JPH10195280A

JPH10195280A - 半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Info

Publication number: JPH10195280A
Application number: JP1337497A
Authority: JP
Inventors: Toshio Shiobara; 利夫塩原; Takayuki Aoki; 貴之青木; Satoshi Okuse; 聡奥瀬; Kazutoshi Tomiyoshi; 和俊富吉
Original assignee: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Current assignee: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date: 1997-01-09
Filing date: 1997-01-09
Publication date: 1998-07-28

Abstract

(57)【要約】【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂：（Ａ）成分のエポキシ基１モル
に対してフェノール性水酸基が０．５〜１．６モルとな
る量、（Ｃ）無機質充填剤：（Ａ），（Ｂ）成分の合計量１
００重量部に対して５５０〜１，０００重量部、（Ｄ）ゾルゲル法により得られた五酸化アンチモン粉
末：（Ａ），（Ｂ）成分の合計量１００重量部に対して
０．５〜２０重量部、（Ｅ）オルガノポリシロキサン又はその硬化物：
（Ａ），（Ｂ）成分の合計量１００重量部に対して０．
１〜１０重量部を必須成分とし、臭素化合物を含有しないことを特徴と
する半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物。【効果】本発明のエポキシ樹脂組成物によれば、臭素
化合物を配合することなく、難燃化と耐熱性とを両立さ
せた硬化物を与え、従ってこの硬化物で封止された半導
体装置は信頼性の高いものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、臭素化合物無含有
の半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物及びその硬化
物で封止された半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
デバイスの高速化に伴い素子の発熱量が非常に大きくな
り、パッケージ自体が高温になることから、信頼性の上
で大きな問題となってきている。また、一方では耐半田
リフロー性を改善するため、ガラス転移温度が１００℃
前後の封止樹脂が使用されるようになってきている。こ
のような背景のもと、いかにして高温での信頼性を維持
するかが半導体業界において重要な課題である。

【０００３】高温での不良として最も問題となるのは、
高温下で難燃剤として使用されている臭素化合物やアン
チモン化合物が分解して金線とアルミニウムの接続部で
化学反応を起こし、接続部の抵抗が大きくなったり、場
合によっては断線にいたるものである。この不良は特に
封止材としてガラス転移温度の低い材料を使用した場合
に顕著になる。

【０００４】即ち、五酸化アンチモンと臭素化合物を併
用して使用することで難燃化と耐熱性を向上させること
や、Ｎａ含有量を０．０３〜０．０６％とした五酸化ア
ンチモンと臭素化合物、及び場合によっては三酸化ビス
マス、水和炭酸マグネシウムアルミニウムを使用して耐
熱性を向上させることは既によく知られていることであ
る（米国特許第４２８２１３６号、特公平６−８３７９
号、特表平６−５０８８５７号公報）。

【０００５】しかし、これらはいずれも臭素化合物を使
用しているため高温下で炭素−臭素結合が分解し、臭素
が容易に遊離するといった問題があり、イオントラップ
剤やｐＨ調整剤のような化合物の添加が必須であった。

【０００６】従って、本発明は、臭素化合物を配合する
ことなく、難燃化と耐熱性とを両立させた半導体封止用
難燃性エポキシ樹脂組成物及びその硬化物で封止された
半導体装置を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った
結果、充填剤を多量に配合したエポキシ樹脂組成物に、
ゾルゲル法で製造した非常に高純度の五酸化アンチモン
とオルガノポリシロキサン又はその硬化物とを併用する
ことで、臭素化合物を用いなくとも難燃化が可能とな
り、かつ高温での信頼性も優れた半導体素子封止用の樹
脂組成物が得られることを見出したものである。

【０００８】即ち、本発明は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂：（Ａ）成分のエポキシ基１モル
に対してフェノール性水酸基が０．５〜１．６モルとな
る量、（Ｃ）無機質充填剤：（Ａ），（Ｂ）成分の合計量１
００重量部に対して５５０〜１，０００重量部、（Ｄ）ゾルゲル法により得られた五酸化アンチモン粉
末：（Ａ），（Ｂ）成分の合計量１００重量部に対して
０．５〜２０重量部、（Ｅ）オルガノポリシロキサン又はその硬化物：
（Ａ），（Ｂ）成分の合計量１００重量部に対して０．
１〜１０重量部を必須成分とし、臭素化合物を含有しないことを特徴と
する半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物、及び、こ
の組成物の硬化物で封止された半導体装置を提供する。

【０００９】以下、本発明について詳細に説明する。本
発明で使用する（Ａ）成分のエポキシ樹脂としては、従
来から公知の１分子あたり２個以上のエポキシ基を持っ
たものであればいかなるものでも使用することができる
が、臭素化エポキシ樹脂は使用しない。エポキシ樹脂と
しては、特にビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフ
ェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エ
ポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナ
フタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、
シクロペンタジエン型エポキシ樹脂などが例示される。
これらエポキシ樹脂の中でもナフタレン型エポキシ樹
脂、ビフェニル型エポキシ樹脂や下記構造式で示される
液晶構造を有するものが望ましい。

【００１０】

【化１】

【００１１】これらエポキシ樹脂中の全塩素含有量は
１，５００ｐｐｍ以下、望ましくは１，０００ｐｐｍ以
下である。また、１２０℃で５０％エポキシ樹脂濃度に
おける２０時間での抽出水塩素が５ｐｐｍ以下であるこ
とが好ましい。全塩素含有量が１，５００ｐｐｍを超
え、抽出水塩素が５ｐｐｍを超えると、半導体の耐湿信
頼性が低下するおそれがある。

【００１２】本発明においては、（Ｂ）成分の硬化剤と
してフェノール樹脂を使用する。フェノール樹脂として
は、１分子中にフェノール性の水酸基が２個以上あれば
いかなるものでも使用可能である。特に、フェノールノ
ボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノール
アラルキル樹脂、ナフタレン型フェノール樹脂、シクロ
ペンタジエン型フェノール樹脂が挙げられる。中でも下
記構造のフェノール性水酸基を含有するものなどが望ま
しい。

【００１３】

【化２】

【００１４】上記フェノール樹脂から抽出される塩素イ
オンやナトリウムイオンなどはいずれも１０ｐｐｍ以
下、望ましくは５ｐｐｍ以下であることが好ましい。

【００１５】エポキシ樹脂とフェノール樹脂の混合割合
は、エポキシ基１モルに対しフェノール性水酸基が０．
５〜１．６モル、望ましくは０．６〜１．４モルであ
る。０．５モル未満では水酸基が不足し、エポキシ基の
単独重合の割合が多くなり、ガラス転移温度が低くな
る。また、１．６モルを超えるとフェノール性水酸基の
比率が高くなり、反応性が低下するほか、架橋密度が低
く十分な強度が得られないものとなる。

【００１６】なお、本発明のエポキシ樹脂組成物には、
硬化促進剤を配合することができる。硬化促進剤として
はリン系、イミダゾール誘導体、シクロアミジン系誘導
体などを使用することができる。硬化促進剤の量として
は、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の合計量１００重量
部に対し０．０１〜１０重量部が好ましい。

【００１７】本発明に使用される（Ｃ）成分の充填剤と
しては、ボールミルなどで粉砕した溶融シリカや火炎溶
融することで得られる球状シリカ、ゾルゲル法などで製
造される球状シリカ、結晶シリカ、アルミナ、ボロンナ
イトライド、窒化アルミ、窒化ケイ素、マグネシア、マ
グネシウムシリケートなどが使用される。半導体素子が
発熱の大きい素子の場合、熱伝導率ができるだけ大き
く、かつ膨張係数の小さなアルミナ、ボロンナイトライ
ド、窒化アルミ、窒化ケイ素などを充填剤として使用す
ることが望ましい。また、溶融シリカなどとブレンドし
て使用してもよい。また、より精密なデバイスを封止す
るためには１７５℃での溶融粘度が２００ポイズ以下、
望ましくは１００ポイズ以下のエポキシ樹脂組成物が望
まれている。そのため無機質充填剤としては球状の最密
充填が可能な粒度分布を持ったものが望ましい。ここで
使用することができる充填剤の粒度分布は平均粒径が４
〜３０μｍで、最大粒径が７４μｍ以下、より望ましく
は最大粒径が５０μｍ以下の粒度分布をもち、比表面積
が２．５ｍ²／ｇ以下、望ましくは１．０〜３．０ｍ²／
ｇであるものが好ましい。

【００１８】無機質充填剤の使用量は、エポキシ樹脂と
フェノール樹脂の合計量１００重量部に対して５５０〜
１，０００重量部、好ましくは７５０〜９５０重量部で
ある。５５０重量部未満では、五酸化アンチモンの添加
によっても難燃化が不十分である上、膨張係数を十分に
下げることができず、吸水率も多くなり、半田リフロー
の際の温度でパッケージにクラックが入ってしまう。一
方、１，０００重量部を超えると粘度が高くなりすぎ、
成形できなくなってしまう。この場合、無機質充填剤の
エポキシ樹脂組成物中における含有量は８２〜９１重量
％、特に８６〜９０．５重量％であることが好ましい。

【００１９】なお、エポキシ樹脂組成物には、必要に応
じてチクソ性付与のためアエロジルなどの超微粒子の表
面未処理あるいは表面がオルガノシリル基等で疎水化処
理されたシリカを無機質充填剤の一部として添加するこ
ともできる。この種の超微粒子シリカを使用する場合
は、予めボールミル等の混合装置を用い、他の充填剤と
均一に混合した後、使用することがよい。

【００２０】本発明において難燃剤として使用される五
酸化アンチモンは、ゾルゲル法によって製造したもので
ある。これは金属アンチモンの酸化によって得られるも
のとは異なり、純度的に非常に精製されているものであ
る。そのため五酸化アンチモン中に残存する鉛や砒素の
ような重金属、及びアルカリ金属イオンやハロゲンイオ
ンはいずれも１００ｐｐｍ以下、通常０．０１〜１００
ｐｐｍ、好ましくは０．１〜５０ｐｐｍのものである。

【００２１】本発明で使用する五酸化アンチモンの粒度
はできるだけ細かいものが望ましい。通常使用できる粒
度としては、平均一次粒子径が０．０１〜５μｍで比表
面積が１〜１００ｍ²／ｇのものである。より望ましく
は平均一次粒子径が０．０１〜１μｍで比表面積が２０
〜１００ｍ²／ｇである。

【００２２】五酸化アンチモンの使用量はエポキシ樹脂
と硬化剤の合計量１００重量部に対し０．５〜２０重量
部、より望ましくは１〜１０重量部である。０．５重量
部未満では難燃化が不十分であり、２０重量部を超える
とコストアップになる上、アンチモン含有量が多くなり
すぎ、高温で長時間保管した際の半導体の信頼性を損な
うおそれがある。

【００２３】次に、本発明のエポキシ樹脂組成物には、
（Ｅ）成分としてオルガノポリシロキサン又はその硬化
物を配合するものである。即ち、本発明においては、上
記高純度の五酸化アンチモンとオルガノポリシロキサン
又はその硬化物を組み合わせることで、従来から必須成
分として知られている臭素化合物を用いることなく難燃
化と耐熱性を両立させたものである。そのため前述した
ような不都合もなく、信頼性の良好な樹脂組成物が得ら
れるものであり、三酸化アンチモンＳｂ₂Ｏ₃や臭素化合
物等の難燃剤を含有しなくとも、難燃グレ−ドＵＬ−９
４Ｖ−０を達成できる点で優れている。

【００２４】なお、オルガノポリシロキサン化合物又は
その硬化物の難燃効果としては、以下のことを挙げるこ
とができる。即ち、オルガノポリシロキサン化合物は燃
焼することにより、二酸化炭素、一酸化炭素、水などを
発生し、シリカ（ＳｉＯ₂）を灰分として残す。また、
一般的にオルガノポリシロキサン化合物の燃焼状態は他
のオイル（鉱物油等）に比較して、発生するガス量が少
なく、燃焼熱も小さいため炎も小さく、周辺への延焼を
抑制するものである。

【００２５】（Ｅ）成分としては、下記平均組成式
（１）Ｒ _aＳｉＯ_(4-a)/2 …（１）で示されるオルガノポリシロキサン及びオルガノポリシ
ロキサン硬化物の微粉末より適宜選択して使用すること
ができる。

【００２６】ここで、式（１）において、Ｒは非置換又
は置換一価炭化水素基であり、非置換一価炭化水素基と
しては、炭素数１〜１０、特に１〜６のものが好まし
い。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブ
チル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、
オクチル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基、プロ
ペニル基、ブテニル基等のアルケニル基、フェニル基、
トリル基、ナフチル基等のアリール基、ベンジル基、フ
ェニルエチル基等のアラルキル基などが挙げられる。ま
た、置換一価炭化水素基としては、上記非置換の一価炭
化水素基の水素原子の一部又は全部をハロゲン原子（例
えばフッ素）、シアノ基などで置換したもののほか、置
換基としてアミノ基、エポキシ基、カルボキシル基、カ
ルビノール基、（メチル）スチリル基、（メタ）アクリ
ル基、メルカプト基、ポリエーテル基、高級脂肪酸エス
テル基、炭素数１２以上の高級アルキル基などの官能基
を含有する一価の基が挙げられる。なお、これらの官能
基は、通常炭素数２〜１０、特には炭素数３〜８程度
の、酸素原子又はイミノ基（−ＮＨ−）を介在してもよ
いアルキレン基、アリーレン基又はこれらを組合せたア
ルキレンアリーレン基を介してケイ素原子に結合する。

【００２７】また、式（１）において、ａは１≦ａ≦
３、特に１．５≦ａ≦２．５の範囲の正数である。

【００２８】ここで、上記式（１）に示されるオルガノ
ポリシロキサン化合物としては、その構造から分類して
以下のものを挙げることができる。

【００２９】ストレートオルガノポリシロキサン化合物
としては、ジメチルポリシロキサン、メチルフェニルポ
リシロキサン等が挙げられる。

【００３０】変性オルガノポリシロキサン化合物として
は、アミノ変性ポリオルガノシロキサン、エポキシ変性
オルガノポリシロキサン、カルボキシル変性オルガノポ
リシロキサン、カルビノール変性オルガノポリシロキサ
ン、メタクリル変性オルガノポリシロキサン、メルカプ
ト変性オルガノポリシロキサン、フェノール変性オルガ
ノポリシロキサン、片末端反応性オルガノポリシロキサ
ン、異種官能基変性オルガノポリシロキサン、ポリエー
テル変性オルガノポリシロキサン、メチルスチリル変性
オルガノポリシロキサン、高級アルキル変性オルガノポ
リシロキサン、高級脂肪酸エステル変性オルガノポリシ
ロキサン、高級脂肪酸含有オルガノポリシロキサン、ト
リフルオロプロピルメチルポリシロキサン等のフッ素変
性オルガノポリシロキサン等が挙げられる。

【００３１】オルガノポリシロキサンレジンとしては、
メチルポリシロキサンレジンと、メチルフェニルポリシ
ロキサンレジンとに大別され、その構造中に炭素−炭素
二重結合を有するものは難燃性が高いことが知られてい
る。

【００３２】メチルポリシロキサンレジンは、一般にＳ
ｉＯ₂、ＣＨ₃ＳｉＯ_3/2、（ＣＨ₃）₂ＳｉＯ、（ＣＨ₃）
₃ＳｉＯ_1/2の構造単位を組み合わせてできる三次元網状
構造の共重合体である。

【００３３】メチルフェニルポリシロキサンレジンは、
一般にＳｉＯ₂、ＣＨ₃ＳｉＯ_3/2、Ｃ₆Ｈ₅ＳｉＯ_3/2、
（ＣＨ₃）₂ＳｉＯ、（Ｃ₆Ｈ₅）₃ＳｉＯ_1/2、（ＣＨ₃）₃
ＳｉＯ_1/2、（Ｃ₆Ｈ₅）（ＣＨ₃）ＳｉＯ、（Ｃ₆Ｈ₅）₂
ＳｉＯの構造単位を組み合わせてできる三次元網状構造
の共重合体であり、メチルポリシロキサンレジンに比べ
耐熱性が高い。

【００３４】上記式（１）で表されるオルガノポリシロ
キサン化合物の重合度（又は分子中のケイ素原子の数）
は５〜１，０００、特に１０〜２００の範囲にあること
が好ましく、重合度が５未満では低分子量のため、揮発
性、相溶性において問題を生ずる場合があり、また、重
合度が１，０００を超える場合には粘度が高くなり、分
散性が悪くなる場合がある。

【００３５】本発明で（Ｅ）成分として用いるオルガノ
ポリシロキサン化合物の中でも、マトリックス樹脂とオ
ルガノポリシロキサン化合物との相溶性の点から、マト
リックス樹脂と強い親和性を有するポリエーテル基を有
するポリエーテル変性オルガノポリシロキサン化合物が
好適に使用される。ポリエーテル変性オルガノポリシロ
キサン化合物としては、下記のポリエーテル変性オルガ
ノポリシロキサン化合物を挙げることができる。

【００３６】

【化３】

【００３７】このポリエーテル変性オルガノポリシロキ
サンとしては、具体的に下記のものを例示することがで
きる。

【００３８】

【化４】

【００３９】なお、上述したポリエーテル変性オルガノ
ポリシロキサン化合物を相溶化剤として用い、下記に例
示するような分子鎖末端あるいは分子鎖途中のケイ素原
子に結合したアミノ官能性基あるいはエポキシ官能性基
を含有するアミノ変性オルガノポリシロキサン、エポキ
シ変性オルガノポリシロキサンなどの他のオルガノポリ
シロキサン化合物を併用してもよい。

【００４０】

【化５】

【００４１】このアミノ変性オルガノポリシロキサン、
エポキシ変性オルガノポリシロキサンとしては具体的に
下記のものなどを例示することができる。

【００４２】

【化６】

【００４３】また、本発明において、（Ｅ）成分として
用いるオルガノポリシロキサン硬化物としては特に限定
されるものでなく、以下に示すものの中から適宜選択す
ることができる。ビニル基含有オルガノポリシロキサン
とオルガノハイドロジェンポリシロキサンとを含有する
組成物を白金触媒存在下付加反応により硬化したオルガ
ノポリシロキサンゴム、末端シラノール基及び／又はア
ルコキシ基封鎖オルガノポリシロキサンと、分子中に３
個以上の加水分解性官能基を有するシラン及び／又はそ
の部分加水分解縮合物と、縮合触媒とを含有する組成物
を縮合反応により硬化したオルガノポリシロキサンゴム
（ここで、縮合反応として、脱水、脱水素、脱アルコー
ル、脱オキシム、脱アミン、脱アミド、脱カルボン酸、
脱ケトン等が挙げられる。）、有機過酸化物により加熱
硬化したオルガノポリシロキサンゴム、紫外線照射によ
り硬化したオルガノポリシロキサンゴムあるいは上記の
各反応により硬化したＳｉＯ₂単位及び／又はＲＳｉＯ
_3/2単位（Ｒは前記と同じ）を含有するオルガノポリシ
ロキサン樹脂などが挙げられる。これらのオルガノポリ
シロキサン硬化物は、予め粉砕機にて粉砕し、粉末状に
したものが用いられる。また、オルガノポリシロキサン
硬化物は、その構造中にシラノール基、ヒドロキシ基、
カルボキシ基、ビニル基、アミノ基、メルカプト基、エ
ポキシ基、メトキシ基、エトキシ基等の官能基を有する
ものを用いてもよい。なお、近年、ＩＣなどの電子部品
を成型する金型のゲートサイズはパッケージの小型化、
薄型化と共に小さくなったので、本発明で用いるオルガ
ノポリシロキサン硬化物の粒径は、成型性の点から平均
粒径５０μｍ以下のものがよく、通常０．０１〜５０μ
ｍ、特に０．１〜２０μｍ程度のものが好ましい。

【００４４】上記オルガノポリシロキサン化合物又はそ
の硬化物の添加量はエポキシ樹脂と硬化剤との合計量１
００重量部に対して０．１〜１０重量部、好ましくは
０．１〜５重量部、特に０．５〜２重量部とすることが
好ましく、０．１重量部未満の場合には難燃性効果が見
られなくなる場合があり、また１０重量部を超えると機
械的強度が低下するためである。

【００４５】本発明のエポキシ樹脂組成物には、必要に
応じ、粘度を下げる目的のために、従来より公知のｎ−
ブチルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテ
ル、スチレンオキサイド、ｔ−ブチルフェニルグリシジ
ルエーテル、ジシクロペンタジエンジエポキシド、フェ
ノール、クレゾール、ｔ−ブチルフェノールのような希
釈剤を添加することができる。

【００４６】更に、シランカップリング剤、チタン系カ
ップリング剤、アルミニウム系カップリング剤などのカ
ップリング剤やカーボンブラックなどの着色剤、ノニオ
ン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、シリコーンオイ
ルなどの濡れ向上剤や消泡剤なども場合によっては添加
することができる。

【００４７】また、遊離したハロゲンをトラップするた
めのハロゲン捕捉剤を組成物全体に対して１０重量％以
下、特に１〜５重量％程度添加することは、本発明の目
的、効果を損なわない限り任意とされる。

【００４８】本発明のエポキシ樹脂組成物の製造方法と
しては、上記した諸原料を高速混合機などを用い、均一
に混合した後、二本ロールや連続混練装置などで十分混
練すればよい。混練温度としては５０〜１１０℃が望ま
しい。混練後、薄くシート化し、冷却、粉砕することで
エポキシ樹脂組成物を製造する。

【００４９】本発明のエポキシ樹脂組成物は、半導体封
止用として用いられるが、この場合半導体装置として
は、耐熱性の要求される発熱の大きな集積回路や、高度
な信頼性を要求されるものなどを挙げることができ、特
に、高速メモリーやＣＰＵなどを封止するのに好適に用
いられる。

【００５０】なお、エポキシ樹脂組成物の成形方法とし
ては特に制限はないが、通常トランスファー成形にて行
うことができる。また、成形条件は、通常１６５〜１８
５℃、１〜３分とすることができる。

【００５１】

【発明の効果】本発明のエポキシ樹脂組成物によれば、
臭素化合物を配合することなく、難燃化と耐熱性とを両
立させた硬化物を与え、従ってこの硬化物で封止された
半導体装置は信頼性の高いものである。

【００５２】

【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。なお、以下の例において部はいずれも重量
部を示す。

【００５３】〔実施例１〜５，比較例１〜４〕表１に示
す成分を熱二本ロールにて均一に溶融混練し、冷却、粉
砕して半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物を得た。

【００５４】次に、これらの組成物につき、次の（イ）
〜（ニ）の諸試験を行った。結果を表１に示す。（イ）スパイラルフローＥＭＭＩ規格に準じた金型を使用して１７５℃、７０ｋ
ｇｆ／ｃｍ² 、成形時間１２０秒の条件で測定した。（ロ）難燃性試験ＵＬ−９４に基づき、１／１６インチ厚の板を成形し、
難燃性を調べた。（ハ）成形性各サンプルを用いてアルミ模擬素子を搭載した耐熱試験
用の１４ピンＤＩＰを、成形条件１７５℃、７０ｋｇｆ
／ｃｍ² 、成形時間１２０秒の条件で封止した際の成形
性をみた。外部ボイド、内部ボイド、未充填の成形不良
が発生しない場合を合格、成形不良が発生した場合を不
合格とした。（ニ）高温信頼性シリコンチップ上にアルミ配線を形成した模擬素子と部
分金めっきされた４２アロイフレームとを、太さ３０μ
ｍの金線でボンディングし、１７５℃、７０ｋｇｆ／ｃ
ｍ² 、成形時間１２０秒の条件で１４ピンＤＩＰを成形
した。この成形で得られたパッケージを１８０℃で４時
間ポストキュアーした後、２００℃の乾燥機に所定時間
（１６８Ｈｒ）放置した。その後、樹脂硬化物を発煙硝
酸で溶かし、チップ側のボンディング部のせん断強度を
測定した。初期強度の１／２以下になったものを不良と
した。

【００５５】

【表１】

【００５６】

【化７】＊５：信越化学工業製，ＫＢＭ４０３；γ−グリシドキ
シプロピルトリメトキシシラン＊６：試験片を成形できないため未測定

【００５７】五酸化アンチモンＡ：ゾルゲル法で製造し
たもの（平均粒径０．３μｍ，比表面積３５ｍ²／ｇ，
純度ハロゲンイオン１５ｐｐｍ）五酸化アンチモンＢ：金属アンチモンの酸化で製造した
もの（平均粒径５μｍ，比表面積２．８ｍ²／ｇ，純度
ハロゲンイオン１８０ｐｐｍ）オルガノポリシロキサン（１）ＫＦ９６：信越化学工業製，末端トリメチルシリ
ル基封鎖ジメチルポリシロキサン（２）Ｘ−２２−１６１：信越化学工業製，両末端アミ
ノ基変性ジメチルポリシロキサン（３）Ｘ−２２−３９３９Ａ：信越化学工業製，アミノ
基含有ポリエーテル変性ジメチルポリシロキサン（４）ＫＲ２１３：信越化学工業製，メトキシ基当量１
６０のメチルポリシロキサンレジン（５）Ｘ−５２−８７４Ｃ：信越化学工業製，平均粒径
１０〜１５μｍのジメチルポリシロキサン硬化物パウダ
ー

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者奥瀬聡群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料技術研究所内 (72)発明者富吉和俊群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料技術研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂：（Ａ）成分のエポキシ基１モル
に対してフェノール性水酸基が０．５〜１．６モルとな
る量、（Ｃ）無機質充填剤：（Ａ），（Ｂ）成分の合計量１
００重量部に対して５５０〜１，０００重量部、（Ｄ）ゾルゲル法により得られた五酸化アンチモン粉
末：（Ａ），（Ｂ）成分の合計量１００重量部に対して
０．５〜２０重量部、（Ｅ）オルガノポリシロキサン又はその硬化物：
（Ａ），（Ｂ）成分の合計量１００重量部に対して０．
１〜１０重量部を必須成分とし、臭素化合物を含有しないことを特徴と
する半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物。
【請求項２】（Ｅ）成分のオルガノポリシロキサンが
下記平均組成式（１）Ｒ _aＳｉＯ_(4-a)/2 …（１）（式中、Ｒは非置換又は置換の一価炭化水素基、ａは１
≦ａ≦３の正数を示す。）で示されるものである請求項
１記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項３】請求項１又は２記載のエポキシ樹脂組成
物の硬化物で封止された半導体装置。