JPH10209092A - ウェハ研磨剤およびこれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
ウェハ研磨剤およびこれを用いた半導体装置の製造方法Info
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- JPH10209092A JPH10209092A JP993297A JP993297A JPH10209092A JP H10209092 A JPH10209092 A JP H10209092A JP 993297 A JP993297 A JP 993297A JP 993297 A JP993297 A JP 993297A JP H10209092 A JPH10209092 A JP H10209092A
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ブランケットタングステン（Ｗ）を化学機械
研磨（ＣＭＰ）してＷプラグを形成する際に、プラグロ
スと酸化膜上でのマイクロスクラッチの発生を防止でき
る研磨剤を提供する。 【構成】 平均一次粒子径４０〜１１０ｎｍのシリカ、
０．０１〜０．０３ｍｏｌ／ｌのＮＨ4 ＯＨ、および有
機系酸化剤を含有することを特徴とするＷ−ＣＭＰ用の
ウェハ研磨剤である。好ましくは、ｐＨが８．０〜８．
５に設定され、また、酸化還元電位（ＯＲＰ）は＋５５
０〜６５０ｍＶ（液温２３℃）に設定される。
研磨（ＣＭＰ）してＷプラグを形成する際に、プラグロ
スと酸化膜上でのマイクロスクラッチの発生を防止でき
る研磨剤を提供する。 【構成】 平均一次粒子径４０〜１１０ｎｍのシリカ、
０．０１〜０．０３ｍｏｌ／ｌのＮＨ4 ＯＨ、および有
機系酸化剤を含有することを特徴とするＷ−ＣＭＰ用の
ウェハ研磨剤である。好ましくは、ｐＨが８．０〜８．
５に設定され、また、酸化還元電位（ＯＲＰ）は＋５５
０〜６５０ｍＶ（液温２３℃）に設定される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ上の
タングステン膜を化学機械研磨法により研磨除去する際
に用いられる研磨剤およびこの研磨剤を用いた半導体装
置の製造方法に関するものである。
タングステン膜を化学機械研磨法により研磨除去する際
に用いられる研磨剤およびこの研磨剤を用いた半導体装
置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体装置の微細化と配線の多層
化により、上下の導電体層間を接続するための接続孔
（コンタクトホールやビアホール）のアスペクト比は徐
々に高まってきており、スパッタ法によるＡｌ膜では接
続孔内を埋め込むことが困難になってきている。これを
補う手段として、段差被覆性のよいＣＶＤ法によるタン
グステン（Ｗ）によって接続孔内を埋め込むタングステ
ンプラグ法が広く採用されるようになってきている。
化により、上下の導電体層間を接続するための接続孔
（コンタクトホールやビアホール）のアスペクト比は徐
々に高まってきており、スパッタ法によるＡｌ膜では接
続孔内を埋め込むことが困難になってきている。これを
補う手段として、段差被覆性のよいＣＶＤ法によるタン
グステン（Ｗ）によって接続孔内を埋め込むタングステ
ンプラグ法が広く採用されるようになってきている。
【０００３】この場合、タングステン膜の堆積後、ドラ
イエッチング法によるエッチバックを用いてビアホール
内以外のタングステンを除去するという方法が用いられ
ている。しかし、この方法はビアホール以外の部分のＷ
を除去するときに除去残りが発生しないように少し多め
に除去する必要があるため、ビアホール内の上部のタン
グステンも若干除去され、いわゆるプラグロスが形成さ
れてしまう。このプラグロスは、後の工程で配線を形成
する際に配線上に窪みとなるため、その上に次のビアホ
ールを形成しても、良好な導通が得られない。つまりビ
アホールの重ね置きができなくなる。そこで、プラグロ
スを解消する手段としてウェハ上のタングステンを化学
機械研磨（chemical mechanical polishing ；以下、Ｃ
ＭＰともいう）法により除去する方法が用いられること
がある。
イエッチング法によるエッチバックを用いてビアホール
内以外のタングステンを除去するという方法が用いられ
ている。しかし、この方法はビアホール以外の部分のＷ
を除去するときに除去残りが発生しないように少し多め
に除去する必要があるため、ビアホール内の上部のタン
グステンも若干除去され、いわゆるプラグロスが形成さ
れてしまう。このプラグロスは、後の工程で配線を形成
する際に配線上に窪みとなるため、その上に次のビアホ
ールを形成しても、良好な導通が得られない。つまりビ
アホールの重ね置きができなくなる。そこで、プラグロ
スを解消する手段としてウェハ上のタングステンを化学
機械研磨（chemical mechanical polishing ；以下、Ｃ
ＭＰともいう）法により除去する方法が用いられること
がある。
【０００４】図３は、ＣＭＰ法にてタングステンプラグ
を形成する例を説明するための工程順断面図である。半
導体基板１上の第１層間絶縁膜２上に下層Ａｌ配線層３
を設け、その上を第２層間絶縁膜４にて被覆する〔図３
（ａ）〕。フォトリソグラフィ法およびＲＩＥ（反応性
イオンエッチング）法などを用いて選択的に第２層間絶
縁膜４をエッチングして、下層Ａｌ配線３の表面を露出
させるビアホール５を形成する〔図３（ｂ）〕。スパッ
タ法により、チタン（Ｔｉ）を堆積し続いて窒化チタン
（ＴｉＮ）を堆積して若しくは窒化チタンのみを堆積し
てバリアメタル層６を形成した後、ＣＶＤ法により、ビ
アホール５内を埋め込むタングステン膜７を形成する
〔図３（ｃ）〕。
を形成する例を説明するための工程順断面図である。半
導体基板１上の第１層間絶縁膜２上に下層Ａｌ配線層３
を設け、その上を第２層間絶縁膜４にて被覆する〔図３
（ａ）〕。フォトリソグラフィ法およびＲＩＥ（反応性
イオンエッチング）法などを用いて選択的に第２層間絶
縁膜４をエッチングして、下層Ａｌ配線３の表面を露出
させるビアホール５を形成する〔図３（ｂ）〕。スパッ
タ法により、チタン（Ｔｉ）を堆積し続いて窒化チタン
（ＴｉＮ）を堆積して若しくは窒化チタンのみを堆積し
てバリアメタル層６を形成した後、ＣＶＤ法により、ビ
アホール５内を埋め込むタングステン膜７を形成する
〔図３（ｃ）〕。
【０００５】平均粒径が３０ｎｍ程度のシリカを含有し
ｐＨ９〜１２程度のアルカリ性コロイダルシリカ溶液を
研磨剤としてウェハ表面を研磨して第２層間絶縁膜４上
のタングステン膜７を研磨除去し、ビアホール５内を埋
め込むタングステンプラグ７ａを形成する〔図３
（ｄ）〕。次に、スパッタ法によりアルミニウム合金膜
を堆積し、フォトリソグラフィ法およびドライエッチン
グ法を用いてパターニングを行い、ビアホールを介して
下層Ａｌ配線３に接続された上層Ａｌ配線８を形成する
〔図３（ｅ）〕。
ｐＨ９〜１２程度のアルカリ性コロイダルシリカ溶液を
研磨剤としてウェハ表面を研磨して第２層間絶縁膜４上
のタングステン膜７を研磨除去し、ビアホール５内を埋
め込むタングステンプラグ７ａを形成する〔図３
（ｄ）〕。次に、スパッタ法によりアルミニウム合金膜
を堆積し、フォトリソグラフィ法およびドライエッチン
グ法を用いてパターニングを行い、ビアホールを介して
下層Ａｌ配線３に接続された上層Ａｌ配線８を形成する
〔図３（ｅ）〕。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ＣＭＰ法にてウェハ表
面のタングステン膜を研磨除去する従来例では、研磨剤
としてｐＨの高いスラリーが用いられているため、エッ
チング性が高くビアホール内上部のタングステンがエッ
チングされてしまい、エッチバック法を用いた場合と同
様にプラグロスが発生してしまう。これを避けるために
ｐＨを７近くにまでさげたスラリーを用いた場合（例え
ばｐＨ７．２、シリカ平均一次粒径２０〜１１０ｎｍ）
には、タングステンがほとんど研磨されずスループット
が低下して実用的でなくなる。また、機械的研磨能力を
高める手法として、シリカの平均一次粒径を２００ｎｍ
以上に大きくしたりあるいはアルミナを主成分とした酸
性の研磨剤（例えばｐＨ３．２、アルミナ平均一次粒径
２３０ｎｍなど）を用いる方法などが提案されている
が、これらの研磨剤を用いてＣＭＰを行うとタングステ
ン膜除去後に露出するシリコン酸化膜表面にマイクロス
クラッチが多発する。よって、本発明の解決すべき課題
は、スループットを低下させることなく、プラグロスや
マイクロスクラッチの発生を防止することのできる、タ
ングステン膜化学機械研磨用のウェハ研磨剤を提供する
ことである。
面のタングステン膜を研磨除去する従来例では、研磨剤
としてｐＨの高いスラリーが用いられているため、エッ
チング性が高くビアホール内上部のタングステンがエッ
チングされてしまい、エッチバック法を用いた場合と同
様にプラグロスが発生してしまう。これを避けるために
ｐＨを７近くにまでさげたスラリーを用いた場合（例え
ばｐＨ７．２、シリカ平均一次粒径２０〜１１０ｎｍ）
には、タングステンがほとんど研磨されずスループット
が低下して実用的でなくなる。また、機械的研磨能力を
高める手法として、シリカの平均一次粒径を２００ｎｍ
以上に大きくしたりあるいはアルミナを主成分とした酸
性の研磨剤（例えばｐＨ３．２、アルミナ平均一次粒径
２３０ｎｍなど）を用いる方法などが提案されている
が、これらの研磨剤を用いてＣＭＰを行うとタングステ
ン膜除去後に露出するシリコン酸化膜表面にマイクロス
クラッチが多発する。よって、本発明の解決すべき課題
は、スループットを低下させることなく、プラグロスや
マイクロスクラッチの発生を防止することのできる、タ
ングステン膜化学機械研磨用のウェハ研磨剤を提供する
ことである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述した本発明の課題
は、シリカの平均粒径とＮＨ4 ＯＨの添加量を適切に設
定することによって、解決することができる。
は、シリカの平均粒径とＮＨ4 ＯＨの添加量を適切に設
定することによって、解決することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明によるタングステン膜化学
機械研磨用のウェハ研磨剤は、平均一次粒子径４０〜１
１０ｎｍのシリカ、０．０１〜０．０３ｍｏｌ／ｌのＮ
Ｈ4 ＯＨ、および有機系酸化剤を含有することを特徴と
するものである。そして、好ましくは、ｐＨが８．０〜
８．５、酸化還元電位（ＯＲＰ）が＋５５０〜６５０ｍ
Ｖ（液温２３℃）であることを特徴とする。
機械研磨用のウェハ研磨剤は、平均一次粒子径４０〜１
１０ｎｍのシリカ、０．０１〜０．０３ｍｏｌ／ｌのＮ
Ｈ4 ＯＨ、および有機系酸化剤を含有することを特徴と
するものである。そして、好ましくは、ｐＨが８．０〜
８．５、酸化還元電位（ＯＲＰ）が＋５５０〜６５０ｍ
Ｖ（液温２３℃）であることを特徴とする。
【０００９】［作用］平均一次粒子径８０ｎｍのシリカ
スラリー（２０ｗｔ％）１２５０ｍｌに有機系酸化剤
（例えばヘキサメチレンテトラミンなど）２０ｇと純水
５００ｍｌを加え、濃度３％のアンモニア水溶液の添加
量を変えて研磨剤を作製し、ＣＭＰを行った。スラリー
中のＮＨ4 ＯＨの量と研磨レートとの関係を同じ研磨剤
によるウェットエッチングレートとともに図１に示す。
ＮＨ4 ＯＨの量が０．０３ｍｏｌ／ｌを越えると、ウェ
ットエッチングレートが高くなり、大きなプラグロスが
形成される。また、ＮＨ4 ＯＨの量が０．０１ｍｏｌ／
ｌ以下では、研磨レートが低くなり過ぎ実用的ではなく
なる。次に、シリカの平均一次粒径による研磨レート依
存性を調べた。上記ウェハ研磨剤でのＣＭＰでは、２０
０Å／ｍｉｎの研磨レートが得られたが平均一次粒径３
０ｎｍのシリカを用いた場合（他の条件は先の粒径８０
ｎｍの場合と同じ）、研磨レートは１００Å／ｍｉｎに
まで低下した。しかし、４０ｎｍの粒径では１４０Åの
研磨レートを得ることができ、実用化可能な研磨レート
を確保できることが判明した。また、シリカの平均一次
粒径が１１０ｎｍを越えると、研磨終了後にシリコン酸
化膜の表面にマイクロスクラッチが認められた。
スラリー（２０ｗｔ％）１２５０ｍｌに有機系酸化剤
（例えばヘキサメチレンテトラミンなど）２０ｇと純水
５００ｍｌを加え、濃度３％のアンモニア水溶液の添加
量を変えて研磨剤を作製し、ＣＭＰを行った。スラリー
中のＮＨ4 ＯＨの量と研磨レートとの関係を同じ研磨剤
によるウェットエッチングレートとともに図１に示す。
ＮＨ4 ＯＨの量が０．０３ｍｏｌ／ｌを越えると、ウェ
ットエッチングレートが高くなり、大きなプラグロスが
形成される。また、ＮＨ4 ＯＨの量が０．０１ｍｏｌ／
ｌ以下では、研磨レートが低くなり過ぎ実用的ではなく
なる。次に、シリカの平均一次粒径による研磨レート依
存性を調べた。上記ウェハ研磨剤でのＣＭＰでは、２０
０Å／ｍｉｎの研磨レートが得られたが平均一次粒径３
０ｎｍのシリカを用いた場合（他の条件は先の粒径８０
ｎｍの場合と同じ）、研磨レートは１００Å／ｍｉｎに
まで低下した。しかし、４０ｎｍの粒径では１４０Åの
研磨レートを得ることができ、実用化可能な研磨レート
を確保できることが判明した。また、シリカの平均一次
粒径が１１０ｎｍを越えると、研磨終了後にシリコン酸
化膜の表面にマイクロスクラッチが認められた。
【００１０】ウェハ研磨剤には有機酸化剤を添加して一
定の酸化性能力を付与することが望ましい。図２に、研
磨剤の酸化還元電位（oxidation reduction potential
；ＯＲＰ）（液温２３℃）とタングステン研磨レート
との関係を示す。ＯＲＰを＋５５０〜６５０ｍＶ（液温
２３℃）に維持することにより高い研磨レートを得るこ
とができる。ウェハ研磨剤のｐＨは、ほぼＮＨ4 ＯＨの
濃度によって支配されるが有機酸化剤の添加量によって
も変化する。ＮＨ4 ＯＨおよび有機酸化剤の添加量を調
整してｐＨを８〜８．５の範囲内に留めることにより、
より好ましい研磨剤を得ることができる。
定の酸化性能力を付与することが望ましい。図２に、研
磨剤の酸化還元電位（oxidation reduction potential
；ＯＲＰ）（液温２３℃）とタングステン研磨レート
との関係を示す。ＯＲＰを＋５５０〜６５０ｍＶ（液温
２３℃）に維持することにより高い研磨レートを得るこ
とができる。ウェハ研磨剤のｐＨは、ほぼＮＨ4 ＯＨの
濃度によって支配されるが有機酸化剤の添加量によって
も変化する。ＮＨ4 ＯＨおよび有機酸化剤の添加量を調
整してｐＨを８〜８．５の範囲内に留めることにより、
より好ましい研磨剤を得ることができる。
【００１１】
［第１の実施例］平均一次粒子径８０ｎｍのシリカスラ
リー（２０ｗｔ％）１２５０ｍｌに有機系酸化剤（例え
ばヘキサメチレンテトラミンなど）２０ｇと純水５００
ｍｌを加え、濃度３％のアンモニア水溶液４０ｍｌを加
えてｐＨを８．２に調整し、下記条件にてシリコンウェ
ハ上のタングステン膜のＣＭＰを行った。 スラリー滴下量＝５０ｃｃ／ｍｉｎ 研磨パッド回転数＝３５ｒｐｍ ウェハ保持ヘッド回転数＝３５ｒｐｍ ウェハ加圧＝０．４４ｋｇ／ｃｍ2 タングステンの研磨レートは２００Å／ｍｉｎであり、
同条件でのシリコン酸化膜の研磨レートは約１８０Å／
ｍｉｎであった。この研磨の結果、ビアホール内のタン
グステンの溶解およびシリコン酸化膜上のマイクロスク
ラッチは生じなかった。
リー（２０ｗｔ％）１２５０ｍｌに有機系酸化剤（例え
ばヘキサメチレンテトラミンなど）２０ｇと純水５００
ｍｌを加え、濃度３％のアンモニア水溶液４０ｍｌを加
えてｐＨを８．２に調整し、下記条件にてシリコンウェ
ハ上のタングステン膜のＣＭＰを行った。 スラリー滴下量＝５０ｃｃ／ｍｉｎ 研磨パッド回転数＝３５ｒｐｍ ウェハ保持ヘッド回転数＝３５ｒｐｍ ウェハ加圧＝０．４４ｋｇ／ｃｍ2 タングステンの研磨レートは２００Å／ｍｉｎであり、
同条件でのシリコン酸化膜の研磨レートは約１８０Å／
ｍｉｎであった。この研磨の結果、ビアホール内のタン
グステンの溶解およびシリコン酸化膜上のマイクロスク
ラッチは生じなかった。
【００１２】［第２の実施例］一般に市販されているア
ルカリ性のスラリー（例えばフジミ製ＰＬＡＮＥＲＬＩ
ＴＥ５１０１、平均一次粒子径３０ｎｍ、ｐＨ９．６
４、酸化還元電位＋５５５ｍＶ）を用いて、下記条件に
てウェハ上タングステン膜のＣＭＰを行った。 スラリー滴下量＝５０ｃｃ／ｍｉｎ 研磨パッド回転数＝３５ｒｐｍ ウェハ保持ヘッド回転数＝３５ｒｐｍ ウェハ加圧＝０．４４ｋｇ／ｃｍ2 タングステンの研磨レートは約１１００Å／ｍｉｎであ
った。
ルカリ性のスラリー（例えばフジミ製ＰＬＡＮＥＲＬＩ
ＴＥ５１０１、平均一次粒子径３０ｎｍ、ｐＨ９．６
４、酸化還元電位＋５５５ｍＶ）を用いて、下記条件に
てウェハ上タングステン膜のＣＭＰを行った。 スラリー滴下量＝５０ｃｃ／ｍｉｎ 研磨パッド回転数＝３５ｒｐｍ ウェハ保持ヘッド回転数＝３５ｒｐｍ ウェハ加圧＝０．４４ｋｇ／ｃｍ2 タングステンの研磨レートは約１１００Å／ｍｉｎであ
った。
【００１３】ただし、上記条件のスラリーではビアホー
ル内のタングステンまで溶解してしまうため、まだウェ
ハ全面にタングステンが残っている状態で一旦ＣＭＰを
止め、その後に平均一次粒子径１００ｎｍのシリカスラ
リー（２０ｗｔ％）１２５０ｍｌに有機系酸化剤（例え
ばヘキサメチレンテーラミンなど）２０ｇと純水５００
ｍｌを加え、濃度３％のアンモニア水溶液４０ｍｌを加
えｐＨ＝８．３、酸化還元電位＝５９５ｍＶに調整した
スラリーを用いて最終的にビアホール内にのみタングス
テンを残した。この方法では２種類のスラリーを用いる
という手間はあるが、スループットが向上する。この研
磨の結果、ビアホール内のタングステンの溶解およびシ
リコン酸化膜上のマイクロスクラッチは生じなかった。
ル内のタングステンまで溶解してしまうため、まだウェ
ハ全面にタングステンが残っている状態で一旦ＣＭＰを
止め、その後に平均一次粒子径１００ｎｍのシリカスラ
リー（２０ｗｔ％）１２５０ｍｌに有機系酸化剤（例え
ばヘキサメチレンテーラミンなど）２０ｇと純水５００
ｍｌを加え、濃度３％のアンモニア水溶液４０ｍｌを加
えｐＨ＝８．３、酸化還元電位＝５９５ｍＶに調整した
スラリーを用いて最終的にビアホール内にのみタングス
テンを残した。この方法では２種類のスラリーを用いる
という手間はあるが、スループットが向上する。この研
磨の結果、ビアホール内のタングステンの溶解およびシ
リコン酸化膜上のマイクロスクラッチは生じなかった。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるスラ
リーでタングステンのＣＭＰを行うことにより、研磨レ
ートを実用化可能な範囲に維持しつつビアホール内のタ
ングステンを溶解させないようにすることができプラグ
ロスのないタングステンプラグを形成することができ
る。また、シリコン酸化膜上のマイクロクラッチの発生
を防止することができ、製品歩留りを向上させることが
できる。また、タングステン膜を途中まで通常用いられ
ているスラリーにより研磨を行い、その後に本発明によ
るスラリーを用いる実施例によれば、高いスループット
でプラグロス、マイクロスクラッチのない半導体装置を
得ることができる。
リーでタングステンのＣＭＰを行うことにより、研磨レ
ートを実用化可能な範囲に維持しつつビアホール内のタ
ングステンを溶解させないようにすることができプラグ
ロスのないタングステンプラグを形成することができ
る。また、シリコン酸化膜上のマイクロクラッチの発生
を防止することができ、製品歩留りを向上させることが
できる。また、タングステン膜を途中まで通常用いられ
ているスラリーにより研磨を行い、その後に本発明によ
るスラリーを用いる実施例によれば、高いスループット
でプラグロス、マイクロスクラッチのない半導体装置を
得ることができる。
【図１】本発明の作用を説明するための、スラリーに加
えたＮＨ4 ＯＨと研磨レートとの関係を示すグラフ。
えたＮＨ4 ＯＨと研磨レートとの関係を示すグラフ。
【図２】本発明の作用を説明するための、スラリーの酸
化還元電位と研磨レートとの関係を示すグラフ。
化還元電位と研磨レートとの関係を示すグラフ。
【図３】タングステンプラグの製造工程を説明するため
の工程順断面図。
の工程順断面図。
１ 半導体基板 ２ 第１層間絶縁膜 ３ 下層Ａｌ配線 ４ 第２層間絶縁膜 ５ ビアホール ６ バリアメタル層 ７ タングステン膜 ７ａ タングステンプラグ ８ 上層Ａｌ配線
Claims (5)
- 【請求項１】 平均一次粒子径４０〜１１０ｎｍのシリ
カ、０．０１〜０．０３ｍｏｌ／ｌのＮＨ4 ＯＨ、およ
び有機系酸化剤を含有することを特徴とする化学機械研
磨用のウェハ研磨剤。 - 【請求項２】 ｐＨが８．０〜８．５であることを特徴
とする請求項１記載のウェハ研磨剤。 - 【請求項３】 酸化還元電位（ＯＲＰ）が＋５５０〜６
５０ｍＶ（液温２３℃）であることを特徴とする請求項
１記載のウェハ研磨剤。 - 【請求項４】 （１）下層導電体層上に層間絶縁膜を堆
積する工程と、 （２）前記層間絶縁膜を選択的にエッチング除去して前
記下層導電体層の表面を露出させる接続孔を開孔する工
程と、 （３）全面にタングステンを堆積して前記接続孔内を埋
め込むタングステン膜を形成する工程と、 （４）平均一次粒子径４０〜１１０ｎｍのシリカ、０．
０１〜０．０３ｍｏｌ／ｌのＮＨ4 ＯＨおよび有機系酸
化剤を含有するウェハ研磨剤を用いた化学機械研磨によ
り前記層間絶縁膜上の前記タングステン膜を研磨除去
し、前記接続孔内にのみタングステンを残す工程と、 （５）金属膜を堆積しこれをパターニングして前記下層
導電体層に接続される上層配線層を形成する工程と、を
含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記第（３）の工程の後、前記第（４）
の工程に先立って、ｐＨが９以上のアルカリ性コロイダ
ルシリカ溶液を研磨剤として、前記層間絶縁膜の表面を
露出させない範囲で、前記タングステン膜を化学機械研
磨することを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP993297A JP2953566B2 (ja) | 1997-01-23 | 1997-01-23 | ウェハ研磨剤およびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP993297A JP2953566B2 (ja) | 1997-01-23 | 1997-01-23 | ウェハ研磨剤およびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209092A true JPH10209092A (ja) | 1998-08-07 |
| JP2953566B2 JP2953566B2 (ja) | 1999-09-27 |
Family
ID=11733834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP993297A Expired - Fee Related JP2953566B2 (ja) | 1997-01-23 | 1997-01-23 | ウェハ研磨剤およびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2953566B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008187163A (ja) * | 2007-01-04 | 2008-08-14 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び該半導体装置の製造方法に用いられる研磨装置 |
| JP2022108907A (ja) * | 2021-01-14 | 2022-07-27 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法、研磨方法、基板の製造方法 |
-
1997
- 1997-01-23 JP JP993297A patent/JP2953566B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008187163A (ja) * | 2007-01-04 | 2008-08-14 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び該半導体装置の製造方法に用いられる研磨装置 |
| JP2022108907A (ja) * | 2021-01-14 | 2022-07-27 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法、研磨方法、基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2953566B2 (ja) | 1999-09-27 |
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