JPH1087961A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物及び半導体装置Info
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- JPH1087961A JPH1087961A JP8262491A JP26249196A JPH1087961A JP H1087961 A JPH1087961 A JP H1087961A JP 8262491 A JP8262491 A JP 8262491A JP 26249196 A JP26249196 A JP 26249196A JP H1087961 A JPH1087961 A JP H1087961A
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 エポキシ樹脂、フェノール樹脂及び無機
質充填剤を主成分とするエポキシ樹脂組成物において、
難燃剤としてゾル−ゲル法で製造した五酸化アンチモン
を添加したことを特徴とするエポキシ樹脂組成物。 【効果】 本発明によれば、臭素化合物を配合しなくて
も、ＵＬ９４Ｖ−０の難燃グレードを達成し得る上、耐
熱性が優れ、高温信頼性の高い硬化物を与え、かかる硬
化物で封止された半導体装置は信頼性の高いものであ
る。
質充填剤を主成分とするエポキシ樹脂組成物において、
難燃剤としてゾル−ゲル法で製造した五酸化アンチモン
を添加したことを特徴とするエポキシ樹脂組成物。 【効果】 本発明によれば、臭素化合物を配合しなくて
も、ＵＬ９４Ｖ−０の難燃グレードを達成し得る上、耐
熱性が優れ、高温信頼性の高い硬化物を与え、かかる硬
化物で封止された半導体装置は信頼性の高いものであ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、臭素化合物を難燃
剤として添加せずに難燃グレードＵＬ９４Ｖ−０を達成
することができ、高温放置特性に優れた硬化物を与え、
半導体封止用として好適なエポキシ樹脂組成物、及びこ
の組成物の硬化物で封止された半導体装置に関する。
剤として添加せずに難燃グレードＵＬ９４Ｖ−０を達成
することができ、高温放置特性に優れた硬化物を与え、
半導体封止用として好適なエポキシ樹脂組成物、及びこ
の組成物の硬化物で封止された半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
デバイスの高速化に伴い素子の発熱量が非常に大きくな
り、パッケージ自体が高温になることから信頼性の上で
大きな問題となってきている。また、一方では耐半田リ
フロー性を改善するためガラス転移温度が１００℃前後
の封止樹脂が使用されるようになってきている。このよ
うな背景のもと、いかにして高温での信頼性を維持する
かが半導体業界において重要な課題である。
デバイスの高速化に伴い素子の発熱量が非常に大きくな
り、パッケージ自体が高温になることから信頼性の上で
大きな問題となってきている。また、一方では耐半田リ
フロー性を改善するためガラス転移温度が１００℃前後
の封止樹脂が使用されるようになってきている。このよ
うな背景のもと、いかにして高温での信頼性を維持する
かが半導体業界において重要な課題である。
【０００３】高温での不良として最も問題となるのは、
高温下で難燃剤として使用されている臭素化合物やアン
チモン化合物が分解し、金線とアルミニウムの接続部で
化学反応を起こし、接続部の抵抗が大きくなったり、場
合によっては断線にいたるものである。この不良は特に
封止材としてガラス転移温度の低い材料を使用した場合
に顕著になる。
高温下で難燃剤として使用されている臭素化合物やアン
チモン化合物が分解し、金線とアルミニウムの接続部で
化学反応を起こし、接続部の抵抗が大きくなったり、場
合によっては断線にいたるものである。この不良は特に
封止材としてガラス転移温度の低い材料を使用した場合
に顕著になる。
【０００４】本発明は上記事情を改善するためになされ
たもので、優れた難燃性を有すると共に、高温放置特性
に優れ、高温信頼性の高い硬化物を与えるエポキシ樹脂
組成物、及びこの組成物の硬化物で封止された半導体装
置を提供することを目的とする。
たもので、優れた難燃性を有すると共に、高温放置特性
に優れ、高温信頼性の高い硬化物を与えるエポキシ樹脂
組成物、及びこの組成物の硬化物で封止された半導体装
置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結
果、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及び無機質充填剤を
主成分とするエポキシ樹脂組成物に対し、ゾル−ゲル法
で製造した高純度の五酸化アンチモンを難燃剤として添
加することにより、臭素化合物を用いなくとも難燃化が
可能となり、かつ高温での信頼性も優れ、半導体封止用
として有効なエポキシ樹脂組成物が得られることを見出
し、本発明をなすに至ったものである。
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結
果、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及び無機質充填剤を
主成分とするエポキシ樹脂組成物に対し、ゾル−ゲル法
で製造した高純度の五酸化アンチモンを難燃剤として添
加することにより、臭素化合物を用いなくとも難燃化が
可能となり、かつ高温での信頼性も優れ、半導体封止用
として有効なエポキシ樹脂組成物が得られることを見出
し、本発明をなすに至ったものである。
【０００６】以下、本発明について更に詳しく説明する
と、本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、フ
ェノール樹脂及び無機質充填剤を主成分とし、かつ難燃
剤としてゾル−ゲル法で製造した五酸化アンチモンを添
加したものである。
と、本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、フ
ェノール樹脂及び無機質充填剤を主成分とし、かつ難燃
剤としてゾル−ゲル法で製造した五酸化アンチモンを添
加したものである。
【０００７】ここで、本発明で使用するエポキシ樹脂と
しては、従来から公知の１分子当たり２個以上のエポキ
シ基を持ったものであればいかなるものでも使用するこ
とができる。具体的には、ビスフェノールＡ型エポキシ
樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノ
ボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エ
ポキシ樹脂、シクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリ
フェノールアルカン型エポキシ樹脂などが例示される。
これらエポキシ樹脂の中でもナフタレン型エポキシ樹
脂、ビフェニル型エポキシ樹脂や下記構造式で示される
液晶構造を有するものが望ましい。
しては、従来から公知の１分子当たり２個以上のエポキ
シ基を持ったものであればいかなるものでも使用するこ
とができる。具体的には、ビスフェノールＡ型エポキシ
樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノ
ボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エ
ポキシ樹脂、シクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリ
フェノールアルカン型エポキシ樹脂などが例示される。
これらエポキシ樹脂の中でもナフタレン型エポキシ樹
脂、ビフェニル型エポキシ樹脂や下記構造式で示される
液晶構造を有するものが望ましい。
【０００８】
【化１】
【０００９】これらエポキシ樹脂中の全塩素含有量は
１，５００ｐｐｍ以下、望ましくは１，０００ｐｐｍ以
下であることが好ましい。また、１２０℃で５０％エポ
キシ樹脂濃度における２０時間での抽出水塩素が５ｐｐ
ｍ以下であることが好ましい。全塩素含有量が１，５０
０ｐｐｍを超えたり、抽出水塩素が５ｐｐｍを超える
と、半導体の耐湿信頼性が低下するおそれがある。
１，５００ｐｐｍ以下、望ましくは１，０００ｐｐｍ以
下であることが好ましい。また、１２０℃で５０％エポ
キシ樹脂濃度における２０時間での抽出水塩素が５ｐｐ
ｍ以下であることが好ましい。全塩素含有量が１，５０
０ｐｐｍを超えたり、抽出水塩素が５ｐｐｍを超える
と、半導体の耐湿信頼性が低下するおそれがある。
【００１０】次に、フェノール樹脂は、エポキシ樹脂の
硬化剤として作用するもので、フェノール樹脂として
は、１分子中にフェノール性の水酸基が２個以上あれば
いかなるものでも使用可能である。具体的には、フェノ
ールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェ
ノールアラルキル樹脂、ナフタレン型フェノール樹脂、
シクロペンタジエン型フェノール樹脂、トリフェノール
アルカン型樹脂などが挙げられる。中でも下記構造のフ
ェノール性水酸基を含有するものなどが望ましい。
硬化剤として作用するもので、フェノール樹脂として
は、１分子中にフェノール性の水酸基が２個以上あれば
いかなるものでも使用可能である。具体的には、フェノ
ールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェ
ノールアラルキル樹脂、ナフタレン型フェノール樹脂、
シクロペンタジエン型フェノール樹脂、トリフェノール
アルカン型樹脂などが挙げられる。中でも下記構造のフ
ェノール性水酸基を含有するものなどが望ましい。
【００１１】
【化２】 （ただし、上記各式において、ｎは０〜５の整数を示
す。）
す。）
【００１２】なお、フェノール樹脂としては、抽出され
る塩素イオンやナトリウムイオンなどはいずれも１０ｐ
ｐｍ以下、特に５ｐｐｍ以下であることが好ましい。
る塩素イオンやナトリウムイオンなどはいずれも１０ｐ
ｐｍ以下、特に５ｐｐｍ以下であることが好ましい。
【００１３】エポキシ樹脂とフェノール樹脂の混合割合
は、エポキシ基１モルに対しフェノール性水酸基が０．
５〜１．６モル、望ましくは０．６〜１．４モルであ
る。０．５モル未満では水酸基が不足し、エポキシ基の
単独重合の割合が多くなり、ガラス転移温度が低くなる
場合がある。また、１．６モルを超えるとフェノール性
水酸基の比率が高くなり、反応性が低下するほか、架橋
密度が低く十分な強度が得られないものとなる場合があ
る。
は、エポキシ基１モルに対しフェノール性水酸基が０．
５〜１．６モル、望ましくは０．６〜１．４モルであ
る。０．５モル未満では水酸基が不足し、エポキシ基の
単独重合の割合が多くなり、ガラス転移温度が低くなる
場合がある。また、１．６モルを超えるとフェノール性
水酸基の比率が高くなり、反応性が低下するほか、架橋
密度が低く十分な強度が得られないものとなる場合があ
る。
【００１４】本発明に使用される充填剤としては、ボー
ルミルなどで粉砕した溶融シリカや火炎溶融することで
得られる球状シリカ、ゾル−ゲル法などで製造される球
状シリカ、結晶シリカ、アルミナ、ボロンナイトライ
ド、窒化アルミ、窒化ケイ素、マグネシア、マグネシウ
ムシリケートなどが挙げられる。半導体素子が発熱の大
きい素子の場合、熱伝導率ができるだけ大きくかつ膨張
係数の小さなアルミナ、ボロンナイトライド、窒化アル
ミ、窒化ケイ素などを充填剤として使用することが望ま
しい。また、溶融シリカなどとブレンドして使用しても
よい。なお、無機質充填剤としては、比表面積（ＢＥＴ
法）が３ｍ2／ｇ以下、好ましくは１〜２．５ｍ2／ｇの
ものが好ましい。
ルミルなどで粉砕した溶融シリカや火炎溶融することで
得られる球状シリカ、ゾル−ゲル法などで製造される球
状シリカ、結晶シリカ、アルミナ、ボロンナイトライ
ド、窒化アルミ、窒化ケイ素、マグネシア、マグネシウ
ムシリケートなどが挙げられる。半導体素子が発熱の大
きい素子の場合、熱伝導率ができるだけ大きくかつ膨張
係数の小さなアルミナ、ボロンナイトライド、窒化アル
ミ、窒化ケイ素などを充填剤として使用することが望ま
しい。また、溶融シリカなどとブレンドして使用しても
よい。なお、無機質充填剤としては、比表面積（ＢＥＴ
法）が３ｍ2／ｇ以下、好ましくは１〜２．５ｍ2／ｇの
ものが好ましい。
【００１５】無機質充填剤の使用量は、エポキシ樹脂と
フェノール樹脂との合計量１００重量部に対して５５０
〜１，０００重量部が好ましい。５５０重量部未満で
は、五酸化アンチモンの添加によっても難燃化が不十分
な場合がある上、膨張係数を十分に下げることができ
ず、吸水率も多くなり、半田リフローの際の温度でパッ
ケージにクラックが入ってしまうおそれがある。一方、
１，０００重量部を超えると、粘度が高くなりすぎて成
形できなくなる場合がある。
フェノール樹脂との合計量１００重量部に対して５５０
〜１，０００重量部が好ましい。５５０重量部未満で
は、五酸化アンチモンの添加によっても難燃化が不十分
な場合がある上、膨張係数を十分に下げることができ
ず、吸水率も多くなり、半田リフローの際の温度でパッ
ケージにクラックが入ってしまうおそれがある。一方、
１，０００重量部を超えると、粘度が高くなりすぎて成
形できなくなる場合がある。
【００１６】本発明のエポキシ樹脂組成物には、上記成
分に加えて難燃剤としてゾル−ゲル法によって得られる
五酸化アンチモンを配合する。このゾル−ゲル法によっ
て製造した五酸化アンチモンは、金属アンチモンの酸化
によって得られるものとは異なり、純度的に非常に精製
されているものである。そのため、五酸化アンチモン中
に残存する鉛や砒素のような重金属及びアルカリ金属イ
オンやハロゲンイオンはいずれも１００ｐｐｍ以下、望
ましくは５０ｐｐｍ以下である。また、本発明で使用す
る五酸化アンチモンの粒度はできるだけ細かいものが望
ましい。通常使用できる粒度としては、平均一次粒子径
が０．０１〜５μｍで比表面積が１〜１００ｍ2／ｇの
ものであり、より望ましくは平均一次粒子径が０．０１
〜１μｍで比表面積が２０〜１００ｍ2／ｇである。
分に加えて難燃剤としてゾル−ゲル法によって得られる
五酸化アンチモンを配合する。このゾル−ゲル法によっ
て製造した五酸化アンチモンは、金属アンチモンの酸化
によって得られるものとは異なり、純度的に非常に精製
されているものである。そのため、五酸化アンチモン中
に残存する鉛や砒素のような重金属及びアルカリ金属イ
オンやハロゲンイオンはいずれも１００ｐｐｍ以下、望
ましくは５０ｐｐｍ以下である。また、本発明で使用す
る五酸化アンチモンの粒度はできるだけ細かいものが望
ましい。通常使用できる粒度としては、平均一次粒子径
が０．０１〜５μｍで比表面積が１〜１００ｍ2／ｇの
ものであり、より望ましくは平均一次粒子径が０．０１
〜１μｍで比表面積が２０〜１００ｍ2／ｇである。
【００１７】なお従来、五酸化アンチモンと臭素化合物
を併用して使用することで難燃化と耐熱性を向上させる
こと、Ｎａ含有量を０．０３〜０．０６％とした五酸化
アンチモンと臭素化合物、及び場合によっては三酸化ビ
スマス、水和炭酸マグネシウムアルミニウムを使用して
耐熱性を向上させることは既によく知られていることで
ある（米国特許第４２８２１３６号，特公平６−８３７
９号，特表平６−５０８８５７号公報）。しかし、これ
らはいずれも臭素化合物を使用しているため、高温下で
炭素−臭素結合が分解し、臭素が容易に遊離するといっ
た問題があり、イオントラップ剤やｐＨ調整剤のような
化合物の添加が必須であった。
を併用して使用することで難燃化と耐熱性を向上させる
こと、Ｎａ含有量を０．０３〜０．０６％とした五酸化
アンチモンと臭素化合物、及び場合によっては三酸化ビ
スマス、水和炭酸マグネシウムアルミニウムを使用して
耐熱性を向上させることは既によく知られていることで
ある（米国特許第４２８２１３６号，特公平６−８３７
９号，特表平６−５０８８５７号公報）。しかし、これ
らはいずれも臭素化合物を使用しているため、高温下で
炭素−臭素結合が分解し、臭素が容易に遊離するといっ
た問題があり、イオントラップ剤やｐＨ調整剤のような
化合物の添加が必須であった。
【００１８】これに対し、本発明は、上記ゾル−ゲル法
によって得られる高純度の五酸化アンチモンの使用、更
に好ましくは上述したように無機質充填剤を高充填する
ことで、臭素化合物を使用することなく難燃化と耐熱性
を両立させることができるものである。このため、上記
のような不都合なく、信頼性の高いエポキシ樹脂組成物
が得られるものである。
によって得られる高純度の五酸化アンチモンの使用、更
に好ましくは上述したように無機質充填剤を高充填する
ことで、臭素化合物を使用することなく難燃化と耐熱性
を両立させることができるものである。このため、上記
のような不都合なく、信頼性の高いエポキシ樹脂組成物
が得られるものである。
【００１９】本発明において、五酸化アンチモンの使用
量は、エポキシ樹脂と硬化剤の合計量１００重量部に対
し０．５〜２０重量部、より望ましくは１〜１５重量部
であることが好ましい。０．５重量部未満では難燃化が
不十分であり、２０重量部を超えるとコストアップにな
る上、アンチモン含有量が多くなりすぎ、高温で長時間
保管した際の半導体の信頼性を損なうおそれがある。
量は、エポキシ樹脂と硬化剤の合計量１００重量部に対
し０．５〜２０重量部、より望ましくは１〜１５重量部
であることが好ましい。０．５重量部未満では難燃化が
不十分であり、２０重量部を超えるとコストアップにな
る上、アンチモン含有量が多くなりすぎ、高温で長時間
保管した際の半導体の信頼性を損なうおそれがある。
【００２０】本発明の組成物には、硬化促進剤を配合す
ることができる。硬化促進剤としてはリン系、イミダゾ
ール誘導体、シクロアミジン系誘導体などを使用するこ
とができる。硬化促進剤の量としては、エポキシ樹脂と
フェノール樹脂の合計量１００重量部に対し、０．０１
〜１０重量部である。
ることができる。硬化促進剤としてはリン系、イミダゾ
ール誘導体、シクロアミジン系誘導体などを使用するこ
とができる。硬化促進剤の量としては、エポキシ樹脂と
フェノール樹脂の合計量１００重量部に対し、０．０１
〜１０重量部である。
【００２１】更に、本発明の組成物には、従来から公知
のシリコーンゴムやゲルなどの粉末、シリコーン変性エ
ポキシ樹脂やシリコーン変性フェノール樹脂、メタクリ
ル酸メチル−ブタジエン−スチレンよりなる熱可塑性樹
脂などを低応力化剤として添加してもよい。
のシリコーンゴムやゲルなどの粉末、シリコーン変性エ
ポキシ樹脂やシリコーン変性フェノール樹脂、メタクリ
ル酸メチル−ブタジエン−スチレンよりなる熱可塑性樹
脂などを低応力化剤として添加してもよい。
【００２２】また、粘度を下げる目的のために、従来よ
り公知のｎ−ブチルグリシジルエーテル、フェニルグリ
シジルエーテル、スチレンオキサイド、ｔ−ブチルフェ
ニルグリシジルエーテル、ジシクロペンタジエンジエポ
キシド、フェノール、クレゾール、ｔ−ブチルフェノー
ルのようなエポキシ基あるいはフェノール性水酸基を有
する希釈剤を添加することができる。更に、シランカッ
プリング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系
カップリング剤などのカップリング剤やカーボンブラッ
クなどの着色剤、ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面
活性剤、シリコーンオイルなどの濡れ向上剤や消泡剤な
ども場合によっては添加することができる。
り公知のｎ−ブチルグリシジルエーテル、フェニルグリ
シジルエーテル、スチレンオキサイド、ｔ−ブチルフェ
ニルグリシジルエーテル、ジシクロペンタジエンジエポ
キシド、フェノール、クレゾール、ｔ−ブチルフェノー
ルのようなエポキシ基あるいはフェノール性水酸基を有
する希釈剤を添加することができる。更に、シランカッ
プリング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系
カップリング剤などのカップリング剤やカーボンブラッ
クなどの着色剤、ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面
活性剤、シリコーンオイルなどの濡れ向上剤や消泡剤な
ども場合によっては添加することができる。
【００２３】本発明のエポキシ樹脂組成物の製造方法と
しては、上記した諸原料を高速混合機などを用い、均一
に混合した後、二本ロールや連続混練装置などで十分混
練すればよい。混練温度としては５０〜１１０℃が望ま
しい。混練後、薄くシート化し、冷却、粉砕することで
エポキシ樹脂組成物を製造することができる。本発明の
樹脂組成物は、一般成形材料として、更に半導体封止材
料として利用される。
しては、上記した諸原料を高速混合機などを用い、均一
に混合した後、二本ロールや連続混練装置などで十分混
練すればよい。混練温度としては５０〜１１０℃が望ま
しい。混練後、薄くシート化し、冷却、粉砕することで
エポキシ樹脂組成物を製造することができる。本発明の
樹脂組成物は、一般成形材料として、更に半導体封止材
料として利用される。
【００２４】なお、本発明のエポキシ樹脂組成物は、従
来より採用されている成形法、例えばトランスファー成
形、圧縮成形、インジェクション成形、注型法などを採
用して行うことができる。この場合、エポキシ樹脂組成
物の成形温度は１５０〜１８５℃で３０〜１８０秒間、
ポストキュアーは１５０〜１８０℃で２〜１６時間行う
ことが望ましい。本発明のエポキシ樹脂組成物は、常法
に従って半導体装置を樹脂封止することができるが、こ
の場合、半導体装置としては、ＩＣ、ＬＳＩなどの高集
積デバイスやトランジスター、ダイオード、コンデンサ
ーなどのディスクリートデバイスなどを挙げることがで
きる。特に高温での信頼性が要求されるロジックやメモ
リーなどのＬＳＩ封止に適したものである。
来より採用されている成形法、例えばトランスファー成
形、圧縮成形、インジェクション成形、注型法などを採
用して行うことができる。この場合、エポキシ樹脂組成
物の成形温度は１５０〜１８５℃で３０〜１８０秒間、
ポストキュアーは１５０〜１８０℃で２〜１６時間行う
ことが望ましい。本発明のエポキシ樹脂組成物は、常法
に従って半導体装置を樹脂封止することができるが、こ
の場合、半導体装置としては、ＩＣ、ＬＳＩなどの高集
積デバイスやトランジスター、ダイオード、コンデンサ
ーなどのディスクリートデバイスなどを挙げることがで
きる。特に高温での信頼性が要求されるロジックやメモ
リーなどのＬＳＩ封止に適したものである。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、臭素化合物を配合しな
くても、ＵＬ９４Ｖ−０の難燃グレードを達成し得る
上、耐熱性が優れ、高温信頼性の高い硬化物を与え、か
かる硬化物で封止された半導体装置は信頼性の高いもの
である。
くても、ＵＬ９４Ｖ−０の難燃グレードを達成し得る
上、耐熱性が優れ、高温信頼性の高い硬化物を与え、か
かる硬化物で封止された半導体装置は信頼性の高いもの
である。
【００２６】
【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。なお、以下の例において、部はいずれも重
量部を示す。
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。なお、以下の例において、部はいずれも重
量部を示す。
【００２７】〔実施例１〜５，比較例１〜３〕表１に示
す成分を熱二本ロールにて均一に溶融混練し、冷却、粉
砕して半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
す成分を熱二本ロールにて均一に溶融混練し、冷却、粉
砕して半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
【００２８】次に、これらの組成物につき、以下の
（イ）〜（ニ）の諸試験を行った。結果を表１に示す。 （イ）スパイラルフロー ＥＭＭＩ規格に準じた金型を使用して１７５℃、７０ｋ
ｇｆ／ｃｍ2 、成形時間１２０秒の条件で測定した。 （ロ）難燃性試験 ＵＬ−９４に基づき、１／１６インチ厚の板を成形し、
難燃性を調べた。 （ハ）成形性 各サンプルを用いてアルミ模擬素子を搭載した耐熱試験
用の１４ピンＤＩＰを、成形条件１７５℃、７０ｋｇｆ
／ｃｍ2 、成形時間１２０秒の条件で封止した際の成形
性をみた。外部ボイド、内部ボイド、未充填の成形不良
が発生しない場合を合格、成形不良が発生した場合を不
合格とした。 （ニ）高温信頼性 シリコンチップ上にアルミ配線を形成した模擬素子と部
分金めっきされた４２アロイフレームとを、太さ３０μ
ｍの金線でボンディングし、１７５℃、７０ｋｇｆ／ｃ
ｍ2 、成形時間１２０秒の条件で１４ピンＤＩＰを成形
した。この成形で得られたパッケージを１８０℃で４時
間ポストキュアーした後、２００℃の乾燥機に所定時間
（１６８Ｈｒ）放置した。その後、樹脂硬化物を発煙硝
酸で溶かし、チップ側のボンディング部のせん断強度を
測定した。初期強度の１／２以下になったものを不良と
した。
（イ）〜（ニ）の諸試験を行った。結果を表１に示す。 （イ）スパイラルフロー ＥＭＭＩ規格に準じた金型を使用して１７５℃、７０ｋ
ｇｆ／ｃｍ2 、成形時間１２０秒の条件で測定した。 （ロ）難燃性試験 ＵＬ−９４に基づき、１／１６インチ厚の板を成形し、
難燃性を調べた。 （ハ）成形性 各サンプルを用いてアルミ模擬素子を搭載した耐熱試験
用の１４ピンＤＩＰを、成形条件１７５℃、７０ｋｇｆ
／ｃｍ2 、成形時間１２０秒の条件で封止した際の成形
性をみた。外部ボイド、内部ボイド、未充填の成形不良
が発生しない場合を合格、成形不良が発生した場合を不
合格とした。 （ニ）高温信頼性 シリコンチップ上にアルミ配線を形成した模擬素子と部
分金めっきされた４２アロイフレームとを、太さ３０μ
ｍの金線でボンディングし、１７５℃、７０ｋｇｆ／ｃ
ｍ2 、成形時間１２０秒の条件で１４ピンＤＩＰを成形
した。この成形で得られたパッケージを１８０℃で４時
間ポストキュアーした後、２００℃の乾燥機に所定時間
（１６８Ｈｒ）放置した。その後、樹脂硬化物を発煙硝
酸で溶かし、チップ側のボンディング部のせん断強度を
測定した。初期強度の１／２以下になったものを不良と
した。
【００２９】
【表１】
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ 23/31 (72)発明者 奥瀬 聡 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 エポキシ樹脂、フェノール樹脂及び無機
質充填剤を主成分とするエポキシ樹脂組成物において、
難燃剤としてゾル−ゲル法で製造した五酸化アンチモン
を添加したことを特徴とするエポキシ樹脂組成物。 - 【請求項２】 無機質充填剤の配合量がエポキシ樹脂と
フェノール樹脂との合計量１００重量部に対し５５０〜
１，０００重量部である請求項１記載のエポキシ樹脂組
成物。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載のエポキシ樹脂組成
物の硬化物で封止された半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8262491A JPH1087961A (ja) | 1996-09-11 | 1996-09-11 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8262491A JPH1087961A (ja) | 1996-09-11 | 1996-09-11 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1087961A true JPH1087961A (ja) | 1998-04-07 |
Family
ID=17376542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8262491A Pending JPH1087961A (ja) | 1996-09-11 | 1996-09-11 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1087961A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100740895B1 (ko) * | 2005-12-30 | 2007-07-19 | 제일모직주식회사 | 재작업이 가능한 고신뢰성 반도체 사이드필용 액상 에폭시수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자 |
-
1996
- 1996-09-11 JP JP8262491A patent/JPH1087961A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100740895B1 (ko) * | 2005-12-30 | 2007-07-19 | 제일모직주식회사 | 재작업이 가능한 고신뢰성 반도체 사이드필용 액상 에폭시수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자 |
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