JPH10209042A - 半導体ウェーハの露光装置 - Google Patents
半導体ウェーハの露光装置Info
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- JPH10209042A JPH10209042A JP10000472A JP47298A JPH10209042A JP H10209042 A JPH10209042 A JP H10209042A JP 10000472 A JP10000472 A JP 10000472A JP 47298 A JP47298 A JP 47298A JP H10209042 A JPH10209042 A JP H10209042A
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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-
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 露光工程時に、マスクパターンに対応するウ
ェーハの倍率を調節し、該ウェーハの局部的な歪みを防
止し得る半導体ウェーハの露光装置を提供する。 【解決手段】 露光を行うための発光体３１と、露光量
を調節するシャッター３２と、ウェーハ４０を安全につ
かむウェーハチャック３３と、該ウェーハチャック３３
を移動させて位置を調節する位置調節機３４と、前記ウ
ェーハチャック３３に内設された熱線３５と、該熱線３
５を電気的に発熱させる電源装置３６と、前記発光体３
１、シャッター３２及び電源装置３６を夫々制御する露
光制御器３８と、を備える。
ェーハの倍率を調節し、該ウェーハの局部的な歪みを防
止し得る半導体ウェーハの露光装置を提供する。 【解決手段】 露光を行うための発光体３１と、露光量
を調節するシャッター３２と、ウェーハ４０を安全につ
かむウェーハチャック３３と、該ウェーハチャック３３
を移動させて位置を調節する位置調節機３４と、前記ウ
ェーハチャック３３に内設された熱線３５と、該熱線３
５を電気的に発熱させる電源装置３６と、前記発光体３
１、シャッター３２及び電源装置３６を夫々制御する露
光制御器３８と、を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハの
露光装置に係るもので、詳しくは、露光の工程時に、マ
スクパターンに対応するウェーハの倍率（Magnificatio
n ）を補正し得る半導体ウェーハの露光装置に関するも
のである．
露光装置に係るもので、詳しくは、露光の工程時に、マ
スクパターンに対応するウェーハの倍率（Magnificatio
n ）を補正し得る半導体ウェーハの露光装置に関するも
のである．
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体ウェーハ露光装置において
は、図２に示したように、露光を行うための発光体１１
と、露光量を調節するシャッター１２と、半導体ウェー
ハ２０を安全につかむウェーハチャック１３と、該ウェ
ーハチャック１３を移動させて位置を調節する位置調節
機１４と、前記ウェーハチャック１３の内部への温度調
節用冷媒の循環通路であるフロ−パイプ１５と、冷媒の
温度を調節する熱交換器１６と、前記フローパイプ１５
に介装されて冷媒の循環量を調節するバルブ１７と、該
バルブ１７の開閉動作を調節する流量調節器１８と、前
記発光体１１、シャッター１２、位置調節機１４及び流
量調節器１８を夫々制御する露光制御器１９と、を備え
て構成されていた。図中、未説明符号２５はマスクを示
したものである。
は、図２に示したように、露光を行うための発光体１１
と、露光量を調節するシャッター１２と、半導体ウェー
ハ２０を安全につかむウェーハチャック１３と、該ウェ
ーハチャック１３を移動させて位置を調節する位置調節
機１４と、前記ウェーハチャック１３の内部への温度調
節用冷媒の循環通路であるフロ−パイプ１５と、冷媒の
温度を調節する熱交換器１６と、前記フローパイプ１５
に介装されて冷媒の循環量を調節するバルブ１７と、該
バルブ１７の開閉動作を調節する流量調節器１８と、前
記発光体１１、シャッター１２、位置調節機１４及び流
量調節器１８を夫々制御する露光制御器１９と、を備え
て構成されていた。図中、未説明符号２５はマスクを示
したものである。
【０００３】このように構成された従来の半導体ウェー
ハ露光装置の動作を説明する。露光制御器１９の制御信
号により発光体１１から発光された光が、マスク２５を
通過した後、ウェーハ２０に到達すると、冷媒がフロー
パイプ１５を経てウェーハチャック１３に流入され、露
光工程で発生するウェーハチャック１３及びウェーハ２
０の熱が前記冷媒に吸収され、露光時の発生熱によるウ
ェーハ２０の局部的な歪みが防止される。
ハ露光装置の動作を説明する。露光制御器１９の制御信
号により発光体１１から発光された光が、マスク２５を
通過した後、ウェーハ２０に到達すると、冷媒がフロー
パイプ１５を経てウェーハチャック１３に流入され、露
光工程で発生するウェーハチャック１３及びウェーハ２
０の熱が前記冷媒に吸収され、露光時の発生熱によるウ
ェーハ２０の局部的な歪みが防止される。
【０００４】この場合、前記露光制御器１９は、露光工
程の開始及び終了を流量調節器１８に知らせ、該流量調
節器１８は、流量調節バルブ１７の開閉動作を制御して
フローパイプ１５内の循環流量を調節する。且つ、前記
冷媒の温度は熱交換器１６により調節される。
程の開始及び終了を流量調節器１８に知らせ、該流量調
節器１８は、流量調節バルブ１７の開閉動作を制御して
フローパイプ１５内の循環流量を調節する。且つ、前記
冷媒の温度は熱交換器１６により調節される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】然るに、このような従
来の半導体ウェーハ露光装置においては、マスクパター
ンに対応するウェーハの倍率を調整することができず、
ウェーハ上に所望の倍率パターンを形成することができ
ないという不都合な点があった。そこで、本発明は、こ
のような従来の課題に鑑みてなされたもので、露光工程
時にマスクパターンに対応するウェーハの倍率を調節
し、該ウェーハの局部的な歪みを防止し得る半導体ウェ
ーハ露光装置を提供することを目的とする。
来の半導体ウェーハ露光装置においては、マスクパター
ンに対応するウェーハの倍率を調整することができず、
ウェーハ上に所望の倍率パターンを形成することができ
ないという不都合な点があった。そこで、本発明は、こ
のような従来の課題に鑑みてなされたもので、露光工程
時にマスクパターンに対応するウェーハの倍率を調節
し、該ウェーハの局部的な歪みを防止し得る半導体ウェ
ーハ露光装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るため、本発明に係る半導体ウェーハ露光装置において
は、露光を行うための発光体と、露光量を調節するシャ
ッターと、半導体ウェーハを安全につかむウェーハチャ
ックと、該ウェーハチャックを移動させて位置を調節す
る位置調節機と、前記ウェーハチャックの内部に埋設さ
れた熱線と、該熱線を電気的に発熱させる電源装置と、
前記発光体、シャッター及び電源装置を夫々制御する露
光制御器と、を備えて構成されている。
るため、本発明に係る半導体ウェーハ露光装置において
は、露光を行うための発光体と、露光量を調節するシャ
ッターと、半導体ウェーハを安全につかむウェーハチャ
ックと、該ウェーハチャックを移動させて位置を調節す
る位置調節機と、前記ウェーハチャックの内部に埋設さ
れた熱線と、該熱線を電気的に発熱させる電源装置と、
前記発光体、シャッター及び電源装置を夫々制御する露
光制御器と、を備えて構成されている。
【０００７】ここで、前記ウェーハの温度を感知し、該
感知された温度データを前記露光制御器に伝送する温度
感知センサを追加して備えるとよく、この場合に、前記
露光制御器は、前記ウェーハの温度データに基づいて、
前記電源装置に温度調節制御信号を印加し、更に、前記
電源装置は、前記露光制御器から印加された温度調節制
御信号により、前記熱線の温度を制御するとよい。
感知された温度データを前記露光制御器に伝送する温度
感知センサを追加して備えるとよく、この場合に、前記
露光制御器は、前記ウェーハの温度データに基づいて、
前記電源装置に温度調節制御信号を印加し、更に、前記
電源装置は、前記露光制御器から印加された温度調節制
御信号により、前記熱線の温度を制御するとよい。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図１
を用いて説明する。本発明に係る半導体ウェーハ露光装
置においては、露光源になる発光体３１と、該発光体３
１の下方側に設置され、該発光体３１から発光された光
の通過量を調節し、後述するウェーハチャック３３に把
持されたウェーハ４０の上面まで到達される光量（露光
量）を調節するシャッター３２と、該シャッター３２の
下方側に設置され、露光対象体であるウェーハ４０を安
全につかむウェーハチャック３３と、該ウェーハチャッ
ク３３の側方に装置され、該ウェーハチャック３３を移
動させて位置を調節する位置調節機３４と、前記ウェー
ハチャック３３の内部に埋設された熱線（ヒータ）３５
と、該熱線３５に接続され、該熱線３５を電気的に発熱
させる電源装置３６と、該電源装置３６に接続され、前
記ウェーハ４０の温度を感知する温度感知センサ３７
と、前記発光体３１、シャッター３２及び電源装置３６
に夫々接続され、発光体３１の発光量とシャッター３２
及び電源装置３６の動作とを夫々制御する露光制御器３
８と、を備えて構成されている。図中４５はマスクを示
したものである。
を用いて説明する。本発明に係る半導体ウェーハ露光装
置においては、露光源になる発光体３１と、該発光体３
１の下方側に設置され、該発光体３１から発光された光
の通過量を調節し、後述するウェーハチャック３３に把
持されたウェーハ４０の上面まで到達される光量（露光
量）を調節するシャッター３２と、該シャッター３２の
下方側に設置され、露光対象体であるウェーハ４０を安
全につかむウェーハチャック３３と、該ウェーハチャッ
ク３３の側方に装置され、該ウェーハチャック３３を移
動させて位置を調節する位置調節機３４と、前記ウェー
ハチャック３３の内部に埋設された熱線（ヒータ）３５
と、該熱線３５に接続され、該熱線３５を電気的に発熱
させる電源装置３６と、該電源装置３６に接続され、前
記ウェーハ４０の温度を感知する温度感知センサ３７
と、前記発光体３１、シャッター３２及び電源装置３６
に夫々接続され、発光体３１の発光量とシャッター３２
及び電源装置３６の動作とを夫々制御する露光制御器３
８と、を備えて構成されている。図中４５はマスクを示
したものである。
【０００９】このように構成された半導体ウェーハ露光
装置の動作を以下に説明する。先ず、ウェーハチャック
３３の上面にウェーハ４０を把持し、パターン化された
マスク４５を該ウェーハ４０の上方側に位置するように
装置する。次いで、露光制御器３８の制御信号により発
光体３１から発光された光は、シャッター３２とマスク
４５とを順次経た後、前記ウェーハ４０の上面に到達す
る。
装置の動作を以下に説明する。先ず、ウェーハチャック
３３の上面にウェーハ４０を把持し、パターン化された
マスク４５を該ウェーハ４０の上方側に位置するように
装置する。次いで、露光制御器３８の制御信号により発
光体３１から発光された光は、シャッター３２とマスク
４５とを順次経た後、前記ウェーハ４０の上面に到達す
る。
【００１０】このとき、前記露光制御器３８は、前記シ
ャッター３２の動作を制御して該シャッター３２を通過
する露光量を調節し、前記電源装置３６を制御して前記
熱線３５に電流を供給し、該熱線３５を発熱させる。そ
の後、前記熱線３５の発熱によって前記ウェーハチャッ
ク３３に熱が供給され、該供給された熱は、前記ウェー
ハ４０に伝達される。
ャッター３２の動作を制御して該シャッター３２を通過
する露光量を調節し、前記電源装置３６を制御して前記
熱線３５に電流を供給し、該熱線３５を発熱させる。そ
の後、前記熱線３５の発熱によって前記ウェーハチャッ
ク３３に熱が供給され、該供給された熱は、前記ウェー
ハ４０に伝達される。
【００１１】次いで、前記温度感知センサ３７は、前記
ウェーハ４０の温度を感知し、該感知された温度データ
は、前記電源装置３６を介して前記露光制御器３８に伝
送され、該露光制御器３８は、入力された温度データに
基づいて、前記電源装置３６に温度調節制御信号を印加
し、該電源装置３６により前記熱線３５の発熱量を調節
させる。
ウェーハ４０の温度を感知し、該感知された温度データ
は、前記電源装置３６を介して前記露光制御器３８に伝
送され、該露光制御器３８は、入力された温度データに
基づいて、前記電源装置３６に温度調節制御信号を印加
し、該電源装置３６により前記熱線３５の発熱量を調節
させる。
【００１２】即ち、前記熱線３５の発熱量により前記ウ
ェーハ４０の温度を上昇又は下降させて、該ウェーハ４
０を微細に拡張又は縮小させ、ウェーハの倍率を調整す
る。且つ、前記ウェーハ４０に伝達された熱により該ウ
ェーハ４０の局部的な歪みを補正することができる。
ェーハ４０の温度を上昇又は下降させて、該ウェーハ４
０を微細に拡張又は縮小させ、ウェーハの倍率を調整す
る。且つ、前記ウェーハ４０に伝達された熱により該ウ
ェーハ４０の局部的な歪みを補正することができる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体ウェーハ露光装置によれば、露光時の発生熱によるウ
ェーハの局部的な歪みを防止し、マスクパターンに対応
するウェーハの倍率を正確に調節し得るという効果があ
る。また、ウェーハの温度を感知しつつ制御すること
で、より正確な調節が可能となる。
体ウェーハ露光装置によれば、露光時の発生熱によるウ
ェーハの局部的な歪みを防止し、マスクパターンに対応
するウェーハの倍率を正確に調節し得るという効果があ
る。また、ウェーハの温度を感知しつつ制御すること
で、より正確な調節が可能となる。
【図１】 本発明に係る半導体ウェーハ露光装置を示し
た概略構成図
た概略構成図
【図２】 従来の半導体ウェーハ露光装置を示した概略
構成図
構成図
３１：発光体 ３２：シャッター ３３：ウェーハチャック ３４：位置調節機 ３５：熱線 ３６：電源装置 ３７：温度感知センサ ３８：露光制御器 ４０：ウェーハ ４５：マスク
Claims (4)
- 【請求項１】露光を行うための発光体（３１）と、 露光量を調節するシャッター（３２）と、 半導体ウェーハ（４０）を安全につかむウェーハチャッ
ク（３３）と、 該ウェーハチャック（３３）を移動させて位置を調節す
る位置調節機（３４）と、 前記ウェーハチャック（３４）の内部に埋設された熱線
（３５）と、 該熱線（３５）を電気的に発熱させる電源装置（３６）
と、 前記発光体（３１）、シャッター（３２）及び電源装置
（３６）を夫々制御する露光制御器（３８）と、 を備えて構成されたことを特徴とする半導体ウェーハの
露光装置。 - 【請求項２】前記ウェーハ（４０）の温度を感知し、該
感知された温度データを前記露光制御器（３８）に伝送
する温度感知センサ（３７）を追加して備えたことを特
徴とする請求項１記載の半導体ウェーハの露光装置。 - 【請求項３】前記露光制御器は（３８）、前記ウェーハ
（４０）の温度データに基づいて、前記電源装置（３
６）に温度調節制御信号を印加することを特徴とする請
求項２載の半導体ウェーハの露光装置。 - 【請求項４】前記電源装置（３６）は、前記露光制御器
（３８）から印加された温度調節制御信号により、前記
熱線（３５）の温度を制御することを特徴とする請求項
３記載の半導体ウェーハの露光装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR79109/1996 | 1996-12-31 | ||
| KR1019960079109A KR0179938B1 (ko) | 1996-12-31 | 1996-12-31 | 반도체 웨이퍼 노광장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209042A true JPH10209042A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=19493025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10000472A Pending JPH10209042A (ja) | 1996-12-31 | 1998-01-05 | 半導体ウェーハの露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10209042A (ja) |
| KR (1) | KR0179938B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100475051B1 (ko) * | 2001-09-07 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼 노광 시스템 및 그 구동방법 |
| EP1411391A3 (en) * | 2002-10-18 | 2005-10-12 | ASML Holding N.V. | Method and apparatus for cooling a reticle during lithographic exposure |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101182275B1 (ko) | 2010-11-02 | 2012-09-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 이차 전지 |
-
1996
- 1996-12-31 KR KR1019960079109A patent/KR0179938B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-01-05 JP JP10000472A patent/JPH10209042A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100475051B1 (ko) * | 2001-09-07 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼 노광 시스템 및 그 구동방법 |
| EP1411391A3 (en) * | 2002-10-18 | 2005-10-12 | ASML Holding N.V. | Method and apparatus for cooling a reticle during lithographic exposure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19980059764A (ko) | 1998-10-07 |
| KR0179938B1 (ko) | 1999-04-01 |
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