JPH10208004A - データ記憶タグ - Google Patents
データ記憶タグInfo
- Publication number
- JPH10208004A JPH10208004A JP9011184A JP1118497A JPH10208004A JP H10208004 A JPH10208004 A JP H10208004A JP 9011184 A JP9011184 A JP 9011184A JP 1118497 A JP1118497 A JP 1118497A JP H10208004 A JPH10208004 A JP H10208004A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data storage
- storage tag
- ferromagnetic layer
- cover sheet
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000013500 data storage Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 103
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 60
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 claims abstract description 51
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 16
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 10
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 9
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 7
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 5
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 5
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 4
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 3
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 claims description 3
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 claims description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- 244000273256 Phragmites communis Species 0.000 abstract description 21
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 10
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 10
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 3
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001566 austenite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 2
- AJCDFVKYMIUXCR-UHFFFAOYSA-N oxobarium;oxo(oxoferriooxy)iron Chemical compound [Ba]=O.O=[Fe]O[Fe]=O.O=[Fe]O[Fe]=O.O=[Fe]O[Fe]=O.O=[Fe]O[Fe]=O.O=[Fe]O[Fe]=O.O=[Fe]O[Fe]=O AJCDFVKYMIUXCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 2
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 2
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 1,1-Diethoxyethane Chemical compound CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMMJWQMCMRUYTG-UHFFFAOYSA-N 1,2,4,5-tetrachloro-3-(trifluoromethyl)benzene Chemical compound FC(F)(F)C1=C(Cl)C(Cl)=CC(Cl)=C1Cl QMMJWQMCMRUYTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000976 Electrical steel Inorganic materials 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015189 FeOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004725 Lemalloy Substances 0.000 description 1
- 229910001209 Low-carbon steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910000653 SAE 1095 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical class ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002433 Vinyl chloride-vinyl acetate copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011354 acetal resin Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012211 aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229940090961 chromium dioxide Drugs 0.000 description 1
- IAQWMWUKBQPOIY-UHFFFAOYSA-N chromium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Cr+4] IAQWMWUKBQPOIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYTAKQFHWFYBMA-UHFFFAOYSA-N chromium(IV) oxide Inorganic materials O=[Cr]=O AYTAKQFHWFYBMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000002573 ethenylidene group Chemical group [*]=C=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000003631 expected effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910000697 metglas Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁歪振動片を利用したデータ記憶タグのデー
タ書き込み/読み出しの信頼性を高める。 【解決手段】 ケース本体3とカバーシート4との間
に、磁歪振動片5a〜5dとセパレータ6とを密封す
る。カバーシート4の内面側に強磁性体層7を塗布によ
り形成する。強磁性体層7に、カバーシート4の表面側
から磁気ヘッドをアクセスさせ、磁歪振動片5a〜5d
ごとにそれぞれバイアス磁界を与えるための磁化パター
ンの書き込みを行う。セパレータ6に毛羽のあるシート
材を用い、磁歪振動片5a〜5dが強磁性体層7に直接
接触することを防ぎ、かつこれらが機械的に自由に振動
できるようにする。強磁性体層7は25μ〜150μの
膜厚を有し、2.5Mx/cm以上の残留磁化をもつ。
タ書き込み/読み出しの信頼性を高める。 【解決手段】 ケース本体3とカバーシート4との間
に、磁歪振動片5a〜5dとセパレータ6とを密封す
る。カバーシート4の内面側に強磁性体層7を塗布によ
り形成する。強磁性体層7に、カバーシート4の表面側
から磁気ヘッドをアクセスさせ、磁歪振動片5a〜5d
ごとにそれぞれバイアス磁界を与えるための磁化パター
ンの書き込みを行う。セパレータ6に毛羽のあるシート
材を用い、磁歪振動片5a〜5dが強磁性体層7に直接
接触することを防ぎ、かつこれらが機械的に自由に振動
できるようにする。強磁性体層7は25μ〜150μの
膜厚を有し、2.5Mx/cm以上の残留磁化をもつ。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁歪振動片が機械
的に振動するときの共振周波数を適宜に設定することに
よってデータ記憶を行うデータ記憶タグに関するもので
ある。
的に振動するときの共振周波数を適宜に設定することに
よってデータ記憶を行うデータ記憶タグに関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】特表平7−503061号公報あるいは
米国特許第5420569号公報明細書などにより、磁
歪ストリップ(磁歪振動片)を交番磁界内においたとき
に生じる機械的な振動を電気的に符号化して検出するシ
ステムが知られている。薄板リボン状の磁歪振動片は幅
方向に一律に磁化されており、その長さに応じた固有の
振動周波数をもつ。このような磁歪振動片に対して交番
磁界が作用すると、磁歪振動片はその固有の振動周波数
において交番磁界と共振し、その共振周波数で機械的に
振動する。
米国特許第5420569号公報明細書などにより、磁
歪ストリップ(磁歪振動片)を交番磁界内においたとき
に生じる機械的な振動を電気的に符号化して検出するシ
ステムが知られている。薄板リボン状の磁歪振動片は幅
方向に一律に磁化されており、その長さに応じた固有の
振動周波数をもつ。このような磁歪振動片に対して交番
磁界が作用すると、磁歪振動片はその固有の振動周波数
において交番磁界と共振し、その共振周波数で機械的に
振動する。
【0003】磁歪振動片の機械的な振動は誘導コイルに
より電気的に検知することができるから、例えばこのよ
うな磁歪振動片を組み込んだタグを商品ごとに付してお
き、また店の出入り口に交番磁界の発生器と誘導コイル
とを対向させて組み合わせたゲートを設置しておくこと
によって、未精算の商品が店から持ち出されるのを防ぐ
ことができる。
より電気的に検知することができるから、例えばこのよ
うな磁歪振動片を組み込んだタグを商品ごとに付してお
き、また店の出入り口に交番磁界の発生器と誘導コイル
とを対向させて組み合わせたゲートを設置しておくこと
によって、未精算の商品が店から持ち出されるのを防ぐ
ことができる。
【0004】さらに上記公報には、長さの異なった複数
枚の磁歪振動片と、各々の磁歪振動片ごとにそれぞれ磁
気バイアスを印加するバイアス素子とを組み合わせてプ
ラスチック製のケースに収納したデータ記憶タグが記載
されている。このデータ記憶タグに交番磁界を印加する
ときに、その周波数を例えば低周波側から高周波側にス
イープ(掃引)すると、磁歪振動片の長さとバイアス素
子がもつバイアス磁界パターンとの組み合わせにより複
数の磁歪振動片が各々の基本共振周波数及び高次の共振
周波数で振動する。したがって、振動のピークが現れた
スペクトル周波数の組み合わせによって情報を再現する
ことができ、また情報の内容は磁歪振動片の長さとバイ
アス素子が与えるバイアス磁界パターンとの組み合わせ
によって様々に書き換えることができる。
枚の磁歪振動片と、各々の磁歪振動片ごとにそれぞれ磁
気バイアスを印加するバイアス素子とを組み合わせてプ
ラスチック製のケースに収納したデータ記憶タグが記載
されている。このデータ記憶タグに交番磁界を印加する
ときに、その周波数を例えば低周波側から高周波側にス
イープ(掃引)すると、磁歪振動片の長さとバイアス素
子がもつバイアス磁界パターンとの組み合わせにより複
数の磁歪振動片が各々の基本共振周波数及び高次の共振
周波数で振動する。したがって、振動のピークが現れた
スペクトル周波数の組み合わせによって情報を再現する
ことができ、また情報の内容は磁歪振動片の長さとバイ
アス素子が与えるバイアス磁界パターンとの組み合わせ
によって様々に書き換えることができる。
【0005】このような目的でデータ記憶タグを利用す
る場合、各々の磁歪振動片はケース内に取り出し不能に
収容されるため、データの書き換えはバイアス素子に付
与されるバイアス磁界パターンの書き換えによって行わ
れることになる。このためバイアス素子には、磁性ステ
ンレス鋼、ニッケル、フェライト、軟鋼などの強磁性金
属が用いられ、これをストリップ形状にして磁歪振動片
とほぼ重なり合うように近接させた状態でケース内に封
入している。そして、ケース外からこのバイアス素子に
磁気ヘッドをアクセスさせ、磁化パターンを変更してデ
ータの書き換えを行うことができるようにしている。
る場合、各々の磁歪振動片はケース内に取り出し不能に
収容されるため、データの書き換えはバイアス素子に付
与されるバイアス磁界パターンの書き換えによって行わ
れることになる。このためバイアス素子には、磁性ステ
ンレス鋼、ニッケル、フェライト、軟鋼などの強磁性金
属が用いられ、これをストリップ形状にして磁歪振動片
とほぼ重なり合うように近接させた状態でケース内に封
入している。そして、ケース外からこのバイアス素子に
磁気ヘッドをアクセスさせ、磁化パターンを変更してデ
ータの書き換えを行うことができるようにしている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な金属薄板状のバイアス素子を用いた場合、ケース外か
ら磁気ヘッドをアクセスしてその磁化パターンを書き換
えても、これに交番磁界を印加してデータの読み出しを
行ったときに、共振周波数が変動しやすいことが分かっ
た。共振周波数が変動してしまうと、データ書き込み時
に設定した本来の共振周波数のもとでは振動出力の低下
が避けられず、正確なデータ再現が困難になる。
な金属薄板状のバイアス素子を用いた場合、ケース外か
ら磁気ヘッドをアクセスしてその磁化パターンを書き換
えても、これに交番磁界を印加してデータの読み出しを
行ったときに、共振周波数が変動しやすいことが分かっ
た。共振周波数が変動してしまうと、データ書き込み時
に設定した本来の共振周波数のもとでは振動出力の低下
が避けられず、正確なデータ再現が困難になる。
【0007】上記欠点は、バイアス素子として金属薄板
状のものを用いているため、ケース内でその平行平面性
を完全に保つことが困難であることに起因していると考
えられている。ケース内でバイアス素子の平行平面性が
保たれていないと、ケース外からバイアス素子に磁気ヘ
ッドをアクセスして磁化を行うときに磁気ヘッドとの間
の間隙が不均一になって磁化パターンに強弱にムラが出
てしまい、また磁歪振動片に対してバイアス磁界が不均
一に加えられることにもなる。
状のものを用いているため、ケース内でその平行平面性
を完全に保つことが困難であることに起因していると考
えられている。ケース内でバイアス素子の平行平面性が
保たれていないと、ケース外からバイアス素子に磁気ヘ
ッドをアクセスして磁化を行うときに磁気ヘッドとの間
の間隙が不均一になって磁化パターンに強弱にムラが出
てしまい、また磁歪振動片に対してバイアス磁界が不均
一に加えられることにもなる。
【0008】さらに、金属薄板状のバイアス素子を用い
て磁歪振動片に常に一定パターンのバイアス磁界を与え
るためには、ケース内で位置ずれすることがないよう
に、バイアス素子を一定の形状に打ち抜いたり折り曲げ
加工しなければならない。ところがこうしたバイアス素
子には、例えば特公平5−19196号公報にも記載さ
れているように、SAE1095鋼、バイカロイ、レマ
ロイ、アーノクロム、またバキュームシュメルツ社製か
ら磁性合金として提供されているクロバックやセミバッ
ク(いずれも商品名)等の金属薄板が用いられるが、こ
うした固い金属を打ち抜き加工するのでは、打ち抜き刃
の寿命が著しく短くなり、製造コストを高くする一因と
なる。
て磁歪振動片に常に一定パターンのバイアス磁界を与え
るためには、ケース内で位置ずれすることがないよう
に、バイアス素子を一定の形状に打ち抜いたり折り曲げ
加工しなければならない。ところがこうしたバイアス素
子には、例えば特公平5−19196号公報にも記載さ
れているように、SAE1095鋼、バイカロイ、レマ
ロイ、アーノクロム、またバキュームシュメルツ社製か
ら磁性合金として提供されているクロバックやセミバッ
ク(いずれも商品名)等の金属薄板が用いられるが、こ
うした固い金属を打ち抜き加工するのでは、打ち抜き刃
の寿命が著しく短くなり、製造コストを高くする一因と
なる。
【0009】上記難点を解決するために、平面性の管理
が容易な非磁性基板にスラリー(slurry)のフェライト
等の磁気コーティングを施してバイアス素子として利用
する手法も考えられる。ところが、例えば通常の磁気テ
ープや磁気ディスクなどで行われているように数μ程度
の厚みで磁気コーティングを施しただけでは、磁歪振動
片に対して充分なバイアス磁界を与えることができず、
設定した共振周波数のもとで磁歪振動出力を検出するこ
とができないのが実情である。
が容易な非磁性基板にスラリー(slurry)のフェライト
等の磁気コーティングを施してバイアス素子として利用
する手法も考えられる。ところが、例えば通常の磁気テ
ープや磁気ディスクなどで行われているように数μ程度
の厚みで磁気コーティングを施しただけでは、磁歪振動
片に対して充分なバイアス磁界を与えることができず、
設定した共振周波数のもとで磁歪振動出力を検出するこ
とができないのが実情である。
【0010】その他の形態のバイアス素子としては、米
国特許第4727668号公報明細書に記載されたよう
に、データ記憶タグのケースとなるプラスチック部品に
バリウムフェライト粉を混入して一体成形したものがあ
る。この手法を採る場合、磁歪振動片に対して充分な強
度のバイアス磁界を与えるには多量のバリウムフェライ
ト粉末をプラスチックに混合させておく必要があるが、
するとプラスチックの流動性が大きく低下して効率的な
射出成形ができなくなり、コストアップになるだけでな
く、ケースの機械的強度が劣化するという難点がある。
国特許第4727668号公報明細書に記載されたよう
に、データ記憶タグのケースとなるプラスチック部品に
バリウムフェライト粉を混入して一体成形したものがあ
る。この手法を採る場合、磁歪振動片に対して充分な強
度のバイアス磁界を与えるには多量のバリウムフェライ
ト粉末をプラスチックに混合させておく必要があるが、
するとプラスチックの流動性が大きく低下して効率的な
射出成形ができなくなり、コストアップになるだけでな
く、ケースの機械的強度が劣化するという難点がある。
【0011】本発明は上記背景を考慮してなされたもの
で、従来のバイアス素子がもつ欠点を解決して信頼性の
高いデータの書き込み及び読み出しができるようにし、
しかも製造コストを低減させる上でも有利なデータ記憶
タグを提供することを目的とする。
で、従来のバイアス素子がもつ欠点を解決して信頼性の
高いデータの書き込み及び読み出しができるようにし、
しかも製造コストを低減させる上でも有利なデータ記憶
タグを提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、非磁性のケース本体とカバーシートとから
なるケースの中に、ストリップ形状をした磁歪振動片と
ともにこの磁歪振動片に所定パターンのバイアス磁界を
与えるためのバイアス素子を密封したデータ記憶タグを
構成するにあたり、カバーシートの内面に強磁性体層を
塗布形成し、この強磁性体層をバイアス素子として用い
るようにしたものである。強磁性体層としては、強磁性
体の粉末をバインダーに混合したものを用い、データの
書き込み/読み出しの信頼性を確保するためには、その
厚みを25μ〜150μの範囲にするのがよく、残留磁
化は2.5Mx(マクスウェル)/cm以上にしておく
のがよい。
するために、非磁性のケース本体とカバーシートとから
なるケースの中に、ストリップ形状をした磁歪振動片と
ともにこの磁歪振動片に所定パターンのバイアス磁界を
与えるためのバイアス素子を密封したデータ記憶タグを
構成するにあたり、カバーシートの内面に強磁性体層を
塗布形成し、この強磁性体層をバイアス素子として用い
るようにしたものである。強磁性体層としては、強磁性
体の粉末をバインダーに混合したものを用い、データの
書き込み/読み出しの信頼性を確保するためには、その
厚みを25μ〜150μの範囲にするのがよく、残留磁
化は2.5Mx(マクスウェル)/cm以上にしておく
のがよい。
【0013】バイアス素子となる強磁性体層には、カバ
ーシートの外側から磁気ヘッドをアクセスさせてデータ
の書き込み,更新が行われるが、このときの磁気記録性
能を確保するにはカバーシートの厚みを30μ〜500
μの範囲にとどめるのがよく、またこの厚みでも充分な
物理的強度を得るためには、カバーシートの構成材をポ
リエチレンナフタレート,ポリエチレンテレフタレー
ト,ポリアラミド,ポリカーボネート,ポリイミド,三
酢酸セルロースのいずれかを用いるのがよい。さらに、
ケース本体との固着には超音波溶着を利用するのが簡便
であるが、もちろん超音波溶着の代わりに接着剤で両者
を固着することも可能である。
ーシートの外側から磁気ヘッドをアクセスさせてデータ
の書き込み,更新が行われるが、このときの磁気記録性
能を確保するにはカバーシートの厚みを30μ〜500
μの範囲にとどめるのがよく、またこの厚みでも充分な
物理的強度を得るためには、カバーシートの構成材をポ
リエチレンナフタレート,ポリエチレンテレフタレー
ト,ポリアラミド,ポリカーボネート,ポリイミド,三
酢酸セルロースのいずれかを用いるのがよい。さらに、
ケース本体との固着には超音波溶着を利用するのが簡便
であるが、もちろん超音波溶着の代わりに接着剤で両者
を固着することも可能である。
【0014】交番磁界を印加して薄いストリップ状の磁
歪振動片を機械的に振動させるとき、磁歪振動片がケー
ス内部の隙間に進入してその自由な振動を阻害された
り、あるいはバイアス素子に磁気的に吸着されてしまう
ことを避けるために、磁歪振動片とバイアス素子との間
に、少なくとも磁歪振動片側に向けた表面が柔軟な非磁
性体からなるシート状のセパレータを利用するのが好適
である。このセパレータとしては、その表面に毛羽を有
するシート材が有利であり、厚みとしては10μ〜10
0μの範囲にしておくとバイアス素子と磁歪振動片との
間の磁気的な相関作用に悪影響を与えることがなく効果
的である。また、全体に柔軟なスポンジ状のシートを用
いるようにしてもよい。
歪振動片を機械的に振動させるとき、磁歪振動片がケー
ス内部の隙間に進入してその自由な振動を阻害された
り、あるいはバイアス素子に磁気的に吸着されてしまう
ことを避けるために、磁歪振動片とバイアス素子との間
に、少なくとも磁歪振動片側に向けた表面が柔軟な非磁
性体からなるシート状のセパレータを利用するのが好適
である。このセパレータとしては、その表面に毛羽を有
するシート材が有利であり、厚みとしては10μ〜10
0μの範囲にしておくとバイアス素子と磁歪振動片との
間の磁気的な相関作用に悪影響を与えることがなく効果
的である。また、全体に柔軟なスポンジ状のシートを用
いるようにしてもよい。
【0015】
【発明の実施の形態】本発明を用いたデータ記憶タグを
分解した様子を図1に示す。データ記憶タグ2は、ケー
ス本体3、カバーシート4、ストリップ状をした4枚の
磁歪振動片5a〜5d、セパレータ6、さらにカバーシ
ート4の内面側に塗布された強磁性体層7とから構成さ
れている。ケース本体3は、例えばポリスチレンなどの
プラスチック材料を射出成形して製造され、図2に示す
ように、カバーシート4との間に磁歪振動片5a〜5d
及びセパレータ6とを密封して収容する。
分解した様子を図1に示す。データ記憶タグ2は、ケー
ス本体3、カバーシート4、ストリップ状をした4枚の
磁歪振動片5a〜5d、セパレータ6、さらにカバーシ
ート4の内面側に塗布された強磁性体層7とから構成さ
れている。ケース本体3は、例えばポリスチレンなどの
プラスチック材料を射出成形して製造され、図2に示す
ように、カバーシート4との間に磁歪振動片5a〜5d
及びセパレータ6とを密封して収容する。
【0016】なお、ケース本体3の材料には、他にポリ
カーボネート、ポリプロピレン,ポリオレフィン、さら
にはアクリルニトリル・ブタジエン・スチレン樹脂,メ
タクリル樹脂,アセタール樹脂,アクリルニトリル・ス
チレン樹脂,ポリエーテルイミド,ナイロン,塩化ビニ
リデン樹脂,エチレン酢酸ビニル共重合体,ポリスルフ
ォン,ポリ塩化ビニル,ポリエーテルスルフォン,ポリ
エチレン,ポリアミド,ポリアミドイミド,ポリフェニ
レンスルフィド,ポリアリレート,ポリブチレンテレフ
タレート等のプラスチックを利用することができ、非磁
性体であれば必ずしもプラスチックにのみ限定されるも
のではない。
カーボネート、ポリプロピレン,ポリオレフィン、さら
にはアクリルニトリル・ブタジエン・スチレン樹脂,メ
タクリル樹脂,アセタール樹脂,アクリルニトリル・ス
チレン樹脂,ポリエーテルイミド,ナイロン,塩化ビニ
リデン樹脂,エチレン酢酸ビニル共重合体,ポリスルフ
ォン,ポリ塩化ビニル,ポリエーテルスルフォン,ポリ
エチレン,ポリアミド,ポリアミドイミド,ポリフェニ
レンスルフィド,ポリアリレート,ポリブチレンテレフ
タレート等のプラスチックを利用することができ、非磁
性体であれば必ずしもプラスチックにのみ限定されるも
のではない。
【0017】ケース本体3の内面には段差9が形成さ
れ、段差9にはさらに4本の凹部10a〜10dが形成
されている。4本の凹部10a〜10dに磁歪振動片5
a〜5dを収容した後、その上にシート状のセパレータ
6を被せてから強磁性層7をセパレータ6に対面させて
カバーシート4が固着される。セパレータ6は段差9と
カバーシート4との間に緩く挟まれ、また両面に毛羽を
もった紙製のもの、例えば和紙を用いることができる
が、あまり柔らかすぎると磁歪振動片にもたれかかって
その自由な振動を邪魔することにもなるため、ある程度
の腰の強さが必要である。
れ、段差9にはさらに4本の凹部10a〜10dが形成
されている。4本の凹部10a〜10dに磁歪振動片5
a〜5dを収容した後、その上にシート状のセパレータ
6を被せてから強磁性層7をセパレータ6に対面させて
カバーシート4が固着される。セパレータ6は段差9と
カバーシート4との間に緩く挟まれ、また両面に毛羽を
もった紙製のもの、例えば和紙を用いることができる
が、あまり柔らかすぎると磁歪振動片にもたれかかって
その自由な振動を邪魔することにもなるため、ある程度
の腰の強さが必要である。
【0018】セパレータ6は非磁性体素材からなり、磁
歪振動片5a〜5dが各々の凹部10a〜10dから飛
び出して移動することを防ぐと同時に、磁歪振動片5a
〜5dが強磁性体層7と直接接触してしまうことを防ぐ
作用を行う。これにより、磁歪振動片5a〜5dは凹部
10a〜10d内に機械的な拘束を受けない状態で収容
されることになり、機械的に自由な振動を行うことがで
きる。
歪振動片5a〜5dが各々の凹部10a〜10dから飛
び出して移動することを防ぐと同時に、磁歪振動片5a
〜5dが強磁性体層7と直接接触してしまうことを防ぐ
作用を行う。これにより、磁歪振動片5a〜5dは凹部
10a〜10d内に機械的な拘束を受けない状態で収容
されることになり、機械的に自由な振動を行うことがで
きる。
【0019】このような機能を果たすセパレータ6の素
材としては、毛羽をもつものとして不織布やベルベット
(ただしある程度腰の強い起毛繊維に用いたもの)があ
る。セパレータ6に毛羽のあるものを用いる場合、全体
の厚みが10μ〜100μで毛羽の長さが1μ〜100
μ程度のものがよい。全体の厚みが大きくなり過ぎる
と、磁歪振動片5a〜5dとバイアス素子となる強磁性
体層7との間隔が広くなり過ぎてしまい、強磁性体層7
によるバイアス磁界が磁歪振動片5a〜5dに作用しに
くくなる。
材としては、毛羽をもつものとして不織布やベルベット
(ただしある程度腰の強い起毛繊維に用いたもの)があ
る。セパレータ6に毛羽のあるものを用いる場合、全体
の厚みが10μ〜100μで毛羽の長さが1μ〜100
μ程度のものがよい。全体の厚みが大きくなり過ぎる
と、磁歪振動片5a〜5dとバイアス素子となる強磁性
体層7との間隔が広くなり過ぎてしまい、強磁性体層7
によるバイアス磁界が磁歪振動片5a〜5dに作用しに
くくなる。
【0020】毛羽のあるセパレータ6を利用する場合、
少なくとも磁歪振動片5a〜5dに対面した表面に毛羽
があればよく、他方の面には必ずしも毛羽がなくてもよ
い。さらに、磁歪振動片5a〜5dの振動を阻害しない
程度の柔軟性があれば、セパレータ6にスポンジのよう
に全体的に柔軟な素材を用いることも可能で、もちろん
全体的に柔軟であってしかも毛羽をもつものであっても
よい。その他に、表面にエンボス加工を施した柔軟なポ
リマーフイルムなどを利用することも可能である。
少なくとも磁歪振動片5a〜5dに対面した表面に毛羽
があればよく、他方の面には必ずしも毛羽がなくてもよ
い。さらに、磁歪振動片5a〜5dの振動を阻害しない
程度の柔軟性があれば、セパレータ6にスポンジのよう
に全体的に柔軟な素材を用いることも可能で、もちろん
全体的に柔軟であってしかも毛羽をもつものであっても
よい。その他に、表面にエンボス加工を施した柔軟なポ
リマーフイルムなどを利用することも可能である。
【0021】磁歪振動片5a〜5dとしては、高透磁性
の周知の材料を使用することができる。例えば、アライ
ドシグナル社から「METGLAS 2826MB」の商品名で提供さ
れている非晶質のスピンメルトリボン、あるいは結晶質
のシリコントランスフォーマー鋼などがある。また、こ
うした目的で使用される磁歪振動片には、その磁気特性
として高い電気(磁気)機械結合係数が要求される。磁
気機械結合係数は磁界変化と磁歪振動との間の変換効率
を表し、磁歪定数及び透磁率が共に大きいほど大きな値
となる。
の周知の材料を使用することができる。例えば、アライ
ドシグナル社から「METGLAS 2826MB」の商品名で提供さ
れている非晶質のスピンメルトリボン、あるいは結晶質
のシリコントランスフォーマー鋼などがある。また、こ
うした目的で使用される磁歪振動片には、その磁気特性
として高い電気(磁気)機械結合係数が要求される。磁
気機械結合係数は磁界変化と磁歪振動との間の変換効率
を表し、磁歪定数及び透磁率が共に大きいほど大きな値
となる。
【0022】磁歪振動片の磁気特性を改善するために、
例えば特願平8−285463号で提案されたような磁
場熱処理を含む適宜の熱処理が必要に応じて加えられ
る。なお、図示の例では、互いに長さが異なる4枚の磁
歪振動片5a〜5dを用いているが、これは3枚以下あ
るいは5枚以上であってもよい。
例えば特願平8−285463号で提案されたような磁
場熱処理を含む適宜の熱処理が必要に応じて加えられ
る。なお、図示の例では、互いに長さが異なる4枚の磁
歪振動片5a〜5dを用いているが、これは3枚以下あ
るいは5枚以上であってもよい。
【0023】磁歪振動片5a〜5dにそれぞれ所定のバ
イアス磁界を与えるために、非磁性体からなるカバーシ
ート4の内面に均一な厚みで塗布された強磁性体層7が
利用される。このため、強磁性体層7には概念的に図3
に示す磁気記録装置によって磁化パターンの書き込みが
行われる。磁化パターンの書き込み時には、磁気ヘッド
15をカバーシート4の外表面に接触もしくは接近さ
せ、磁気ヘッド15とデータ記憶タグ2とを相対的に
X,Y方向に移動させる。
イアス磁界を与えるために、非磁性体からなるカバーシ
ート4の内面に均一な厚みで塗布された強磁性体層7が
利用される。このため、強磁性体層7には概念的に図3
に示す磁気記録装置によって磁化パターンの書き込みが
行われる。磁化パターンの書き込み時には、磁気ヘッド
15をカバーシート4の外表面に接触もしくは接近さ
せ、磁気ヘッド15とデータ記憶タグ2とを相対的に
X,Y方向に移動させる。
【0024】データ記憶タグ2は、カバーシート4を上
に向けた状態でステージ16上にセットされる。ステー
ジ16の上面には位置決め片が固着され、データ記憶タ
グ2のセット位置にバラツキが生じないようにしてあ
る。ステージ16は、周知のガイド機構により、モータ
17及びリードスクリュー18を介して図中Y方向に移
動する。磁気ヘッド15は、周知のガイド機構により、
モータ20及びリードスクリュー21を介して図中X方
向に移動する。
に向けた状態でステージ16上にセットされる。ステー
ジ16の上面には位置決め片が固着され、データ記憶タ
グ2のセット位置にバラツキが生じないようにしてあ
る。ステージ16は、周知のガイド機構により、モータ
17及びリードスクリュー18を介して図中Y方向に移
動する。磁気ヘッド15は、周知のガイド機構により、
モータ20及びリードスクリュー21を介して図中X方
向に移動する。
【0025】ヘッドドライバ22を介して磁気ヘッド1
5にデータ書き込み信号を送り、またモータドライバ2
3,24を介してモータ17,20を駆動するためにマ
イクロコンピュータ25が利用される。磁歪振動片5a
〜5dの各々に対して所定の磁界パターンを与えること
ができるように、カバーシート4の内面に塗布された強
磁性体層7に所定の磁化パターンの書き込みが行われ
る。
5にデータ書き込み信号を送り、またモータドライバ2
3,24を介してモータ17,20を駆動するためにマ
イクロコンピュータ25が利用される。磁歪振動片5a
〜5dの各々に対して所定の磁界パターンを与えること
ができるように、カバーシート4の内面に塗布された強
磁性体層7に所定の磁化パターンの書き込みが行われ
る。
【0026】強磁性体層7に書き込む磁化パターンは、
特表平7−503061号公報にも記載されているよう
に、各々の磁歪振動片5a〜5dの長さと、検出対象と
する磁歪振動を基本周波数の何次高調波にするか、ある
いは何種類の高調波の組み合わせにするかに応じて適宜
に設定することができる。例えば9種類の高調波の中か
ら任意の3種類の高調波を指定して共振させるような磁
化パターン(その3種類の高調波を時間軸を基準にして
加算した波形パターンに対応する)を設定した場合、た
とえ3種類の高調波の次数が同じであっても、磁歪振動
片5a〜5dの長さが異なると基本周波数が相違してく
るため、おのずと磁化パターンも各々異なってくる。
特表平7−503061号公報にも記載されているよう
に、各々の磁歪振動片5a〜5dの長さと、検出対象と
する磁歪振動を基本周波数の何次高調波にするか、ある
いは何種類の高調波の組み合わせにするかに応じて適宜
に設定することができる。例えば9種類の高調波の中か
ら任意の3種類の高調波を指定して共振させるような磁
化パターン(その3種類の高調波を時間軸を基準にして
加算した波形パターンに対応する)を設定した場合、た
とえ3種類の高調波の次数が同じであっても、磁歪振動
片5a〜5dの長さが異なると基本周波数が相違してく
るため、おのずと磁化パターンも各々異なってくる。
【0027】このようにして磁歪振動片5a〜5dの各
々にAパターン〜Dパターンの4種類の磁化パターンを
設定し、これらの磁化パターンにしたがって各磁歪振動
片にバイアス磁界を与えるには、強磁性体層7のうち、
ストリップ状の磁歪振動片5a〜5dの各々に対面した
帯状領域をAパターン〜Dパターンで磁化すればよい。
磁気ヘッド15及びステージ16を初期位置でスタンバ
イさせた後、これらのAパターン〜Dパターンに対応し
たデータをキーボード入力すると、マイクロコンピュー
タ25がモータドライバ23を介してモータ17を駆動
し、ステージ16がY方向に移動してゆく。
々にAパターン〜Dパターンの4種類の磁化パターンを
設定し、これらの磁化パターンにしたがって各磁歪振動
片にバイアス磁界を与えるには、強磁性体層7のうち、
ストリップ状の磁歪振動片5a〜5dの各々に対面した
帯状領域をAパターン〜Dパターンで磁化すればよい。
磁気ヘッド15及びステージ16を初期位置でスタンバ
イさせた後、これらのAパターン〜Dパターンに対応し
たデータをキーボード入力すると、マイクロコンピュー
タ25がモータドライバ23を介してモータ17を駆動
し、ステージ16がY方向に移動してゆく。
【0028】ステージ16のY方向への移動に同期し
て、マイクロコンピュータ25はヘッドドライバ22に
Aパターンで磁化するための書き込み信号を送り、これ
により強磁性体層7の、磁歪振動片5aに対面した帯状
領域にはAパターンの磁気記録が行われる。Aパターン
の磁気記録が完了するとステージ16が初期位置に戻さ
れるとともに、モータドライバ24,モータ20を介し
て磁気ヘッド15がX方向に1ステップ分移動し、磁歪
振動片5bに対面する位置に送られる。
て、マイクロコンピュータ25はヘッドドライバ22に
Aパターンで磁化するための書き込み信号を送り、これ
により強磁性体層7の、磁歪振動片5aに対面した帯状
領域にはAパターンの磁気記録が行われる。Aパターン
の磁気記録が完了するとステージ16が初期位置に戻さ
れるとともに、モータドライバ24,モータ20を介し
て磁気ヘッド15がX方向に1ステップ分移動し、磁歪
振動片5bに対面する位置に送られる。
【0029】引き続き、ステージ16をY方向に移動さ
せながらBパターンの磁気記録が行われ、これにより強
磁性体層7の、磁歪振動片5bに対面した帯状領域には
Bパターンの磁気記録が行われる。同様にしてCパター
ン,Dパターンの磁気記録が行われ、強磁性体層7に
は、磁歪振動片5a〜5dに対してA〜Dパターンのバ
イアス磁界を付与するための磁気記録が完了する。な
お、これらの磁気記録のパターンは、磁歪振動片5a〜
5dの長さに応じ、また検出対象とする高調波の次数あ
るいはその組み合わせの仕方や組み合わせ数に応じて様
々に変更することが可能である。
せながらBパターンの磁気記録が行われ、これにより強
磁性体層7の、磁歪振動片5bに対面した帯状領域には
Bパターンの磁気記録が行われる。同様にしてCパター
ン,Dパターンの磁気記録が行われ、強磁性体層7に
は、磁歪振動片5a〜5dに対してA〜Dパターンのバ
イアス磁界を付与するための磁気記録が完了する。な
お、これらの磁気記録のパターンは、磁歪振動片5a〜
5dの長さに応じ、また検出対象とする高調波の次数あ
るいはその組み合わせの仕方や組み合わせ数に応じて様
々に変更することが可能である。
【0030】上記のように、カバーシート4の外側から
磁気ヘッド15をアクセスさせて強磁性体層7に磁気記
録が行われるため、カバーシート4が厚過ぎて磁気ヘッ
ド15と強磁性体層7との間隔が広がってしまうと充分
な磁気記録ができなくなる。これに対処するために磁気
ヘッド15の記録電流を大きくすると、強磁性体層7に
は狭い間隔をあけてAパターン〜Dパターンのそれぞれ
独立した磁気記録が必要であるのに対し、Bパターンの
磁気記録時に記録済みのAパターンに乱れを生じさせる
ため、記録電流をあまり大きくすることはできない。こ
うした事情から、本発明のデータ記憶タグ2はカバーシ
ート4及び強磁性体層7の構成に独特の工夫がなされて
いる。
磁気ヘッド15をアクセスさせて強磁性体層7に磁気記
録が行われるため、カバーシート4が厚過ぎて磁気ヘッ
ド15と強磁性体層7との間隔が広がってしまうと充分
な磁気記録ができなくなる。これに対処するために磁気
ヘッド15の記録電流を大きくすると、強磁性体層7に
は狭い間隔をあけてAパターン〜Dパターンのそれぞれ
独立した磁気記録が必要であるのに対し、Bパターンの
磁気記録時に記録済みのAパターンに乱れを生じさせる
ため、記録電流をあまり大きくすることはできない。こ
うした事情から、本発明のデータ記憶タグ2はカバーシ
ート4及び強磁性体層7の構成に独特の工夫がなされて
いる。
【0031】カバーシート4は強磁性体層7の支持体に
なるだけでなく、データ記憶タグ2の外装としても用い
られるため機械的な強度も必要となる。このため、その
材質としてはポリエチレンテレフタレート(PET),
三酢酸セルロース(TAC),ポリエチレンナフタレー
ト(PEN),ポリアラミド,ポリカーボネート,ポリ
イミド等のシートあるいはフイルムが適しており、その
厚みとしては30μ以上にすることが望ましい。なお、
厚みが30μに満たないと、機械的強度が不足してくる
ことの他に、強磁性体層7を塗布形成したときにカール
が発生しやすくなり、製造工程中での取り扱いが面倒に
なるという弊害も出てくる。
なるだけでなく、データ記憶タグ2の外装としても用い
られるため機械的な強度も必要となる。このため、その
材質としてはポリエチレンテレフタレート(PET),
三酢酸セルロース(TAC),ポリエチレンナフタレー
ト(PEN),ポリアラミド,ポリカーボネート,ポリ
イミド等のシートあるいはフイルムが適しており、その
厚みとしては30μ以上にすることが望ましい。なお、
厚みが30μに満たないと、機械的強度が不足してくる
ことの他に、強磁性体層7を塗布形成したときにカール
が発生しやすくなり、製造工程中での取り扱いが面倒に
なるという弊害も出てくる。
【0032】さらに前述したように、カバーシート4の
内面に塗布された強磁性体層7に磁気記録を行う際に
は、磁気ヘッドと強磁性体層7との間には少なくともカ
バーシート4の厚み分の間隙(スペーシングロス)が生
じ、一般的な磁気記録技術の観点からはあまり好ましく
ない。ただし、本発明のデータ記憶タグ2の場合、強磁
性体層7に必要とされる磁化パターンが比較的長波長の
ものであるため、カバーシート4の厚みを500μ以下
に設定すれば実用上、問題のない磁気記録が可能であ
る。したがって、上述した機械的強度をも併せて考慮す
ると、カバーシート4の厚みとしては30μ〜500μ
の範囲がよく、より好ましくは40μ〜300μの範囲
にするのがよい。
内面に塗布された強磁性体層7に磁気記録を行う際に
は、磁気ヘッドと強磁性体層7との間には少なくともカ
バーシート4の厚み分の間隙(スペーシングロス)が生
じ、一般的な磁気記録技術の観点からはあまり好ましく
ない。ただし、本発明のデータ記憶タグ2の場合、強磁
性体層7に必要とされる磁化パターンが比較的長波長の
ものであるため、カバーシート4の厚みを500μ以下
に設定すれば実用上、問題のない磁気記録が可能であ
る。したがって、上述した機械的強度をも併せて考慮す
ると、カバーシート4の厚みとしては30μ〜500μ
の範囲がよく、より好ましくは40μ〜300μの範囲
にするのがよい。
【0033】なお、カバーシート4に用いられるプラス
チック材の中に、それぞれ周知の用途及び機能を付加す
るために、シリカ,アルミナ,酸化チタン,酸化亜鉛,
酸化アンチモン,カオリン,カーボンブラック,グラフ
ァイト等の微粉末を充填材として添加,混合することも
可能である。また、このような充填材の併用により、カ
バーシート4の表面に微細な凹凸を与えることができる
ようになり、強磁性体層7の塗布工程などにおけるカバ
ーシート4のハンドリング性を改善することができる。
チック材の中に、それぞれ周知の用途及び機能を付加す
るために、シリカ,アルミナ,酸化チタン,酸化亜鉛,
酸化アンチモン,カオリン,カーボンブラック,グラフ
ァイト等の微粉末を充填材として添加,混合することも
可能である。また、このような充填材の併用により、カ
バーシート4の表面に微細な凹凸を与えることができる
ようになり、強磁性体層7の塗布工程などにおけるカバ
ーシート4のハンドリング性を改善することができる。
【0034】さらに、磁気記録工程における磁気ヘッド
15とカバーシート4の表面との摩擦を軽減する目的
で、カバーシート4の表面に周知の潤滑剤を少量塗工し
ておくことも効果的である。なお、カバーシート4に強
磁性体層7を塗布する工程で、カバーシート4を長尺の
ロール形態のまま取り扱う場合には、強磁性体層7の中
に潤滑剤を添加しておいてもよい。強磁性体層7の塗工
の後、これがロール形態に巻かれると、強磁性体層7か
ら潤滑剤がカバーシート4の表面側に少量ながら移動す
るため、同様の効果が得られる。
15とカバーシート4の表面との摩擦を軽減する目的
で、カバーシート4の表面に周知の潤滑剤を少量塗工し
ておくことも効果的である。なお、カバーシート4に強
磁性体層7を塗布する工程で、カバーシート4を長尺の
ロール形態のまま取り扱う場合には、強磁性体層7の中
に潤滑剤を添加しておいてもよい。強磁性体層7の塗工
の後、これがロール形態に巻かれると、強磁性体層7か
ら潤滑剤がカバーシート4の表面側に少量ながら移動す
るため、同様の効果が得られる。
【0035】強磁性体層7に適した磁性体は、γ−Fe
2 O3 ,Co−FeOx ,Fe3 O 4 ,メタル粉,Ba
−フェライト,二酸化クロムなどの粉末状の強磁性体で
ある。磁性体のサイズとしては0.05μ〜5μ、特に
好ましくは0.3μ〜2μである。2μを越えると多磁
区構造をとる粒子が増加して抗磁力が低下する。0.0
5μよりも小サイズになると、生産性が低下するととも
に、超常磁性を示す粒子が多くなってやはり抗磁力が低
下する。なお、上掲した6種の強磁性体を2種以上混合
して用いてもよい。
2 O3 ,Co−FeOx ,Fe3 O 4 ,メタル粉,Ba
−フェライト,二酸化クロムなどの粉末状の強磁性体で
ある。磁性体のサイズとしては0.05μ〜5μ、特に
好ましくは0.3μ〜2μである。2μを越えると多磁
区構造をとる粒子が増加して抗磁力が低下する。0.0
5μよりも小サイズになると、生産性が低下するととも
に、超常磁性を示す粒子が多くなってやはり抗磁力が低
下する。なお、上掲した6種の強磁性体を2種以上混合
して用いてもよい。
【0036】強磁性体層7をカバーシート4に塗布する
ために、強磁性体粉末はバインダーの中に分散させた状
態で用いられる。バインダーとしては、ニトロセルロー
ス,塩酢ビ樹脂,変性塩酢ビ樹脂,フェノキシ樹脂,ポ
リウレタン樹脂,塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体
などがあり、適宜これらを混合して用いてもよい。さら
に、必要に応じてポリイソシアナート化合物を添加し、
強磁性体層7の耐溶剤性、機械的強度を高めることがで
きる。
ために、強磁性体粉末はバインダーの中に分散させた状
態で用いられる。バインダーとしては、ニトロセルロー
ス,塩酢ビ樹脂,変性塩酢ビ樹脂,フェノキシ樹脂,ポ
リウレタン樹脂,塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体
などがあり、適宜これらを混合して用いてもよい。さら
に、必要に応じてポリイソシアナート化合物を添加し、
強磁性体層7の耐溶剤性、機械的強度を高めることがで
きる。
【0037】強磁性体粉末は、公知の手法により上掲し
たバインダーや溶剤、さらには適宜の添加剤と混練さ
れ、磁性体スラリーとなる。この磁性体スラリーは公知
の方法でウェブ状のままのカバーシート4に塗工され、
必要に応じて磁場配向処理の後に乾燥され強磁性体層7
となる。磁場配向処理は、強磁性体層7の残留磁化強度
を増加させるのが好ましい。強磁性体層7に含まれる強
磁性体粉末の体積は、バインダーを含む全体の体積に対
して25体積%〜75体積%であることが好ましく、特
に好ましくは35体積%〜75体積%であることが分か
った。
たバインダーや溶剤、さらには適宜の添加剤と混練さ
れ、磁性体スラリーとなる。この磁性体スラリーは公知
の方法でウェブ状のままのカバーシート4に塗工され、
必要に応じて磁場配向処理の後に乾燥され強磁性体層7
となる。磁場配向処理は、強磁性体層7の残留磁化強度
を増加させるのが好ましい。強磁性体層7に含まれる強
磁性体粉末の体積は、バインダーを含む全体の体積に対
して25体積%〜75体積%であることが好ましく、特
に好ましくは35体積%〜75体積%であることが分か
った。
【0038】さらに、後述する実施例からも分かるよう
に、本発明の強磁性体層7の残留磁化は2.5Mx(マ
クスウェル)/cm以上であることが好ましい。強磁性
体粉末としてγ−Fe2 O3 を用い、その体積比率を4
5体積%にした磁性体スラリーを作成し、乾燥後の膜厚
が何段階か変わるようにカバーシート4に塗工して膜厚
と残留磁化との相関を調べたところ、両者間に比例関係
が認められた。これらの結果から、強磁性体層7の膜厚
としては25μ〜150μの範囲が望ましいことが確認
された。
に、本発明の強磁性体層7の残留磁化は2.5Mx(マ
クスウェル)/cm以上であることが好ましい。強磁性
体粉末としてγ−Fe2 O3 を用い、その体積比率を4
5体積%にした磁性体スラリーを作成し、乾燥後の膜厚
が何段階か変わるようにカバーシート4に塗工して膜厚
と残留磁化との相関を調べたところ、両者間に比例関係
が認められた。これらの結果から、強磁性体層7の膜厚
としては25μ〜150μの範囲が望ましいことが確認
された。
【0039】強磁性体層7を塗工したカバーシート4は
一定の長さに裁断され、ケース本体3との間に磁歪振動
片5a〜5d及びスペーサ6を密封するようにケース本
体3の外周縁に超音波溶着によって固着される。このと
き、ケース本体3の外周縁とカバーシート4との間には
強磁性層7が介在するが、超音波振動によって強磁性層
7のバインダーとなっているプラスチックが容易に溶融
し、またカバーシート4の外周縁も溶融するから、これ
らは強固に一体化することが可能となる。
一定の長さに裁断され、ケース本体3との間に磁歪振動
片5a〜5d及びスペーサ6を密封するようにケース本
体3の外周縁に超音波溶着によって固着される。このと
き、ケース本体3の外周縁とカバーシート4との間には
強磁性層7が介在するが、超音波振動によって強磁性層
7のバインダーとなっているプラスチックが容易に溶融
し、またカバーシート4の外周縁も溶融するから、これ
らは強固に一体化することが可能となる。
【0040】このように、本発明を用いた場合、カバー
シート4を強磁性層7を塗工した後でもロール状のまま
取り扱うことができる。そして、引き続き一定長さへの
裁断工程、超音波溶着によるケース本体3への固着工程
と一連の製造ラインにしたがって効率的に製造すること
が可能となるため、データ記憶タグの製造コストを従来
に比して格段に低く抑えることができる。
シート4を強磁性層7を塗工した後でもロール状のまま
取り扱うことができる。そして、引き続き一定長さへの
裁断工程、超音波溶着によるケース本体3への固着工程
と一連の製造ラインにしたがって効率的に製造すること
が可能となるため、データ記憶タグの製造コストを従来
に比して格段に低く抑えることができる。
【0041】
【実施例】以下、具体的な実施例について説明する。厚
みが200μのポリエチレンテレフタレートをカバーシ
ート4に用い、次に示す組成からなる磁性体スラリーを
塗布形成した。塗工後、直流ソレノイド中にて加熱乾燥
させ、塗工方向に磁場配向処理を行った。
みが200μのポリエチレンテレフタレートをカバーシ
ート4に用い、次に示す組成からなる磁性体スラリーを
塗布形成した。塗工後、直流ソレノイド中にて加熱乾燥
させ、塗工方向に磁場配向処理を行った。
【0042】 磁性体スラリーの組成 ・γ−Fe2 O3 (平均粒径0.54μ、針状比6:1) 100重量部 ・塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体(共重合比9:1) 14重量部 (一部加水分解してありビニルアルコール成分2%含む) ・ポリウレタン樹脂 8重量部 ・ポリイソシアネート化合物 5重量部 ・ブチルステアレート 0.4重量部
【0043】上記の磁性体スラリーを用い、乾燥後の強
磁性体層7の膜厚を変えたサンプル〜を作成してそ
の残留磁化を出力の出にくい10次高調波で測定した結
果は次の表1のとおりである。なお、比較例はバイアス
素子として金属薄板を使用したもので、この金属薄板は
バキュームシュメルツ社製の「クロバック(CROVAC)1
0/130」で、厚みは50μである。
磁性体層7の膜厚を変えたサンプル〜を作成してそ
の残留磁化を出力の出にくい10次高調波で測定した結
果は次の表1のとおりである。なお、比較例はバイアス
素子として金属薄板を使用したもので、この金属薄板は
バキュームシュメルツ社製の「クロバック(CROVAC)1
0/130」で、厚みは50μである。
【0044】
【表1】
【0045】サンプル〜のその他の磁気的特性は、
抗磁力が302エルステッド、ヒステリシス特性の角型
比は0.77である。また表1の「10次最低出力値」
は、これらのサンプル及び比較例を最も短い磁歪振動片
5d(32mm)のバイアス素子として組み合わせて利
用し、その10次の高調波出力を相対値(2次高調波の
最大出力時のレベルを「1000」、発振「0」のとき
の出力レベルを「0」にした)で表したデータである。
抗磁力が302エルステッド、ヒステリシス特性の角型
比は0.77である。また表1の「10次最低出力値」
は、これらのサンプル及び比較例を最も短い磁歪振動片
5d(32mm)のバイアス素子として組み合わせて利
用し、その10次の高調波出力を相対値(2次高調波の
最大出力時のレベルを「1000」、発振「0」のとき
の出力レベルを「0」にした)で表したデータである。
【0046】表1の結果を見ると、膜厚が最も小さいサ
ンプルにおいても残留磁化2.4Mx/cmが得られ
ており、これは一般的な磁気テープや磁気ディスクなど
では見られない高い値である。しかし、10次最低出力
値が相対値で「49」と小さい。環境等のノイズの影響
によって相対出力値が「50」程度まで変動することを
考慮すると、10次最低出力値は「60」以上、さらに
は「70」以上であることが望ましい。この点でサンプ
ルは実用上問題があり、繰り返し書き込み/読み取り
を行っているとエラーが出やすいことが判明した。
ンプルにおいても残留磁化2.4Mx/cmが得られ
ており、これは一般的な磁気テープや磁気ディスクなど
では見られない高い値である。しかし、10次最低出力
値が相対値で「49」と小さい。環境等のノイズの影響
によって相対出力値が「50」程度まで変動することを
考慮すると、10次最低出力値は「60」以上、さらに
は「70」以上であることが望ましい。この点でサンプ
ルは実用上問題があり、繰り返し書き込み/読み取り
を行っているとエラーが出やすいことが判明した。
【0047】これに対し、サンプル〜は、残留磁化
の値はもとより、10次最低出力値においても充分な性
能を備えていることが分かる。特にサンプルにあって
は、残留磁化は8.1Mx/cmと比較例よりも小さい
が、10次最低出力値は「329」で比較例よりも大き
い。これは、サンプルの方が金属薄板を用いたものよ
りも、磁気記録/再生過程での効率が優れていることを
表す。
の値はもとより、10次最低出力値においても充分な性
能を備えていることが分かる。特にサンプルにあって
は、残留磁化は8.1Mx/cmと比較例よりも小さい
が、10次最低出力値は「329」で比較例よりも大き
い。これは、サンプルの方が金属薄板を用いたものよ
りも、磁気記録/再生過程での効率が優れていることを
表す。
【0048】比較例を用いたデータ記憶タグについて、
磁気記録/読み出しを50回繰り返し行ったところ、1
0次最低出力値が±22(出力の±7%)の間で変動す
ることが分かった。他方、サンプルでは同様の測定で
出力値の変動は±13(出力の±4%)に過ぎなかっ
た。これは、金属薄板の平面度を完全に保つことが難し
いこと、磁気記録を行うときに、金属薄板と磁気ヘッド
との間にプラスチック製の蓋が介在し、蓋の平面性や蓋
と金属薄板と間隙が不均一であるなどの理由から、磁気
ヘッドと金属薄板間の距離が不安定になるためと考えら
れる。
磁気記録/読み出しを50回繰り返し行ったところ、1
0次最低出力値が±22(出力の±7%)の間で変動す
ることが分かった。他方、サンプルでは同様の測定で
出力値の変動は±13(出力の±4%)に過ぎなかっ
た。これは、金属薄板の平面度を完全に保つことが難し
いこと、磁気記録を行うときに、金属薄板と磁気ヘッド
との間にプラスチック製の蓋が介在し、蓋の平面性や蓋
と金属薄板と間隙が不均一であるなどの理由から、磁気
ヘッドと金属薄板間の距離が不安定になるためと考えら
れる。
【0049】さらに、サンプルと比較例とを用い、そ
れぞれのバイアス素子に磁気記録を行うときの書き込み
信号にレベル変動があったときの寛容度(ラチチュー
ド)について確認を行った。それぞれ最も短い磁歪振動
片5dを基準にし、その10次高調波について検出でき
るような磁化パターンをそれぞれのバイアス素子に記録
するとき、比較例では、最適記録電流レベル「265」
に対して低い方に多少の変動があってもあまり問題はな
いものの、高い方に記録電流レベルが10%程度でも変
動すると、データ再生のために交番磁界をかけたとき
に、磁歪振動片5dの10次高調波の共振出力が他の磁
歪振動片よりも低下するという現象が現れてしまい、信
頼性が著しく低下することが分かった。
れぞれのバイアス素子に磁気記録を行うときの書き込み
信号にレベル変動があったときの寛容度(ラチチュー
ド)について確認を行った。それぞれ最も短い磁歪振動
片5dを基準にし、その10次高調波について検出でき
るような磁化パターンをそれぞれのバイアス素子に記録
するとき、比較例では、最適記録電流レベル「265」
に対して低い方に多少の変動があってもあまり問題はな
いものの、高い方に記録電流レベルが10%程度でも変
動すると、データ再生のために交番磁界をかけたとき
に、磁歪振動片5dの10次高調波の共振出力が他の磁
歪振動片よりも低下するという現象が現れてしまい、信
頼性が著しく低下することが分かった。
【0050】これに対し、サンプルの場合には、最適
記録電流レベル「300」に対し、−20%〜+50%
程度の変動があったとしても、磁歪振動片5dの10次
高調波の共振出力を的確に検出できることが確認され
た。すなわち、本発明の適用により、バイアス素子にバ
イアス磁界を書き込むときの記録電流レベルに適当なラ
チチュードを確保しておくことができ、実用面での利点
が大きい。
記録電流レベル「300」に対し、−20%〜+50%
程度の変動があったとしても、磁歪振動片5dの10次
高調波の共振出力を的確に検出できることが確認され
た。すなわち、本発明の適用により、バイアス素子にバ
イアス磁界を書き込むときの記録電流レベルに適当なラ
チチュードを確保しておくことができ、実用面での利点
が大きい。
【0051】以上の説明から明らかなように、本発明の
データ記憶タグ2では、磁歪振動片5a〜5dにバイア
ス磁界を与えるためのバイアス素子をカバーシート4の
内面に塗布した強磁性体層7で行うようにしている。こ
のため、強磁性体層7にはカバーシート4の表面側から
磁気ヘッド15をアクセスさせることになり、両者間に
スペーシングロスの発生が避けられない。しかし、磁気
ヘッド15と強磁性体層7との間隙をバラツキなく一定
に保つことができること、そしてカバーシート4の材質
及び厚み、さらには強磁性体層7の膜厚及び残留磁化を
適切に設定することによって、強磁性体層7には適切な
磁化パターンの記録ができ、磁歪振動片5a〜5dには
安定したバイアス磁界を付与することができる。
データ記憶タグ2では、磁歪振動片5a〜5dにバイア
ス磁界を与えるためのバイアス素子をカバーシート4の
内面に塗布した強磁性体層7で行うようにしている。こ
のため、強磁性体層7にはカバーシート4の表面側から
磁気ヘッド15をアクセスさせることになり、両者間に
スペーシングロスの発生が避けられない。しかし、磁気
ヘッド15と強磁性体層7との間隙をバラツキなく一定
に保つことができること、そしてカバーシート4の材質
及び厚み、さらには強磁性体層7の膜厚及び残留磁化を
適切に設定することによって、強磁性体層7には適切な
磁化パターンの記録ができ、磁歪振動片5a〜5dには
安定したバイアス磁界を付与することができる。
【0052】さらに、データ記憶タグ2の製造工程中
で、カバーシート4を強磁性体層7の塗布後においても
ロール形態で取り扱うことも可能であるから、製造工程
の管理がしやすくなる。そして、単に別体部品としてバ
イアス素子が不要となるだけでなく、製造工程の効率化
さらには自動化により、データ記憶タグの製造コストを
大幅に低減させることができる。
で、カバーシート4を強磁性体層7の塗布後においても
ロール形態で取り扱うことも可能であるから、製造工程
の管理がしやすくなる。そして、単に別体部品としてバ
イアス素子が不要となるだけでなく、製造工程の効率化
さらには自動化により、データ記憶タグの製造コストを
大幅に低減させることができる。
【0053】また、磁歪振動片5a〜5dと強磁性体層
7との間に配置されるセパレータ6に、毛羽をもったシ
ートあるいは弾力性に富んだシートを用いることによっ
て、磁歪振動片5a〜5dをケース内の所定の位置に、
しかも機械的な拘束をほとんど及ぼさずに収めておくこ
とができる。実験により確認したところでは、セパレー
タ6に用いるシート材としては、不織布が最も好適で、
その次に和紙(フロッピイディスクの内張りに用いられ
ているもの)、そして通常のコピー用紙の順で、プラス
チックフイルムでは期待した効果が得られなかった。
7との間に配置されるセパレータ6に、毛羽をもったシ
ートあるいは弾力性に富んだシートを用いることによっ
て、磁歪振動片5a〜5dをケース内の所定の位置に、
しかも機械的な拘束をほとんど及ぼさずに収めておくこ
とができる。実験により確認したところでは、セパレー
タ6に用いるシート材としては、不織布が最も好適で、
その次に和紙(フロッピイディスクの内張りに用いられ
ているもの)、そして通常のコピー用紙の順で、プラス
チックフイルムでは期待した効果が得られなかった。
【0054】以上、図示した実施形態をもとに本発明に
ついて説明してきたが、本発明を実施する上では、例え
ば磁歪振動片の本数や長さは記憶させるデータのビット
数に応じて適宜に決めることができ、これに合わせて本
体ケース3やカバーシート4の形状を変えることができ
る。
ついて説明してきたが、本発明を実施する上では、例え
ば磁歪振動片の本数や長さは記憶させるデータのビット
数に応じて適宜に決めることができ、これに合わせて本
体ケース3やカバーシート4の形状を変えることができ
る。
【0055】
【発明の効果】上述のように、本発明のデータ記憶タグ
によれば、ケース本体との間に磁歪振動片を封入するカ
バーシートの内面側に強磁性体層を塗布により形成し、
この強磁性体層を磁歪振動片に対して所定のバイアス磁
界を与えるためのバイアス素子に用いるようにしてある
から、データ記憶タグの製造工程中、カバーシートとバ
イアス素子とを一体部品として取り扱うことができ、部
品点数の節約と同時に製造工程の管理もしやすくなり、
大幅なコストダウンが可能となる。
によれば、ケース本体との間に磁歪振動片を封入するカ
バーシートの内面側に強磁性体層を塗布により形成し、
この強磁性体層を磁歪振動片に対して所定のバイアス磁
界を与えるためのバイアス素子に用いるようにしてある
から、データ記憶タグの製造工程中、カバーシートとバ
イアス素子とを一体部品として取り扱うことができ、部
品点数の節約と同時に製造工程の管理もしやすくなり、
大幅なコストダウンが可能となる。
【0056】さらに、バイアス素子として金属薄板を用
いた従来のデータ記憶タグと比較して、バイアス素子と
磁歪振動片との間隙を一定に維持し、またデータ書き込
み時にも磁気ヘッドとの間の間隙を一定にすることがで
きるから、信頼性の高いデータ記録及びデータ書き込み
が可能となる。そして、カバーシートの材質及び厚み、
さらに強磁性体層の厚み及び残留磁化強度を適切に設定
することによって、データ記憶タグの機械的強度を充分
に確保すると同時に、データ読み出し時の出力レベルも
充分に大きくすることができるようになる。
いた従来のデータ記憶タグと比較して、バイアス素子と
磁歪振動片との間隙を一定に維持し、またデータ書き込
み時にも磁気ヘッドとの間の間隙を一定にすることがで
きるから、信頼性の高いデータ記録及びデータ書き込み
が可能となる。そして、カバーシートの材質及び厚み、
さらに強磁性体層の厚み及び残留磁化強度を適切に設定
することによって、データ記憶タグの機械的強度を充分
に確保すると同時に、データ読み出し時の出力レベルも
充分に大きくすることができるようになる。
【0057】また、磁歪振動片と強磁性体層との間にセ
パレータとして配置されるシート材に、毛羽を有するシ
ートあるいはスポンジ状のシートを利用することによっ
て、磁歪振動片の自由な振動を拘束することなく、ケー
ス内の所定の位置に収めておくことができるようにな
り、データ読み出しの信頼性を高めるうえで効果的であ
る。
パレータとして配置されるシート材に、毛羽を有するシ
ートあるいはスポンジ状のシートを利用することによっ
て、磁歪振動片の自由な振動を拘束することなく、ケー
ス内の所定の位置に収めておくことができるようにな
り、データ読み出しの信頼性を高めるうえで効果的であ
る。
【図1】本発明を用いたデータ記憶タグの分解斜視図で
ある。
ある。
【図2】図1に示すデータ記憶タグの要部断面図であ
る。
る。
【図3】磁気記録装置の概略図である。
2 データ記憶タグ 3 ケース本体 4 カバーシート 5a〜5d 磁歪振動片 6 セパレータ 7 強磁性体層
Claims (8)
- 【請求項1】 非磁性体からなるケース本体と、このケ
ース本体の所定位置に位置決めして収納されたストリッ
プ形状の磁歪振動片と、この磁歪振動片に重なり合うよ
うに近接して配置され、磁歪振動片に所定のパターンを
もったバイアス磁界を与えるバイアス素子と、前記磁歪
振動片とバイアス素子とをケース本体との間に密封する
非磁性体からなるカバーシートとから構成されたデータ
記憶タグにおいて、 前記バイアス素子は、前記カバーシートの内面に塗布さ
れた強磁性体層であることを特徴とするデータ記憶タ
グ。 - 【請求項2】 前記強磁性体層は強磁性体の粉末とバイ
ンダーとを混合した層であり、厚みが25μ乃至150
μであることを特徴とする請求項1記載のデータ記憶タ
グ。 - 【請求項3】 前記強磁性体層は2.5Mx/cm以上
の残留磁化を有していることを特徴とする請求項1又は
2記載のデータ記憶タグ。 - 【請求項4】 前記カバーシートはポリエチレンテレフ
タレート,ポリエチレンナフタレート,ポリアラミド,
ポリカーボネート,ポリイミド,三酢酸セルロースのい
ずれかからなり、その厚みが30μ乃至500μである
ことを特徴とする請求項2又は3記載のデータ記憶タ
グ。 - 【請求項5】 前記カバーシートが超音波溶着によりケ
ース本体に固着されていることを特徴とする請求項1乃
至4のいずれか記載のデータ記憶タグ。 - 【請求項6】 前記磁歪振動片と強磁性体層との間に、
少なくとも磁歪振動片側に向けた表面が柔軟な非磁性体
からなるシート状のセパレータを封入したことを特徴と
する請求項1記載のデータ記憶タグ。 - 【請求項7】 前記セパレータは厚みが10〜100μ
であり、少なくとも磁歪振動片側に向けた表面に毛羽を
有していることを特徴とする請求項6記載のデータ記憶
タグ。 - 【請求項8】 前記セパレータは全体に柔軟なスポンジ
状のシートであることを特徴とする請求項6記載のデー
タ記憶タグ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9011184A JPH10208004A (ja) | 1997-01-24 | 1997-01-24 | データ記憶タグ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9011184A JPH10208004A (ja) | 1997-01-24 | 1997-01-24 | データ記憶タグ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10208004A true JPH10208004A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=11770991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9011184A Pending JPH10208004A (ja) | 1997-01-24 | 1997-01-24 | データ記憶タグ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10208004A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR200448001Y1 (ko) | 2007-12-31 | 2010-03-08 | 김영남 | 상품도난방지용 태그 구조체 |
| KR200448002Y1 (ko) | 2007-12-31 | 2010-03-08 | 김영남 | 상품도난방지용 태그구조체 |
| KR101103360B1 (ko) * | 2009-04-30 | 2012-01-12 | 이영근 | 상품도난 방지태그 |
-
1997
- 1997-01-24 JP JP9011184A patent/JPH10208004A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR200448001Y1 (ko) | 2007-12-31 | 2010-03-08 | 김영남 | 상품도난방지용 태그 구조체 |
| KR200448002Y1 (ko) | 2007-12-31 | 2010-03-08 | 김영남 | 상품도난방지용 태그구조체 |
| KR101103360B1 (ko) * | 2009-04-30 | 2012-01-12 | 이영근 | 상품도난 방지태그 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11676631B2 (en) | Magnetic recording medium and cartridge | |
| JP2021064427A (ja) | カートリッジ、メモリ、データ記録装置及びデータ再生装置 | |
| JP7761040B2 (ja) | 磁気記録媒体およびカートリッジ | |
| JP7512782B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| US20040184175A1 (en) | Double sided magnetic tape | |
| JP7586266B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| US11348615B2 (en) | Cartridge memory for magnetic tape cartridge, control method therefor, cartridge, and recording/reproduction system | |
| JPH10208004A (ja) | データ記憶タグ | |
| JP7613373B2 (ja) | サーボライタ | |
| JPH10320714A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP7732498B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| US6986954B2 (en) | Perpendicular magnetic recording media | |
| JP2021064430A (ja) | カートリッジ、データ記録装置及びデータ再生装置 | |
| US11581014B2 (en) | Magnetic recording medium | |
| JPH0997465A (ja) | 記録再生装置、磁気ヘッド及びテープカートリッジ | |
| WO2022196225A1 (ja) | サーボパターン記録方法、サーボパターン記録装置、磁気テープの製造方法、磁気テープ及びテープカートリッジ | |
| Richter | A generalized slope model for magnetization transitions | |
| JPH0476171B2 (ja) | ||
| JPS5826328A (ja) | 磁気テ−プ転写方式 | |
| Veitch | Soft-magnetic underlayer for MP data tape | |
| JP2561455B2 (ja) | 磁気記録再生装置 | |
| JPS6177125A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP3126025B2 (ja) | 磁気テープ | |
| WO2024070719A1 (ja) | 磁気記録媒体およびカートリッジ | |
| JPH07105525A (ja) | 磁気記録媒体 |