JPH10200208A - 半導体レーザーモジュール - Google Patents

半導体レーザーモジュール

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JPH10200208A
JPH10200208A JP9002115A JP211597A JPH10200208A JP H10200208 A JPH10200208 A JP H10200208A JP 9002115 A JP9002115 A JP 9002115A JP 211597 A JP211597 A JP 211597A JP H10200208 A JPH10200208 A JP H10200208A
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semiconductor laser
metal member
metal substrate
laser module
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JP9002115A
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Yoshihiro Idei
義浩 出井
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NEC Corp
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Publication date
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    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
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    • H01S5/02415—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling by using a thermo-electric cooler [TEC], e.g. Peltier element
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Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体レーザーダイオードチップの高出力化に
伴い、冷却能力の向上を図ると同時に、高い温度環境信
頼度を得ることにある。 【解決手段】この半導体レーザーモジュールは、ＬＤチ
ップ１およびレンズを搭載する金属基板１０と、セラミ
ック板９Ａ，９Ｂを持ったペルチェ素子７とを有し、金
属基板１０をペルチェ素子７の上部に金属ソルダ１２を
介して接着する。特に、金属基板１０は、熱伝導率の大
きい第１の金属部材１３と、第１の金属部材１３の側面
周囲に配置され、その第１の金属部材１３よりも熱膨張
率の小さい第２の金属部材１４とで形成している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は冷却機能を備えた
（クーラー付き）半導体レーザーモジュールに関し、特
にペルチェ素子上に固定される金属基板の改良に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体レーザーモジュールは、光
ファイバ通信、特に幹線系・ＣＡＴＶの信号光源やファ
イバアンプの励起光源として用いられている。かかる半
導体レーザーモジュールは、高出力且つ安定動作を実現
できるように、電子冷却器であるペルチェ素子を内蔵
し、そのペルチェ素子上部に搭載された金属基板上にレ
ーザーダイオードチップ，フォトダイオードチップ，レ
ンズ等の光学部品，サーミスタ素子，インダクタあるい
は抵抗等の電気部品を配置している。
【０００３】この半導体レーザーモジュールは、上述し
たレーザーダイオードチップの近傍に接着されたサーミ
スタ素子によって検出された温度値をフィードバックし
てペルチェ素子を駆動させることにより、金属基板全体
を冷却し、レーザーダイオードチップ温度を一定に保つ
構造を備えている。
【０００４】このようなクーラー付き半導体レーザーモ
ジュールは、例えば特開昭６２−１１７３８２号公報、
あるいは特開昭６２−２７６８９２号公報などで知られ
ている。
【０００５】図５は従来の一例を示す半導体レーザーモ
ジュールの構成図である。図５に示すように、このレー
ザーモジュールは内部の側面の外観を表わし、レーザー
ダイオードチップ１およびヒートシンク２を搭載したマ
ウント３と、モニター用フォトダイオードチップ４を搭
載したチップキャリア５と、レンズホルダ６と、図示省
略した抵抗体，インダクタや回路基板等を接着した金属
基板１０ａと、この金属基板１０ａを金属ソルダで上部
に接着したペルチェ素子７とを備え、かかるペルチェ素
子７をパッケージ放熱板８上に金属ソルダで固定して構
成される。なお、ペルチェ素子７の上下には、セラミッ
ク板９Ａ，９Ｂが配置される。
【０００６】図６は図５における半導体レーザーモジュ
ールのＡ−Ａ’断面図である。図６に示すように、この
半導体レーザーモジュールの主要部は、ヒートシンク２
上にレーザーダイオードチップ１の他にサーミスタ１１
を搭載し、ペルチェ素子７と金属基板１０ａとを接着す
る金属ソルダとして、両者の熱膨張差を緩和するため
に、ソフトソルダ２２を用いている。
【０００７】図７（ａ），（ｂ）はそれぞれ図６の金属
基板の２つの例を表わす斜視図である。図７（ａ）に示
すように、この金属基板１０ａは、製造上簡略化するた
め、コバールや鉄（Ｆｅ）あるいは銅タングステン等の
単一材質で形成した例である。
【０００８】また、図７（ｂ）に示すように、この金属
基板１０ａは、上下の銅層１６と中間のモリブデン層１
７との三層構造（２０％銅モリブデン）で形成された例
である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のクーラ
ー付き半導体レーザーモジュールは、レーザーダイオー
ドチップ等を搭載する金属基板として、銅タングステン
（ＣｕＷ：銅の重量配分比１０％から３０％のものが存
在）等の単一材質のものが用いられ、またかかる金属基
板とペルチェ素子との接着には、両者の熱膨張差を緩和
するために、インジウム錫（ＩｎＳｎ）などの低温ソフ
トソルダが用いられてきた。
【００１０】しかし、近年半導体レーザーダイオードチ
ップの高出力化に伴い、クーラー機能付き半導体レーザ
ーモジュールの冷却能力と温度環境信頼度に対する要求
が厳しくなってきている。
【００１１】まず、冷却能力向上のためには、ペルチェ
素子を大型化したり、上部に搭載する金属基板の高熱伝
導材質化を図る必要があるが、ペルチェ素子の冷却能力
向上に伴う温調タイム（目的の温度に達するまでの時
間）の短縮により、ペルチェ素子上部に搭載した金属基
板への温度ストレスも大きくなる。そのため、ペルチェ
素子と金属基板の熱膨張率差の影響が大きくなり、両者
を接着するソフトソルダの摺動により亀裂剥離を生じさ
せるという問題が生ずる。しかも、ソフトソルダ特有の
ハンダクリープ現象も顕著になるため、ペルチェ素子と
金属基板とを接着させるソルダには、ビスマス錫（Ｂｉ
Ｓｎ）等の低温ハードソルダを用いる必要がある。
【００１２】しかし、この低温ハードソルダを用いる場
合、ペルチェ素子、正確にはペルチェ素子を構成するセ
ラミック板と金属基板との熱膨張率差が大きいと、ペル
チェＯＮ／ＯＦＦサイクル試験の如く、急峻な温度変化
を伴う温度環境試験によりペルチェ素子を破壊させてし
まうため、ペルチェ素子と金属基板の熱膨張率差が従来
の熱膨張率差よりも一層小さい範囲に入るような材質を
選定する必要がある。
【００１３】また、上述したような温度環境試験を満足
させること、すなわち温度環境信頼度を向上させるため
には、熱膨張率差の選定だけでなく、構造上も小さくな
るため、冷却能力を落してしまうという問題がある。
【００１４】例えば、ペルチェ素子を構成するセラミッ
ク板には、通常窒化アルミ（ＡｌＮ）やアルミナ（Ａｌ
2 Ｏ3 ）が用いられるため、金属基板の材質としてはコ
バールから２０％銅タングステン（ＣｕＷ−２０）を選
定する必要がある。しかし、この金属基板の材質は、半
導体レーザーダイオードチップの発熱量増大に対する冷
却性能向上の点から不利である。しかも、金属基板の代
りに、炭化シリコン（ＳｉＣ）や窒化ボロン（ＢＮ）を
用いれば、熱伝導率が良く、熱膨張率の適正なペルチェ
素子に近い材質として使用可能ではあるが、金属に比べ
て高価になり、量産性の点で劣ってしまう。
【００１５】前述した特開昭６２−２７６８９２号公報
などでは、低温ソフトソルダの使用を前提としている
が、これらの技術にハードソルダを用いるとすれば、使
用できる台座の材質は、２０％銅タングステン以下の熱
伝導率を有する材質のものとなり、冷却性能の低下を招
くことになる。
【００１６】要するに、上述した従来のクーラー機能付
き半導体レーザーモジュールにおいては、冷却能力の向
上と温度環境信頼度の向上とが、互いに相反する問題と
なっている。
【００１７】本発明の目的は、高出力動作時のペルチェ
素子冷却能力を向上させるとともに、ペルチェ素子およ
びその上部に搭載する金属基板の熱膨張率差を小さくし
て温度変動環境化でのペルチェ素子に与えるダメージを
軽減し、温度環境信頼度の向上を実現する半導体レーザ
ーモジュールを提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザー
モジュールは、半導体レーザーダイオードチップおよび
レンズを搭載する金属基板と、ペルチェ素子とを備え、
前記金属基板を前記ペルチェ素子の上部に金属ソルダを
介して接着する半導体レーザーモジュールにおいて、前
記金属基板を熱伝導率の大きい第１の金属部材と、前記
第１の金属部材よりも熱膨張率の小さい第２の金属部材
とで形成して構成される。
【００１９】また、本発明の半導体レーザーモジュール
における金属基板は、第１の金属部材の側面周囲に第２
の金属部材を配置して形成される。
【００２０】また、本発明の半導体レーザーモジュール
における金属基板の第１の金属部材は、３０％銅タング
ステンよりも大きい熱伝導率を有する部材を用い、第２
の金属部材は、コバールおよび２０％銅タングステンの
間の熱膨張率を有する部材を用いて形成される。
【００２１】また、本発明の半導体レーザーモジュール
における金属基板は、第１の金属部材および第２の金属
部材が半導体レーザーダイオードチップによって生ずる
熱流の方向と平行になるように形成される。
【００２２】さらに、本発明の半導体レーザーモジュー
ルにおける金属基板は、前記第１の金属部材を複数個に
分割し、前記第２の金属部材の全面にほぼ等間隔で配置
して形成することができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
【００２４】図１（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の一
実施の形態を示す半導体レーザーモジュール主要部の断
面図およびその金属基板の斜視図である。図１（ａ）に
示すように、本実施の形態の半導体レーザーモジュール
は、ＬＤチップ１やこのＬＤチップ１を一定の温度に保
つためのサーミスタ１１をヒートシンク２およびサブマ
ウント３を介して、光学系のレンズ（ここでは、図示省
略）とともに搭載する金属基板１０と、上下の面にセラ
ミック基板９Ａ，９Ｂを備えたペルチェ素子７とをハー
ドソルダ１２により接着して形成される。この金属基板
１０は、ＬＤチップ１からの熱流がペルチェ素子７へ向
かう方向とは垂直になる方向に、ペルチェ素子７の上面
に接着される。特に、この金属基板１０は、ＬＤチップ
１の直下を含む基板中央部に第１の金属部材１３を配置
し、その側面周囲に第２の金属部材１４を配置するよう
に形成している。
【００２５】また、図１（ｂ）に示すように、金属基板
１０は、第１の金属部材１３を熱伝導率の大きい金属材
で形成し、また第２の金属部材１４を第１の金属部材１
３よりも熱膨張率の小さい金属材で形成する。例えば、
３０％銅タングステン（ＣｕＷ−３０）より大きい熱伝
導率を有する金属部材１３の側面周囲に、コバールから
２０％銅タングステン（ＣｕＷ−２０）の間の熱膨張率
を有する金属部材１４を形成した構造である。すなわ
ち、このような構造を備えた半導体レーザーモジュール
を駆動させるとき、ＬＤチップ１を一定の温度に保つた
め、サーミスタ１１によって温度をセンスアップし、冷
却機能付き半導体レーザーモジュールの外部に設けた温
調回路等によりペルチェ素子７の電流量を制御してい
る。このＬＤチップ１は、周囲温度が低い程、性能が向
上し、一般には室温に制御される。
【００２６】一方、ＬＤチップ１が高出力化することに
より、発熱量が増大すると、ペルチェ素子７の能力を上
げると同時に、ＬＤチップ１からパッケージ放熱板まで
の放熱経路の熱抵抗を極力下げなければならない。
【００２７】図２は図１におけるモジュールの放熱効果
を説明するモジュール主要部の断面図である。図２に示
すように、半導体レーザーモジュールにおいて、ＬＤチ
ップ１から発した熱は、広がり角度（計算上９０度）２
１で伝わり、ヒートシンク２，サブマウント３，金属基
板１０を経て、ペルチェ素子７の上部に達する。このと
き、第１の金属部材１３の面積が熱流範囲１８よりも大
きければ、冷却性能に問題はないが、熱膨張が大きくな
って信頼度上問題が生ずる場合は、サブマウント３が接
着している範囲の金属基板１０の熱伝導率を所定値以上
になるように、第１の金属部材１３の金属基板１０に対
する面積比を小さく設定すればよい。なお、１９，２０
は、それぞれ第２の金属部材１４および第１の金属部材
１３の熱抵抗であり、後述する具体例で詳細に説明す
る。
【００２８】このように、ＬＤチップ１からペルチェ素
子７に至る経路の熱抵抗１９，２０の大小が、ペルチェ
素子７の冷却能力に大きく影響してくる。かかるペルチ
ェ素子７の上部に搭載する金属基板１０の材質として
は、表１に示すような金属材質が用いられるが、その際
熱抵抗１９，２０を小さくするため、熱伝導率の大きい
材質を選択する必要がある。
【００２９】
【表１】
【００３０】図３は図２における放熱経路材料の熱伝導
率とチップの温度変化のシミュレーション特性図であ
る。図３に示すように、この特性は、ＬＤチップ１を印
加電力１ワットで駆動させたとき、チップ温度に対する
放熱経路材料の熱伝導率依存性をシミュレーションした
ものである。このシミュレーション特性によれば、約３
００ワット／ｍＫ（但し、ｍ：メートル、Ｋ：絶対温
度）以上の熱伝導率を有する材質を用いれば、チップ温
度を効率良く下げられることを示している。したがっ
て、モジュールの冷却性能を向上させるためには、ペル
チェ素子７上に搭載する金属基板１０として、３０％銅
タングステン以上の熱伝導率を有する材質を選べば良い
ことになる。
【００３１】しかし、ペルチェ素子７を構成するセラミ
ック板９Ａ，９Ｂは、前述した表１のセラミック材質が
用いられている。しかるに、熱膨張率が金属基板１０の
材質と比べて小さいため、金属ハードソルダで接着して
いると、温度の変化によって大きな応力を発生し、ペル
チェ素子７を劣化させたり、破壊させることが判ってい
る。
【００３２】このため、本実施の形態においては、金属
基板１０を形成するにあたり、前述した熱伝導率の高い
第１の金属部材１３の側面周囲に、熱膨張率の小さい第
２の金属部材１４を配置させることにより、金属基板全
体の熱膨張を小さくするとともに、熱伝導を良くするこ
とができるので、冷却性能を向上させると同時に、ペル
チェ素子信頼度を高めることができる。
【００３３】なお、前述した図７（ｂ）の金属基板１０
ａは、熱流の方向に垂直に各材質が配置されており、こ
のときの熱伝導率は、２００Ｗ／ｍＫと小さい。
【００３４】次に、上述した金属基板１０の具体例を図
２および表１を基に説明する。第１の金属部材１３とし
て、表１に記載した熱伝導率の大きい（３９０Ｗ／ｍ
Ｋ）銅（Ｃｕ）を選択し、その側面周囲に配置する第２
の金属部材１４として、表１に記載した熱膨張率の小き
い（６．５×１０-6／°Ｃ）１０％銅タングステン（Ｃ
ｕＷ−１０）を選択する。この金属基板１０の作成方法
は、各材質をろう付けまたは浸透法により、１０％銅タ
ングステン作製時に銅の部分を一括成形するなどの方法
を用いる。また、金属基板１０全体に対する第１の金属
部材１３としての銅の面積比は、サブマウント３の接着
面積、第２の金属部材１４としての１０％銅タングステ
ンの熱抵抗、金属基板１０全体の許容熱膨張率値によっ
て決定される。さらに、この許容熱膨張率値は、接着面
積、温度環境、ソルダの硬度・厚さ等によって変化す
る。
【００３５】なお、前述したように、信頼度上問題があ
る場合は、サブマウント３が接着している範囲の金属基
板１０の熱伝導率が約３００Ｗ／ｍＫ以上になるように
第１の金属部材１３としての銅の面積比を小さく設計す
ればよい。
【００３６】また、サブマウント３が金属基板１０に接
着している部分の１０％銅タングステン熱抵抗１９をＲ
ｃｗ（°Ｃ／Ｗ）、銅の熱抵抗２０をＲｃｃ（°Ｃ／
Ｗ）とすると、サブマウント３が接着している範囲の金
属基板１０の熱伝導率λ（Ｗ／ｍＫ），Ｒｃｗ，Ｒｃｃ
は、それぞれつぎの式で表わされる。
【００３７】λ＝（１／Ｒｃｗ）＋（１／Ｒｃｃ） Ｒｃｗ＝（１／λｃｗ）×（Ｌ／Ｓｃｗ） Ｒｃｃ＝（１／λｃｃ）×（Ｌ／Ｓｃｃ） なお、上述した式において、λｃｗ，Ｓｃｗ，λｃｃ，
Ｓｃｃ，Ｌは、以下のとおりに定義される。
【００３８】 λｃｗ：ＣｕＷ−１０の熱伝導率（Ｗ／ｍＫ） Ｓｃｗ：ＣｕＷ−１０とサブマウントの接着面積
（ｍ2 ） λｃｃ：銅の熱伝導率（Ｗ／ｍＫ） Ｓｃｃ：銅とサブマウントの接着面積（ｍ2 ） Ｌ ：金属基板１０の厚さ（ｍ） 前述した表１より、λ≧３００となるように、接着面積
Ｓｃｃを求めればよいことになる。
【００３９】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、３０％銅タングステン（ＣｕＷ−３０）の熱伝導率
より大きい熱伝導率を持った第１の金属部材１３の側面
周囲に、コバールから２０％銅タングステン（ＣｕＷ−
２０）の間の熱膨張率を有する第２の金属部材１４を配
置した金属基板１０を設け、それをペルチェ素子７と接
着する半導体レーザーモジュールを形成することによ
り、ＬＤチップ１より発熱した熱は、主に直下のヒート
シンクを通り、サブマウントを経て金属基板１０へ達す
る。この発熱は、ペルチェ素子７の吸熱作用により、そ
の上部から下部へと輸送され、最後にはパッケージ放熱
板から外部へ放出される。
【００４０】要するに、熱伝導率の大きい金属部材の周
囲に熱膨張率の小さい金属部材を配置して金属基板を形
成することにより、熱伝導率の大きな金属部材により多
くの熱流が通り、高熱伝導特性を確保するので、ペルチ
ェ素子による冷却能力を向上させることができる。ま
た、温度変化が生じても、熱伝導率の大きな金属部材の
熱膨張が熱膨張率の小さい金属部材によって抑制される
ため、低熱膨張特性を確保され、ペルチェ素子へのダメ
ージを少なくすることができる。したがって、温度変化
環境化での信頼性の向上を図ることができる。
【００４１】図４（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の他
の実施の形態を示す半導体レーザーモジュール主要部の
断面図およびその金属基板の斜視図である。図４（ａ）
に示すように、本実施の形態における半導体レーザーモ
ジュールは、前述した一実施の形態と同様に、ＬＤチッ
プ１などをヒートシンク２およびサブマウント３を介し
て搭載した金属基板１０と、セラミック板９Ａ，９Ｂを
上下に備えたペルチェ素子７とを備え、これらをハード
ソルダ１２により接着する。本実施の形態では、特に金
属基板１０の形成にあたり、第１の金属部材１３を中央
に集中させるのではなく、第２の金属部材１４の全面に
且つほぼ等間隔になるように分散させたものである。
【００４２】また、図４（ｂ）に示すように、金属基板
１０は、熱伝導率の大きい円形の銅材からなる第１の金
属部材１３を複数個ほぼ等間隔に配置し、その周囲を熱
膨張率の小さな１０％銅タングステンからなる第２の金
属部材１４で囲むように形成する。これら円形の銅材か
らなる第１の金属部材１３の寸法および数量について
は、前述した一実施の形態と同様に決定することができ
る。
【００４３】このように、第１の金属部材１３を複数に
分割させ、しかもこれらを縦方向に形成、すなわち、Ｌ
Ｄチップ１によって生ずる熱流の方向に対し、金属部材
１３，金属部材１４が平行になるように金属基板１０を
形成することにより、金属部材１３が小さく分散される
ので、熱膨張率を前述した図１の実施の形態よりも小さ
く抑えることができるという利点がある。
【００４４】なお、上述した第１の金属部材１３の材質
および形状や寸法については、これらに限定されること
はなく、各種の変形が可能である。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体レ
ーザーモジュールは、半導体レーザーダイオードチップ
や光学系レンズを搭載する金属基板およびセラミック板
を持ったペルチェ素子を金属ソルダを介して接着し、そ
の金属基板を熱伝導率の大きい第１の金属部材と、その
第１の金属部材の側面周囲に配置し且つ第１の金属部材
よりも熱膨張率を小さくした第２の金属部材とで形成す
ることにより、金属基板自体の熱伝導率を大きくでき、
レーザーダイオードチップからの発熱を有効に放散する
ことができるので、レーザーダイオードチップの高出力
動作下での冷却能力を向上できるという効果がある。
【００４６】また、本発明の半導体レーザーモジュール
は、上述した構成により、ペルチェ素子上部に搭載した
金属基板の熱膨張率と、ペルチェ素子を形成するセラミ
ック板の熱膨張率との差を小さくすることができるの
で、温度変化によるペルチェ素子に対する応力を小さく
でき、したがって温度変化環境下でもペルチェ素子の劣
化や破壊を防ぎ、高信頼度を実現できるという効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態を示す半導体レーザーモ
ジュール主要部の断面およびその金属基板の斜視状態を
表わす図である。
【図２】図１におけるモジュールの放熱効果を説明する
モジュール主要部の断面図である。
【図３】図２における放熱経路材料の熱伝導率とチップ
の温度変化のシミュレーション特性図である。
【図４】本発明の他の実施の形態を示す半導体レーザー
モジュール主要部の断面およびその金属基板の斜視状態
を表わす図である。
【図５】従来の一例を示す半導体レーザーモジュールの
構成図である。
【図６】図５における半導体レーザーモジュールのＡ−
Ａ’断面図である。
【図７】図６の金属基板の２つの例を表わす斜視図であ
る。
【符号の説明】
１ レーザーダイオード（ＬＤ）チップ ２ ヒートシンク ３ サブマウント ４ フォトダイオードチップ ５ チップキャリア ６ レンズホルダ ７ ペルチェ素子 ８ パッケージ放熱板 ９Ａ，９Ｂ セラミック板 １０ 金属基板 １１ サーミスタ １２ ハードソルダ １３ 第１の金属材（銅） １４ 第２の金属材（１０％銅タングステン） １８ 熱流範囲 １９，２０ 熱抵抗 ２１ 広がり角

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体レーザーダイオードチップおよび
    レンズを搭載する金属基板と、ペルチェ素子とを備え、
    前記金属基板を前記ペルチェ素子の上部に金属ソルダを
    介して接着する半導体レーザーモジュールにおいて、前
    記金属基板を熱伝導率の大きい第１の金属部材と、前記
    第１の金属部材よりも熱膨張率の小さい第２の金属部材
    とで形成することを特徴とする半導体レーザーモジュー
    ル。
  2. 【請求項２】 前記金属基板は、前記第１の金属部材の
    側面周囲に前記第２の金属部材を配置した請求項１記載
    の半導体レーザーモジュール。
  3. 【請求項３】 前記金属基板を形成する前記第１の金属
    部材は、３０％銅タングステンよりも大きい熱伝導率を
    有する部材を用い、前記第２の金属部材は、コバールお
    よび２０％銅タングステンの間の熱膨張率を有する部材
    を用いる請求項２記載の半導体レーザーモジュール。
  4. 【請求項４】 前記金属基板は、前記第１の金属部材お
    よび前記第２の金属部材が前記半導体レーザーダイオー
    ドチップによって生ずる熱流の方向と平行になるように
    形成した請求項２記載の半導体レーザーモジュール。
  5. 【請求項５】 前記金属基板は、前記第１の金属部材を
    複数個に分割し、前記第２の金属部材の全面にほぼ等間
    隔で配置した請求項４記載の半導体レーザーモジュー
    ル。
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