JPH10242111A

JPH10242111A - 洗浄乾燥方法および装置

Info

Publication number: JPH10242111A
Application number: JP4587597A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Enomoto; 淳榎本; Shuichi Nakamura; 秀一中村; Yoshikazu Tanabe; 義和田辺
Original assignee: Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd; Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Priority date: 1997-02-28
Filing date: 1997-02-28
Publication date: 1998-09-11

Abstract

(57)【要約】【課題】洗浄後の半導体ウエハを帯電させることなく
乾燥処理を行い、異物吸着や素子静電破壊などの静電気
による不良を確実に低減する。【解決手段】半導体ウエハＷの洗浄液後、ガス供給配
管１１ｂに接続されたイオナイザ９によりパージガスで
ある窒素ガスをイオン化してシャワーノズル６から半導
体ウエハＷに吹きつけながら乾燥させることにより、窒
素ガスが半導体ウエハＷと摩擦することにより発生する
静電気を防止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、洗浄乾燥方法およ
び装置に関し、特に、半導体ウエハの洗浄後の乾燥処理
に適用して有効な技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】本発明者が検討したところによれば、半
導体ウエハの洗浄乾燥工程において、半導体ウエハを洗
浄した後の乾燥は、たとえば、空気や窒素（Ｎ₂)ガスな
どの不活性ガスであるパージガスを洗浄後の半導体ウエ
ハに直接噴射する、いわゆる、ガスブローにより行って
いる。

【０００３】そして、この乾燥処理が終了した後、ガス
ブローの際にブローされたガスと半導体ウエハとの摩擦
により発生する静電気を除去するために、コロナ放電を
利用し、イオンで中和するイオナイザなどの除電装置に
より半導体ウエハの帯電を防止している。

【０００４】なお、この種の洗浄乾燥装置について詳し
く述べてある例としては、１９９３年１１月２０日、株
式会社工業調査会発行、大島雅志（編）、「超ＬＳＩ製
造・試験装置ガイドブック＜１９９４年版＞」Ｐ１１５
〜Ｐ１２０があり、この文献には、洗浄乾燥装置の構造
および技術動向などが記載されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な洗浄乾燥工程における半導体ウエハの乾燥技術では、
次のような問題点があることが本発明者により見い出さ
れた。

【０００６】すなわち、ガスブロー時に半導体ウエハに
発生した静電気は、イオナイザによる除電が完了するま
で帯電状態にあるため異物吸着、素子静電破壊などの不
良を発生させる要因となる恐れがある。

【０００７】本発明の目的は、洗浄後の半導体ウエハを
帯電させることなく乾燥処理を行い、異物吸着や素子静
電破壊などの静電気による不良を確実に低減することの
できる洗浄乾燥方法および装置を提供することにある。

【０００８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１０】すなわち、本発明の洗浄乾燥方法は、洗浄
後の被処理物にイオン化したパージガスを吹きつけて被
処理物の乾燥を行うものである。

【００１１】また、本発明の洗浄乾燥方法は、前記被処
理物が、半導体ウエハまたは製造装置部品よりなるもの
である。

【００１２】さらに、本発明の乾燥装置は、被処理物の
乾燥処理が行われる乾燥室と、当該乾燥室内に設けら
れ、被処理物にパージガスを吹きつけるガスノズルと、
洗浄後の被処理物を乾燥させるパージガスを該ガスノズ
ルに供給するガス供給手段と、当該ガス供給手段からガ
スノズルに供給されるパージガスをイオン化するガスイ
オン化手段とよりなるものである。

【００１３】また、本発明の乾燥装置は、前記ガスイオ
ン化手段が、イオナイザよりなるものである。

【００１４】さらに、本発明の乾燥装置は、前記被処理
物が、半導体ウエハまたは製造装置部品よりなるもので
ある。

【００１５】また、本発明の洗浄乾燥装置は、被処理物
の洗浄が行われる洗浄室と、当該洗浄室内に設けられ、
被処理物に洗浄液を吹きつける洗浄ノズルと、洗浄液を
洗浄ノズルに供給する洗浄液供給手段と、該洗浄ノズル
から噴射された洗浄液を排出する排出口と、洗浄後の被
処理物の乾燥が行われる乾燥室と、当該乾燥室内に設け
られ、被処理物にパージガスを吹きつけるガスノズル
と、洗浄後の被処理物を乾燥させるパージガスを前記ガ
スノズルに供給するガス供給手段と、当該ガス供給手段
からガスノズルに供給されるパージガスをイオン化する
ガスイオン化手段とよりなるものである。

【００１６】さらに、本発明の洗浄乾燥装置は、前記ガ
スイオン化手段が、イオナイザよりなるものである。

【００１７】また、本発明の洗浄乾燥装置は、前記被処
理物が、半導体ウエハまたは製造装置部品よりなるもの
である。

【００１８】以上のことにより、半導体ウエハなどの被
処理物の洗浄後の乾燥工程において、パージガスをブロ
ーすることによる静電気の発生を防止することができる
ので、異物の吸着や素子静電破壊などの静電気による不
良を低減することができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。

【００２０】図１は、本発明の一実施の形態による洗浄
乾燥装置の説明図、図２は、本発明の一実施の形態によ
る洗浄乾燥室の説明図である。

【００２１】本実施の形態において、後述する半導体ウ
エハの洗浄を行い、その表面に付着した物質を除去する
洗浄乾燥装置１は、半導体ウエハの洗浄乾燥を行う洗浄
乾燥室（洗浄室、乾燥室）２が設けられている。

【００２２】また、洗浄乾燥装置１には、洗浄前の半導
体ウエハを収納するローダ３、洗浄後の半導体ウエハを
収納するアンローダ４ならびに半導体ウエハを搬送する
搬送機構５が洗浄乾燥室２の側部近傍に設けられてる。

【００２３】さらに、洗浄乾燥装置１はバッチ式であ
り、図２に示すように、たとえば、５０枚程度の半導体
ウエハＷを石英などからなるボートＢにセットし、この
ボートＢを前述した搬送機構５により移動させることに
より洗浄乾燥室２内への挿入および引きだしを行ってい
る。

【００２４】次に、洗浄乾燥室２の上部における所定の
位置には、複数のシャワーノズル（洗浄ノズル、ガスノ
ズル）６および真空ポンプによって洗浄乾燥室２内を減
圧するための排気口７が設けられ、洗浄乾燥室２の下部
には、洗浄液を排出するための廃液ライン（排出口）８
が設けられている。

【００２５】さらに、洗浄乾燥装置１には、コロナ放電
を利用し、周囲の空気を正負にイオン化して半導体ウエ
ハＷ表面の電荷を逆極性のイオンで中和するイオナイザ
（ガスイオン化手段）９、ガスブローを行うパージガス
である窒素ガスを供給するガス供給部（ガス供給手段）
ならびに洗浄液を供給する洗浄液供給部（洗浄液供給手
段）が設けられている。

【００２６】また、洗浄乾燥装置１は、シャワーノズル
６からガス供給部により供給された窒素ガスを噴射する
か洗浄液供給部から供給された洗浄液を噴射するかの切
り換えを行う切り換え弁１０が設けられている。

【００２７】そして、シャワーノズル６は、配管１１に
より切り換え弁１０の出力部に接続され、切り換え弁１
０の一方の入力部は、前述した洗浄液供給部と接続され
ている洗浄液供給配管１１ａに接続され、他方の入力部
は、イオナイザ９を介して前述したガス供給部と接続さ
れているガス供給配管１１ｂに接続されている。

【００２８】次に、本実施の形態の作用について説明す
る。

【００２９】まず、純水による半導体ウエハＷの水洗が
終了すると、洗浄液供給部から洗浄液が供給され、シャ
ワーノズル６から洗浄液が粉霧状に半導体ウエハに吹き
つけられる。

【００３０】その後、切り換え弁１０を切り換え、ガス
供給部から窒素ガスの供給を開始する。この窒素ガス
は、ガス供給配管１１ｂに接続されたイオナイザ９によ
りイオン化された窒素ガスとなってシャワーノズル６か
ら噴射される。

【００３１】それにより、窒素ガスが半導体ウエハＷの
表面と摩擦しても静電気の発生を防止することができ
る。

【００３２】次に、窒素ガスによるガスブローが終了す
ると、真空ポンプにより排気口７から洗浄乾燥室２内の
減圧を行うことにより、減圧乾燥を行う。

【００３３】そして、再びイオナイザ９によりイオン化
された窒素ガスによるガスブローを行い、洗浄乾燥室２
を大気圧まで戻し、前述した搬送機構５によりボードＢ
の搬送を行い、半導体ウエハＷを所定のアンローダ４ま
で搬送する。

【００３４】それにより、本実施の形態においては、乾
燥処理時にイオナイザ９によりイオン化された窒素ガス
が半導体ウエハＷにブローされるので、ガスブローによ
る半導体ウエハＷの帯電を防止することができ、異物の
混入や素子静電破壊などの不良を減少させることがで
き、半導体製造工程における歩留まりを向上させること
ができる。

【００３５】また、本実施の形態では、半導体ウエハＷ
を洗浄乾燥する洗浄乾燥室２（図２）にイオナイザ９
（図２）を設けたが、図３に示すように、たとえば、洗
浄乾燥が行われる前の半導体ウエハＷを格納するローダ
３ならびに洗浄乾燥後の半導体ウエハＷが格納されるア
ンローダ４にイオナイザ９、ガス供給部、ガス供給用ノ
ズル（ガスノズル）１２を設けるようにしてもよい。

【００３６】この場合も同様に、たとえば、窒素ガスな
どの不活性ガスをイオナイザ９によりイオン化し、ガス
供給用ノズル１２から供給し、ローダ３、アンローダ４
内をイオン化された窒素ガスの雰囲気とすることによ
り、ボートＢに載置された半導体ウエハＷの帯電を防止
することができる。

【００３７】さらに、本実施の形態においては、洗浄乾
燥室２が洗浄、乾燥の複数の処理を単一の槽で行う単槽
式であったが、たとえば、半導体ウエハＷの乾燥処理を
専用の乾燥室により行う乾燥装置にイオナイザ９などの
イオン化手段を設けても、ガスブローによる半導体ウエ
ハＷの帯電を防止することができ、異物の混入や素子静
電破壊などの不良を減少させることができ、半導体製造
工程における歩留まりを向上させることができる。

【００３８】この場合、乾燥装置１３は、図４に示すよ
うに、洗浄後の半導体ウエハＷの乾燥処理を行う乾燥室
１４が設けられ、その乾燥室１４の上部の所定の位置に
は、パージガスをボートＢに載置された半導体ウエハＷ
に吹きつけるガスノズル１５ならびに真空ポンプによっ
て洗浄乾燥室２内を減圧するための排気口７が設けられ
ている。

【００３９】また、ガスノズル１５は、配管１６と接続
され、その配管１６は、ブローを行う窒素ガスなどのパ
ージガスをイオン化するイオナイザ（ガスイオン化手
段）１７を介して前述した窒素ガスを供給するガス供給
手段と接続されている。そして、乾燥処理において、パ
ージガスのブローを行う場合にイオナイザ１７によりパ
ージガスをイオン化する。

【００４０】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。

【００４１】たとえば、前記実施の形態では、半導体ウ
エハの洗浄乾燥を行う洗浄乾燥装置について記載した
が、被処理物としてボートなどのウエハ治具である製造
装置部品の洗浄乾燥処理における乾燥処理にイオン化さ
れたパージガスをブローするようにしても良好に帯電を
防止することができ、製造装置部品に付着する異物など
を低減することができる。

【００４２】また、前記実施の形態においては、半導体
ウエハの洗浄乾燥を行う洗浄乾燥装置にガスイオン化手
段であるイオナイザを設けたが、たとえば、蒸着装置な
どの処理室内を真空にして半導体ウエハの処理を行う真
空装置にイオナイザを設け、真空処理におけるパージガ
スをイオン化することによっても良好に帯電を防止する
ことができる。

【００４３】

【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００４４】（１）本発明によれば、イオン化させたパ
ージガスを被処理物にブローして乾燥させることによ
り、乾燥処理における静電気の発生を防止することがで
き、異物の吸着などを低減することができる。

【００４５】（２）また、本発明では、半導体ウエハの
乾燥処理において、イオン化させたパージガスを半導体
ウエハにブローすることにより半導体ウエハの帯電が防
止でき、半導体ウエハへの異物の吸着や素子静電破壊な
どの静電気による不良を低減することができる。

【００４６】（３）さらに、本発明においては、上記
（１）、（２）により、半導体装置などの製品の品質を
上げることができ、歩留まりを向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態による洗浄乾燥装置の説
明図である。

【図２】本発明の一実施の形態による洗浄乾燥室の説明
図である。

【図３】本発明の他の実施の形態によるイオナイザが設
けられたローダ、アンローダの説明図である。

【図４】本発明の他の実施の形態によるイオナイザが設
けられた乾燥装置の説明図である。

【符号の説明】

１洗浄乾燥装置２洗浄乾燥室（洗浄室、乾燥室）３ローダ４アンローダ５搬送機構６シャワーノズル（洗浄ノズル、ガスノズル）７排気口８廃液ライン（排出口）９イオナイザ（ガスイオン化手段）１０切り換え弁１１配管１１ａ洗浄液供給配管１１ｂガス供給配管１２ガス供給用ノズル（ガスノズル）１３乾燥装置１４乾燥室１５ガスノズル１６配管１７イオナイザ（ガスイオン化手段）Ｗ半導体ウエハＢボート

フロントページの続き (72)発明者田辺義和東京都青梅市今井2326番地株式会社日立製作所デバイス開発センタ内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】洗浄後の被処理物にイオン化したパージ
ガスを吹きつけ、前記被処理物の乾燥を行うことを特徴
とする洗浄乾燥方法。
【請求項２】請求項１記載の洗浄乾燥方法において、
前記被処理物が、半導体ウエハまたは製造装置部品であ
ることを特徴とする洗浄乾燥方法。
【請求項３】被処理物の乾燥を行う乾燥装置であっ
て、前記被処理物の乾燥処理が行われる乾燥室と、前記
乾燥室内に設けられ、前記被処理物にパージガスを吹き
つけるガスノズルと、洗浄後の前記被処理物を乾燥させ
るパージガスを前記ガスノズルに供給するガス供給手段
と、前記ガス供給手段から前記ガスノズルに供給される
パージガスをイオン化するガスイオン化手段とよりなる
ことを特徴とする乾燥装置。
【請求項４】請求項３記載の乾燥装置において、前記
ガスイオン化手段が、イオナイザであることを特徴とす
る乾燥装置。
【請求項５】請求項３または４記載の乾燥装置におい
て、前記被処理物が、半導体ウエハまたは製造装置部品
であることを特徴とする乾燥装置。
【請求項６】被処理物の洗浄および乾燥を行う洗浄乾
燥装置であって、前記被処理物の洗浄が行われる洗浄室
と、前記洗浄室内に設けられ、前記被処理物に洗浄液を
吹きつける洗浄ノズルと、前記洗浄液を前記洗浄ノズル
に供給する洗浄液供給手段と、前記洗浄ノズルから噴射
された前記洗浄液を排出する排出口と、洗浄後の前記被
処理物の乾燥が行われる乾燥室と、前記乾燥室内に設け
られ、前記被処理物にパージガスを吹きつけるガスノズ
ルと、洗浄後の前記被処理物を乾燥させるパージガスを
前記ガスノズルに供給するガス供給手段と、前記ガス供
給手段から前記ガスノズルに供給されるパージガスをイ
オン化するガスイオン化手段とよりなることを特徴とす
る洗浄乾燥装置。
【請求項７】請求項６記載の洗浄乾燥装置において、
前記ガスイオン化手段が、イオナイザであることを特徴
とする洗浄乾燥装置。
【請求項８】請求項６または７記載の洗浄乾燥装置に
おいて、前記被処理物が、半導体ウエハまたは製造装置
部品であることを特徴とする洗浄乾燥装置。