層
の上に直接または他の層を介して金属の反射層を有する
光記録媒体において、λ／ＮＡで表される記録ビームの
径をｒ〔ここで、λは記録波長（μｍ）、ＮＡは対物レ
ンズの開口数を表す〕、基板のグルーブのピッチをＰ
（μｍ）、グルーブの深さをｄsub （μｍ）、該記録層
のグルーブ部の色素膜厚をｄg （μｍ）、ランド部の色
素膜厚ｄl （μｍ）、波長λでの記録層の屈折率をｎab
s 、基板の屈折率をｎsub としたとき、下記式の関係を
有し、 ０．６６ｒ≦Ｐ≦０．８９ｒ ０．１２ｒ≦ｄsub ≦０．２０ｒ １．８≦ｎabs ≦２．７ また、光学位相差（△Ｔ）＝２〔ｎsub ・ｄsub ＋ｎab
s(ｄl −ｄg)〕／λが、０．１３≦△Ｔ≦０．４１で、
ｄg −ｄl ≦ｄsub であり、且つ記録層に含有される色
素が一般式（化２）で示されるトリメチンシアニン化合
物であることを特徴とする高密度光記録媒体、λが
０．６３０〜０．６５５μｍ、ＮＡが０．５８〜０．７
０であるの高密度光記録媒体、に関するものである。
ルーブが形成された基板上に直接または他の層を介して
レーザー光を吸収する色素を含有する記録層、該記録層
の上に直接または他の層を介して金属の反射層を有する
光記録媒体において、λ／ＮＡで表される記録ビームの
径をｒ〔ここで、λは記録波長（μｍ）、ＮＡは対物レ
ンズの開口数を表す〕、基板のグルーブのピッチをＰ
（μｍ）、グルーブの深さをｄsub （μｍ）、該記録層
のグルーブ部の色素膜厚をｄg （μｍ）、ランド部の色
素膜厚ｄl （μｍ）、波長λでの記録層の屈折率をｎab
s 、基板の屈折率をｎsub としたとき、下記式の関係を
有し、 ０．６６ｒ≦Ｐ≦０．８９ｒ ０．１２ｒ≦ｄsub ≦０．２０ｒ １．８≦ｎabs ≦２．７ また、光学位相差（△Ｔ）＝２〔ｎsub ・ｄsub ＋ｎab
s(ｄl −ｄg)〕／λが、０．１３≦△Ｔ≦０．４１で、
ｄg −ｄl ≦ｄsub であり、且つ記録層に含有される色
素が一般式（化２）で示されるトリメチンシアニン化合
物であることを特徴とする高密度光記録媒体、λが
０．６３０〜０．６５５μｍ、ＮＡが０．５８〜０．７
０であるの高密度光記録媒体、に関するものである。
【０００７】
【化２】 〔式中、Ｙ、Ｙ’はそれぞれ、ＣＲ4 Ｒ5 、Ｏ、Ｓ、Ｓ
ｅまたはＮＲ6 を表し、Ｒ1 〜Ｒ6 は水素原子あるいは
炭素数１〜１２の無置換または置換アルキル基、Ａ1 〜
Ａ4 は水素原子あるいは炭素数１〜４のアルキル基を表
し、Ａ1 とＡ2 、Ａ3 とＡ4 は無置換または置換のベン
ゼン環あるいはナフタレン環を形成していても良く、Ｘ
は１価の陰イオンを表す。ただし、Ｒ1 が１価の陰イオ
ン置換基の場合は、Ｘは存在しない〕
ｅまたはＮＲ6 を表し、Ｒ1 〜Ｒ6 は水素原子あるいは
炭素数１〜１２の無置換または置換アルキル基、Ａ1 〜
Ａ4 は水素原子あるいは炭素数１〜４のアルキル基を表
し、Ａ1 とＡ2 、Ａ3 とＡ4 は無置換または置換のベン
ゼン環あるいはナフタレン環を形成していても良く、Ｘ
は１価の陰イオンを表す。ただし、Ｒ1 が１価の陰イオ
ン置換基の場合は、Ｘは存在しない〕
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明は、スパイラル状にグルー
ブが形成された基板上に直接または他の層を介してレー
ザー光を吸収する色素を含有する記録層、該記録層の上
に直接または他の層を介して金属の反射層を有する光記
録媒体において、記録ビーム径、トラックピッチ、グル
ーブ形状及び色素構造の最適化を行うことにより、記録
ビーム径に対してトラックピッチを小さくしても、ＲＣ
ｂ値が適度の大きさで記録時のトラッキングが安定して
おり、従来より小さなピットを形成した際に変調度が大
きく、ジッター、エラー率が良好な高密度光記録媒体を
提供するものである。
ブが形成された基板上に直接または他の層を介してレー
ザー光を吸収する色素を含有する記録層、該記録層の上
に直接または他の層を介して金属の反射層を有する光記
録媒体において、記録ビーム径、トラックピッチ、グル
ーブ形状及び色素構造の最適化を行うことにより、記録
ビーム径に対してトラックピッチを小さくしても、ＲＣ
ｂ値が適度の大きさで記録時のトラッキングが安定して
おり、従来より小さなピットを形成した際に変調度が大
きく、ジッター、エラー率が良好な高密度光記録媒体を
提供するものである。
【０００９】色素を記録層に用いた場合、スピンコート
法により記録層を成膜することが出来る。グルーブを有
する基板上に、スピンコート法で記録層を成膜した場
合、通常、グルーブ部の記録層の膜厚は、グルーブ間
（ランド）部の記録層の膜厚より厚くなる。一方、記録
感度は、記録層の膜厚に依存し、特に記録層の上に金属
の反射層を設けた媒体の場合は、この反射層へ熱が拡散
し記録感度が低下する。記録層の膜厚が薄いほど、この
熱拡散の影響を大きく受け、感度が低下し易い。即ち、
グルーブとランド部の記録感度に大きな差が生じる。そ
れ故に、記録レーザービームのビーム径が大きくても細
いピットを形成することができる。しかし、いくら細い
ピットが記録できてもトラックピッチを小さく出来るわ
けではない。トラックピッチを無制限に小さくしても、
再生する際のレーザービームの径が大きいと、変調度が
小さくなるだけでなく、クロストークが大きくなり過ぎ
てジッターが悪化し、再生できなくなる。
法により記録層を成膜することが出来る。グルーブを有
する基板上に、スピンコート法で記録層を成膜した場
合、通常、グルーブ部の記録層の膜厚は、グルーブ間
（ランド）部の記録層の膜厚より厚くなる。一方、記録
感度は、記録層の膜厚に依存し、特に記録層の上に金属
の反射層を設けた媒体の場合は、この反射層へ熱が拡散
し記録感度が低下する。記録層の膜厚が薄いほど、この
熱拡散の影響を大きく受け、感度が低下し易い。即ち、
グルーブとランド部の記録感度に大きな差が生じる。そ
れ故に、記録レーザービームのビーム径が大きくても細
いピットを形成することができる。しかし、いくら細い
ピットが記録できてもトラックピッチを小さく出来るわ
けではない。トラックピッチを無制限に小さくしても、
再生する際のレーザービームの径が大きいと、変調度が
小さくなるだけでなく、クロストークが大きくなり過ぎ
てジッターが悪化し、再生できなくなる。
【００１０】本発明によれば、再生時の変調度を犠牲に
せずに、クロストークが小さくジッターが良好になるよ
うに記録するには、λ／ＮＡで表される記録ビーム径を
ｒとすると、トラックピッチ（Ｐ）を０．６６ｒ〜０．
８９ｒにするのが好ましい。トラックピッチが０．６６
ｒ未満の場合は、ジッター及びエラーレートが大きくな
り好ましくなく、０．８９ｒを越える場合は、半径方向
の記録密度が大きくならず目的の記録容量が得られな
い。また、（図１）において、基板のグルーブ部分の深
さをｄsub （μｍ）、記録層のグルーブ部の色素膜厚を
ｄg （μｍ）、ランド部の色素膜厚ｄl （μｍ）、波長
λでの記録層の屈折率をｎabs 、基板の屈折率をｎsub
としたとき、変調度及びラジアルコントラストを十分に
獲得するためには、ｄsub を０．１２ｒ〜０．２０ｒに
することが好ましい。
せずに、クロストークが小さくジッターが良好になるよ
うに記録するには、λ／ＮＡで表される記録ビーム径を
ｒとすると、トラックピッチ（Ｐ）を０．６６ｒ〜０．
８９ｒにするのが好ましい。トラックピッチが０．６６
ｒ未満の場合は、ジッター及びエラーレートが大きくな
り好ましくなく、０．８９ｒを越える場合は、半径方向
の記録密度が大きくならず目的の記録容量が得られな
い。また、（図１）において、基板のグルーブ部分の深
さをｄsub （μｍ）、記録層のグルーブ部の色素膜厚を
ｄg （μｍ）、ランド部の色素膜厚ｄl （μｍ）、波長
λでの記録層の屈折率をｎabs 、基板の屈折率をｎsub
としたとき、変調度及びラジアルコントラストを十分に
獲得するためには、ｄsub を０．１２ｒ〜０．２０ｒに
することが好ましい。
【００１１】さらに、グルーブ部の光学的距離（Ｘp ）
はｎabs ・ｄg であり、ランド部の光学的距離（Ｘl ）
はｎsub ・ｄsub + ｎabs ・ｄl であるから、基板側か
ら波長λのレーザー光を照射した際、反射層３によりグ
ルーブの部分とランド部分で反射されたレーザー光の光
学的位相差〔△Ｔ＝２（Ｘl −Ｘp ）／λ〕は、△Ｔ＝
２〔ｎsub ・ｄsub + ｎabs(ｄl-ｄg)〕／λ（ただし、
ｄg −ｄl ≦ｄsub を満足する）と表され、この△Ｔの
範囲が０．１３〜 ０．４１であることが好ましい。す
なわち、有機色素層は、記録レーザー光で分解、燃焼、
変形等の変化を生じ、変化しないところとの反射率の差
が信号の変調度となるため、この変調度を大きく獲得す
るためには、色素膜の光路長を十分取る必要がある。さ
らに加えて、未記録のラジアルコントラストを十分得る
ための光学位相差を考慮すると、上記の基板の深さおよ
び光学的位相差の条件を満足することが必要となる。グ
ルーブの深さが０．１２ｒ未満の場合は変調度及びラジ
アルコントラストが小さくなり、ジッター特性も悪化す
る。０．２０ｒを越える場合は、反射率の低下および基
板成形が困難になる。また、△Ｔが０．１３未満の場合
は、変調度及びラジアルコントラストが十分に得られ
ず、０．４１以上の場合は反射率の低下が生じる。
はｎabs ・ｄg であり、ランド部の光学的距離（Ｘl ）
はｎsub ・ｄsub + ｎabs ・ｄl であるから、基板側か
ら波長λのレーザー光を照射した際、反射層３によりグ
ルーブの部分とランド部分で反射されたレーザー光の光
学的位相差〔△Ｔ＝２（Ｘl −Ｘp ）／λ〕は、△Ｔ＝
２〔ｎsub ・ｄsub + ｎabs(ｄl-ｄg)〕／λ（ただし、
ｄg −ｄl ≦ｄsub を満足する）と表され、この△Ｔの
範囲が０．１３〜 ０．４１であることが好ましい。す
なわち、有機色素層は、記録レーザー光で分解、燃焼、
変形等の変化を生じ、変化しないところとの反射率の差
が信号の変調度となるため、この変調度を大きく獲得す
るためには、色素膜の光路長を十分取る必要がある。さ
らに加えて、未記録のラジアルコントラストを十分得る
ための光学位相差を考慮すると、上記の基板の深さおよ
び光学的位相差の条件を満足することが必要となる。グ
ルーブの深さが０．１２ｒ未満の場合は変調度及びラジ
アルコントラストが小さくなり、ジッター特性も悪化す
る。０．２０ｒを越える場合は、反射率の低下および基
板成形が困難になる。また、△Ｔが０．１３未満の場合
は、変調度及びラジアルコントラストが十分に得られ
ず、０．４１以上の場合は反射率の低下が生じる。
【００１２】前記レーザー光の波長λにおいて、記録層
に必要な屈折率ｎabs は１．８以上であり、且つ、有機
色素の特性を考慮すると２．７以下を満足することが好
ましい。ｎabs が１．８より小さい値になると大きな反
射率と信号変調度は得られず、正確な信号読みとりがで
きなくなる。また、消衰係数ｋabs は０．０４〜０．２
０であることが好ましい。ｋabs が０．０４より小さい
と記録感度が著しく低下して現在の半導体レーザーの出
力では記録が困難になり、０．２０より大きいと正確な
信号読み取りに必要な反射率が得られないだけでなく、
再生光により信号が変化しやすくなる。
に必要な屈折率ｎabs は１．８以上であり、且つ、有機
色素の特性を考慮すると２．７以下を満足することが好
ましい。ｎabs が１．８より小さい値になると大きな反
射率と信号変調度は得られず、正確な信号読みとりがで
きなくなる。また、消衰係数ｋabs は０．０４〜０．２
０であることが好ましい。ｋabs が０．０４より小さい
と記録感度が著しく低下して現在の半導体レーザーの出
力では記録が困難になり、０．２０より大きいと正確な
信号読み取りに必要な反射率が得られないだけでなく、
再生光により信号が変化しやすくなる。
【００１３】本発明に於いて、記録、再生の際のビーム
径は、用いるレーザーの波長が短い程、また、対物レン
ズの開口数（ＮＡ）が大きい程小さくなり、高密度記録
に好ましいが、装置の小型化や光学系を単純に出来る等
の点、及装置の経済性の点から、記録に利用できる高出
力のレーザーとしては０．６３０〜０．６５５μｍの半
導体レーザーが好ましく、０．６３０〜０．６４０μｍ
が最も好ましい。又、レンズのＮＡは、基板の厚みムラ
や基板の傾きによる収差の点から０．７０が限界であ
る。好ましくはＮＡは０．５８〜０．７０である。
径は、用いるレーザーの波長が短い程、また、対物レン
ズの開口数（ＮＡ）が大きい程小さくなり、高密度記録
に好ましいが、装置の小型化や光学系を単純に出来る等
の点、及装置の経済性の点から、記録に利用できる高出
力のレーザーとしては０．６３０〜０．６５５μｍの半
導体レーザーが好ましく、０．６３０〜０．６４０μｍ
が最も好ましい。又、レンズのＮＡは、基板の厚みムラ
や基板の傾きによる収差の点から０．７０が限界であ
る。好ましくはＮＡは０．５８〜０．７０である。
【００１４】本発明の媒体は透明な基板上に少なくとも
レーザー光を吸収する色素を含有する記録層、金属の反
射層からなる。例えば、（図１）に示すように、基板
１、記録層２、反射層３及び保護層４が順次積層してい
る４層構造、または、（図２）に示すように、基板
１’、記録層２’、反射層３’が順次積層され、その上
に接着層４’を介して基板５’が貼り合わされている構
造を有すものがある。本発明の光記録媒体に於いて用い
られる透明な基板としては、信号の記録や読み出しを行
う光の透過率が85％以上で、且つ光学異方性の小さいも
のが好ましい。例えば、アクリル系樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、ポリオレフィン樹脂等の公知の樹脂基板が挙
げられる。これらの基板は、板状でもフィルム状でも良
く、又その形状は、円形でもカード状でも良い。これら
の基板の表面には、記録位置を表すグルーブ及び／又は
ピットを有する。このようなグルーブやピットは、基板
の成形時に付与するのが好ましいが、基板の上に紫外線
硬化樹脂層を設けて付与することもできる。トラック
（グルーブ）ピッチ及びグルーブの深さは前記したが、
グルーブの幅は０．２５〜０．３７μｎｍ程度が好まし
い。
レーザー光を吸収する色素を含有する記録層、金属の反
射層からなる。例えば、（図１）に示すように、基板
１、記録層２、反射層３及び保護層４が順次積層してい
る４層構造、または、（図２）に示すように、基板
１’、記録層２’、反射層３’が順次積層され、その上
に接着層４’を介して基板５’が貼り合わされている構
造を有すものがある。本発明の光記録媒体に於いて用い
られる透明な基板としては、信号の記録や読み出しを行
う光の透過率が85％以上で、且つ光学異方性の小さいも
のが好ましい。例えば、アクリル系樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、ポリオレフィン樹脂等の公知の樹脂基板が挙
げられる。これらの基板は、板状でもフィルム状でも良
く、又その形状は、円形でもカード状でも良い。これら
の基板の表面には、記録位置を表すグルーブ及び／又は
ピットを有する。このようなグルーブやピットは、基板
の成形時に付与するのが好ましいが、基板の上に紫外線
硬化樹脂層を設けて付与することもできる。トラック
（グルーブ）ピッチ及びグルーブの深さは前記したが、
グルーブの幅は０．２５〜０．３７μｎｍ程度が好まし
い。
【００１５】本発明に於いては、記録層は色素を含有し
てなるが、この記録層に用いられる色素は良好な記録感
度、反射率、変調度を獲得するために重要な要素の一つ
である。その中でも特に変調度に対して、分解特性及び
上述した光学的特性等の色素種の特性が大きく効く。高
密度記録に際しては、同じ大きさのピットを形成した場
合に大きな変調度が得られ、且つしきい値特性に優れた
色素が特に好ましく、この点からは一般式（１）で示さ
れるトリメチンシアニン化合物が好ましい。
てなるが、この記録層に用いられる色素は良好な記録感
度、反射率、変調度を獲得するために重要な要素の一つ
である。その中でも特に変調度に対して、分解特性及び
上述した光学的特性等の色素種の特性が大きく効く。高
密度記録に際しては、同じ大きさのピットを形成した場
合に大きな変調度が得られ、且つしきい値特性に優れた
色素が特に好ましく、この点からは一般式（１）で示さ
れるトリメチンシアニン化合物が好ましい。
【００１６】一般式（１）の置換基において、Ｒ1 〜Ｒ
6 は水素原子あるいは直鎖または分岐のアルキル基、ア
ルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシアルキル
基、アルコキシアルコキシアルコキシアルキル基、アル
コキシカルボニルアルキル基、アルコキシカルボニルオ
キシアルキル基、アルコキシアルコキシカルボニルオキ
シアルキル基、ヒドロキシアルキル基、ヒドロキシアル
コキシアルキル基、ヒドロキシアルコキシアルコキシア
ルキル基、シアノアルキル基、アシルオキシアルキル
基、アシルオキシアルコキシアルキル基、アシルオキシ
アルコキシアルコキシアルキル基、ハロゲン化アルキル
基、スルホンアルキル基、アルキルカルボニルアミノア
ルキル基、アルキルスルホンアミノアルキル基、スルホ
ンアミドアルキル基、アルキルアミノアルキル基、アミ
ノアルキル基、及びアルキルスルホンアルキル基等の中
から選択される。
6 は水素原子あるいは直鎖または分岐のアルキル基、ア
ルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシアルキル
基、アルコキシアルコキシアルコキシアルキル基、アル
コキシカルボニルアルキル基、アルコキシカルボニルオ
キシアルキル基、アルコキシアルコキシカルボニルオキ
シアルキル基、ヒドロキシアルキル基、ヒドロキシアル
コキシアルキル基、ヒドロキシアルコキシアルコキシア
ルキル基、シアノアルキル基、アシルオキシアルキル
基、アシルオキシアルコキシアルキル基、アシルオキシ
アルコキシアルコキシアルキル基、ハロゲン化アルキル
基、スルホンアルキル基、アルキルカルボニルアミノア
ルキル基、アルキルスルホンアミノアルキル基、スルホ
ンアミドアルキル基、アルキルアミノアルキル基、アミ
ノアルキル基、及びアルキルスルホンアルキル基等の中
から選択される。
【００１７】直鎖または分岐のアルキル基としては、炭
素数１〜１２の炭化水素基で、ポリカーボネート、アク
リル、エポキシ、ポリオレフィン基板等への塗布による
加工性を考慮すれば、メチル基、エチル基、n-プロピル
基、iso-プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブ
チル基、n-ペンチル基、iso-ペンチル基、2-メチルブチ
ル基、1-メチルブチル基、neo-ペンチル基、1,2-ジメチ
ルプロピル基、1,1-ジメチルプロピル基、シクロペンチ
ル基、n-ヘキシル基、4-メチルペンチル基、3-メチルペ
ンチル基、2-メチルペンチル基、1-メチルペンチル基、
3,3-ジメチルブチル基、2,3-ジメチルブチル基、1,3-ジ
メチルブチル基、2,2-ジメチルブチル基、1,2-ジメチル
ブチル基、1,1-ジメチルブチル基、3-エチルブチル基、
2-エチルブチル基、1-エチルブチル基、1,2,2-トリメチ
ルブチル基、1,1,2-トリメチルブチル基、1-エチル-2-
メチルプロピル基、シクロヘキシル基、n-ヘプチル基、
2-メチルヘキシル基、3-メチルヘキシル基、4-メチルヘ
キシル基、5-メチルヘキシル基、2,4-ジメチルペンチル
基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、2,5-ジメチル
ヘキシル基、2,5,5-トリメチルペンチル基、2,4-ジメチ
ルヘキシル基、2,2,4-トリメチルペンチル基、n-ノニル
基、n-デシル基、4-エチルオクチル基、4-エチル-4,5-
メチルヘキシル基、n-ウンデシル基、n-ドデシル基、4-
ブチルオクチル基、6,6-ジエチルオクチル基、3,5-ジメ
チルヘプチル基、2,6-ジメチルヘプチル基、2,4-ジメチ
ルヘプチル基、2,2,5,5-テトラメチルヘキシル基、1-cy
clo-ペンチル-2,2- ジメチルプロピル基、1-シクロヘキ
シル-2,2- ジメチルプロピル基等が挙げられる。
素数１〜１２の炭化水素基で、ポリカーボネート、アク
リル、エポキシ、ポリオレフィン基板等への塗布による
加工性を考慮すれば、メチル基、エチル基、n-プロピル
基、iso-プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブ
チル基、n-ペンチル基、iso-ペンチル基、2-メチルブチ
ル基、1-メチルブチル基、neo-ペンチル基、1,2-ジメチ
ルプロピル基、1,1-ジメチルプロピル基、シクロペンチ
ル基、n-ヘキシル基、4-メチルペンチル基、3-メチルペ
ンチル基、2-メチルペンチル基、1-メチルペンチル基、
3,3-ジメチルブチル基、2,3-ジメチルブチル基、1,3-ジ
メチルブチル基、2,2-ジメチルブチル基、1,2-ジメチル
ブチル基、1,1-ジメチルブチル基、3-エチルブチル基、
2-エチルブチル基、1-エチルブチル基、1,2,2-トリメチ
ルブチル基、1,1,2-トリメチルブチル基、1-エチル-2-
メチルプロピル基、シクロヘキシル基、n-ヘプチル基、
2-メチルヘキシル基、3-メチルヘキシル基、4-メチルヘ
キシル基、5-メチルヘキシル基、2,4-ジメチルペンチル
基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、2,5-ジメチル
ヘキシル基、2,5,5-トリメチルペンチル基、2,4-ジメチ
ルヘキシル基、2,2,4-トリメチルペンチル基、n-ノニル
基、n-デシル基、4-エチルオクチル基、4-エチル-4,5-
メチルヘキシル基、n-ウンデシル基、n-ドデシル基、4-
ブチルオクチル基、6,6-ジエチルオクチル基、3,5-ジメ
チルヘプチル基、2,6-ジメチルヘプチル基、2,4-ジメチ
ルヘプチル基、2,2,5,5-テトラメチルヘキシル基、1-cy
clo-ペンチル-2,2- ジメチルプロピル基、1-シクロヘキ
シル-2,2- ジメチルプロピル基等が挙げられる。
【００１８】アルコキシアルキル基としては、メトキシ
メチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブ
トキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル
基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、n-ヘキシ
ルオキシエチル基、4-メチルペントキシエチル基、1,3-
ジメチルブトキシエチル基、2-エチルヘキシルオキシエ
チル基、n-オクチルオキシエチル基、3,5,5-トリメチル
ヘキシルオキシエチル基、2-メチル-1-iso- プロピルプ
ロポキシエチル基、3-メチル-1-iso- プロピルブチルオ
キシエチル基、2-エトキシ-1- メチルエチル基、3-メト
キシブチル基、3,3,3-トリフルオロプロポキシエチル
基、3,3,3-トリクロロプロポキシエチル基などの炭素数
２〜１２のものが挙げられる。
メチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブ
トキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル
基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、n-ヘキシ
ルオキシエチル基、4-メチルペントキシエチル基、1,3-
ジメチルブトキシエチル基、2-エチルヘキシルオキシエ
チル基、n-オクチルオキシエチル基、3,5,5-トリメチル
ヘキシルオキシエチル基、2-メチル-1-iso- プロピルプ
ロポキシエチル基、3-メチル-1-iso- プロピルブチルオ
キシエチル基、2-エトキシ-1- メチルエチル基、3-メト
キシブチル基、3,3,3-トリフルオロプロポキシエチル
基、3,3,3-トリクロロプロポキシエチル基などの炭素数
２〜１２のものが挙げられる。
【００１９】アルコキシアルコキシアルキル基の例とし
ては、メトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエ
チル基、プロポキシエトキシエチル基、ブトキシエトキ
シエチル基、ヘキシルオキシエトキシエチル基、1,2-ジ
メチルプロポキシエトキシエチル基、2-メトキシ-1- メ
チルエトキシエチル基、2-ブトキシ-1- メチルエトキシ
エチル基、2-(2'-エトキシ-1'-メチルエトキシ)-1-メチ
ルエチル基、3,3,3-トリフルオロプロポキシエトキシエ
チル基、3,3,3-トリクロロプロポキシエトキシエチル基
などが挙げられる。
ては、メトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエ
チル基、プロポキシエトキシエチル基、ブトキシエトキ
シエチル基、ヘキシルオキシエトキシエチル基、1,2-ジ
メチルプロポキシエトキシエチル基、2-メトキシ-1- メ
チルエトキシエチル基、2-ブトキシ-1- メチルエトキシ
エチル基、2-(2'-エトキシ-1'-メチルエトキシ)-1-メチ
ルエチル基、3,3,3-トリフルオロプロポキシエトキシエ
チル基、3,3,3-トリクロロプロポキシエトキシエチル基
などが挙げられる。
【００２０】アルコキシアルコキシアルコキシアルキル
基の例としては、メトキシエトキシエトキシエチル基、
エトキシエトキシエトキシエチル基、ブトキシエトキシ
エトキシエチル基、2,2,2-トリフルオロエトキシエトキ
シエトキシエチル基、2,2,2-トリクロロエトキシエトキ
シエトキシエチル基などが挙げられる。アルコキシカル
ボニルアルキル基の例としては、メトキシカルボニルメ
チル基、エトキシカルボニルメチル基、ブトキシカルボ
ニルメチル基、メトキシカルボニルエチル基、エトキシ
カルボニルエチル基、ブトキシカルボニルエチル基、2,
2,3,3-テトラフルオロプロポキシカルボニルメチル基、
2,2,3,3-テトラクロロプロポキシカルボニルメチル基等
が挙げられる。
基の例としては、メトキシエトキシエトキシエチル基、
エトキシエトキシエトキシエチル基、ブトキシエトキシ
エトキシエチル基、2,2,2-トリフルオロエトキシエトキ
シエトキシエチル基、2,2,2-トリクロロエトキシエトキ
シエトキシエチル基などが挙げられる。アルコキシカル
ボニルアルキル基の例としては、メトキシカルボニルメ
チル基、エトキシカルボニルメチル基、ブトキシカルボ
ニルメチル基、メトキシカルボニルエチル基、エトキシ
カルボニルエチル基、ブトキシカルボニルエチル基、2,
2,3,3-テトラフルオロプロポキシカルボニルメチル基、
2,2,3,3-テトラクロロプロポキシカルボニルメチル基等
が挙げられる。
【００２１】アルコキシカルボニルオキシアルキル基の
例としては、メトキシカルボニルオキシエチル基、エト
キシカルボニルオキシエチル基、ブトキシカルボニルオ
キシエチル基、2,2,2-トリフルオロエトキシカルボニル
オキシエチル基、2,2,2-トリクロロエトキシカルボニル
オキシエル基などが挙げられる。アルコキシアルコキシ
カルボニルオキシアルキル基の例としては、メトキシエ
トキシカルボニルオキシエチル基、エトキシエトキシカ
ルボニルオキシエチル基、ブトキシエトキシカルボニル
オキシエチル基、2,2,2-トリフルオロエトキシエトキシ
カルボニルオキシエチル基、2,2,2-トリクロロエトキシ
エトキシカルボニルオキシエチル基などが挙げられる。
例としては、メトキシカルボニルオキシエチル基、エト
キシカルボニルオキシエチル基、ブトキシカルボニルオ
キシエチル基、2,2,2-トリフルオロエトキシカルボニル
オキシエチル基、2,2,2-トリクロロエトキシカルボニル
オキシエル基などが挙げられる。アルコキシアルコキシ
カルボニルオキシアルキル基の例としては、メトキシエ
トキシカルボニルオキシエチル基、エトキシエトキシカ
ルボニルオキシエチル基、ブトキシエトキシカルボニル
オキシエチル基、2,2,2-トリフルオロエトキシエトキシ
カルボニルオキシエチル基、2,2,2-トリクロロエトキシ
エトキシカルボニルオキシエチル基などが挙げられる。
【００２２】ヒドロキシアルキル基の例としては、2-ヒ
ドロキシエチル基、4-ヒドロキシエチル基、2-ヒドロキ
シ-3- メトキシプロピル基、2-ヒドロキシ-3- クロロプ
ロピル基、2-ヒドロキシ-3- エトキシプロピル基、3-ブ
トキシ-2- ヒドロキシプロピル基、2-ヒドロキシ-3- フ
ェノキシプロピル基、2-ヒドロキシプロピル基、2-ヒド
ロキシブチル基などが挙げられる。ヒドロキシアルコキ
シアルキル基の例としては、ヒドロキシエトキシエチル
基、2-(2'-ヒドロキ-1'-メチルエトキシ）-1- メチルエ
チル基、2-(3'-フルオロ-2'-ヒドロキシプロポキシ) エ
チル基、2-(3'-クロロ-2'-ヒドロキシプロポキシ) エチ
ル基などが挙げられ、ヒドロキシアルコキシアルコキシ
アルキル基の例としては、ヒドロキシエトキシエトキシ
エチル基、[2'-(2'-ヒドロキ-1'-メチルエトキシ）-1'-
メチルエトキシ] エトキシエチル基、[2'-(2'-フルオロ
-1'-ヒドロキシエトキシ）-1'-メチルエトキシ] エトキ
シエチル基、[2'-(2'-クロロ-1'-ヒドロキシエトキシ）
-1'-メチルエトキシ] エトキシエチル基などが挙げられ
る。
ドロキシエチル基、4-ヒドロキシエチル基、2-ヒドロキ
シ-3- メトキシプロピル基、2-ヒドロキシ-3- クロロプ
ロピル基、2-ヒドロキシ-3- エトキシプロピル基、3-ブ
トキシ-2- ヒドロキシプロピル基、2-ヒドロキシ-3- フ
ェノキシプロピル基、2-ヒドロキシプロピル基、2-ヒド
ロキシブチル基などが挙げられる。ヒドロキシアルコキ
シアルキル基の例としては、ヒドロキシエトキシエチル
基、2-(2'-ヒドロキ-1'-メチルエトキシ）-1- メチルエ
チル基、2-(3'-フルオロ-2'-ヒドロキシプロポキシ) エ
チル基、2-(3'-クロロ-2'-ヒドロキシプロポキシ) エチ
ル基などが挙げられ、ヒドロキシアルコキシアルコキシ
アルキル基の例としては、ヒドロキシエトキシエトキシ
エチル基、[2'-(2'-ヒドロキ-1'-メチルエトキシ）-1'-
メチルエトキシ] エトキシエチル基、[2'-(2'-フルオロ
-1'-ヒドロキシエトキシ）-1'-メチルエトキシ] エトキ
シエチル基、[2'-(2'-クロロ-1'-ヒドロキシエトキシ）
-1'-メチルエトキシ] エトキシエチル基などが挙げられ
る。
【００２３】シアノアルキル基の例としては、2-シアノ
エチル基、4-シアノブチル基、2-シアノ-3- メトキシプ
ロピル基、2-シアノ-3- クロロプロピル基、2-シアノ-3
- エトキシプロピル基、3-ブトキシ-2- シアノプロピル
基、2-シアノ-3- フェノキシプロピル基、2-シアノプロ
ピル基、2-シアノブチル基などが挙げられる。アシルオ
キシアルキル基の例としては、アセトキシエチル基、プ
ロピオニルオキシエチル基、ブチリルオキシエチル基、
1-エチルペンチルカルボニルオキシエチル基、2,4,4-ト
リメチルペンチルカルボニルオキシエチル基、3-フロオ
ロブチリルオキシエチル基、3-クロロブチリルオキシエ
チル基などが挙げられ、アシルオキシアルコキシアルキ
ル基の例としては、アセトキシエトキシエチル基、プロ
ピオニルオキシエトキシエチル基、1-エチルペンチルカ
ルボニルオキシエトキシエチル基、2-フルオロプロピオ
ニルオキシエトキシエチル基、2-クロロプロピオニルオ
キシエトキシエチル基などが挙げられ、アシルオキシア
ルコキシアルコキシアルキル基の例としては、アセトキ
シエトキシエトキシエチル基、プロピオニルオキシエト
キシエトキシエチル基、バレリルオキシエトキシエトキ
シエチル基、2-フルオロプロピオニルオキシエトキシエ
トキシエチル基、2-クロロプロピオニルオキシエトキシ
エトキシエチル基などが挙げられる。
エチル基、4-シアノブチル基、2-シアノ-3- メトキシプ
ロピル基、2-シアノ-3- クロロプロピル基、2-シアノ-3
- エトキシプロピル基、3-ブトキシ-2- シアノプロピル
基、2-シアノ-3- フェノキシプロピル基、2-シアノプロ
ピル基、2-シアノブチル基などが挙げられる。アシルオ
キシアルキル基の例としては、アセトキシエチル基、プ
ロピオニルオキシエチル基、ブチリルオキシエチル基、
1-エチルペンチルカルボニルオキシエチル基、2,4,4-ト
リメチルペンチルカルボニルオキシエチル基、3-フロオ
ロブチリルオキシエチル基、3-クロロブチリルオキシエ
チル基などが挙げられ、アシルオキシアルコキシアルキ
ル基の例としては、アセトキシエトキシエチル基、プロ
ピオニルオキシエトキシエチル基、1-エチルペンチルカ
ルボニルオキシエトキシエチル基、2-フルオロプロピオ
ニルオキシエトキシエチル基、2-クロロプロピオニルオ
キシエトキシエチル基などが挙げられ、アシルオキシア
ルコキシアルコキシアルキル基の例としては、アセトキ
シエトキシエトキシエチル基、プロピオニルオキシエト
キシエトキシエチル基、バレリルオキシエトキシエトキ
シエチル基、2-フルオロプロピオニルオキシエトキシエ
トキシエチル基、2-クロロプロピオニルオキシエトキシ
エトキシエチル基などが挙げられる。
【００２４】ハロゲン化アルキル基の例としては、クロ
ルメチル基、クロルエチル基、2,2,2-トリフルオロエチ
ル基、トリフルオロメチル基、ブロムメチル基、ヨウ化
メチル基などが挙げられる。スルホンアルキル基の例と
しては、スルホンメチル基、スルホンエチル基、スルホ
ンプロピル基などが挙げられる。アルキルカルボニルア
ミノアルキル基の例としては、メチルカルボニルアミノ
エチル基、エチルカルボニルアミノエチル基、プロピル
カルボニルアミノエチル基、シクロヘキシルカルボニル
アミノエチル基などが挙げられる。アルキルスルホンア
ミノアルキル基の例としては、メチルスルホンアミノエ
チル基、エチルスルホンアミノエチル基、プロピルスル
ホンアミノエチル基などが挙げられる。スルホンアミド
アルキル基の例としては、スルホンアミドメチル基、ス
ルホンアミドエチル基、スルホンアミドプロピル基など
が挙げられる。
ルメチル基、クロルエチル基、2,2,2-トリフルオロエチ
ル基、トリフルオロメチル基、ブロムメチル基、ヨウ化
メチル基などが挙げられる。スルホンアルキル基の例と
しては、スルホンメチル基、スルホンエチル基、スルホ
ンプロピル基などが挙げられる。アルキルカルボニルア
ミノアルキル基の例としては、メチルカルボニルアミノ
エチル基、エチルカルボニルアミノエチル基、プロピル
カルボニルアミノエチル基、シクロヘキシルカルボニル
アミノエチル基などが挙げられる。アルキルスルホンア
ミノアルキル基の例としては、メチルスルホンアミノエ
チル基、エチルスルホンアミノエチル基、プロピルスル
ホンアミノエチル基などが挙げられる。スルホンアミド
アルキル基の例としては、スルホンアミドメチル基、ス
ルホンアミドエチル基、スルホンアミドプロピル基など
が挙げられる。
【００２５】アルキルアミノアルキル基の例としては、
N-メチルアミノメチル基、N,N-ジメチルアミノメチル
基、N,N-ジエチルアミノメチル基、N,N-ジプロピルアミ
ノメチル基、N,N-ジブルアミノメチル基、などが挙げら
れる。アミノアルキル基の例としては、アミノメチル
基、アミノエチル基、アミノプロピル基などが挙げられ
る。アルキルスルホンアルキル基の例としては、メチル
スルホンメチル基、エチルスルホンメチル基、ブチルス
ルホンメチル基、メチルスルホンエチル基、エチルスル
ホンエチル基、ブチルスルホンエチル基、2,2,3,3-テト
ラフルオロプロピルスルホンメチル基、2,2,3,3-テトラ
クロロプロピルスルホンメチル基などが挙げられる。
N-メチルアミノメチル基、N,N-ジメチルアミノメチル
基、N,N-ジエチルアミノメチル基、N,N-ジプロピルアミ
ノメチル基、N,N-ジブルアミノメチル基、などが挙げら
れる。アミノアルキル基の例としては、アミノメチル
基、アミノエチル基、アミノプロピル基などが挙げられ
る。アルキルスルホンアルキル基の例としては、メチル
スルホンメチル基、エチルスルホンメチル基、ブチルス
ルホンメチル基、メチルスルホンエチル基、エチルスル
ホンエチル基、ブチルスルホンエチル基、2,2,3,3-テト
ラフルオロプロピルスルホンメチル基、2,2,3,3-テトラ
クロロプロピルスルホンメチル基などが挙げられる。
【００２６】置換または未置換のアルケニル基の例とし
ては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有する
アルケニル基であり、好ましくは、プロペニル基、1-ブ
テニル基、iso-ブテニル基、1-ペンテニル基、2-ペンテ
ニル基、2-メチル-1- ブテニル基、3-メチル-1- ブテニ
ル基、2-メチル-2- ブテニル基、2,2-ジシアノビニル
基、2-シアノ-2- メチルカルボキシルビニル基、2-シア
ノ-2- メチルスルホンビニル基などの低級アルケニル基
が挙げられる。置換または未置換のアラルキル基の例と
しては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有す
るアラルキル基であり、好ましくは、ベンジル基、ニト
ロベンジル基、シアノベンジル基、ヒドロキシベンジル
基、メチルベンジル基、トリフルオロメチルベンジル
基、ナフチルメチル基、ニトロナフチルメチル基、シア
ノナフチルメチル基、ヒドロキシナフチルメチル基、メ
チルナフチルメチル基、トリフルオロメチルナフチルメ
チル基などが挙げられる。
ては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有する
アルケニル基であり、好ましくは、プロペニル基、1-ブ
テニル基、iso-ブテニル基、1-ペンテニル基、2-ペンテ
ニル基、2-メチル-1- ブテニル基、3-メチル-1- ブテニ
ル基、2-メチル-2- ブテニル基、2,2-ジシアノビニル
基、2-シアノ-2- メチルカルボキシルビニル基、2-シア
ノ-2- メチルスルホンビニル基などの低級アルケニル基
が挙げられる。置換または未置換のアラルキル基の例と
しては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有す
るアラルキル基であり、好ましくは、ベンジル基、ニト
ロベンジル基、シアノベンジル基、ヒドロキシベンジル
基、メチルベンジル基、トリフルオロメチルベンジル
基、ナフチルメチル基、ニトロナフチルメチル基、シア
ノナフチルメチル基、ヒドロキシナフチルメチル基、メ
チルナフチルメチル基、トリフルオロメチルナフチルメ
チル基などが挙げられる。
【００２７】置換または未置換のアルコキシ基の例とし
ては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有する
アルコキシ基であり、好ましくは、メトキシ基、エトキ
シ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ
基、iso-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、t-ブトキシ基、
n-ペントキシ基、iso-ペントキシ基、neo-ペントキシ
基、2-メチルブトキシ基などの低級アルコキシ基が挙げ
られる。置換または未置換のアリール基の例としては、
上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアリー
ル基であり、好ましくは、フェニル基、ニトロフェニル
基、シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メチル
フェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、ナフチル
基、ニトロナフチル基、シアノナフチル基、ヒドロキシ
ナフチル基、メチルナフチル基、トリフルオロメチルナ
フチル基などが挙げられる。
ては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有する
アルコキシ基であり、好ましくは、メトキシ基、エトキ
シ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ
基、iso-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、t-ブトキシ基、
n-ペントキシ基、iso-ペントキシ基、neo-ペントキシ
基、2-メチルブトキシ基などの低級アルコキシ基が挙げ
られる。置換または未置換のアリール基の例としては、
上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアリー
ル基であり、好ましくは、フェニル基、ニトロフェニル
基、シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メチル
フェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、ナフチル
基、ニトロナフチル基、シアノナフチル基、ヒドロキシ
ナフチル基、メチルナフチル基、トリフルオロメチルナ
フチル基などが挙げられる。
【００２８】置換または未置換のアシル基の例として
は、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するア
シル基であり、好ましくは、ホルミル基、メチルカルボ
ニル基、エチルカルボニル基、n-プロピルカルボニル
基、iso-プロピルカルボニル基、n-ブチルカルボニル
基、iso-ブチルカルボニル基、sec-ブチルカルボニル
基、t-ブチルカルボニル基、n-ペンチルカルボニル基、
iso-ペンチルカルボニル基、neo-ペンチルカルボニル
基、2-メチルブチルカルボニル基、ニトロベンジルカル
ボニル基などが挙げられる。置換または未置換のアルキ
ルカルボキシル基の例としては、上記に挙げたアルキル
基と同様な置換基を有するアルキルカルボキシル基であ
り、好ましくは、メチルカルボキシル基、エチルカルボ
キシル基、n-プロピルカルボキシル基、iso-プロピルカ
ルボキシル基、n-ブチルカルボキシル基、iso-ブチルカ
ルボキシル基、sec-ブチルカルボキシル基、t-ブチルカ
ルボキシル基、n-ペンチルカルボキシル基、iso-ペンチ
ルカルボキシル基、neo-ペンチルカルボキシル基、2-メ
チルブチルカルボキシル基などの低級アルキルカルボキ
シル基が挙げられる。
は、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するア
シル基であり、好ましくは、ホルミル基、メチルカルボ
ニル基、エチルカルボニル基、n-プロピルカルボニル
基、iso-プロピルカルボニル基、n-ブチルカルボニル
基、iso-ブチルカルボニル基、sec-ブチルカルボニル
基、t-ブチルカルボニル基、n-ペンチルカルボニル基、
iso-ペンチルカルボニル基、neo-ペンチルカルボニル
基、2-メチルブチルカルボニル基、ニトロベンジルカル
ボニル基などが挙げられる。置換または未置換のアルキ
ルカルボキシル基の例としては、上記に挙げたアルキル
基と同様な置換基を有するアルキルカルボキシル基であ
り、好ましくは、メチルカルボキシル基、エチルカルボ
キシル基、n-プロピルカルボキシル基、iso-プロピルカ
ルボキシル基、n-ブチルカルボキシル基、iso-ブチルカ
ルボキシル基、sec-ブチルカルボキシル基、t-ブチルカ
ルボキシル基、n-ペンチルカルボキシル基、iso-ペンチ
ルカルボキシル基、neo-ペンチルカルボキシル基、2-メ
チルブチルカルボキシル基などの低級アルキルカルボキ
シル基が挙げられる。
【００２９】置換または未置換のアルキルカルボニルア
ミノ基の例としては、上記に挙げたアルキル基と同様な
置換基を有するアルキルカルボニルアミノ基であり、好
ましくは、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニ
ルアミノ基、n-プロピルカルボニルアミノ基、iso-プロ
ピルカルボニルアミノ基、n-ブチルカルボニルアミノ
基、iso-ブチルカルボニルアミノ基、sec-ブチルカルボ
ニルアミノ基、t-ブチルカルボニルアミノ基、n-ペンチ
ルカルボニルアミノ基、iso-ペンチルカルボニルアミノ
基、neo-ペンチルカルボニルアミノ基、2-メチルブチル
カルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ
基、スクシンイミノ基などの低級アルキルカルボニルア
ミノ基が挙げられる。置換または未置換のアルキルスル
ホンアミノ基の例としては、上記に挙げたアルキル基と
同様な置換基を有するアルキルスルホンアミノ基であ
り、好ましくは、メチルスルホンアミノ基、エチルスル
ホンアミノ基、n-プロピルスルホンアミノ基、iso-プロ
ピルスルホンアミノ基、n-ブチルスルホンアミノ基、is
o-ブチルスルホンアミノ基、sec-ブチルスルホンアミノ
基、t-ブチルスルホンアミノ基、n-ペンチルスルホンア
ミノ基、iso-ペンチルスルホンアミノ基、neo-ペンチル
スルホンアミノ基、2-メチルブチルスルホンアミノ基、
シクロヘキシルスルホンアミノ基などの低級アルキルス
ルホンアミノ基が挙げられる。
ミノ基の例としては、上記に挙げたアルキル基と同様な
置換基を有するアルキルカルボニルアミノ基であり、好
ましくは、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニ
ルアミノ基、n-プロピルカルボニルアミノ基、iso-プロ
ピルカルボニルアミノ基、n-ブチルカルボニルアミノ
基、iso-ブチルカルボニルアミノ基、sec-ブチルカルボ
ニルアミノ基、t-ブチルカルボニルアミノ基、n-ペンチ
ルカルボニルアミノ基、iso-ペンチルカルボニルアミノ
基、neo-ペンチルカルボニルアミノ基、2-メチルブチル
カルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ
基、スクシンイミノ基などの低級アルキルカルボニルア
ミノ基が挙げられる。置換または未置換のアルキルスル
ホンアミノ基の例としては、上記に挙げたアルキル基と
同様な置換基を有するアルキルスルホンアミノ基であ
り、好ましくは、メチルスルホンアミノ基、エチルスル
ホンアミノ基、n-プロピルスルホンアミノ基、iso-プロ
ピルスルホンアミノ基、n-ブチルスルホンアミノ基、is
o-ブチルスルホンアミノ基、sec-ブチルスルホンアミノ
基、t-ブチルスルホンアミノ基、n-ペンチルスルホンア
ミノ基、iso-ペンチルスルホンアミノ基、neo-ペンチル
スルホンアミノ基、2-メチルブチルスルホンアミノ基、
シクロヘキシルスルホンアミノ基などの低級アルキルス
ルホンアミノ基が挙げられる。
【００３０】置換または未置換のアルキルアミノ基の例
としては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有
するアルキルアミノ基であり、好ましくは、N-メチルア
ミノ基、N,N-ジメチルアミノ基、N,N-ジエチルアミノ
基、N,N-ジプロピルアミノ基、N,N-ジブチルアミノ基な
どの低級アルキルアミノ基が挙げられる。置換または未
置換のアルキルスルホン基の例としては、上記に挙げた
アルキル基と同様な置換基を有するアルキルスルホン基
であり、好ましくは、メチルスルホン基、エチルスルホ
ン基、n-プロピルスルホン基、iso-プロピルスルホン
基、n-ブチルスルホン基、iso-ブチルスルホン基、sec-
ブチルスルホン基、t-ブチルスルホン基、n-ペンチルス
ルホン基、iso-ペンチルスルホン基、neo-ペンチルスル
ホン基、2-メチルブチルスルホン基、2-ヒドロキシエチ
ルスルホン基、2-シアノエチルスルホン基などの低級ア
ルキルスルホン基が挙げられる。
としては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有
するアルキルアミノ基であり、好ましくは、N-メチルア
ミノ基、N,N-ジメチルアミノ基、N,N-ジエチルアミノ
基、N,N-ジプロピルアミノ基、N,N-ジブチルアミノ基な
どの低級アルキルアミノ基が挙げられる。置換または未
置換のアルキルスルホン基の例としては、上記に挙げた
アルキル基と同様な置換基を有するアルキルスルホン基
であり、好ましくは、メチルスルホン基、エチルスルホ
ン基、n-プロピルスルホン基、iso-プロピルスルホン
基、n-ブチルスルホン基、iso-ブチルスルホン基、sec-
ブチルスルホン基、t-ブチルスルホン基、n-ペンチルス
ルホン基、iso-ペンチルスルホン基、neo-ペンチルスル
ホン基、2-メチルブチルスルホン基、2-ヒドロキシエチ
ルスルホン基、2-シアノエチルスルホン基などの低級ア
ルキルスルホン基が挙げられる。
【００３１】置換または未置換のアルキルチオ基の例と
しては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有す
るアルキルチオ基であり、好ましくは、メチルチオ基、
エチルチオ基、n-プロピルチオ基、iso-プロピルチオ
基、n-ブチルチオ基、iso-ブチルチオ基、sec-ブチルチ
オ基、t-ブチルチオ基、n-ペンチルチオ基、iso-ペンチ
ルチオ基、neo-ペンチルチオ基、2-メチルブチルチオ
基、メチルカルボキシルエチルチオ基などの低級アルキ
ルチオ基が挙げられる。置換または未置換のアルキルア
ゾメチン基の例としては、上記に挙げたアルキル基と同
様な置換基を有するアルキルアゾメチン基であり、好ま
しくは、メチルアゾメチン基、エチルアゾメチン基、n-
プロピルアゾメチン基、iso-プロピルアゾメチン基、n-
ブチルアゾメチン基、iso-ブチルアゾメチン基、sec-ブ
チルアゾメチン基、t-ブチルアゾメチン基、n-ペンチル
アゾメチン基、iso-ペンチルアゾメチン基、neo-ペンチ
ルアゾメチン基、2-メチルブチルアゾメチン基、ヒドロ
キシエチルアゾメチン基などの低級アルキルアゾメチン
基が挙げられる。
しては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有す
るアルキルチオ基であり、好ましくは、メチルチオ基、
エチルチオ基、n-プロピルチオ基、iso-プロピルチオ
基、n-ブチルチオ基、iso-ブチルチオ基、sec-ブチルチ
オ基、t-ブチルチオ基、n-ペンチルチオ基、iso-ペンチ
ルチオ基、neo-ペンチルチオ基、2-メチルブチルチオ
基、メチルカルボキシルエチルチオ基などの低級アルキ
ルチオ基が挙げられる。置換または未置換のアルキルア
ゾメチン基の例としては、上記に挙げたアルキル基と同
様な置換基を有するアルキルアゾメチン基であり、好ま
しくは、メチルアゾメチン基、エチルアゾメチン基、n-
プロピルアゾメチン基、iso-プロピルアゾメチン基、n-
ブチルアゾメチン基、iso-ブチルアゾメチン基、sec-ブ
チルアゾメチン基、t-ブチルアゾメチン基、n-ペンチル
アゾメチン基、iso-ペンチルアゾメチン基、neo-ペンチ
ルアゾメチン基、2-メチルブチルアゾメチン基、ヒドロ
キシエチルアゾメチン基などの低級アルキルアゾメチン
基が挙げられる。
【００３２】置換または未置換のアルキルアミノスルホ
ン基の例としては、上記に挙げたアルキル基と同様な置
換基を有するアルキルアミノスルホン基であり、好まし
くは、N-メチルアミノスルホン基、N-エチルアミノスル
ホン基、N-(n- プロピル) アミノスルホン基、N-(iso-
プロピル) アミノスルホン基、N-(n- ブチル) アミノス
ルホン基、N-(iso- ブチル) アミノスルホン基、N-(sec
- ブチル) アミノスルホン基、N-(t- ブチル) アミノス
ルホン基、N-(n- ペンチル) アミノスルホン基、N-(iso
- ペンチル) アミノスルホン基、N-(neo- ペンチル) ア
ミノスルホン基、N-(2- メチルブチル) アミノスルホン
基、N-(2- ヒドロキシエチル) アミノスルホン基、N-(2
- シアノエチル) アミノスルホン基などの低級アルキル
アミノスルホン基が挙げられる。
ン基の例としては、上記に挙げたアルキル基と同様な置
換基を有するアルキルアミノスルホン基であり、好まし
くは、N-メチルアミノスルホン基、N-エチルアミノスル
ホン基、N-(n- プロピル) アミノスルホン基、N-(iso-
プロピル) アミノスルホン基、N-(n- ブチル) アミノス
ルホン基、N-(iso- ブチル) アミノスルホン基、N-(sec
- ブチル) アミノスルホン基、N-(t- ブチル) アミノス
ルホン基、N-(n- ペンチル) アミノスルホン基、N-(iso
- ペンチル) アミノスルホン基、N-(neo- ペンチル) ア
ミノスルホン基、N-(2- メチルブチル) アミノスルホン
基、N-(2- ヒドロキシエチル) アミノスルホン基、N-(2
- シアノエチル) アミノスルホン基などの低級アルキル
アミノスルホン基が挙げられる。
【００３３】さらに具体的には、窒素原子とＹまたは
Ｙ’からなる５員環としては、インドリン環（Ｙ、Ｙ’
がＣＲ4 Ｒ5 で、Ａ1 とＡ2 またはＡ3 とＡ4 がベンゼ
ン環を形成）、ベンゾインドリン環（Ｙ、Ｙ’がＣＲ4
Ｒ5 で、Ａ1 とＡ2 またはＡ3とＡ4 がナフタレン環を
形成）、チアゾール環（Ｙ、Ｙ’がＳ）、ベンゾチアゾ
ール環（Ｙ、Ｙ’がＳで、Ａ1 とＡ2 またはＡ3 とＡ4
がベンゼン環を形成）、ナフトチアゾール環（Ｙ、Ｙ’
がＳで、Ａ1 とＡ2 またはＡ3 とＡ4 がナフタレン環を
形成）、オキサゾール環（Ｙ、Ｙ’がＯ）、ベンゾオキ
サゾール環（Ｙ、Ｙ’がＯで、Ａ1 とＡ2 またはＡ3 と
Ａ4 がベンゼン環を形成）、ナフトオキサゾール環
（Ｙ、Ｙ’がＯで、Ａ1 とＡ2 またはＡ3 とＡ4 がナフ
タレン環を形成）、イミダゾール環（Ｙ、Ｙ’がＮ
Ｒ6 ）、ベンズイミダゾール環（Ｙ、Ｙ’がＮＲ6 で、
Ａ1 とＡ2 またはＡ3 とＡ4 がベンゼン環を形成）、ナ
フトイミダゾール環（Ｙ、Ｙ’がＮＲ6 で、Ａ1 とＡ2
またはＡ3 とＡ4 がナフタレン環を形成）、セレナゾー
ル環（Ｙ、Ｙ’がＳｅ）、ベンゾセレナゾール環、ナフ
トセレナゾール環等が挙げられる。
Ｙ’からなる５員環としては、インドリン環（Ｙ、Ｙ’
がＣＲ4 Ｒ5 で、Ａ1 とＡ2 またはＡ3 とＡ4 がベンゼ
ン環を形成）、ベンゾインドリン環（Ｙ、Ｙ’がＣＲ4
Ｒ5 で、Ａ1 とＡ2 またはＡ3とＡ4 がナフタレン環を
形成）、チアゾール環（Ｙ、Ｙ’がＳ）、ベンゾチアゾ
ール環（Ｙ、Ｙ’がＳで、Ａ1 とＡ2 またはＡ3 とＡ4
がベンゼン環を形成）、ナフトチアゾール環（Ｙ、Ｙ’
がＳで、Ａ1 とＡ2 またはＡ3 とＡ4 がナフタレン環を
形成）、オキサゾール環（Ｙ、Ｙ’がＯ）、ベンゾオキ
サゾール環（Ｙ、Ｙ’がＯで、Ａ1 とＡ2 またはＡ3 と
Ａ4 がベンゼン環を形成）、ナフトオキサゾール環
（Ｙ、Ｙ’がＯで、Ａ1 とＡ2 またはＡ3 とＡ4 がナフ
タレン環を形成）、イミダゾール環（Ｙ、Ｙ’がＮ
Ｒ6 ）、ベンズイミダゾール環（Ｙ、Ｙ’がＮＲ6 で、
Ａ1 とＡ2 またはＡ3 とＡ4 がベンゼン環を形成）、ナ
フトイミダゾール環（Ｙ、Ｙ’がＮＲ6 で、Ａ1 とＡ2
またはＡ3 とＡ4 がナフタレン環を形成）、セレナゾー
ル環（Ｙ、Ｙ’がＳｅ）、ベンゾセレナゾール環、ナフ
トセレナゾール環等が挙げられる。
【００３４】Ａ1 とＡ2 またはＡ3 とＡ4 が形成するベ
ンゼン環またはナフタレン環は置換基を有していても良
い。置換基の具体例としてはフッ素、塩素、臭素、ヨウ
素等のハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アルキル
チオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ
基等が挙げられる。また、Ｘとしてはハロゲンイオン、
過塩素酸イオン、ホスホニウムイオン、スルフォニウム
イオン、１重項酸素クエンチャーとして知られている金
属ジチオール錯体陰イオン等の１価の陰イオンが挙げら
れる。
ンゼン環またはナフタレン環は置換基を有していても良
い。置換基の具体例としてはフッ素、塩素、臭素、ヨウ
素等のハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アルキル
チオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ
基等が挙げられる。また、Ｘとしてはハロゲンイオン、
過塩素酸イオン、ホスホニウムイオン、スルフォニウム
イオン、１重項酸素クエンチャーとして知られている金
属ジチオール錯体陰イオン等の１価の陰イオンが挙げら
れる。
【００３５】本発明に於いては、基板の上に、直接又は
無機系又は有機系の下引き層を介して前記した色素を含
有する記録層を設ける。該記録層を設ける方法は、例え
ば、スピンコート法、浸漬法、スプレー法、蒸着法等が
あるが、スピンコート法が好ましい。スピンコート法で
成膜する際の塗布溶剤としては、基板へのダメージを与
えない溶剤であれば特に限定されない。好ましい溶剤と
しては、例えば、エチルアルコール、プロピルアルコー
ル、ブチルアルコール、フルフリルアルコール、エチレ
ングリコールモノメチルエーテル、テトラフルオロプロ
パノール等のアルコール系溶剤が挙げられる。また、色
素の側鎖に非極性基をつければ、アルコール系溶媒より
も極性の低いヘキサンなどの脂肪族炭化水素系溶剤やジ
ブチルエーテルのようなエーテル系溶剤などの使用も可
能である。これらの溶剤は単独で使用しても良いし２種
類以上の溶剤を混合しても良い。
無機系又は有機系の下引き層を介して前記した色素を含
有する記録層を設ける。該記録層を設ける方法は、例え
ば、スピンコート法、浸漬法、スプレー法、蒸着法等が
あるが、スピンコート法が好ましい。スピンコート法で
成膜する際の塗布溶剤としては、基板へのダメージを与
えない溶剤であれば特に限定されない。好ましい溶剤と
しては、例えば、エチルアルコール、プロピルアルコー
ル、ブチルアルコール、フルフリルアルコール、エチレ
ングリコールモノメチルエーテル、テトラフルオロプロ
パノール等のアルコール系溶剤が挙げられる。また、色
素の側鎖に非極性基をつければ、アルコール系溶媒より
も極性の低いヘキサンなどの脂肪族炭化水素系溶剤やジ
ブチルエーテルのようなエーテル系溶剤などの使用も可
能である。これらの溶剤は単独で使用しても良いし２種
類以上の溶剤を混合しても良い。
【００３６】記録層を成膜する際に、必要に応じてバイ
ンダーを併用することもできる。好ましいバインダーと
しては、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケトン樹
脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボ
ネート、ポリオレフィン等が挙げられる。また、記録特
性などの改善のために、他の色素を添加することもでき
る。記録層の膜厚は、変調度や反射率に影響するが、本
発明に於いては、グルーブ上の膜厚で40ｎｍ〜 300ｎ
ｍ、好ましくは60ｎｍ〜 200ｎｍである。記録層を基板
の上に成膜する際に、基板の耐溶剤性や反射率、記録感
度等を改良するために、基板の上に無機物やポリマーか
らなる層を設けても良い。
ンダーを併用することもできる。好ましいバインダーと
しては、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケトン樹
脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボ
ネート、ポリオレフィン等が挙げられる。また、記録特
性などの改善のために、他の色素を添加することもでき
る。記録層の膜厚は、変調度や反射率に影響するが、本
発明に於いては、グルーブ上の膜厚で40ｎｍ〜 300ｎ
ｍ、好ましくは60ｎｍ〜 200ｎｍである。記録層を基板
の上に成膜する際に、基板の耐溶剤性や反射率、記録感
度等を改良するために、基板の上に無機物やポリマーか
らなる層を設けても良い。
【００３７】本発明に於いては、反射率、変調度等の特
性をを改良するために、前記した色素を含有する記録層
と反射層の間に、光干渉層を設けることもできる。光干
渉層を形成する材料としては、無機誘電体、ポリマーや
色素等が挙げられる。本発明に於いては、前記記録層の
上に反射層を設けるが、反射層としては、金、銀、アル
ミニウム、銅、白金等の金属やこれらの金属を含有する
合金が用いられるが、反射率や耐久性の点から金、アル
ミニウム、銀やこれらの金属を主成分とする合金が好ま
しい。反射層の膜厚は通常40ｎｍ〜 300ｎｍ 、好まし
くは60ｎｍ〜 200ｎｍである。反射層を成膜する方法
は、例えば、真空蒸着、スパッタ法、イオンプレーティ
ング法等が挙げられる。
性をを改良するために、前記した色素を含有する記録層
と反射層の間に、光干渉層を設けることもできる。光干
渉層を形成する材料としては、無機誘電体、ポリマーや
色素等が挙げられる。本発明に於いては、前記記録層の
上に反射層を設けるが、反射層としては、金、銀、アル
ミニウム、銅、白金等の金属やこれらの金属を含有する
合金が用いられるが、反射率や耐久性の点から金、アル
ミニウム、銀やこれらの金属を主成分とする合金が好ま
しい。反射層の膜厚は通常40ｎｍ〜 300ｎｍ 、好まし
くは60ｎｍ〜 200ｎｍである。反射層を成膜する方法
は、例えば、真空蒸着、スパッタ法、イオンプレーティ
ング法等が挙げられる。
【００３８】本発明に於いては、対物レンズの開口数が
大きいために、収差を小さくするため、基板の厚みは、
0.5 〜0.8mm 程度が好ましい。この際媒体の強度や機械
特性の向上のために、接着剤を用いて２枚を貼り合わせ
てもよい。貼り合わせに当たっては、反射層上に保護層
を成膜することなしに、又は保護層を成膜した後、貼り
合わせることができる。保護層としては、紫外線硬化性
アクリル樹脂、紫外線硬化性エポキシ樹脂、シリコーン
系ハードコート樹脂等が用いられる。又、貼り合わせる
際の接着剤としては、紫外線硬化性アクリル樹脂、紫外
線硬化性エポキシ樹脂、ホットメルト接着剤等が用いら
れる。このようにして得られた本発明の光記録媒体は、
レーザー光を記録層に集束することにより、ビーム径の
割には、はるかに高密度に記録や再生を行うことが出来
る。記録する際の信号としては、例えば、ＣＤやＤＶＤ
等に用いられている変調信号が、本発明の効果を達成す
る上で好ましい。
大きいために、収差を小さくするため、基板の厚みは、
0.5 〜0.8mm 程度が好ましい。この際媒体の強度や機械
特性の向上のために、接着剤を用いて２枚を貼り合わせ
てもよい。貼り合わせに当たっては、反射層上に保護層
を成膜することなしに、又は保護層を成膜した後、貼り
合わせることができる。保護層としては、紫外線硬化性
アクリル樹脂、紫外線硬化性エポキシ樹脂、シリコーン
系ハードコート樹脂等が用いられる。又、貼り合わせる
際の接着剤としては、紫外線硬化性アクリル樹脂、紫外
線硬化性エポキシ樹脂、ホットメルト接着剤等が用いら
れる。このようにして得られた本発明の光記録媒体は、
レーザー光を記録層に集束することにより、ビーム径の
割には、はるかに高密度に記録や再生を行うことが出来
る。記録する際の信号としては、例えば、ＣＤやＤＶＤ
等に用いられている変調信号が、本発明の効果を達成す
る上で好ましい。
【００３９】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明の実施の態様はこれにより限定されるもの
ではない。 実施例１ 厚さ 0.6mm、直径 120mmのスパイラル状のグルーブ（深
さ 150ｎｍ 、ピッチ0.74μｍ）を有する射出成形ポリ
カーボネート基板のグルーブを有する面に、この樹脂基
板を回転させながら、下記式（２）（化３）で表される
色素１、すなわちトリメチンシアニン色素の３−エチル
−２−［２−［（３−エチルナフト［２，１−ｄ］チア
ゾール−２−（３Ｈ）−イリデン）メチル］−１−ブテ
ニル］ナフト［２，１−ｄ］チアゾリウムヨーダイド
（株式会社日本感光色素研究所製、ＮＫ−１０５６）の
5.0重量％を2,2,3,3-テトラフルオロ-1- プロパノール
に溶解した溶液を滴下して、スピンコートし、基板上に
色素層を成膜した（グルーブ膜厚 130ｎｍ, ランド膜厚
50ｎｍ）。なお、635 ｎｍにおける色素の屈折率ｎabs
は 2.2、基板の屈折率ｎsub は 1.6であった。
るが、本発明の実施の態様はこれにより限定されるもの
ではない。 実施例１ 厚さ 0.6mm、直径 120mmのスパイラル状のグルーブ（深
さ 150ｎｍ 、ピッチ0.74μｍ）を有する射出成形ポリ
カーボネート基板のグルーブを有する面に、この樹脂基
板を回転させながら、下記式（２）（化３）で表される
色素１、すなわちトリメチンシアニン色素の３−エチル
−２−［２−［（３−エチルナフト［２，１−ｄ］チア
ゾール−２−（３Ｈ）−イリデン）メチル］−１−ブテ
ニル］ナフト［２，１−ｄ］チアゾリウムヨーダイド
（株式会社日本感光色素研究所製、ＮＫ−１０５６）の
5.0重量％を2,2,3,3-テトラフルオロ-1- プロパノール
に溶解した溶液を滴下して、スピンコートし、基板上に
色素層を成膜した（グルーブ膜厚 130ｎｍ, ランド膜厚
50ｎｍ）。なお、635 ｎｍにおける色素の屈折率ｎabs
は 2.2、基板の屈折率ｎsub は 1.6であった。
【００４０】
【化３】
【００４１】この記録層の上に、反射層として厚さ80ｎ
ｍの金薄膜をスパッタにより成膜した後、この反射層の
上に、紫外線硬化接着剤を塗布した。この接着剤の上
に、前記したのと同じ 0.6mmの基板を重ね合わせ、高速
でスピンコートした後、紫外線を照射して貼り合わせた
光記録媒体を製作した。この光記録媒体をターンテーブ
ルに乗せ、3.5m/sの線速で回転させながら、635ｎｍの
発振波長を有する半導体レーザーと、ＮＡが 0.6の対物
レンズからなる光ヘッドを搭載したパルステック工業製
光ディスク評価装置（ＤＤＵ−１０００）及び KENWOOD
製 EFMエンコーダーを用いて、レーザービームを基板を
通してグルーブ上の記録層に集束するように制御しなが
ら、記録レーザーパワーを変化させながら最短ピット長
が0.44μｍの EFM変調信号を記録した後、同じ装置を用
いてレーザー出力を 0.5mWにして記録した信号の読み出
しを行った。尚、読み出す際はイコライゼーション処理
を施した。記録パワーが 9.0mWのレーザー出力の時が最
もエラーレートが小さく（最適記録パワー）、バイトエ
ラーレートは 5×10-4、またその際のジッターは、ピッ
トの立ち上がりも立ち下がりもチャネルビットクロック
の 8％であった。未記録部の反射率は 52%、最短ピット
の変調度（I3/Itop=[(3T信号の最大強度)-( 3T信号の最
小強度)]／(11T信号の最大強度) ）が22％であり、良好
な記録、再生ができた。又、再生波形には殆ど歪は観測
されなかった。未記録のＲＣｂは0.07であり、トラッキ
ングは安定にかかった。なお、エラーレートはケンウッ
ド社製ＣＤデコーダー（ＤＲ３５５２）を用いて計測
し、ＲＣｂは以下の式により求めた。 ＲＣｂ＝２（Ｉｌ−Ｉｇ）／（Ｉｌ＋Ｉｇ） Ｉｌ：未記録ランド反射電位 Ｉｇ：未記録グルーブ反射電位 また、この場合のｄsub は0.14ｒ、Ｐは0.70r 、△Ｔは
0.20である。
ｍの金薄膜をスパッタにより成膜した後、この反射層の
上に、紫外線硬化接着剤を塗布した。この接着剤の上
に、前記したのと同じ 0.6mmの基板を重ね合わせ、高速
でスピンコートした後、紫外線を照射して貼り合わせた
光記録媒体を製作した。この光記録媒体をターンテーブ
ルに乗せ、3.5m/sの線速で回転させながら、635ｎｍの
発振波長を有する半導体レーザーと、ＮＡが 0.6の対物
レンズからなる光ヘッドを搭載したパルステック工業製
光ディスク評価装置（ＤＤＵ−１０００）及び KENWOOD
製 EFMエンコーダーを用いて、レーザービームを基板を
通してグルーブ上の記録層に集束するように制御しなが
ら、記録レーザーパワーを変化させながら最短ピット長
が0.44μｍの EFM変調信号を記録した後、同じ装置を用
いてレーザー出力を 0.5mWにして記録した信号の読み出
しを行った。尚、読み出す際はイコライゼーション処理
を施した。記録パワーが 9.0mWのレーザー出力の時が最
もエラーレートが小さく（最適記録パワー）、バイトエ
ラーレートは 5×10-4、またその際のジッターは、ピッ
トの立ち上がりも立ち下がりもチャネルビットクロック
の 8％であった。未記録部の反射率は 52%、最短ピット
の変調度（I3/Itop=[(3T信号の最大強度)-( 3T信号の最
小強度)]／(11T信号の最大強度) ）が22％であり、良好
な記録、再生ができた。又、再生波形には殆ど歪は観測
されなかった。未記録のＲＣｂは0.07であり、トラッキ
ングは安定にかかった。なお、エラーレートはケンウッ
ド社製ＣＤデコーダー（ＤＲ３５５２）を用いて計測
し、ＲＣｂは以下の式により求めた。 ＲＣｂ＝２（Ｉｌ−Ｉｇ）／（Ｉｌ＋Ｉｇ） Ｉｌ：未記録ランド反射電位 Ｉｇ：未記録グルーブ反射電位 また、この場合のｄsub は0.14ｒ、Ｐは0.70r 、△Ｔは
0.20である。
【００４２】実施例２〜５及び比較例１〜３ 実施例１に於いて、第１表（表１、表２）に示すグルー
ブ形状の基板を用いる以外は実施例１と同じ方法で媒体
を作り、評価した。なお、このとき、下記式（３）（化
４）で表される色素２：５，６−ジクロロ−２−［３−
（５，６−ジクロロ−１，３−ジエチル−２（３Ｈ）−
ベンズイミダゾオイリデン）−１−プロペニル］−１，
３−ジエチルベンズイミダゾリウムヨーダイド（株式会
社日本感光色素研究所製、ＮＫ−１４２０）、下記式
（４）（化４）で表される色素３：２−［３−（１，３
−ジヒドロ−１，３，３−トリメチル−２Ｈ−インドー
ル−２−イリデン）−１−プロペニル］−１，３，３−
トリメチル−３Ｈ−インドリウムヨーダイド（株式会社
日本感光色素研究所製、ＮＫ−７９）、下記式（５）
（化４）で表される色素４：３−エチル−２−［３−
（３−エチル−２（３Ｈ）−ベンズオキサゾルイリデ
ン）−１−プロペニル］ベンズオキサゾリウムヨーダイ
ド（株式会社日本感光色素研究所製、ＮＫ−８５）の色
素を用いた。
ブ形状の基板を用いる以外は実施例１と同じ方法で媒体
を作り、評価した。なお、このとき、下記式（３）（化
４）で表される色素２：５，６−ジクロロ−２−［３−
（５，６−ジクロロ−１，３−ジエチル−２（３Ｈ）−
ベンズイミダゾオイリデン）−１−プロペニル］−１，
３−ジエチルベンズイミダゾリウムヨーダイド（株式会
社日本感光色素研究所製、ＮＫ−１４２０）、下記式
（４）（化４）で表される色素３：２−［３−（１，３
−ジヒドロ−１，３，３−トリメチル−２Ｈ−インドー
ル−２−イリデン）−１−プロペニル］−１，３，３−
トリメチル−３Ｈ−インドリウムヨーダイド（株式会社
日本感光色素研究所製、ＮＫ−７９）、下記式（５）
（化４）で表される色素４：３−エチル−２−［３−
（３−エチル−２（３Ｈ）−ベンズオキサゾルイリデ
ン）−１−プロペニル］ベンズオキサゾリウムヨーダイ
ド（株式会社日本感光色素研究所製、ＮＫ−８５）の色
素を用いた。
【００４３】
【化４】
【００４４】また、比較例では、色素１、下記式（６）
（化５）で表される色素５：１−エチル−２−［５−
（１−エチルナフト［１，２−ｄ］チアゾール−２（１
Ｈ）−イリデン）−１，３−ペンタジエチル］ナフト
「１，２−ｄ］チアゾリウムヨーダイド（株式会社日本
感光色素研究所製、ＮＫ−２４０９）、下記式（７）
（化５）で表される色素６：１−エチル−４−［５−
（１−エチル−４（１Ｈ）−キノリニリデン）−１，３
−ペンタジエチル］キノリニウムヨーダイド（株式会社
日本感光色素研究所製、ＮＫ−１１４４）、下記式
（８）（化５）で表される色素７：１−エチル−２−
［３−（１−エチル−２（１Ｈ）−キノリニリデン）−
１−プロペニル］キノリニウムヨーダイド（株式会社日
本感光色素研究所製、ＮＫ−３）を用いた。結果は第２
表（表３）にまとめた。第２表から明らかなように、本
発明の実施例に於いては極めて良好な記録、再生が出来
たが、比較例に於いては最短ピットの変調度(I3/Itop)
が小さく、エラーレート及びジッターは大きく、良好な
記録、再生ができなかった。また、比較例では、ラジア
ルコントラスト(RCb) が小さいため記録時のトラッキン
グが不安定なものもあった。
（化５）で表される色素５：１−エチル−２−［５−
（１−エチルナフト［１，２−ｄ］チアゾール−２（１
Ｈ）−イリデン）−１，３−ペンタジエチル］ナフト
「１，２−ｄ］チアゾリウムヨーダイド（株式会社日本
感光色素研究所製、ＮＫ−２４０９）、下記式（７）
（化５）で表される色素６：１−エチル−４−［５−
（１−エチル−４（１Ｈ）−キノリニリデン）−１，３
−ペンタジエチル］キノリニウムヨーダイド（株式会社
日本感光色素研究所製、ＮＫ−１１４４）、下記式
（８）（化５）で表される色素７：１−エチル−２−
［３−（１−エチル−２（１Ｈ）−キノリニリデン）−
１−プロペニル］キノリニウムヨーダイド（株式会社日
本感光色素研究所製、ＮＫ−３）を用いた。結果は第２
表（表３）にまとめた。第２表から明らかなように、本
発明の実施例に於いては極めて良好な記録、再生が出来
たが、比較例に於いては最短ピットの変調度(I3/Itop)
が小さく、エラーレート及びジッターは大きく、良好な
記録、再生ができなかった。また、比較例では、ラジア
ルコントラスト(RCb) が小さいため記録時のトラッキン
グが不安定なものもあった。
【００４５】
【化５】
【００４６】
【表１】
【００４７】
【表２】
【００４８】
【表３】
【００４９】実施例５〜７及び比較例６ 記録層に用いる色素に、色素２、３、４及び下記式
（９）（化６）で表される色素８のフタロシアニン色素
を用い、且つトラックピッチ 0.8μｍ、深さ 150ｎｍの
基板を用いる以外は、実施例１と同じ方法で媒体を作り
評価した。評価は3.5m/sの線速で回転させながら、633
ｎｍの発振波長を有する半導体レーザーと、ＮＡが0.63
の対物レンズからなる光ヘッドを搭載したパルステック
工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−１０００）を用い
る以外は、実施例１と同様に行った。また、この場合の
ｄsub は 0.15r、Ｐは 0.80rであり、色素膜厚及び△Ｔ
は第 3表（表４）にまとめた。評価結果は第４表（表
５）にまとめた。第４表から明らかなように、本発明の
実施例に於いては極めて良好な記録、再生が出来たが、
比較例に於いては反射率は低く、信号波形は汚く、最短
ピットの変調度(I3/Itop) 、ジッターは測定が不可能で
あった。
（９）（化６）で表される色素８のフタロシアニン色素
を用い、且つトラックピッチ 0.8μｍ、深さ 150ｎｍの
基板を用いる以外は、実施例１と同じ方法で媒体を作り
評価した。評価は3.5m/sの線速で回転させながら、633
ｎｍの発振波長を有する半導体レーザーと、ＮＡが0.63
の対物レンズからなる光ヘッドを搭載したパルステック
工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−１０００）を用い
る以外は、実施例１と同様に行った。また、この場合の
ｄsub は 0.15r、Ｐは 0.80rであり、色素膜厚及び△Ｔ
は第 3表（表４）にまとめた。評価結果は第４表（表
５）にまとめた。第４表から明らかなように、本発明の
実施例に於いては極めて良好な記録、再生が出来たが、
比較例に於いては反射率は低く、信号波形は汚く、最短
ピットの変調度(I3/Itop) 、ジッターは測定が不可能で
あった。
【００５０】
【化６】
【００５１】
【表４】
【００５２】
【表５】
【００５３】実施例８ 記録層に用いる色素に色素１を用い、実施例１と同じ方
法で媒体を作り評価した。評価は3.5m/sの線速で回転さ
せながら、633 ｎｍの発振波長を有する半導体レーザー
と、ＮＡが0.68の対物レンズからなる光ヘッドを搭載し
たパルステック工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−１
０００）を用いる以外は、実施例１と同様に行った。ｄ
sub は 0.14r、Ｐは 0.74rであり、グルーブ膜厚 130ｎ
ｍ 、ランド膜厚45ｎｍ、△Ｔは0.14であった。記録パ
ワーが 8.5mWのレーザー出力の時が最もエラーレートが
小さく、バイトエラーレートは 6×10-4、又その際のジ
ッターはチャネルビットクロックの 9.0％であった。未
記録部の反射率は 50%、最短ピットの変調度が 20%であ
り、良好な記録、再生ができた。又、再生波形には殆ど
歪は観測されなかった。
法で媒体を作り評価した。評価は3.5m/sの線速で回転さ
せながら、633 ｎｍの発振波長を有する半導体レーザー
と、ＮＡが0.68の対物レンズからなる光ヘッドを搭載し
たパルステック工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−１
０００）を用いる以外は、実施例１と同様に行った。ｄ
sub は 0.14r、Ｐは 0.74rであり、グルーブ膜厚 130ｎ
ｍ 、ランド膜厚45ｎｍ、△Ｔは0.14であった。記録パ
ワーが 8.5mWのレーザー出力の時が最もエラーレートが
小さく、バイトエラーレートは 6×10-4、又その際のジ
ッターはチャネルビットクロックの 9.0％であった。未
記録部の反射率は 50%、最短ピットの変調度が 20%であ
り、良好な記録、再生ができた。又、再生波形には殆ど
歪は観測されなかった。
【００５４】
【発明の効果】本発明に於いては、基板上に少なくとも
色素を含有する記録層、反射層を有してなる光記録媒体
に於いて、トラックピッチ及びグルーブ深さをλ／ＮＡ
で表される記録ビーム径（λは記録波長、ＮＡは対物レ
ンズの開口数）に対しての規定、記録層を含めた光学位
相差の規定さらには色素種の限定をすることにより、記
録時のトラッキングが安定しており、良好な記録特性を
有した高密度記録が可能な光記録媒体が実現される。
色素を含有する記録層、反射層を有してなる光記録媒体
に於いて、トラックピッチ及びグルーブ深さをλ／ＮＡ
で表される記録ビーム径（λは記録波長、ＮＡは対物レ
ンズの開口数）に対しての規定、記録層を含めた光学位
相差の規定さらには色素種の限定をすることにより、記
録時のトラッキングが安定しており、良好な記録特性を
有した高密度記録が可能な光記録媒体が実現される。
【図１】本発明の光記録媒体の層構成を示す断面構造図
【図２】本発明の光記録媒体の層構成を示す断面構造図
１：基板 ２：記録層 ３：反射層 ４：保護層 １’：基板 ２’：記録層 ３’：反射層 ４’：接着層 ５’：基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷口 義輝 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 笹川 知由 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 広瀬 純夫 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 スパイラル状にグルーブが形成された基
板上に直接または他の層を介してレーザー光を吸収する
色素を含有する記録層、該記録層の上に直接または他の
層を介して金属の反射層を有する光記録媒体において、
λ／ＮＡで表される記録ビームの径をｒ〔ここで、λは
記録波長（μｍ）、ＮＡは対物レンズの開口数を表
す〕、基板のグルーブのピッチをＰ（μｍ）、グルーブ
の深さをｄsub （μｍ）、該記録層のグルーブ部の色素
膜厚をｄg （μｍ）、ランド部の色素膜厚ｄl （μ
ｍ）、波長λでの記録層の屈折率をｎabs 、基板の屈折
率をｎsub としたとき、下記式の関係を有し、 ０．６６ｒ≦Ｐ≦０．８９ｒ ０．１２ｒ≦ｄsub ≦０．２０ｒ １．８≦ｎabs ≦２．７ また、光学位相差（△Ｔ）＝２〔ｎsub ・ｄsub ＋ｎab
s(ｄl −ｄg)〕／λが、０．１３≦△Ｔ≦ ０．４１
で、かつｄg −ｄl ≦ｄsub であり、且つ記録層に含有
される色素が一般式（化１）で示されるトリメチンシア
ニン化合物であることを特徴とする高密度光記録媒体。 【化１】 〔式中、Ｙ、Ｙ’はそれぞれ、ＣＲ4 Ｒ5 、Ｏ、Ｓ、Ｓ
ｅまたはＮＲ6 を表し、Ｒ1 〜Ｒ6 は水素原子あるいは
炭素数１〜１２の無置換または置換アルキル基、Ａ1 〜
Ａ4 は水素原子あるいは炭素数１〜４のアルキル基を表
し、Ａ1 とＡ2 、Ａ3 とＡ4 は無置換または置換のベン
ゼン環あるいはナフタレン環を形成していても良く、Ｘ
は１価の陰イオンを表す。ただし、Ｒ1 が１価の陰イオ
ン置換基の場合は、Ｘは存在しない〕 - 【請求項２】 λが０．６３０〜０．６５５μｍ、ＮＡ
が０．５８〜０．７０である請求項１記載の高密度光記
録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8343688A JPH10188339A (ja) | 1996-12-24 | 1996-12-24 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8343688A JPH10188339A (ja) | 1996-12-24 | 1996-12-24 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10188339A true JPH10188339A (ja) | 1998-07-21 |
Family
ID=18363488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8343688A Pending JPH10188339A (ja) | 1996-12-24 | 1996-12-24 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10188339A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002102598A1 (en) * | 2001-06-18 | 2002-12-27 | Sony Corporation | Optical recording medium |
| US6737143B2 (en) | 2001-06-14 | 2004-05-18 | Ricoh Company Ltd. | Optical recording medium, optical recording method and optical recording device |
| US7247417B2 (en) * | 2002-09-11 | 2007-07-24 | Tdk Corporation | Optical recording medium and optical recording/reproducing method |
| JP2007193938A (ja) * | 2007-02-13 | 2007-08-02 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体 |
-
1996
- 1996-12-24 JP JP8343688A patent/JPH10188339A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6737143B2 (en) | 2001-06-14 | 2004-05-18 | Ricoh Company Ltd. | Optical recording medium, optical recording method and optical recording device |
| WO2002102598A1 (en) * | 2001-06-18 | 2002-12-27 | Sony Corporation | Optical recording medium |
| US7247417B2 (en) * | 2002-09-11 | 2007-07-24 | Tdk Corporation | Optical recording medium and optical recording/reproducing method |
| JP2007193938A (ja) * | 2007-02-13 | 2007-08-02 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3441410B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH1058828A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP4657768B2 (ja) | トリメチン系化合物及びこれを用いた光記録媒体 | |
| JP2004195765A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JP3705877B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH08156408A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH10188339A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3705879B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3705887B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3705885B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3705881B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH10188338A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH0899467A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH10337959A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH10157301A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH10157302A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH10149584A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH0940659A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH08108625A (ja) | 光記録媒体 | |
| KR19980087326A (ko) | 광기록매체 | |
| JPH10181201A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3704230B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH10188340A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP4855716B2 (ja) | トリメチン二量体化合物及びこれを用いた光記録媒体 | |
| JPH10188358A (ja) | 光記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040420 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040427 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050705 |