JPH10199058A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH10199058A JPH10199058A JP393497A JP393497A JPH10199058A JP H10199058 A JPH10199058 A JP H10199058A JP 393497 A JP393497 A JP 393497A JP 393497 A JP393497 A JP 393497A JP H10199058 A JPH10199058 A JP H10199058A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- recording
- temperature
- curie temperature
- intermediate layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】リード耐久性と広いロー記録マージン及び良好
なバイアス磁界特性を有し、その結果、優れたオーバー
ライト特性が得られるものとする。 【解決手段】低いキュリー温度ＴC1と高い保磁力を有し
垂直磁気異方性の記録層２と、記録層２より高いキュリ
ー温度ＴC2と低い保磁力とを有し垂直磁気異方性の記録
補助層５と、記録層２と記録補助層５の間に設けられ、
両層の交換結合力を調整する中間層を有する光磁気記録
媒体であって、中間層が記録層側の第１中間層３と記録
補助層側の第２中間層４の少なくとも２層から成り、第
１中間層３はキュリー温度ＴCI1 がＴC1より高い垂直磁
化膜であり、前記第２中間層４はキュリー温度ＴCI2 が
１００℃≦ＴCI2 ≦ＴC2である面内磁化膜である。
なバイアス磁界特性を有し、その結果、優れたオーバー
ライト特性が得られるものとする。 【解決手段】低いキュリー温度ＴC1と高い保磁力を有し
垂直磁気異方性の記録層２と、記録層２より高いキュリ
ー温度ＴC2と低い保磁力とを有し垂直磁気異方性の記録
補助層５と、記録層２と記録補助層５の間に設けられ、
両層の交換結合力を調整する中間層を有する光磁気記録
媒体であって、中間層が記録層側の第１中間層３と記録
補助層側の第２中間層４の少なくとも２層から成り、第
１中間層３はキュリー温度ＴCI1 がＴC1より高い垂直磁
化膜であり、前記第２中間層４はキュリー温度ＴCI2 が
１００℃≦ＴCI2 ≦ＴC2である面内磁化膜である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光強度変調方式等
の熱磁気記録により２値情報をオーバーライト可能で、
カー効果等の磁気光学効果により再生を行う光磁気記録
媒体に関する。
の熱磁気記録により２値情報をオーバーライト可能で、
カー効果等の磁気光学効果により再生を行う光磁気記録
媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のオーバーライト可能な光磁気記録
媒体（以下、媒体と略す）の一例として、低いキュリー
温度と高い保磁力を有する第１磁性層と、これに比べて
相対的に高いキュリー温度と低い保磁力を有する第２磁
性層とから構成される２層の垂直磁化膜と、両磁性層間
に設けられた中間層とを有し、前記中間層による交換結
合力よりも第１，第２磁性層の保磁力が大きく、中間層
を形成する材料が無機の非磁性物質か、あるいは室温で
磁化成分が垂直よりも面内成分が大きいような組成の磁
性材料から成ることにより、第１，第２磁性層間に働く
交換相互作用を適切な大きさに抑制し、かつ記録ビット
を安定に存在させるようにしたものが提案されている
（特開昭６３−２３９６３７号参照）。以下、これを従
来例Ａとする。
媒体（以下、媒体と略す）の一例として、低いキュリー
温度と高い保磁力を有する第１磁性層と、これに比べて
相対的に高いキュリー温度と低い保磁力を有する第２磁
性層とから構成される２層の垂直磁化膜と、両磁性層間
に設けられた中間層とを有し、前記中間層による交換結
合力よりも第１，第２磁性層の保磁力が大きく、中間層
を形成する材料が無機の非磁性物質か、あるいは室温で
磁化成分が垂直よりも面内成分が大きいような組成の磁
性材料から成ることにより、第１，第２磁性層間に働く
交換相互作用を適切な大きさに抑制し、かつ記録ビット
を安定に存在させるようにしたものが提案されている
（特開昭６３−２３９６３７号参照）。以下、これを従
来例Ａとする。
【０００３】従来例Ａにおいて、中間層としては、キュ
リー温度が室温以上で記録層のキュリー温度以下で、面
内磁化膜であるＤｙ15Ｆｅ85（キュリー温度６０℃），
Ｔｂ7 Ｄｙ6 Ｆｅ83Ｃｒ4 （キュリー温度５０℃）が、
オーバーライト特性が良好であり、厚さが２０〜５０Å
以上とその他の材料よりも広い膜厚範囲であるとしてい
る。
リー温度が室温以上で記録層のキュリー温度以下で、面
内磁化膜であるＤｙ15Ｆｅ85（キュリー温度６０℃），
Ｔｂ7 Ｄｙ6 Ｆｅ83Ｃｒ4 （キュリー温度５０℃）が、
オーバーライト特性が良好であり、厚さが２０〜５０Å
以上とその他の材料よりも広い膜厚範囲であるとしてい
る。
【０００４】また、低いキュリー温度と高い保磁力を有
し垂直磁気異方性を示す第１磁性層と、これに比べて相
対的に高いキュリー温度と低い保磁力を有し垂直磁気異
方性を示す第３磁性層と、両磁性層間に設けられ、室温
で面内磁気異方性で昇温時に垂直磁気異方性を示す第２
磁性層（中間層）とから成るよう構成することにより、
第１，第３磁性層間に働く交換力を調整し、室温よりも
記録が行われる際の高温でより大きな交換力が働くよう
にしたものが知られている（特開昭６３−３１６３４３
号参照）。以下、これを従来例Ｂとする。
し垂直磁気異方性を示す第１磁性層と、これに比べて相
対的に高いキュリー温度と低い保磁力を有し垂直磁気異
方性を示す第３磁性層と、両磁性層間に設けられ、室温
で面内磁気異方性で昇温時に垂直磁気異方性を示す第２
磁性層（中間層）とから成るよう構成することにより、
第１，第３磁性層間に働く交換力を調整し、室温よりも
記録が行われる際の高温でより大きな交換力が働くよう
にしたものが知られている（特開昭６３−３１６３４３
号参照）。以下、これを従来例Ｂとする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例Ａについて、本発明者が前記Ｄｙ15Ｆｅ85，Ｔｂ7
Ｄｙ6 Ｆｅ83Ｃｒ4 等の材料について詳細に調査研究を
行った結果、オーバーライト特性、特にローパワー記録
（以下、ロー記録という）と再生（リード）に対する安
定性（以下、リード耐久性という）の点で、両特性を十
分に満たすものは見い出せなかった。これは、再生時に
上昇した媒体の温度と、ロー記録時に上昇した媒体の温
度との間に、温度に関する明確で急峻な閾値が得にくい
ためと考えられる。つまり、前記の材料はキュリー温度
が低過ぎるため、リード耐久性が劣化し易いものと認め
られる。また、前記の材料は好適な組成範囲がきわめて
狭いため、量産に適したものとはいえない。
来例Ａについて、本発明者が前記Ｄｙ15Ｆｅ85，Ｔｂ7
Ｄｙ6 Ｆｅ83Ｃｒ4 等の材料について詳細に調査研究を
行った結果、オーバーライト特性、特にローパワー記録
（以下、ロー記録という）と再生（リード）に対する安
定性（以下、リード耐久性という）の点で、両特性を十
分に満たすものは見い出せなかった。これは、再生時に
上昇した媒体の温度と、ロー記録時に上昇した媒体の温
度との間に、温度に関する明確で急峻な閾値が得にくい
ためと考えられる。つまり、前記の材料はキュリー温度
が低過ぎるため、リード耐久性が劣化し易いものと認め
られる。また、前記の材料は好適な組成範囲がきわめて
狭いため、量産に適したものとはいえない。
【０００６】上記従来例Ｂの場合、中間層に、室温で面
内磁気異方性で昇温時に垂直磁気異方性であるという特
性を付与しようとすれば、大部分の材料でキュリー温度
が高くなり、その結果、記録磁界感度特性等において問
題がある。つまり、記録層と記録補助層が交換結合した
温度範囲が広くなり過ぎ、高温でこれらの交換結合を遮
断した状態で、記録補助層のみの磁化方向を記録磁界に
より反転させることが困難になる。
内磁気異方性で昇温時に垂直磁気異方性であるという特
性を付与しようとすれば、大部分の材料でキュリー温度
が高くなり、その結果、記録磁界感度特性等において問
題がある。つまり、記録層と記録補助層が交換結合した
温度範囲が広くなり過ぎ、高温でこれらの交換結合を遮
断した状態で、記録補助層のみの磁化方向を記録磁界に
より反転させることが困難になる。
【０００７】それは以下の理由による。従来より、室温
で面内磁気異方性で昇温時に垂直磁気異方性であるとい
う特性を有する材料は、温度によるスピン再配列、特に
電子スピンの再配列を示す材料として知られており、例
えば従来例Ｂには、ＤｙＣｏ5 が、５０〜１００℃の温
度域で磁化容易軸が基板面の面内方向から垂直方向に変
化することが記載されている。また、従来より磁性薄膜
の飽和磁化をＭS 、膜面に垂直な方向の一軸異方性をＨ
K とすると、この磁性薄膜が膜面に垂直な磁化方向を有
するためには、ＨK ≧４πＭS であることが必要であ
る。そこで、前記の条件を満足させるためには、中間層
のキュリー温度を記録補助層の記録温度付近（約２００
℃以上）にするとよい。つまり、キュリー温度付近で急
激なＭS の減少があるので、室温でＨK ＜４πＭS であ
ったものが記録温度域でＨK ≧４πＭS となり得る。
で面内磁気異方性で昇温時に垂直磁気異方性であるとい
う特性を有する材料は、温度によるスピン再配列、特に
電子スピンの再配列を示す材料として知られており、例
えば従来例Ｂには、ＤｙＣｏ5 が、５０〜１００℃の温
度域で磁化容易軸が基板面の面内方向から垂直方向に変
化することが記載されている。また、従来より磁性薄膜
の飽和磁化をＭS 、膜面に垂直な方向の一軸異方性をＨ
K とすると、この磁性薄膜が膜面に垂直な磁化方向を有
するためには、ＨK ≧４πＭS であることが必要であ
る。そこで、前記の条件を満足させるためには、中間層
のキュリー温度を記録補助層の記録温度付近（約２００
℃以上）にするとよい。つまり、キュリー温度付近で急
激なＭS の減少があるので、室温でＨK ＜４πＭS であ
ったものが記録温度域でＨK ≧４πＭS となり得る。
【０００８】しかしながら、従来例Ｂに示されたＴｂＧ
ｄＦｅ膜はキュリー温度が１５０℃程度と低く、実際の
高Ｃ／Ｎ媒体の場合、一般的に記録層のキュリー温度は
２００℃前後であることから、前記ＴｂＧｄＦｅ膜は実
際上使用できない。それ故、ＧｄＦｅＣｏ膜がよく使用
されるが、この膜はＴｂを含まないため磁気の異方性が
小さく、キュリー温度直前に垂直磁化膜化することの再
現性がきわめて不安定である。また、成膜条件のばらつ
きに起因する中間層，記録層及び記録補助層の内部応力
変動、あるいはこれらの磁性層の組成のばらつきによっ
て、磁気の異方性やキュリー温度は変動するが、特にＧ
ｄＦｅＣｏ膜の場合はこれらの特性を均一にかつ再現性
良く発現させることは困難である。
ｄＦｅ膜はキュリー温度が１５０℃程度と低く、実際の
高Ｃ／Ｎ媒体の場合、一般的に記録層のキュリー温度は
２００℃前後であることから、前記ＴｂＧｄＦｅ膜は実
際上使用できない。それ故、ＧｄＦｅＣｏ膜がよく使用
されるが、この膜はＴｂを含まないため磁気の異方性が
小さく、キュリー温度直前に垂直磁化膜化することの再
現性がきわめて不安定である。また、成膜条件のばらつ
きに起因する中間層，記録層及び記録補助層の内部応力
変動、あるいはこれらの磁性層の組成のばらつきによっ
て、磁気の異方性やキュリー温度は変動するが、特にＧ
ｄＦｅＣｏ膜の場合はこれらの特性を均一にかつ再現性
良く発現させることは困難である。
【０００９】更には、ＧｄＦｅＣｏ膜に発現した垂直磁
化による交換結合力も小さすぎるため、記録層の磁化方
向を前記交換結合力により反転させるのが難しくなる。
従って、ロー記録が不可能か、可能であっても再生感度
が不十分となる。これを回避するために、より希土類元
素（以下、ＲＥとする）リッチな組成とし、補償温度を
２００℃付近にして、補償温度前後の垂直磁化による交
換結合力を大きくすることもできる。しかし、そのキュ
リー温度が３５０℃以上と高いため、記録補助層のキュ
リー温度付近でも中間層の磁化が十分に残存している。
その結果、記録補助層と中間層が交換結合し、記録補助
層の磁化方向を反転させるような実効的なバイアス磁界
を大きくする必要が生じ、ハイパワー記録（以下、ハイ
記録という）時のバイアス磁界特性が著しく劣化するこ
ととなる。
化による交換結合力も小さすぎるため、記録層の磁化方
向を前記交換結合力により反転させるのが難しくなる。
従って、ロー記録が不可能か、可能であっても再生感度
が不十分となる。これを回避するために、より希土類元
素（以下、ＲＥとする）リッチな組成とし、補償温度を
２００℃付近にして、補償温度前後の垂直磁化による交
換結合力を大きくすることもできる。しかし、そのキュ
リー温度が３５０℃以上と高いため、記録補助層のキュ
リー温度付近でも中間層の磁化が十分に残存している。
その結果、記録補助層と中間層が交換結合し、記録補助
層の磁化方向を反転させるような実効的なバイアス磁界
を大きくする必要が生じ、ハイパワー記録（以下、ハイ
記録という）時のバイアス磁界特性が著しく劣化するこ
ととなる。
【００１０】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的はリード耐久性及び良好なロ
ー記録特性を有し、その結果、優れたオーバーライト特
性を有するものとすることにある。
れたものであり、その目的はリード耐久性及び良好なロ
ー記録特性を有し、その結果、優れたオーバーライト特
性を有するものとすることにある。
【００１１】
【課題を解決するための手投】本発明の光磁気記録媒体
は、垂直磁気異方性でキュリー温度がＴC1の記録層と、
該記録層より高いキュリー温度ＴC2と低い保磁力とを有
する垂直磁気異方性の記録補助層と、前記記録層と記録
補助層の間に設けられ、両層の交換結合力を調整する中
間層とを有して成る光磁気記録媒体であって、前記中間
層が記録層側の第１中間層と記録補助層側の第２中間層
の少なくとも２層から成り、前記第１中間層はキュリー
温度ＴCI1 がＴC1より高い垂直磁化膜であり、前記第２
中間層はキュリー温度ＴCI2 が１００℃≦ＴCI2 ≦ＴC2
である面内磁化膜であることを特徴とする。
は、垂直磁気異方性でキュリー温度がＴC1の記録層と、
該記録層より高いキュリー温度ＴC2と低い保磁力とを有
する垂直磁気異方性の記録補助層と、前記記録層と記録
補助層の間に設けられ、両層の交換結合力を調整する中
間層とを有して成る光磁気記録媒体であって、前記中間
層が記録層側の第１中間層と記録補助層側の第２中間層
の少なくとも２層から成り、前記第１中間層はキュリー
温度ＴCI1 がＴC1より高い垂直磁化膜であり、前記第２
中間層はキュリー温度ＴCI2 が１００℃≦ＴCI2 ≦ＴC2
である面内磁化膜であることを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の磁性層の基本構成を図１
の断面図に示す。同図において、１はポリカーボネート
等のプラスチック，ガラス等の材料から成り、プリグル
ーブが形成されたディスク状の基板、２は垂直磁化が上
向きか下向きかにより２値情報（０，１）を記録再生す
るための記録層（Memory Layerで、以下、Ｍ層と略
す）、３は実質的に垂直磁化膜の第１中間層（交換結合
力調整層：Interface Wall EnergyControlling Layer
で、以下、第１ｉｎｔ層と略す）、４は実質的に面内磁
化膜の第２中間層（以下、第２ｉｎｔ層と略す）、５は
高温でバイアス磁界（記録磁界）によって磁化方向が反
転可能とされた記録補助層（Writing Layer で、以下、
Ｗ層と略す）、６は低キュリー温度であり、高温でその
上下の磁性層の交換結合を遮断する制御層（Switching
Layer で、以下、Ｓ層と略す）、７は最もキュリー温度
が高く、Ｓ層６とＷ層５の磁化方向を降温時に初期化す
る初期化層（Initializing Layerで、以下、Ｉ層と略
す）である。そして、上記第１ｉｎｔ層３以外の磁性層
は垂直磁化膜である。また、第１ｉｎｔ層３と第２ｉｎ
ｔ層４からなる中間層を、以下ｉｎｔ層とする。
の断面図に示す。同図において、１はポリカーボネート
等のプラスチック，ガラス等の材料から成り、プリグル
ーブが形成されたディスク状の基板、２は垂直磁化が上
向きか下向きかにより２値情報（０，１）を記録再生す
るための記録層（Memory Layerで、以下、Ｍ層と略
す）、３は実質的に垂直磁化膜の第１中間層（交換結合
力調整層：Interface Wall EnergyControlling Layer
で、以下、第１ｉｎｔ層と略す）、４は実質的に面内磁
化膜の第２中間層（以下、第２ｉｎｔ層と略す）、５は
高温でバイアス磁界（記録磁界）によって磁化方向が反
転可能とされた記録補助層（Writing Layer で、以下、
Ｗ層と略す）、６は低キュリー温度であり、高温でその
上下の磁性層の交換結合を遮断する制御層（Switching
Layer で、以下、Ｓ層と略す）、７は最もキュリー温度
が高く、Ｓ層６とＷ層５の磁化方向を降温時に初期化す
る初期化層（Initializing Layerで、以下、Ｉ層と略
す）である。そして、上記第１ｉｎｔ層３以外の磁性層
は垂直磁化膜である。また、第１ｉｎｔ層３と第２ｉｎ
ｔ層４からなる中間層を、以下ｉｎｔ層とする。
【００１３】上記各磁性層は、基本的にＣｒ，Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｃｕ等の遷移金属元素（Transition Metal e
lementで、以下、ＴＭと略す）と、Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，
Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ等のＲＥとの非晶質合金から成る。上
記層構成において、基板１とＭ層２との間に、Ｓｉ3 Ｎ
4 ，アモルファスＳｉＮ等から成る保護層及びカー回転
角エンハンス層を積層したり、Ｉ層７に更に前記のよう
な保護層を積層してもよい。
ｏ，Ｎｉ，Ｃｕ等の遷移金属元素（Transition Metal e
lementで、以下、ＴＭと略す）と、Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，
Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ等のＲＥとの非晶質合金から成る。上
記層構成において、基板１とＭ層２との間に、Ｓｉ3 Ｎ
4 ，アモルファスＳｉＮ等から成る保護層及びカー回転
角エンハンス層を積層したり、Ｉ層７に更に前記のよう
な保護層を積層してもよい。
【００１４】本発明のｉｎｔ層は、少なくとも第１ｉｎ
ｔ層３と第２ｉｎｔ層４から成るものであり、これらに
他の磁性層、非磁性層、保護層等を積層したり、中間膜
として挿入してもよい。例えば、第１ｉｎｔ層３と第２
ｉｎｔ層４間に中間膜として、室温で面内磁気異方性で
昇温時に垂直磁気異方性となる磁性層を設けてもよい。
ｔ層３と第２ｉｎｔ層４から成るものであり、これらに
他の磁性層、非磁性層、保護層等を積層したり、中間膜
として挿入してもよい。例えば、第１ｉｎｔ層３と第２
ｉｎｔ層４間に中間膜として、室温で面内磁気異方性で
昇温時に垂直磁気異方性となる磁性層を設けてもよい。
【００１５】図２は光強度変調方式によるダイレクトオ
ーバーライト（以下、オーバーライトという）の基本的
なメカニズムを説明する、磁化の状態図である（日本応
用磁気学会誌 Vol.14,p165-170,NO.2,1990 参照）。同
図において、各磁性層の正味の磁化方向はＴＭ副格子磁
化とＲＥ副格子磁化の合成ベクトルで表され、カー効果
による情報の読出（再生）にはＴＭ副格子磁化が関与す
る。磁気的組成は、Ｍ層２がＴＭリッチ（ＴＭ副格子磁
化が優勢な組成）、Ｗ層５がＲＥリッチ（ＲＥ副格子磁
化が優勢な組成）、Ｓ層６がＴＭリッチ、Ｉ層７がＲＥ
リッチで、Ｗ層５とＩ層７が室温Ｔroomよりも高温で補
償温度を有する。Ｍ層２のキュリー温度をＴc1、Ｗ層２
のキュリー温度をＴc2及び補償温度をＴcomp2 、Ｓ層６
のキュリー温度をＴc3、Ｉ層７のキュリー温度をＴc4及
び補償温度をＴcomp4 とすると、Ｔroom＜Ｔc3＜Ｔ
comp2 ＜Ｔc1＜Ｔcomp4 ＜Ｔc2＜Ｔc4である。また、低
温プロセスによるロー記録時の最高温度をＴL 、高温プ
ロセスによるハイ記録時の最高温度をＴH とすると、Ｔ
L ≒Ｔc1でＴH ≒Ｔc2である。
ーバーライト（以下、オーバーライトという）の基本的
なメカニズムを説明する、磁化の状態図である（日本応
用磁気学会誌 Vol.14,p165-170,NO.2,1990 参照）。同
図において、各磁性層の正味の磁化方向はＴＭ副格子磁
化とＲＥ副格子磁化の合成ベクトルで表され、カー効果
による情報の読出（再生）にはＴＭ副格子磁化が関与す
る。磁気的組成は、Ｍ層２がＴＭリッチ（ＴＭ副格子磁
化が優勢な組成）、Ｗ層５がＲＥリッチ（ＲＥ副格子磁
化が優勢な組成）、Ｓ層６がＴＭリッチ、Ｉ層７がＲＥ
リッチで、Ｗ層５とＩ層７が室温Ｔroomよりも高温で補
償温度を有する。Ｍ層２のキュリー温度をＴc1、Ｗ層２
のキュリー温度をＴc2及び補償温度をＴcomp2 、Ｓ層６
のキュリー温度をＴc3、Ｉ層７のキュリー温度をＴc4及
び補償温度をＴcomp4 とすると、Ｔroom＜Ｔc3＜Ｔ
comp2 ＜Ｔc1＜Ｔcomp4 ＜Ｔc2＜Ｔc4である。また、低
温プロセスによるロー記録時の最高温度をＴL 、高温プ
ロセスによるハイ記録時の最高温度をＴH とすると、Ｔ
L ≒Ｔc1でＴH ≒Ｔc2である。
【００１６】図３は、Ｍ層２，Ｗ層５，Ｓ層６及びＩ層
７の保磁力ＨC と温度の関係を示すグラフである。室温
ではＩ層７の保磁力が最も大きく、次いでＭ層２，Ｗ層
５，Ｓ層６の順である。Ｓ層６は最も保磁力及びキュリ
ー温度が低く、１４０℃程度で磁化が消失する。Ｗ層５
とＩ層７は補償温度付近で保磁力が発散している。ま
た、Ｍ層２とＷ層５を比較すると、Ｍ層２は低いキュリ
ー温度ＴC1と高い保磁力を有し、Ｗ層５は相対的に高い
キュリー温度ＴC2と低い保磁力を有する。
７の保磁力ＨC と温度の関係を示すグラフである。室温
ではＩ層７の保磁力が最も大きく、次いでＭ層２，Ｗ層
５，Ｓ層６の順である。Ｓ層６は最も保磁力及びキュリ
ー温度が低く、１４０℃程度で磁化が消失する。Ｗ層５
とＩ層７は補償温度付近で保磁力が発散している。ま
た、Ｍ層２とＷ層５を比較すると、Ｍ層２は低いキュリ
ー温度ＴC1と高い保磁力を有し、Ｗ層５は相対的に高い
キュリー温度ＴC2と低い保磁力を有する。
【００１７】図２において、オーバーライト前の状態
は、Ｔroomの状態であり、Ｍ層２のＴＭ副格子磁化が下
向き（最上段左から１番目の状態で、仮に２値情報の”
１”とする）か、若しくはＭ層２のＴＭ副格子磁化が上
向き（最下段左から１番目の状態で、仮に２値情報の”
０”とする）の２状態である。低温プロセスでは、高低
の２レベルにパルス変調されたレーザビームの低レベル
ビームが照射されることにより、前記２状態のいずれか
から出発して昇温され、Ｔroomに戻ったときには”１”
状態に統一される。このとき、”０”状態から出発した
場合は、Ｗ層５がＴcomp2 の前後でＴＭ副格子磁化とＲ
Ｅ副格子磁化の大小関係が反転し、Ｔcomp2 よりも高温
で正味の磁化方向が下向きに変化するため、その交換結
合力によりＭ層２の磁化方向を反転させ、”１”状態に
変化する。
は、Ｔroomの状態であり、Ｍ層２のＴＭ副格子磁化が下
向き（最上段左から１番目の状態で、仮に２値情報の”
１”とする）か、若しくはＭ層２のＴＭ副格子磁化が上
向き（最下段左から１番目の状態で、仮に２値情報の”
０”とする）の２状態である。低温プロセスでは、高低
の２レベルにパルス変調されたレーザビームの低レベル
ビームが照射されることにより、前記２状態のいずれか
から出発して昇温され、Ｔroomに戻ったときには”１”
状態に統一される。このとき、”０”状態から出発した
場合は、Ｗ層５がＴcomp2 の前後でＴＭ副格子磁化とＲ
Ｅ副格子磁化の大小関係が反転し、Ｔcomp2 よりも高温
で正味の磁化方向が下向きに変化するため、その交換結
合力によりＭ層２の磁化方向を反転させ、”１”状態に
変化する。
【００１８】また、高温プロセスでは、レーザビームの
高レベルビームが照射されることにより、前記２状態の
いずれかから出発して昇温され、Ｔroomに戻ったときに
は”０”状態に統一される。この場合、いずれの状態か
ら出発しても、Ｍ層２とＳ層６の磁化が消失しＷ層５の
磁化も消失するかきわめて小さい状態（最下段右から１
又は２番目の状態）まで昇温される。このとき、バイア
ス磁界によりＷ層５の正味の磁化方向が反転し、Ｔc1付
近で交換結合力によりＭ層２の磁化方向を揃わせ、”
０”状態とする。降温するにつれ、Ｗ層５はＴcomp2 付
近でＴＭ副格子磁化とＲＥ副格子磁化の大小関係が反転
し、ＴroomでＳ層６を通してＩ層７の交換結合力により
初期化される。そして、高温プロセス後の”０”状態で
は、Ｍ層２とＷ層５のＴＭ副格子磁化とＲＥ副格子磁化
の方向が異なるため、その界面に界面磁壁が生じる。
高レベルビームが照射されることにより、前記２状態の
いずれかから出発して昇温され、Ｔroomに戻ったときに
は”０”状態に統一される。この場合、いずれの状態か
ら出発しても、Ｍ層２とＳ層６の磁化が消失しＷ層５の
磁化も消失するかきわめて小さい状態（最下段右から１
又は２番目の状態）まで昇温される。このとき、バイア
ス磁界によりＷ層５の正味の磁化方向が反転し、Ｔc1付
近で交換結合力によりＭ層２の磁化方向を揃わせ、”
０”状態とする。降温するにつれ、Ｗ層５はＴcomp2 付
近でＴＭ副格子磁化とＲＥ副格子磁化の大小関係が反転
し、ＴroomでＳ層６を通してＩ層７の交換結合力により
初期化される。そして、高温プロセス後の”０”状態で
は、Ｍ層２とＷ層５のＴＭ副格子磁化とＲＥ副格子磁化
の方向が異なるため、その界面に界面磁壁が生じる。
【００１９】上記Ｍ層２の記録ビットの状態（”０”又
は”１”）が安定に存在するためには、Ｍ層２の磁化を
ＭSM、厚みをｈM 、Ｗ層５の磁化をＭSW、厚みをｈW と
し、Ｍ層２とＷ層５の磁壁エネルギーをσW で表すと、
ＨCM＞σW ／（２ＭSMｈM ），ＨCW＞σW ／（２ＭSWｈ
W ）という関係が成立すればよい。ただし、ＨCMはＭ層
２の保磁力で、ＨCWはＷ層５の保磁力であり、前記σW
／（２ＭSMｈM ）及びσW ／（２ＭSWｈW ）は、Ｍ層２
とＷ層５のそれぞれに働く交換結合力である。この交換
結合力を抑制して、記録ビットの安定性を維持するため
にｉｎｔ層を設ける。
は”１”）が安定に存在するためには、Ｍ層２の磁化を
ＭSM、厚みをｈM 、Ｗ層５の磁化をＭSW、厚みをｈW と
し、Ｍ層２とＷ層５の磁壁エネルギーをσW で表すと、
ＨCM＞σW ／（２ＭSMｈM ），ＨCW＞σW ／（２ＭSWｈ
W ）という関係が成立すればよい。ただし、ＨCMはＭ層
２の保磁力で、ＨCWはＷ層５の保磁力であり、前記σW
／（２ＭSMｈM ）及びσW ／（２ＭSWｈW ）は、Ｍ層２
とＷ層５のそれぞれに働く交換結合力である。この交換
結合力を抑制して、記録ビットの安定性を維持するため
にｉｎｔ層を設ける。
【００２０】また、低温プロセスでは、昇温時にＭ層２
の保磁力が小さくなった際に、交換結合力によってＭ層
２の記録ビットの磁化方向を反転させるために、ＨCM＜
σW／（２ＭSMｈM ）となる必要がある。また、良好な
オーバーライト記録とリード耐久性の点で、以下の３つ
の温度が独立に存在することが重要である。
の保磁力が小さくなった際に、交換結合力によってＭ層
２の記録ビットの磁化方向を反転させるために、ＨCM＜
σW／（２ＭSMｈM ）となる必要がある。また、良好な
オーバーライト記録とリード耐久性の点で、以下の３つ
の温度が独立に存在することが重要である。
【００２１】（ａ）Ｍ層２のキュリー温度付近であっ
て、Ｗ層５からＭ層２への磁気転写動作が生じる温度
（ロー記録温度）。
て、Ｗ層５からＭ層２への磁気転写動作が生じる温度
（ロー記録温度）。
【００２２】（ｂ）Ｗ層５のキュリー温度付近であっ
て、バイアス磁界によるＷ層５への書込み動作が生じる
温度（ハイ記録温度）。
て、バイアス磁界によるＷ層５への書込み動作が生じる
温度（ハイ記録温度）。
【００２３】（ｃ）Ｓ層６のキュリー温度以下であっ
て、Ｗ層５の初期化動作が生じる温度（初期化温度）。
て、Ｗ層５の初期化動作が生じる温度（初期化温度）。
【００２４】特に、（ａ）のロー記録温度については、
Ｍ層２の磁化反転方向（図２で下向き）とは逆向き（図
２で上向き）のバイアス磁界がかかっていること、再生
時にはバイアス磁界はかかっていないものの、ロー記録
開始温度（ローパワー最小値）と、記録ビットが安定に
維持された状態にある再生時の再生パワー最大値での媒
体温度とは、実際上重要な温度でありながらその差が微
妙である。
Ｍ層２の磁化反転方向（図２で下向き）とは逆向き（図
２で上向き）のバイアス磁界がかかっていること、再生
時にはバイアス磁界はかかっていないものの、ロー記録
開始温度（ローパワー最小値）と、記録ビットが安定に
維持された状態にある再生時の再生パワー最大値での媒
体温度とは、実際上重要な温度でありながらその差が微
妙である。
【００２５】図４は、それを説明するものであり、Ｍ層
２のレーザパワーに対するＣ／Ｎの変化を示す。曲線
ａ，ｂは再生時の特性で、曲線ｃはハイ記録時の特性で
ある。一般的に、一層のｉｎｔ層を設けて交換結合力の
大きさのみを調整した場合、交換結合力を小さくすると
リード耐久性はある、つまりリード時最大パワーは大き
くなるが、ロー記録マージンが狭くなりロー記録感度が
下がる（曲線ｂ，ｃで表される特性）。反対に交換結合
力を大きくすると、ロー記録マージンが拡がるためロー
記録感度が向上するものの、リード耐久性が劣化してし
まう（曲線ａ，ｃで表される特性）。
２のレーザパワーに対するＣ／Ｎの変化を示す。曲線
ａ，ｂは再生時の特性で、曲線ｃはハイ記録時の特性で
ある。一般的に、一層のｉｎｔ層を設けて交換結合力の
大きさのみを調整した場合、交換結合力を小さくすると
リード耐久性はある、つまりリード時最大パワーは大き
くなるが、ロー記録マージンが狭くなりロー記録感度が
下がる（曲線ｂ，ｃで表される特性）。反対に交換結合
力を大きくすると、ロー記録マージンが拡がるためロー
記録感度が向上するものの、リード耐久性が劣化してし
まう（曲線ａ，ｃで表される特性）。
【００２６】このような問題を解決するために、ｉｎｔ
層として、室温で面内磁気異方性であり高温で垂直磁気
異方性を示すような、磁気転移温度を持ったものを適用
することが提案されている。図５に、その場合のＭ層２
のレーザパワーに対するＣ／Ｎの変化を示す。Ｃ／Ｎは
レーザパワーに対して急峻な変化を示し、そのためリー
ド耐久性がありかつロー記録マージンも十分に確保でき
るものとなる。
層として、室温で面内磁気異方性であり高温で垂直磁気
異方性を示すような、磁気転移温度を持ったものを適用
することが提案されている。図５に、その場合のＭ層２
のレーザパワーに対するＣ／Ｎの変化を示す。Ｃ／Ｎは
レーザパワーに対して急峻な変化を示し、そのためリー
ド耐久性がありかつロー記録マージンも十分に確保でき
るものとなる。
【００２７】本発明は図５と同様の特性を有しており、
同図を用いてその特性について具体的に説明する。同図
で、曲線ｄは再生時の特性で、曲線ｅはハイ記録時の特
性である。媒体の回転数３６００ｒｐｍでオーバーライ
ト記録及び再生を行うものとし、最初にオーバーライト
記録されたビットに再生用のレーザを照射し、そのパワ
ーを徐々に上げていき再生時のＣ／Ｎを測定する。リー
ド時（曲線ｄ）には、バイアス磁界なしで直線偏光のレ
ーザにより再生するが、実際のシステムでは２ｍＷまで
のリード耐久性が要求される。２ｍＷを越えるとＣ／Ｎ
が低下し始めるのは、記録されたビットの磁化方向が反
転若しくは磁化が小さくなり始めたためであり、ロー記
録が開始されたことを意味する。ロー記録及びハイ記録
は、ローパワーＰL ＝４ｍＷ，ハイパワーＰH ＝１０ｍ
Ｗ，デューティー＝５０％にパルス変調されたレーザパ
ルスで行われ、ハイ記録時（曲線ｅ）には、バイアス磁
界３００Ｏｅを印加している。曲線ｄと曲線ｅ間のパワ
ー幅が、ロー記録が可能なロー記録マージンであり、こ
れが広い方が望ましい。
同図を用いてその特性について具体的に説明する。同図
で、曲線ｄは再生時の特性で、曲線ｅはハイ記録時の特
性である。媒体の回転数３６００ｒｐｍでオーバーライ
ト記録及び再生を行うものとし、最初にオーバーライト
記録されたビットに再生用のレーザを照射し、そのパワ
ーを徐々に上げていき再生時のＣ／Ｎを測定する。リー
ド時（曲線ｄ）には、バイアス磁界なしで直線偏光のレ
ーザにより再生するが、実際のシステムでは２ｍＷまで
のリード耐久性が要求される。２ｍＷを越えるとＣ／Ｎ
が低下し始めるのは、記録されたビットの磁化方向が反
転若しくは磁化が小さくなり始めたためであり、ロー記
録が開始されたことを意味する。ロー記録及びハイ記録
は、ローパワーＰL ＝４ｍＷ，ハイパワーＰH ＝１０ｍ
Ｗ，デューティー＝５０％にパルス変調されたレーザパ
ルスで行われ、ハイ記録時（曲線ｅ）には、バイアス磁
界３００Ｏｅを印加している。曲線ｄと曲線ｅ間のパワ
ー幅が、ロー記録が可能なロー記録マージンであり、こ
れが広い方が望ましい。
【００２８】かくして、本発明の光磁気記録媒体は、リ
ード耐久性に優れ、広いロー記録マージンと良好なバイ
アス磁界特性（Ｗ層５のバイアス磁界への追従性）を有
し、その結果、良好なオーバーライト特性が得られると
いう作用効果を有する。
ード耐久性に優れ、広いロー記録マージンと良好なバイ
アス磁界特性（Ｗ層５のバイアス磁界への追従性）を有
し、その結果、良好なオーバーライト特性が得られると
いう作用効果を有する。
【００２９】尚、本発明は上記の実施形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々
の変更は何等差し支えない。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々
の変更は何等差し支えない。
【００３０】
【実施例】本発明の実施例を以下に説明する。図１に示
すような、ポリカーボネートから成るディスク状の基板
１上に、Ｍ層２，Ｗ層５，Ｓ層６，Ｉ層７の基本４層
と、Ｍ層２とＷ層５間に第１ｉｎｔ層３，第２ｉｎｔ層
４を設けた光磁気ディスクを作成した。基板１とＭ層２
間には、保護層として、Ｙ，ＳｉＮ及びＡｌ2 Ｏ3 のア
モルファスから成るイットリウムサイアロン（ＹＳｉＡ
ｌＯＮ）層を形成し、Ｉ層７上の最上層にはＡｌ合金
（ＡｌＴｉ）層を設けた。そして、前記基本４層の諸特
性を表１に、ｉｎｔ層の例を表２に示す。表２中ＮＯ．
１−１〜６−２，８−１，８−２は比較例、７−１，７
−２，７−３，９は本発明の実施例である。１−１〜９
の各サンプルにおいて、ハイ記録後のＣ／Ｎがほぼ同じ
感度になるように、各サンプル毎にＡｌ合金層の厚さを
調整した。
すような、ポリカーボネートから成るディスク状の基板
１上に、Ｍ層２，Ｗ層５，Ｓ層６，Ｉ層７の基本４層
と、Ｍ層２とＷ層５間に第１ｉｎｔ層３，第２ｉｎｔ層
４を設けた光磁気ディスクを作成した。基板１とＭ層２
間には、保護層として、Ｙ，ＳｉＮ及びＡｌ2 Ｏ3 のア
モルファスから成るイットリウムサイアロン（ＹＳｉＡ
ｌＯＮ）層を形成し、Ｉ層７上の最上層にはＡｌ合金
（ＡｌＴｉ）層を設けた。そして、前記基本４層の諸特
性を表１に、ｉｎｔ層の例を表２に示す。表２中ＮＯ．
１−１〜６−２，８−１，８−２は比較例、７−１，７
−２，７−３，９は本発明の実施例である。１−１〜９
の各サンプルにおいて、ハイ記録後のＣ／Ｎがほぼ同じ
感度になるように、各サンプル毎にＡｌ合金層の厚さを
調整した。
【００３１】
【表１】
【００３２】
【表２】
【００３３】表２において、総合判定は、リード耐久性
が良好、つまり２ｍＷまで記録ビットが安定で、かつロ
ー記録マージンが２．５ｍＷ以上のものを良品（○）と
した。そして、１−１〜５−２，８−１，８−２のもの
は不良品（×）、本発明の７−１，７−２，７−３，９
が良品であった。尚、６−１，６−２の場合、オーバー
ライトに必要なバイアス磁界が１ｋＯｅと非常に大きく
なり、その結果、装置の小型化が困難になるため、総合
判定を実用に不向き（△）とした。これは、Ｗ層５と同
じ方向の垂直磁化を有するｉｎｔ層の場合、ハイ記録時
にバイアス磁界と逆向きの実効的な垂直磁化が存在する
こととなるため、非常に大きなバイアス磁界が必要とな
るからである。
が良好、つまり２ｍＷまで記録ビットが安定で、かつロ
ー記録マージンが２．５ｍＷ以上のものを良品（○）と
した。そして、１−１〜５−２，８−１，８−２のもの
は不良品（×）、本発明の７−１，７−２，７−３，９
が良品であった。尚、６−１，６−２の場合、オーバー
ライトに必要なバイアス磁界が１ｋＯｅと非常に大きく
なり、その結果、装置の小型化が困難になるため、総合
判定を実用に不向き（△）とした。これは、Ｗ層５と同
じ方向の垂直磁化を有するｉｎｔ層の場合、ハイ記録時
にバイアス磁界と逆向きの実効的な垂直磁化が存在する
こととなるため、非常に大きなバイアス磁界が必要とな
るからである。
【００３４】図６は、６−１，７−１のｉｎｔ層のある
場合のＭ層２のバイアス磁界ＨB に対するＣ／Ｎを測定
することにより、Ｗ層５のバイアス磁界依存性を示した
ものである。同図において、曲線ｇが６−１の場合であ
り、前述の理由でバイアス磁界が５００Ｏｅ以上で立ち
上がり始め、飽和するには１ｋＯｅ以上の大きなバイア
ス磁界が必要となってしまう。一方、曲線ｆは７−１の
場合であり、３００Ｏｅ程度で飽和しており、好適なバ
イアス磁界特性（バイアス磁界追従性又はバイアス磁界
依存性）となっている。
場合のＭ層２のバイアス磁界ＨB に対するＣ／Ｎを測定
することにより、Ｗ層５のバイアス磁界依存性を示した
ものである。同図において、曲線ｇが６−１の場合であ
り、前述の理由でバイアス磁界が５００Ｏｅ以上で立ち
上がり始め、飽和するには１ｋＯｅ以上の大きなバイア
ス磁界が必要となってしまう。一方、曲線ｆは７−１の
場合であり、３００Ｏｅ程度で飽和しており、好適なバ
イアス磁界特性（バイアス磁界追従性又はバイアス磁界
依存性）となっている。
【００３５】本発明の２層ｉｎｔ層のうち、ＮＯ．９の
ように、第１ｉｎｔ層３がキュリー温度ＴCI1 がＴC1よ
り高く、昇温するにつれ面内磁化から垂直磁化に変化す
るものの場合、第１ｉｎｔ層の磁気的相互作用、つまり
交換結合力をＴC1以上で実質上遮断できるように、第２
ｉｎｔ層４の膜厚を調整する。その好ましい範囲は、２
０〜８０Åで、２０Å未満では再生時の第１ｉｎｔ層３
の交換結合力の遮断が不十分となり、バイアス磁界特性
が劣化し、８０Å超ではロー記録時のＷ層５の交換結合
力が遮断されてしまい、ロー記録が不十分となる。
ように、第１ｉｎｔ層３がキュリー温度ＴCI1 がＴC1よ
り高く、昇温するにつれ面内磁化から垂直磁化に変化す
るものの場合、第１ｉｎｔ層の磁気的相互作用、つまり
交換結合力をＴC1以上で実質上遮断できるように、第２
ｉｎｔ層４の膜厚を調整する。その好ましい範囲は、２
０〜８０Åで、２０Å未満では再生時の第１ｉｎｔ層３
の交換結合力の遮断が不十分となり、バイアス磁界特性
が劣化し、８０Å超ではロー記録時のＷ層５の交換結合
力が遮断されてしまい、ロー記録が不十分となる。
【００３６】
【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体は、ｉｎｔ層が
Ｍ層側の第１ｉｎｔ層とＷ層側の第２ｉｎｔ層の少なく
とも２層から成り、第１ｉｎｔ層はキュリー温度ＴCI1
がＴC1より高い垂直磁化膜であり、第２ｉｎｔ層はキュ
リー温度ＴCI2 が１００℃≦ＴCI2 ≦ＴC2である面内磁
化膜であることにより、リード耐久性に優れ、また広い
ロー記録マージンと好適なバイアス磁界特性を有し、そ
の結果、良好なオーバーライト特性が得られるという優
れた効果を有する。
Ｍ層側の第１ｉｎｔ層とＷ層側の第２ｉｎｔ層の少なく
とも２層から成り、第１ｉｎｔ層はキュリー温度ＴCI1
がＴC1より高い垂直磁化膜であり、第２ｉｎｔ層はキュ
リー温度ＴCI2 が１００℃≦ＴCI2 ≦ＴC2である面内磁
化膜であることにより、リード耐久性に優れ、また広い
ロー記録マージンと好適なバイアス磁界特性を有し、そ
の結果、良好なオーバーライト特性が得られるという優
れた効果を有する。
【００３７】また、本発明の光磁気記録媒体は、熱磁気
記録によりオーバーライト可能な媒体であればよく、光
磁気ディスク、光磁気カード、光磁気テープ等に応用可
能なものである。
記録によりオーバーライト可能な媒体であればよく、光
磁気ディスク、光磁気カード、光磁気テープ等に応用可
能なものである。
【図１】本発明の光磁気記録媒体の磁性層の基本構成の
断面図である。
断面図である。
【図２】オーバーライトの基本的なメカニズムを説明す
る磁化の状態図である。
る磁化の状態図である。
【図３】図２の各磁性層の保磁力ＨC と温度との関係を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図４】従来のＭ層のレーザパワーに対するＣ／Ｎの変
化を示すグラフである。
化を示すグラフである。
【図５】磁気転移温度を持った中間層を適用した場合の
Ｍ層のレーザパワーに対するＣ／Ｎの変化を示すグラフ
である。
Ｍ層のレーザパワーに対するＣ／Ｎの変化を示すグラフ
である。
【図６】本発明のｉｎｔ層を有する媒体のバイアス磁界
依存性を説明するグラフある。
依存性を説明するグラフある。
１：基板 ２：Ｍ層 ３：第１ｉｎｔ層 ４：第２ｉｎｔ層 ５：Ｗ層 ６：Ｓ層 ７：Ｉ層
Claims (1)
- 【請求項１】垂直磁気異方性でキュリー温度がＴC1の記
録層と、該記録層より高いキュリー温度ＴC2と低い保磁
力とを有する垂直磁気異方性の記録補助層と、前記記録
層と記録補助層の間に設けられ、両層の交換結合力を調
整する中間層とを有して成る光磁気記録媒体であって、
前記中間層が記録層側の第１中間層と記録補助層側の第
２中間層の少なくとも２層から成り、前記第１中間層は
キュリー温度ＴCI1 がＴC1より高い垂直磁化膜であり、
前記第２中間層はキュリー温度ＴCI2 が１００℃≦Ｔ
CI2 ≦ＴC2である面内磁化膜であることを特徴とする光
磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP393497A JPH10199058A (ja) | 1997-01-13 | 1997-01-13 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP393497A JPH10199058A (ja) | 1997-01-13 | 1997-01-13 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10199058A true JPH10199058A (ja) | 1998-07-31 |
Family
ID=11570975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP393497A Pending JPH10199058A (ja) | 1997-01-13 | 1997-01-13 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10199058A (ja) |
-
1997
- 1997-01-13 JP JP393497A patent/JPH10199058A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4955007A (en) | Thermomagnetic recording method applying power modulated laser on a magnetically coupled double layer structure of perpendicular anisotropy film | |
| US4878132A (en) | Thermomagnetic recording method applying power modulated laser on a magnetically coupled multi-layer structure of perpendicular anisotropy magnetic film | |
| US5736265A (en) | Magneto-optical recording medium and recording method using the same | |
| JPS61246946A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| EP0567335A2 (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH10199058A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2805070B2 (ja) | 熱磁気記録方法 | |
| JP2910287B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH10214442A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2809224B2 (ja) | 熱磁気記録装置 | |
| JPH1125533A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0445898B2 (ja) | ||
| JP2828092B2 (ja) | 熱磁気記録媒体と熱磁気記録方法 | |
| JPH10334527A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2853704B2 (ja) | 熱磁気記録媒体 | |
| JPH1125532A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH10162440A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH10134430A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH11134731A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2000260075A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH09134553A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH04353639A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| MIHARA et al. | AN INTERMEDIATE LAYER FOR OVERWRITABLE FIVE-LAYER MEDIA | |
| JPH1145468A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH11250514A (ja) | 光磁気記録媒体 |