JPH10200397A - クロック生成回路、pll及びこのpllを含む半導体集積回路 - Google Patents

クロック生成回路、pll及びこのpllを含む半導体集積回路

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JPH10200397A
JPH10200397A JP9004901A JP490197A JPH10200397A JP H10200397 A JPH10200397 A JP H10200397A JP 9004901 A JP9004901 A JP 9004901A JP 490197 A JP490197 A JP 490197A JP H10200397 A JPH10200397 A JP H10200397A
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clock
frequency
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generation circuit
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JP9004901A
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Naoto Takano
野 直 人 高
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 消費電力を低く抑えることができ、かつ、ク
ロック生成回路の設置面積を格段に縮小することのでき
るクロック生成回路、PLL及びこのPLLを含む半導
体集積回路を提供する。 【解決手段】 クロック生成回路は、単位クロック発振
器(24)と、この単位クロック発振器のクロックを計数
し、計数値が設定値に到達する毎に単一のパルスを出力
し、かつ、設定値の変更が可能なデバイダ(25)と、ディ
ジタル情報に基づいてデバイダの設定値を増減させる制
御回路(26)とを備えたもので、ディジタルPLLは、こ
のクロック生成回路(22)と、クロック生成回路から出力
されるクロックを入力し、このクロックが入力される毎
にレベルが反転した信号を出力する波形整形回路(23)
と、外部から与えられる基準クロックと波形整形回路か
ら出力されるクロックとを入力とし、基準クロックの周
波数に対して所望の倍率を有する高周波クロックを生成
するディジタル情報をクロック生成回路(22)に加える周
波数比較回路(21)とを備えたものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、クロック生成回
路、PLL及びこのPLLを組込んだ半導体集積回路
(以下、単に集積回路と略称する)に関する。
【0002】
【従来の技術】周波数の高いクロックを集積回路の入力
とすると、このクロックが他の集積回路又は回路要素に
対して悪影響を及ぼす、いわゆる、電磁波障害を引き起
こす。そこで、高周波クロックに基づいて信号を処理す
る集積回路にあっては、周波数の低い基準クロックを入
力として高周波クロックを生成するPLL(Phase Lock
ed Loop )を備えるのが一般的である。
【0003】PLLは、主にアナログPLLとディジタ
ルPLLとがある。前者は、比較的簡単に開発できる
が、プロセスが異なると特性が異なってしまうので、プ
ロセス毎に設計しなければならない。さらに、ローパス
・フィルタを内蔵した場合、面積がかなり大きくなって
しまう欠点がある。一方、後者は、ある程度発振周波数
帯域を広くとってあれば、プロセスが異なっても大きく
特性が変わることはない。また、ローパス・フィルタは
必要がないので面積が前者に比べて小さい。このような
理由により、近年ディジタルPLLの要求が高まってき
ている。
【0004】図7はこの種の半導体集積回路の概略構成
図である。同図において、半導体集積回路1はその入力
段にPLL2を備え、このPLL2は外部から与えられ
る基準クロックCLKR に基づいて周波数の高い高周波
クロックCLKH を生成して集積要素3,4等に加える
構成になっている。因みに、基準クロックCLKR の周
波数は20MHzで、高周波クロックCLKH の周波数
は100MHzであるものが実用化の段階にある。
【0005】図8はPLL2の詳細な構成を示すブロッ
ク図である。これは周波数比較回路5、制御回路9及び
クロック生成回路10によって構成されている。このう
ち、クロック生成回路10は制御信号によって周波数が
可変の高周波クロックCLKH を出力するものである。
周波数比較回路5は、基準クロックCLKR を入力し、
所定の周波数に逓降する分周器6と、クロック生成回路
10から出力される高周波クロックCLKH を入力し、
所定の周波数に逓降する分周器7と、これら二つの分周
器6,7の出力を比較して高周波クロックCLKH が所
望の周波数よりも高いか、低いかを示すディジタル情報
を出力する比較器8とを備えている。そこで、制御回路
9は比較器8の論理信号に基づいて、クロック生成回路
10の出力周波数を制御する。この結果、基準クロック
CLKR に対して、周波数が所定の倍率を有する高周波
クロックCLKH が生成される。
【0006】分周器6で基準クロックCLKR をM分周
し、分周器7で高周波クロックCLKH をN分周した場
合、ロック状態では、PLLはCLKH =(N+1)/
(M+1)[Hz ]で安定した発振動作を行う。
【0007】図9はクロック生成回路10の詳細な構成
を示す回路図である。このクロック生成回路10は、遅
延要素として多数のインバータ11a 〜11n を直列に
接続し、このうち、奇数段のインバータの出力をそれぞ
れマルチプレクサ12の入力端子に接続し、さらに、マ
ルチプレクサ12の出力端子を初段のインバータ11a
の入力端子に接続した構成になっている。しかして、図
8に示した制御回路9がマルチプレクサ12の入力を選
択出力することによって、すなわち、インバータ11a
〜11n の接続段数を変更することによって、所望の周
波数を持った高周波クロックCLKH を生成することが
できる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のPLL
はクロック生成回路10の構成要素として、例えば、百
数十個にも及ぶ多数のインバータ11a 〜11n が用い
られていた。これらのインバータ11a 〜11n は同時
にスイッチングを行うため、消費電力が大きく、また、
集積回路の基板面に占める面積が広いために集積度を高
め難いという、解決しなければならない課題を有してい
た。
【0009】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたもので、消費電力を低く抑えることができ、か
つ、クロック生成回路の設置面積を格段に縮小すること
のできるクロック生成回路、PLL及びこのPLLを含
む半導体集積回路を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載のクロッ
ク生成回路は、周期が一定のクロックを連続的に発生す
る単位クロック発振器と、この単位クロック発振器のク
ロックを計数し、計数値が設定値に到達する毎に単一の
パルスを出力し、かつ、設定値の変更が可能なデバイダ
と、周波数が高いことを示すディジタル情報が加えられ
たときデバイダの設定値を所定値だけ増大させ、周波数
が低いことを示すディジタル情報が加えられたときデバ
イダの設定値を所定値だけ減少させる制御回路とを備え
たもので、これによって、従来のクロック生成回路のよ
うに多数のインバータを用いないで済むことになり、こ
の結果、消費電力を低く抑えることができ、かつ、クロ
ック生成回路の設置面積を格段に縮小することができ
る。
【0011】請求項2に記載の単位クロック発振器は、
NANDゲートと、このNANDゲートの出力経路に直
列に接続された第1及び第2のインバータとを備え、N
ANDゲートの一方の入力端子にイネーブル信号を、N
ANDゲートの他方の入力端子に第2のインバータの出
力信号をそれぞれ加え、第2のインバータからクロック
を発生させるもので、発振源の構成要素は極めて僅かで
済む利点がある。
【0012】請求項3に記載のPLLは、上述したクロ
ック生成回路と、クロック生成回路から出力されるクロ
ックを入力し、このクロックが入力される毎にレベルが
反転した信号を出力する波形整形回路と、外部から与え
られる基準クロックと波形整形回路から出力されるクロ
ックとを入力とし、波形整形回路から出力されたクロッ
クが、基準クロックの周波数に対して所望の倍率を有す
る周波数より高いか、低いかを比較し、高いときには周
波数が高いことを示すディジタル情報を、低いときには
周波数が低いことを示すディジタル情報をそれぞれクロ
ック生成回路に加える周波数比較回路とを備えたもの
で、これによって、従来装置のように非常に多数のイン
バータを用いないで済むことになり、この結果、消費電
力を低く抑えることができ、かつ、クロック生成回路の
設置面積を格段に縮小することができる。
【0013】請求項4に記載のPLLは、周波数が可変
のクロックを生成する手段をそれぞれ含み、周波数が高
いことを示すディジタル情報によって出力周波数を下降
させ、周波数が低いことを示すディジタル情報によって
出力周波数を上昇させ、周波数を固定させるディジタル
情報によって出力周波数を固定させる第1及び第2のク
ロック生成回路を有し、第1のクロック生成回路は周期
の長いクロックを生成し、第2のクロック生成回路は周
期の短いクロックを生成し、かつ、第1及び第2のクロ
ック生成回路は互いに他のクロック周期の終了時点をク
ロック周期の開始時点として動作し、第2のクロック生
成回路のクロックを最終的な出力とするクロック生成回
路部と、クロック生成回路部から出力されるクロックを
入力し、このクロックが入力される毎にレベルが反転し
た信号を出力する波形整形回路と、外部から与えられる
基準クロックと波形整形回路から出力されるクロックと
を入力とし、波形整形回路から出力されたクロックが、
基準クロックの周波数に対して所望の倍率を有する周波
数より高いか、低いかを比較し、高いときには周波数が
高いことを示すディジタル情報を、低いときには周波数
が低いことを示すディジタル情報をそれぞれ第1及び第
2のクロック生成回路に加えると共に、少なくとも第1
のクロック生成回路に対しては周波数が低い範囲の上限
部に固定するディジタル情報を出力する周波数比較回路
とを備えたので、請求項4に記載された効果に加えて、
クロック周波数の精度を高めることができる効果も得ら
れる。
【0014】請求項5に記載のPLLは、クロック生成
回路として、周期が一定のクロックを連続的に発生する
単位クロック発振器と、この単位クロック発振器の出力
クロックを計数し、計数値が設定値に到達する毎に単一
のパルスを出力し、かつ、設定値の変更が可能なデバイ
ダと、周波数比較回路から周波数が高いことを示すディ
ジタル情報が加えられたときデバイダの設定値を所定値
だけ増大させ、周波数比較回路から周波数が低いことを
示すディジタル情報が加えられたときデバイダの設定値
を所定値だけ減少させ、周波数を固定させるディジタル
情報によって出力周波数を固定させる制御回路とを備え
たもので、これによって、第1のクロック生成回路を周
波数が低い範囲の上限部に固定することが可能となる。
【0015】請求項6に記載の半導体集積回路は、請求
項3乃至5のいずれかに記載のPLLを組込んだもの
で、これによって、従来装置のように非常に多数のイン
バータを用いないで済むことになり、この結果、消費電
力を低く抑えることができ、かつ、クロック生成回路の
設置面積を格段に縮小することができる。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示す好適な
実施形態に基づいて詳細に説明する。図1は本発明に係
るPLLの第1の実施形態の構成を示すブロック図であ
る。PLL2Aは、周波数比較回路21、クロック生成
回路22及びTフリップ・フロップ23によって構成さ
れている。このうち、周波数比較回路21は図8を用い
て説明した周波数比較回路と同様な構成を有し、一方の
入力端子に基準クロックCLKR を加え、他方の入力端
子に高周波クロックCLKH を加えることによって、高
周波クロックCLKH が所望の周波数よりも高いか、低
いかを示すディジタル情報SCMP を出力してクロック生
成回路22に加えるものである。クロック生成回路22
は周期が一定のクロックを内部生成し、このクロックを
計数することによって高周波のクロックCLKD を出力
するようになっており、周波数が高いことを示すディジ
タル情報が加えられたときクロックCLKD の周波数を
低下させ、反対に、周波数が低いことを示すディジタル
情報が加えられたとき高周波クロックCLKD の周波数
を増大させる。Tフリップ・フロップ23は本発明の波
形整形回路に対応するもので、クロックCLKD の立上
がりのエッジにて出力レベルを反転させてデューティ比
が50%の高周波クロックCLKH を出力するものであ
る。
【0017】図2はクロック生成回路22の詳細な構成
を示すブロック図である。このクロック生成回路22は
単位クロック発振器24、デバイダ25及び制御回路2
6によって構成されている。単位クロック発振器24は
制御回路26からイネーブル信号が加えられたとき、周
期が一定の単位クロックCLKU を連続的に生成してデ
バイダ25に加える。デバイダ25はクロックCLKU
を計数し、その計数中は「H」レベルの信号を出力し続
け、計数値が設定値に到達したとき「L」レベルの信号
を出力する。制御回路26は周波数が高いことを示すデ
ィジタル情報SCMP が加えられたときデバイダ25の設
定値を一定値だけ増大させ、周波数が低いことを示すデ
ィジタル情報SCMP が加えられたときデバイダ25の設
定値を一定値だけ減少させると共に、出力クロックCL
D が「L」レベルになったことを検知してデバイダ2
5を動作させる。
【0018】図3は単位クロック発振器24の詳細な構
成を示す回路図であり、一方の入力端子にイネーブル信
号が加えられるNANDゲート27の出力端にインバー
タ28aの入力端が接続され、このインバータ28aの
出力端にインバータ28bの入力端が接続され、さら
に、このインバータ28bの出力端がNANDゲート2
7の他方の入力端子に接続されている。そして、インバ
ータ28bから単位クロックCLKU が生成される。
【0019】この場合、NANDゲートの持つ機能を、
ANDゲート、ORゲート、NORゲート等を組合わせ
た回路で実現することもできるが、本発明ではこれらを
総称してNANDゲートと称している。さらに、インバ
ータ28a及び28bの持つ機能は、本来、偶数個のイ
ンバータを直列接続した回路で実現することもできる。
ただし、消費電力を低く抑えるという点では2個である
ことが好ましく、本発明ではこれら偶数個のインバータ
での構成例を含めて、第1及び第2のインバータと称す
ることとする。
【0020】図4は上述したPLL2A及びクロック生
成回路22の動作を説明するためのタイムチャートであ
る。単位クロック発振器24は同図(a)に示すように
単位クロックCLKU を一定の周期にて出力する。デバ
イダ25はこの単位クロックCLKU を計数して、その
計数中は「H」レベルの信号を、計数値が設定値に到達
すると「L」レベルの信号をそれぞれ出力し、制御回路
26がこのうちの「L」レベルの信号を検知して、デバ
イダ25の計数動作を繰返して実行させる。このように
して、クロック生成回路22の出力クロックCLKD
Tフリップ・フロップ23に加えられ、このTフリップ
・フロップ23から同図(c)に示す高周波クロックC
LKH が出力される。
【0021】もし、高周波クロックCLKH の周波数を
100MHzとした場合、制御回路26がデバイダ25
の設定値を変更することにより、1サイクルが10ns
で、デューテー比が50%の高周波クロックCLKH
生成される。
【0022】この第1の実施形態によれば、単位クロッ
ク発振器24とデバイダ25によって、図9に示したイ
ンバータ11a 〜11n 及びマルチプレクサ12の機能
を実現することができ、この結果、消費電力を低く抑え
ることができ、かつ、クロック生成回路の設置面積を格
段に縮小することのできるクロック生成回路、これを構
成要素とするPLL、及びこのPLLを組込んだ集積回
路を実現することができる。
【0023】図5は本発明の第2の実施形態の構成を示
す回路図である。この第2の実施形態は、クロック生成
回路部として、図2に示したクロック生成回路22とは
内部構成が同一の第1のクロック生成回路32及び第2
のクロック生成回路33を備えている。これらのクロッ
ク生成回路32,33は前述した如く、周波数が可変の
クロックを生成する手段をそれぞれ含み、周波数が高い
ことを示すディジタル情報SCMP1,SCMP2によって出力
クロックCLKD1,CLKD2の周波数を下降させ、周波
数が低いことを示すディジタル情報SCMP1,SCMP2によ
って出力クロックCLKD1,CLKD2の周波数を上昇さ
せるほか、第1のクロック生成回路32は周波数を固定
させるディジタル情報SCMP1によって出力クロックCL
D1の周波数を固定させるようになっている。また、第
1のクロック生成回路32の出力を第2のクロック生成
回路33の入力とし、さらに、第2のクロック生成回路
33の出力を第1のクロック生成回路32の入力とし
て、互いに他のクロック周期の終了時点をクロック周期
の開始時点として動作する。さらに、第2のクロック生
成回路33の出力がクロック生成回路部の出力としてT
フリップ・フロップ34に加えられる。
【0024】上記のように構成された第2の実施形態の
動作について、図6のタイムチャートをも参照して以下
に説明する。第1のクロック生成回路32は図6(a)
に示すように周期の長い(周波数の低い)単位クロック
CLKU1を生成する単位クロック発振器を内蔵し、第2
のクロック生成回路33は図6(c)に示すように周期
の短い(周波数の高い)単位クロックCLKU2を生成す
る単位クロック発振器を内蔵している。周波数比較回路
31は高周波クロックCLKH が所望の周波数より低い
ときには、周波数を低いことを、所望の周波数より高い
ときには、周波数が高いことを、周波数が低い範囲の上
限部に到達したときに、現在の出力状態を保持するディ
ジタル情報SCM P1をそれぞれ第1のクロック生成回路3
2に加える。続いて、周波数比較回路31は高周波クロ
ックCLKH が所望の周波数より低いときには、周波数
を低いことを、所望の周波数より高いときには、周波数
が高いことをそれぞれ示すデイジタル情報SCMP2を第2
のクロック生成回路33に加える。
【0025】一方、第2のクロック生成回路33は第1
のクロック生成回路32が計数動作を終了した時点から
計数動作を開始し、第1のクロック生成回路32は第2
のクロック生成回路33が計数動作を終了した時点から
計数動作を開始するようになっている。
【0026】ここで、周波数比較回路31が出力状態を
保持するディジタル情報SCMP1を第1のクロック生成回
路32に加えたことによって、第1のクロック生成回路
32を構成するデバイダは、図6(b)に示すように、
時刻t1 から単位クロックCLKU1の計数を開始し、時
刻t2 にて設定値に到達したことによってその出力すな
わちCLKD1を「H」レベルから「L」レベルに変化さ
せる。このクロックCLKD1の立下がりエッジを第2の
クロック生成回路33が検知し、時刻t2 から単位クロ
ックCLKU2の計数を開始し、時刻t3 にて設定値に到
達したことによってその出力すなわちCLKD2を「H」
レベルから「L」レベルに変化させる。これと同様な動
作を繰返して実行することによって、第2のクロック生
成回路33は図6(d)に示したパルスを出力する。こ
のとき、第1のクロック生成回路32の計数時間をaと
し、第2のクロック生成回路33の計数時間をbとする
と、第2のクロック生成回路33はa+bの周期を持っ
たクロックCLKD2を発生してTフリップ・フロップ3
4に加える。そこで、Tフリップ・フロップ34は図6
(e)に示すように、a+bの時間が経過する毎に出力
レベルが反転する高周波クロックCLKH を出力する。
若し、これら動作の実行中に高周波クロックCLKH
僅かな周波数変化が生じた場合には第2のクロック生成
回路33に対するディジタル情報SCMP2により出力周波
数を調整する。
【0027】かくして、第2の実施形態によれば、周波
数の低いクロックを計数して動作する第1のクロック生
成回路32と、周波数の高いクロックを計数して動作す
る第2のクロック生成回路33とを備え、両者の計数時
間を加算して所望の周波数を持った高周波クロックCL
H を出力するようにしたので、第1の実施形態よりも
精度の高い高周波クロックCLKH を生成するPLLを
提供することができる。
【0028】また、第2の実施形態によるPLLを集積
回路に組込むことにより、第1の実施形態と同様に、消
費電力を低く抑えることができ、かつ、クロック生成回
路の設置面積を格段に縮小することができ、さらに、周
波数精度の高い高周波クロックCLKH を生成する回路
を内蔵する集積回路を提供することができる。
【0029】
【発明の効果】以上の説明によって明らかなように、本
発明によれば、消費電力を低く抑えることができ、か
つ、クロック生成回路の設置面積を格段に縮小すること
のできるクロック生成回路、PLL及びこのPLLを含
む半導体集積回路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るPLLの第1の実施形態の構成を
示すブロック図。
【図2】図1に示したPLLを構成するクロック生成回
路の詳細な構成を示すブロック図。
【図3】図2に示したクロック生成回路を構成する単位
クロック発振器の詳細な構成を示す回路図。
【図4】図1に示したPLLの動作を説明するためのタ
イムチャート。
【図5】本発明に係るPLLの第2の実施形態の構成を
示すブロック図。
【図6】図5に示したPLLの動作を説明するためのタ
イムチャート。
【図7】デイジタルPLLを組込んだ半導体集積回路の
概略構成図。
【図8】従来のPLLの概略構成を示すブロック図。
【図9】図8に示したPLLを構成するクロック生成回
路の詳細な構成を示すブロック図。
【符号の説明】
2A PLL 21,31 周波数比較回路 22 クロック生成回路 23,34 Tフリップ・フロップ 24 単位クロック発振器 25 デバイダ 26 制御回路 27 NANDゲート 28a,28b インバータ 32 第1のクロック生成回路 33 第2のクロック生成回路

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】周期が一定のクロックを連続的に発生する
    単位クロック発振器と、 この単位クロック発振器のクロックを計数し、計数値が
    設定値に到達する毎に単一のパルスを出力し、かつ、設
    定値の変更が可能なデバイダと、 周波数が高いことを示すディジタル情報が加えられたと
    き前記デバイダの設定値を所定値だけ増大させ、周波数
    が低いことを示すディジタル情報が加えられたとき前記
    デバイダの設定値を所定値だけ減少させる制御回路と、 を備えたクロック生成回路。
  2. 【請求項2】前記単位クロック発振器は、NANDゲー
    トと、このNANDゲートの出力経路に直列に接続され
    た第1及び第2のインバータとを備え、前記NANDゲ
    ートの一方の入力端子にイネーブル信号を、前記NAN
    Dゲートの他方の入力端子に前記第2のインバータの出
    力信号をそれぞれ加え、前記第2のインバータからクロ
    ックを発生させる請求項1に記載のクロック生成回路。
  3. 【請求項3】請求項1又は2に記載のクロック生成回路
    と、 前記クロック生成回路から出力されるクロックを入力
    し、このクロックが入力される毎にレベルが反転した信
    号を出力する波形整形回路と、 外部から与えられる基準クロックと前記波形整形回路か
    ら出力されるクロックとを入力とし、前記波形整形回路
    から出力されたクロックが、前記基準クロックの周波数
    に対して所望の倍率を有する周波数より高いか、低いか
    を比較し、高いときには周波数が高いことを示すディジ
    タル情報を、低いときには周波数が低いことを示すディ
    ジタル情報をそれぞれ前記クロック生成回路に加える周
    波数比較回路と、 を備えたPLL。
  4. 【請求項4】周波数が可変のクロックを生成する手段を
    それぞれ含み、周波数が高いことを示すディジタル情報
    によって出力周波数を下降させ、周波数が低いことを示
    すディジタル情報によって出力周波数を上昇させ、周波
    数を固定させるディジタル情報によって出力周波数を固
    定させる第1及び第2のクロック生成回路を有し、前記
    第1のクロック生成回路は周期の長いクロックを生成
    し、前記第2のクロック生成回路は周期の短いクロック
    を生成し、かつ、前記第1及び第2のクロック生成回路
    は互いに他のクロック周期の終了時点をクロック周期の
    開始時点として動作し、前記第2のクロック生成回路の
    クロックを最終的な出力とするクロック生成回路部と、 前記クロック生成回路部から出力されるクロックを入力
    し、このクロックが入力される毎にレベルが反転した信
    号を出力する波形整形回路と、 外部から与えられる基準クロックと前記波形整形回路か
    ら出力されるクロックとを入力とし、前記波形整形回路
    から出力されたクロックが、前記基準クロックの周波数
    に対して所望の倍率を有する周波数より高いか、低いか
    を比較し、高いときには周波数が高いことを示すディジ
    タル情報を、低いときには周波数が低いことを示すディ
    ジタル情報をそれぞれ前記第1及び第2のクロック生成
    回路に加えると共に、少なくとも前記第1のクロック生
    成回路に対しては周波数が低い範囲の上限部に固定する
    ディジタル情報を出力する周波数比較回路と、 を備えたPLL。
  5. 【請求項5】前記クロック生成回路は、周期が一定のク
    ロックを連続的に発生する単位クロック発振器と、この
    単位クロック発振器の出力クロックを計数し、計数値が
    設定値に到達する毎に単一のパルスを出力し、かつ、設
    定値の変更が可能なデバイダと、前記周波数比較回路か
    ら周波数が高いことを示すディジタル情報が加えられた
    とき前記デバイダの設定値を所定値だけ増大させ、前記
    周波数比較回路から周波数が低いことを示すディジタル
    情報が加えられたとき前記デバイダの設定値を所定値だ
    け減少させ、周波数を固定させるディジタル情報によっ
    て出力周波数を固定させるる制御回路とを備えたことを
    特徴とする請求項4に記載のPLL。
  6. 【請求項6】請求項3乃至5のいずれかに記載のPLL
    を組込んでなる半導体集積回路。
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