JPH10206602A - Conductive anti-reflection film - Google Patents
Conductive anti-reflection filmInfo
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- JPH10206602A JPH10206602A JP9012762A JP1276297A JPH10206602A JP H10206602 A JPH10206602 A JP H10206602A JP 9012762 A JP9012762 A JP 9012762A JP 1276297 A JP1276297 A JP 1276297A JP H10206602 A JPH10206602 A JP H10206602A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】可視光の反射防止性能に優れ、かつ、反射防止
層中の層間の密着性の良い、下地となるハードコート層
に対する応力の小さい反射防止フィルムであり、かつ電
磁波遮蔽機能を有する導電性反射防止フィルムを提供す
ること。
【解決手段】フィルム上に、順次、ハードコート層、屈
折率が異なり、かつ、少なくとも1層以上の導電性を有
する無機化合物を積層した反射防止層、撥水層を積層し
た反射防止フィルムであり、各々の無機化合物層の光学
膜厚(∫ndx(積分区間は膜の両面間))において、
導電性を有する無機化合物の層以外の無機化合物層の厚
さ方向のnの値が不均一であることを特徴とする反射防
止フィルム。
(57) Abstract: An antireflection film having excellent antireflection performance for visible light, good adhesion between layers in the antireflection layer, low stress on a hard coat layer serving as a base, and electromagnetic waves. To provide a conductive antireflection film having a shielding function. An anti-reflection film in which a hard coat layer, an anti-reflection layer in which at least one or more conductive inorganic compounds having different refractive indices are sequentially laminated, and a water-repellent layer are sequentially laminated on a film. In the optical film thickness of each inorganic compound layer (∫ndx (integral section is between both surfaces of the film)),
An antireflection film, wherein the value of n in the thickness direction of the inorganic compound layer other than the layer of the conductive inorganic compound is non-uniform.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ディスプレイの表
示画面表面に設けられた偏光フィルムなどの上に適用さ
れる導電性反射防止フィルムの係り、特に可視光の反射
防止性能に優れ、かつ、反射防止層中の層間の密着性の
良い、下地となるハードコート層に対する応力の小さな
反射防止フィルムであり、かつ電磁波遮蔽機能を有する
導電性反射防止フィルムに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a conductive antireflection film applied on a polarizing film or the like provided on the surface of a display screen of a display. The present invention relates to an anti-reflection film having good adhesion between layers in the anti-reflection layer, having a small stress on a hard coat layer serving as a base, and having a function of shielding electromagnetic waves.
【0002】[0002]
【従来の技術】ディスプレイの多くは、室内外問わず、
外光が入射するような環境下で使用され、この入射光
は、ディスプレイ内部において正反射され光源の虚像を
表面上に再生したり、表示光に混合して表示品質を低下
させる。2. Description of the Related Art Many displays, indoors and outdoors,
Used in an environment where external light is incident, the incident light is specularly reflected inside the display to reproduce a virtual image of the light source on the surface or to mix with display light to lower display quality.
【0003】これらを防止するため、表示画面上に凹凸
を設け、乱反射させたり、本発明のような高屈折率と低
屈折率の材料を交互にn×dにおけるnを均一に積層し
て構成される反射防止膜が利用されている。In order to prevent these, irregularities are provided on the display screen to cause irregular reflection, or high-refractive-index and low-refractive-index materials as in the present invention are alternately and uniformly stacked in n × d. Used anti-reflection film.
【0004】さらに近年、表示画面の駆動回路から、あ
るいは表示画面を通して回路中への電磁波の侵入が問題
となり、人体への影響あるいは機械の誤作動の原因とな
っている。[0004] In recent years, the penetration of electromagnetic waves from a drive circuit for a display screen or into the circuit through the display screen has become a problem, causing an effect on the human body or a malfunction of a machine.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、乱反射
させる方法では、ディスプレイ上の画像がぼやけて見え
たりして、反射防止膜に比べると十分であるとは言えな
い。さらに、通常の厚さ方向に対してnの値の均一な積
層体では界面においても強固な材料である屈折率の高い
材料を用いなければならないゆえに、脆性が強く応力が
大きく、それにより作成した層ではのみならず、フィル
ム基材との密着性ならびに硬さの緩和のために設けたハ
ードコート層との応力の差による耐性の劣化が生じ、ク
ラックが発生し、品質の低下を招くことがある。However, the method of irregularly reflecting the light may cause an image on the display to be blurred, which is not sufficient compared with the antireflection film. Further, in a laminate having a uniform value of n with respect to a normal thickness direction, a material having a high refractive index, which is a strong material even at the interface, must be used. Not only in the layer but also in the adhesion to the film substrate and the resistance difference due to the difference in stress with the hard coat layer provided for relaxing the hardness, cracks may occur, and quality may be reduced. is there.
【0006】本発明は、このような問題点に着目してな
されたもので、その課題とするところは、可視光の反射
防止性能に優れ、かつ、反射防止層中の層間の密着性の
良い、下地となるハードコート層に対する応力の小さい
反射防止フィルムであり、かつ電磁波遮蔽機能を有する
導電性反射防止フィルムを提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such problems, and it is an object of the present invention to provide excellent antireflection performance for visible light and good adhesion between layers in the antireflection layer. Another object of the present invention is to provide a conductive anti-reflection film which is an anti-reflection film having a small stress on a hard coat layer serving as a base and has an electromagnetic wave shielding function.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
フィルム上に、順次、ハードコート層、屈折率が異な
り、かつ、少なくとも1層以上の導電性を有する無機化
合物を積層した反射防止層、防汚層を積層した反射防止
フィルムであり、各々の無機化合物層の光学膜厚(屈折
率と形状膜厚が一定の場合n(屈折率)×d(形状膜
厚)と規定される値で、∫ndx(但し、積分区間は膜
の両面間(x=0からd迄))において、導電性を有す
る無機化合物の層以外の無機化合物層の厚さ方向のnの
値が不均一であることを特徴とする反射防止フィルムで
ある。According to the first aspect of the present invention,
On the film, a hard coat layer, an antireflection layer in which a refractive index is different, and an antireflection layer in which at least one or more conductive inorganic compounds are laminated, and an antireflection film in which an antifouling layer is laminated, The optical film thickness of the compound layer (a value defined as n (refractive index) × d (shape film thickness) when the refractive index and the shape film thickness are constant, 但 ndx (however, the integral section is between both surfaces of the film (x = 0 to d)), wherein the value of n in the thickness direction of the inorganic compound layer other than the conductive inorganic compound layer is non-uniform.
【0008】請求項2記載の発明は、請求項1記載の発
明を前提とし、無機化合物を積層した反射防止層中の導
電性を有する無機化合物からなる層以外の高屈折率(n
>1.9)材料が酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化
タンタル、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化ハフニウ
ム、酸化セリウム、酸化錫のいずれかであることを特徴
とする導電性反射防止フィルムである。The invention according to claim 2 is based on the premise of the invention according to claim 1, and has a high refractive index (n) other than a layer made of a conductive inorganic compound in an antireflection layer in which an inorganic compound is laminated.
> 1.9) An electrically conductive antireflection film, wherein the material is any one of titanium oxide, zirconium oxide, tantalum oxide, zinc oxide, indium oxide, hafnium oxide, cerium oxide, and tin oxide.
【0009】請求項3記載の発明は、請求項1記載の発
明を前提とし、無機化合物を積層した反射防止層中の導
電性を有する無機化合物を有する無機化合物からなる層
以外の層の低屈折率(n<1.6)材料が、酸化珪素、
フッ化マグネシウム、フッ化カルシウムの何れかである
ことを特徴とする導電性反射防止フィルムである。According to a third aspect of the present invention, based on the premise of the first aspect, a low refractive index of a layer other than a layer made of an inorganic compound having a conductive inorganic compound in an antireflection layer in which an inorganic compound is laminated is provided. Rate (n <1.6) material is silicon oxide,
A conductive anti-reflection film characterized by being one of magnesium fluoride and calcium fluoride.
【0010】請求項4記載の発明は、請求項1記載の発
明を前提とし、導電性を有する無機化合物が、酸化イン
ジウムを主材料とする透明導電性材料あるいは酸化錫を
主材料とする透明導電性材料あるいは酸化亜鉛を主材料
とする透明導電性材料であることを特徴とする導電性反
射防止フィルムである。The invention according to claim 4 is based on the premise of claim 1, wherein the conductive inorganic compound is a transparent conductive material mainly containing indium oxide or a transparent conductive material mainly containing tin oxide. The conductive anti-reflection film is a conductive material or a transparent conductive material mainly composed of zinc oxide.
【0011】請求項5記載の発明は、請求項1および4
記載の発明を前提とし、導電性を有する無機化合物がス
パッタリングにより成膜されていることを特徴とする導
電性反射防止フィルムである。The invention described in claim 5 is the first and fourth aspects of the present invention.
A conductive anti-reflection film, characterized in that a conductive inorganic compound is formed by sputtering on the premise of the described invention.
【0012】請求項6記載の発明は、請求項1記載の発
明を前提とし、ハードコート層が、光散乱性を有するこ
とを特徴とする導電性反射防止フィルムである。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the conductive antireflection film according to the first aspect, wherein the hard coat layer has a light scattering property.
【0013】請求項7記載の発明は、請求項1記載の発
明を前提とし、無機化合物を積層した反射防止層の層数
が2層以上であることを特徴とする導電性反射防止フィ
ルムである。According to a seventh aspect of the present invention, there is provided the conductive anti-reflection film according to the first aspect, wherein the number of the anti-reflection layers formed by laminating the inorganic compound is two or more. .
【0014】請求項8記載の発明は、請求項1記載の発
明を前提とし、無機化合物を積層した反射防止層中の導
電性を有する無機化合物からなる層が、厚さ方向のnの
値が他の層と接する界面で低い事を特徴とする導電性反
射防止フィルムである。According to an eighth aspect of the present invention, based on the first aspect, the layer made of an inorganic compound having conductivity in the antireflection layer in which the inorganic compound is laminated has a value of n in the thickness direction. It is a conductive antireflection film characterized by being low at an interface in contact with another layer.
【0015】[0015]
【発明の実施の形態】本発明の導電性反射防止フィルム
の一例を図1に示し、詳細に説明する。FIG. 1 shows an example of the conductive anti-reflection film of the present invention, which will be described in detail.
【0016】この実施の形態に係る反射防止フィルム
は、図1に示すように基材2、ハードコート層3、反射
防止層4、防汚層5から構成されている。さらに41は
高屈折率材料層、42は低屈折率材料層、43は透明導
電性材料層である。The antireflection film according to this embodiment comprises a substrate 2, a hard coat layer 3, an antireflection layer 4, and an antifouling layer 5, as shown in FIG. Further, 41 is a high refractive index material layer, 42 is a low refractive index material layer, and 43 is a transparent conductive material layer.
【0017】尚、41、42の屈折率は図2に示すよう
に不均一となっており、∫ndx(但し、積分区間は膜
の両面間(x=0からd迄))と規定される値である光
学膜厚としては一定の値を取るように設計されている。
43の屈折率に関しては、電磁波遮蔽機能を持たせるた
めには均一の方が好ましい。本発明の主眼とする密着性
に関しては、透明導電性が均一であっても、その材料層
の表裏ともに不均一な層より構成されているので影響は
ない。Incidentally, the refractive indices of 41 and 42 are non-uniform as shown in FIG. 2, and are defined as Δndx (however, the integration interval is between both surfaces of the film (x = 0 to d)). The optical film thickness is designed to take a constant value.
Regarding the refractive index of 43, it is preferable that the refractive index is uniform in order to have an electromagnetic wave shielding function. Regarding the adhesiveness, which is the main feature of the present invention, even if the transparent conductivity is uniform, there is no effect since the material layer is composed of a non-uniform layer on both sides.
【0018】本発明におけるハードコート層3は、透明
性があり、基材の屈折率とその屈折率が等しいことが望
ましいが、厚さが5μm以上あれば、層である必要はな
い。また、材質としては密着性、硬さなどの要求する性
能を満たすものであれば、いかなるものでも良く、また
いかなる硬化方法であっても良いが、主として紫外線硬
化型のアクリル樹脂、シリコーン樹脂が挙げられる。It is desirable that the hard coat layer 3 in the present invention has transparency and the refractive index of the substrate is equal to the refractive index. However, the layer need not be a layer having a thickness of 5 μm or more. As the material, any material may be used as long as it satisfies the required properties such as adhesion and hardness, and any curing method may be used. Examples of the material include ultraviolet-curable acrylic resins and silicone resins. Can be
【0019】さらに、光を散乱させるための材料は、ハ
ードコート剤への透明粉末が好ましく、その透明材料と
して、例えば、透明顔料が利用でき、このような透明顔
料としては、酸化チタン、酸化珪素、酸化亜鉛、酸化ア
ルミニウム等の無機化合物、硫酸バリウム等の無機塩、
フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム等のフッ化物等
が挙げられる。また、上記透明粉末として、ポリジビニ
ルベンゼン、ポリスチレン、ポリテトラフルオロエチレ
ン等の樹脂粉末、これらの樹脂から構成される中空のビ
ーズあるいはこれらの樹脂またはその中空ビーズ表面に
表面処理を施した粉末などを利用することもできる。こ
のような透明粉末樹脂は、上記透明樹脂層中で適当な大
きさの平均粒径を有する物であれば良く、好ましくは〜
3μm程度が望ましい。これらは基材に対して平滑に、
かつ、均一に塗布されるものであり、その方法は、いか
なる方法であっても構わない。Further, the material for scattering light is preferably a transparent powder for a hard coat agent. As the transparent material, for example, a transparent pigment can be used. Examples of such a transparent pigment include titanium oxide and silicon oxide. , Zinc oxide, inorganic compounds such as aluminum oxide, inorganic salts such as barium sulfate,
And fluorides such as magnesium fluoride and calcium fluoride. Examples of the transparent powder include resin powders such as polydivinylbenzene, polystyrene, and polytetrafluoroethylene, hollow beads composed of these resins, and powders obtained by subjecting the surfaces of these resins or the hollow beads to surface treatment. Can also be used. Such a transparent powder resin may be any one having an average particle diameter of an appropriate size in the transparent resin layer, and is preferably ~
About 3 μm is desirable. These are smooth to the substrate,
In addition, it is applied uniformly, and the method may be any method.
【0020】本発明における基材2は、透明なプラスチ
ックフィルムであれば良く、目的に応じて適時、選択さ
れるものである。ディスプレイの表面に使用するのであ
れば、複屈折のないものが要求され、例えば、ポリカー
ボネート、トリアセチルセルロース、ポリエーテルスル
ホン、ポリメチルアクリレート等が挙げられるが、ポリ
エチレンテレフタレート等汎用性のあるフィルムであっ
ても構わない。その厚さは用途に応じて選定されるもの
である。The substrate 2 in the present invention may be any transparent plastic film, and is appropriately selected according to the purpose. If used on the surface of a display, a material having no birefringence is required, and examples thereof include polycarbonate, triacetyl cellulose, polyether sulfone, and polymethyl acrylate. It does not matter. The thickness is selected according to the application.
【0021】本発明における防汚層5は、本発明の反射
防止層4を保護し、かつ、防汚性能を高めるものであ
り、性能の要求を満たすものであれば、いかなる材料で
あっても構わない。また、いかなる方法で層を形成して
も構わない。厚さは反射防止層4の機能を阻害しないよ
うに設定しなければならず、好ましくは、20nm以
下、更に好ましくは10nm以下である。材料として
は、疎水基を有する化合物が良く、例としてはパーフル
オロシラン、フルオロカーボン等が挙げられ、材料に応
じて、蒸着、スパッタリング等の物理気相析出法、CV
Dのような化学気相析出法を用いることができる。The antifouling layer 5 in the present invention protects the antireflection layer 4 of the present invention and enhances the antifouling performance, and may be made of any material as long as it meets performance requirements. I do not care. Further, the layer may be formed by any method. The thickness must be set so as not to impair the function of the antireflection layer 4, and is preferably 20 nm or less, more preferably 10 nm or less. As the material, a compound having a hydrophobic group is preferable, and examples thereof include perfluorosilane and fluorocarbon. Depending on the material, physical vapor deposition such as vapor deposition and sputtering, CV
A chemical vapor deposition method such as D can be used.
【0022】本発明における、反射防止層4は、高屈折
率材料41と低屈折率材料42を交互に所定の光学膜厚
で積層させることにより機能を発現するものである。な
お、一般の定義では屈折率と形状膜厚が一定と仮定した
場合のn(屈折率)×d(形状膜厚)と規定される値で
あるが、本発明の場合は一定ではない為に、∫ndx
(但し、積分区間は膜の両面間(x=0からd迄))と
規定される値である。高屈折率材料41とは、n>1.
9のものであり、低屈折率材料42とは、n<1.6の
ものである。層数は1層でも必要条件を満たすものであ
れば良いが、反射率が0.5%となる可視領域での波長
が狭く、2層以上積層させることにより反射率防止効果
のある波長領域を広げることができ、4〜5層が好まし
い。材料は請求項2あるいは請求項3において、限定し
ているが、材料間の密着性、即ち層間での応力の緩和
(相殺)できるものであれば、これ以外の材料であって
も構わない。In the present invention, the antireflection layer 4 exhibits its function by alternately laminating high-refractive-index materials 41 and low-refractive-index materials 42 with a predetermined optical film thickness. Note that, in a general definition, the value is defined as n (refractive index) × d (shape film thickness) when the refractive index and the shape film thickness are assumed to be constant. , ∫ndx
(However, the integration interval is a value defined as the distance between both surfaces of the film (x = 0 to d)). The high refractive index material 41 is defined as n> 1.
9 and the low-refractive-index material 42 has n <1.6. The number of layers is not limited as long as one layer satisfies the necessary conditions. However, the wavelength in the visible region where the reflectance is 0.5% is narrow, and a wavelength region having a reflectance prevention effect is obtained by stacking two or more layers. It can be spread, and 4-5 layers are preferred. Although the material is limited in claim 2 or claim 3, any other material may be used as long as the adhesion between the materials, that is, the stress between the layers can be relaxed (canceled).
【0023】本発明を実施させる、即ち、nを不均一に
するための成膜方法としては、成膜粒子を基材に対し
て、斜入射できる方法が好ましく、nの値の入射角度依
存性を利用して成膜できる方法が好ましい。さらには導
入ガスの量によってもnを変えることができる。すなわ
ち、スパッタリング方法よりも蒸着法の方がより好まし
く、その際、適時、反応性蒸着あるいはプラズマやイオ
ンビーム等によるアシスト蒸着を施しても構わない。さ
らには、ガス組成を適当に変化させたCVD方であって
も構わず、フィルム基材にダメージを与えることなく、
目的の性能を達することができるものであれば、いかな
る成膜方法であっても構わない。As a film forming method for carrying out the present invention, that is, for making n non-uniform, a method in which film-forming particles can be obliquely incident on a substrate is preferable. A method capable of forming a film by utilizing is preferred. Further, n can be changed depending on the amount of the introduced gas. That is, the vapor deposition method is more preferable than the sputtering method. At this time, reactive vapor deposition or assist vapor deposition using plasma, ion beam, or the like may be performed as appropriate. Furthermore, a CVD method in which the gas composition is appropriately changed may be used, without damaging the film base material.
Any film formation method may be used as long as the desired performance can be achieved.
【0024】本発明における透明導電性材料層は、酸化
インジウム、酸化錫、酸化亜鉛を主材料とした透明導電
性材料であり、これらに少量の金属あるいは半導体を添
加したものである。酸化インジウムに対しては錫をドー
プしたいわゆるITOが知られており、酸化錫に対して
はアンチモン、酸化亜鉛に対してはアルミニウムなどが
知られている。電磁波遮蔽機能に関しては、以下の式に
示されるように、透明導電性の材料の層の抵抗値と遮蔽
機能との間に関係がある。 電磁波遮蔽効果(dB)=20×log(Ei/Et) (1) ここで、(1)式中、Eiは電磁波遮蔽材料に入射した
電磁波の電界強度、Etはこの電磁波遮蔽材料を透過し
た電界強度である。従って、本発明における抵抗値は1
00Ω/□以下であることが望ましい。さらに好ましく
は、50Ω/□以下であることが望ましい。The transparent conductive material layer in the present invention is a transparent conductive material mainly composed of indium oxide, tin oxide and zinc oxide, and is obtained by adding a small amount of metal or semiconductor to these. So-called ITO doped with tin is known for indium oxide, antimony is known for tin oxide, and aluminum is known for zinc oxide. As for the electromagnetic wave shielding function, there is a relationship between the resistance value of the layer of the transparent conductive material and the shielding function as shown in the following equation. Electromagnetic wave shielding effect (dB) = 20 × log (Ei / Et) (1) where Ei is the electric field intensity of the electromagnetic wave incident on the electromagnetic wave shielding material, and Et is the electric field transmitted through the electromagnetic wave shielding material. Strength. Therefore, the resistance value in the present invention is 1
It is desirable that the resistance is not more than 00Ω / □. More preferably, it is desirably 50Ω / □ or less.
【0025】本発明において、透明導電性材料層の形成
にスパッタリング法を使用するのは、粒径をより小さく
し、粒子同志の界面を少なくして抵抗値を下げるためで
ある。スパッタリング法以外ではCVD法も適当である
が、膜の厚さの制御方法に問題あり、さらには蒸着法に
おいては、基材がプラスチックであることより高温に曝
すことができず、低抵抗化が困難である。スパッタリン
グ法においてはいかなる方法でも良く、反応性スパッタ
リングでも通常のスパッタリングでも、マグネトロンを
使用しようとも、直流でも交流でも、それらを重畳させ
ようとも構わない。In the present invention, the reason why the sputtering method is used for forming the transparent conductive material layer is to reduce the particle size and the interface between the particles to reduce the resistance value. Other than the sputtering method, the CVD method is also suitable, but there is a problem in the method of controlling the thickness of the film. Furthermore, in the vapor deposition method, the substrate cannot be exposed to a high temperature because it is plastic, and the resistance can be reduced. Have difficulty. In the sputtering method, any method may be used, and reactive sputtering, ordinary sputtering, magnetron use, direct current, and alternating current may be used.
【0026】[0026]
【実施例】高屈折率材料41として、二酸化チタンを使
用し、低屈折率材料42として、二酸化珪素を、導電性
材料43としてITO(酸化錫5重量%)を使用した。
41および42に関しては蒸着法により、43に関して
は直流マグネトロンスパッタリング法により作成した。
基材2にはトリアセチルセルロースを使用し、ハードコ
ート層3として、紫外線硬化型のアクリル樹脂を使用
し、マイクログラビアコートした。二酸化チタン、IT
Oを各1層、二酸化珪素を2層、次に示すnd値で形成
した。 SiO2 /ITO /SiO2 /TiO2 //ハードコート層 λ/4 λ/4 λ/8 λ/8 光学膜厚= 140 140 70 70 (nm)λ=550nm SiO2 およびTiO2 について、図2に示すようにn
を調整し、不均一とした。これらの膜は、プラズマアシ
スト蒸着法により形成する際の、粒子の基材への入射角
を変化させて、不均一とした。防汚層としてパーフルオ
ロシランをCVD法により5nm程度形成した。EXAMPLE Titanium dioxide was used as the high refractive index material 41, silicon dioxide was used as the low refractive index material 42, and ITO (5% by weight of tin oxide) was used as the conductive material 43.
41 and 42 were prepared by vapor deposition, and 43 was prepared by DC magnetron sputtering.
Micro-gravure coating was performed using triacetyl cellulose as the substrate 2 and an ultraviolet-curable acrylic resin as the hard coat layer 3. Titanium dioxide, IT
One layer of O and two layers of silicon dioxide were formed at the following nd values. SiO 2 / ITO / SiO 2 / TiO 2 // hard coat layer λ / 4 λ / 4 λ / 8 λ / 8 Optical film thickness = 140 140 70 70 (nm) λ = 550 nm Regarding SiO 2 and TiO 2 , FIG. N
Was adjusted to be non-uniform. These films were made non-uniform by changing the angle of incidence of the particles on the substrate when formed by the plasma-assisted vapor deposition method. As an antifouling layer, perfluorosilane was formed to a thickness of about 5 nm by a CVD method.
【0027】この導電性反射防止フィルムの可視スペク
トルを図3に示す。550nmにおける反射率は0.5
%であった。さらに60℃、相対湿度90%の雰囲気下
に放置したところ、外観および性能の変化のみならず、
クラックの発生も認められなかった。さらに本発明にお
いて作成したITOの抵抗値は80Ω/□であり、電磁
波遮蔽効果を測定したところ、−20dBであった。FIG. 3 shows the visible spectrum of the conductive anti-reflection film. The reflectance at 550 nm is 0.5
%Met. Further, when left in an atmosphere of 60 ° C. and a relative humidity of 90%, not only changes in appearance and performance,
No cracking was observed. Furthermore, the resistance value of the ITO prepared in the present invention was 80Ω / □, and the electromagnetic wave shielding effect was measured to be −20 dB.
【0028】比較として、入射角を一定として成膜した
場合には、同様にして放置したところ、クラックが生じ
た。For comparison, when a film was formed with a constant incident angle, cracks occurred when the film was left in the same manner.
【0029】[0029]
【発明の効果】請求項1から7によれば、導電性反射防
止フィルムが屈折率の異なる各々の無機化合物層の光学
膜厚において、その層の厚さ方向のnの値が斜入射ある
いはガス供給量あるいは成膜方法を工夫する結果とし
て、不均一であることにより、優れた耐性、応力緩和な
どを有する。図2、3中の他の層との界面の部分が応力
緩和、密着性を強固にするように働き、効果を大にして
いる。According to the present invention, the value of n in the thickness direction of the conductive anti-reflection film in the thickness direction of each inorganic compound layer having a different refractive index is obliquely incident or gas. As a result of devising the supply amount or the film forming method, the non-uniformity results in excellent resistance and stress relaxation. The interface portion with other layers in FIGS. 2 and 3 acts to relieve stress and strengthen adhesion, thereby increasing the effect.
【0030】低抵抗値の透明導電性の材料の層を設ける
ことにより電磁波遮蔽効果も付与でき、反射防止効果と
電磁波遮蔽効果を有し、かつ上記のような特徴を有する
従来にない導電性反射防止フィルムである。By providing a layer of a transparent conductive material having a low resistance value, an electromagnetic wave shielding effect can also be imparted, which has an anti-reflection effect and an electromagnetic wave shielding effect, and has an unprecedented conductive reflection characteristic having the above characteristics. It is a prevention film.
【図1】 本発明の実施の形態に係る導電性反射防止フ
ィルムの断面図FIG. 1 is a cross-sectional view of a conductive anti-reflection film according to an embodiment of the present invention.
【図2】 本発明の実施の形態に係る部分の断面図FIG. 2 is a sectional view of a portion according to the embodiment of the present invention.
【図3】 本発明の実施の一例のスペクトルFIG. 3 shows a spectrum according to an embodiment of the present invention.
1…導電性反射防止フィルム 2…基材 3…ハードコ
ート層 4…導電性反射防止層 41…高屈折率材料層 42…
低屈折率材料層 43…透明導電材料層 5…防汚層DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Conductive antireflection film 2 ... Base material 3 ... Hard coat layer 4 ... Conductive antireflection layer 41 ... High refractive index material layer 42 ...
Low refractive index material layer 43: transparent conductive material layer 5: antifouling layer
Claims (8)
折率が異なり、かつ、少なくとも1層以上の導電性を有
する無機化合物を積層した反射防止層、防汚層を積層し
た反射防止フィルムであり、各々の無機化合物層の光学
膜厚(屈折率と形状膜厚が一定の場合n(屈折率)×d
(形状膜厚)と規定される値であり、微小区間のnとd
の積を膜厚分だけ積算した値)において、導電性を有す
る無機化合物の層以外の無機化合物層の厚さ方向のnの
値が不均一であることを特徴とする反射防止フィルム。1. An anti-reflection film in which a hard coat layer, an antireflection layer in which at least one layer of an inorganic compound having a different refractive index and a conductivity is laminated, and an antifouling layer are sequentially laminated on a film. And the optical film thickness of each inorganic compound layer (n (refractive index) × d when the refractive index and the shape film thickness are constant)
(Shape film thickness), n and d in a minute section
Wherein the value of n in the thickness direction of the inorganic compound layer other than the inorganic compound layer having conductivity is non-uniform.
導電性を有する無機化合物からなる層以外の高屈折率
(n>1.9)材料が二酸化チタン、酸化ジルコニウ
ム、酸化タンタル、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化ハ
フニウム、酸化セリウム、酸化錫のいずれかであること
を特徴とする請求項1記載の導電性反射防止フィルム。2. A material having a high refractive index (n> 1.9) other than a layer made of an inorganic compound having conductivity in the antireflection layer formed by laminating the above inorganic compound is titanium dioxide, zirconium oxide, tantalum oxide, zinc oxide. The conductive anti-reflection film according to claim 1, wherein the conductive anti-reflection film is selected from the group consisting of indium oxide, hafnium oxide, cerium oxide, and tin oxide.
導電性を有する無機化合物を有する無機化合物からなる
層以外の層の低屈折率(n<1.6)材料が、二酸化珪
素、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウムのいずれか
であることを特徴とする請求項1記載の導電性反射防止
フィルム。3. A low-refractive-index (n <1.6) material other than a layer made of an inorganic compound having a conductive inorganic compound in an antireflection layer in which the inorganic compound is laminated is made of silicon dioxide or fluorine. The conductive anti-reflective film according to claim 1, wherein the conductive anti-reflective film is any one of magnesium fluoride and calcium fluoride.
ンジウムを主材料とする透明導電性材料あるいは酸化錫
を主材料とする透明導電性材料あるいは酸化亜鉛を主材
料とする透明導電性材料であることを特徴とする請求項
1記載の反射防止フィルム。4. The conductive inorganic compound is a transparent conductive material mainly containing indium oxide, a transparent conductive material mainly containing tin oxide, or a transparent conductive material mainly containing zinc oxide. 2. The anti-reflection film according to claim 1, wherein:
リングにより成膜されていることを特徴とする請求項1
および4何れかに記載の導電性反射防止フィルム。5. The method according to claim 1, wherein said inorganic compound having conductivity is formed by sputtering.
5. The conductive anti-reflection film according to any one of items 4 and 4.
ことを特徴とする請求項1記載の導電性反射防止フィル
ム。6. The conductive anti-reflection film according to claim 1, wherein said hard coat layer has a light scattering property.
数が2層以上であることを特徴とする請求項1記載の導
電性反射防止フィルム。7. The conductive anti-reflection film according to claim 1, wherein the number of layers of the anti-reflection layer formed by laminating the inorganic compound is two or more.
導電性を有する無機化合物からなる層が、厚さ方向のn
の値が他の層と接する界面で低い事を特徴とする請求項
1記載の導電性反射防止フィルム。8. A layer comprising an inorganic compound having conductivity in an anti-reflection layer formed by laminating the above-mentioned inorganic compound, wherein n in the thickness direction is
2. The conductive anti-reflection film according to claim 1, wherein the value of is lower at an interface in contact with another layer.
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2000094590A (en) * | 1998-09-25 | 2000-04-04 | Dainippon Printing Co Ltd | Antistatic colored hard coat film and display device |
| JP2000121804A (en) * | 1998-10-09 | 2000-04-28 | Sekisui Chem Co Ltd | Anti-reflection film |
| JP2008075092A (en) * | 2007-11-29 | 2008-04-03 | Toppan Printing Co Ltd | Method for producing hard coat film or sheet, and method for producing hard coat film or sheet with functional inorganic thin film |
| CN114895384A (en) * | 2022-05-30 | 2022-08-12 | Oppo广东移动通信有限公司 | Anti-reflection film, manufacturing method thereof and shell |
-
1997
- 1997-01-27 JP JP01276297A patent/JP3577866B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
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|---|---|---|---|---|
| JPH1134207A (en) * | 1997-07-23 | 1999-02-09 | Oike Ind Co Ltd | Transparent conductive film |
| JP2000094590A (en) * | 1998-09-25 | 2000-04-04 | Dainippon Printing Co Ltd | Antistatic colored hard coat film and display device |
| JP2000121804A (en) * | 1998-10-09 | 2000-04-28 | Sekisui Chem Co Ltd | Anti-reflection film |
| JP2008075092A (en) * | 2007-11-29 | 2008-04-03 | Toppan Printing Co Ltd | Method for producing hard coat film or sheet, and method for producing hard coat film or sheet with functional inorganic thin film |
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