JPH10209447A - 半導体スイッチ - Google Patents
半導体スイッチInfo
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- JPH10209447A JPH10209447A JP9009700A JP970097A JPH10209447A JP H10209447 A JPH10209447 A JP H10209447A JP 9009700 A JP9009700 A JP 9009700A JP 970097 A JP970097 A JP 970097A JP H10209447 A JPH10209447 A JP H10209447A
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- Japan
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- iegt
- semiconductor switch
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- output terminal
- gate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 逆耐圧を強化したＩＥＧＴを利用し、直流、
交流両方の電流制御ができ、低コスト化、低オン電圧化
が可能な半導体スイッチを提供する。 【解決手段】 アイソレーション拡散法で形成したＩＥ
ＧＴ１，３が逆並列接続され、ＩＥＧＴ１のアノードと
ＩＥＧＴ３のカソードが入出力端子５に、ＩＥＧＴ１の
カソードとＩＥＧＴ３のアノードが入出力端子７に共通
接続される。ＩＥＧＴ１のゲートと入出力端子７の間、
及びＩＥＧＴ３のゲートと入出力端子５の間にはそれぞ
れのゲートをバイアスするフォトダイオードアレイ９
ａ，１１ａが接続され、抵抗９ｂ，１１ｂが並列接続さ
れる。フォトダイオードアレイ９ａ，１１ａと光結合す
るＬＥＤ（発光ダイオード）２３の入出力はコントロー
ル信号端２５，２７と接続される。
交流両方の電流制御ができ、低コスト化、低オン電圧化
が可能な半導体スイッチを提供する。 【解決手段】 アイソレーション拡散法で形成したＩＥ
ＧＴ１，３が逆並列接続され、ＩＥＧＴ１のアノードと
ＩＥＧＴ３のカソードが入出力端子５に、ＩＥＧＴ１の
カソードとＩＥＧＴ３のアノードが入出力端子７に共通
接続される。ＩＥＧＴ１のゲートと入出力端子７の間、
及びＩＥＧＴ３のゲートと入出力端子５の間にはそれぞ
れのゲートをバイアスするフォトダイオードアレイ９
ａ，１１ａが接続され、抵抗９ｂ，１１ｂが並列接続さ
れる。フォトダイオードアレイ９ａ，１１ａと光結合す
るＬＥＤ（発光ダイオード）２３の入出力はコントロー
ル信号端２５，２７と接続される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路内におい
て直流、交流両方の電流制御を行う半導体スイッチに関
し、特にＩＥＧＴ（Injection Enhanced Gate Transist
or）を利用した半導体スイッチに関する。
て直流、交流両方の電流制御を行う半導体スイッチに関
し、特にＩＥＧＴ（Injection Enhanced Gate Transist
or）を利用した半導体スイッチに関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、プログラマブルコントローラなど
の集積回路内では、直流電流と交流電流が両方流れる。
これらの電流の流れを制御するために、以前はメカニカ
ルリレーが利用されていたが、最近ではこれをトランジ
スタで構成した半導体スイッチに置換するようになっ
た。
の集積回路内では、直流電流と交流電流が両方流れる。
これらの電流の流れを制御するために、以前はメカニカ
ルリレーが利用されていたが、最近ではこれをトランジ
スタで構成した半導体スイッチに置換するようになっ
た。
【０００３】図５は、従来の半導体スイッチの一例であ
り、ＭＯＳ ＦＥＴで構成した例である。この半導体ス
イッチは、２つのＭＯＳ ＦＥＴ５１，５３が逆直列接
続されており、エミッタ同志とコレクタ同志が共に共通
接続されている。エミッタとコレクタとの間には、フロ
ーティング電源（例えば、太陽電池やフォトダイオー
ド）５５が直列接続され、それぞれのソースには入出力
端子５７，５９が接続されている。
り、ＭＯＳ ＦＥＴで構成した例である。この半導体ス
イッチは、２つのＭＯＳ ＦＥＴ５１，５３が逆直列接
続されており、エミッタ同志とコレクタ同志が共に共通
接続されている。エミッタとコレクタとの間には、フロ
ーティング電源（例えば、太陽電池やフォトダイオー
ド）５５が直列接続され、それぞれのソースには入出力
端子５７，５９が接続されている。
【０００４】しかしながら、ＭＯＳ ＦＥＴは単位面積
当りのオン電圧が高く、しかもＭＯＳ ＦＥＴ５１，５
３を逆直列接続しているため、オン電圧はさらに２倍と
なる。オン電圧が高いと消費電力が大きくなり、高温に
なるので、これを防ぐためにチップを大きくして電流密
度を下げなければならない。この結果、コストが高くな
るという欠点があった。
当りのオン電圧が高く、しかもＭＯＳ ＦＥＴ５１，５
３を逆直列接続しているため、オン電圧はさらに２倍と
なる。オン電圧が高いと消費電力が大きくなり、高温に
なるので、これを防ぐためにチップを大きくして電流密
度を下げなければならない。この結果、コストが高くな
るという欠点があった。
【０００５】そこで、オン電圧が低いＩＧＢＴ（ゲート
絶縁型バイポーラトランジスタ）で構成した半導体スイ
ッチが考えられた。図６にその一例を示す。この半導体
スイッチは、２つのＩＧＢＴ６１，６３が逆並列接続さ
れており、ＩＧＢＴ６１のアノードとＩＧＢＴ６３のカ
ソードとが入出力端子６５に共通接続され、ＩＧＢＴ６
１のカソードとＩＧＢＴ６３のアノードとが入出力端子
６７に共通接続されている。
絶縁型バイポーラトランジスタ）で構成した半導体スイ
ッチが考えられた。図６にその一例を示す。この半導体
スイッチは、２つのＩＧＢＴ６１，６３が逆並列接続さ
れており、ＩＧＢＴ６１のアノードとＩＧＢＴ６３のカ
ソードとが入出力端子６５に共通接続され、ＩＧＢＴ６
１のカソードとＩＧＢＴ６３のアノードとが入出力端子
６７に共通接続されている。
【０００６】ＩＧＢＴ６１のゲートと入出力端子６７と
の間、及びＩＧＢＴ６３のゲートと入出力端子６５との
間には、それぞれフローティング電源（例えば、太陽電
池やフォトダイオード）６９，７１が直列接続されてい
る。
の間、及びＩＧＢＴ６３のゲートと入出力端子６５との
間には、それぞれフローティング電源（例えば、太陽電
池やフォトダイオード）６９，７１が直列接続されてい
る。
【０００７】この半導体スイッチであれば、ＩＧＢＴの
単位面積当りのオン電圧はＭＯＳＦＥＴのそれに比べて
１／３であり、しかも２つのＩＧＢＴ６１，６３を逆並
列接続しているため、図５で示した半導体スイッチに比
べ、同一チップ面積、同一コストであれば、約１／６の
オン電圧にすることができる。しかしながら、近年の集
積回路技術に伴い、さらなる低コスト化、低オン電圧化
が要求されている。
単位面積当りのオン電圧はＭＯＳＦＥＴのそれに比べて
１／３であり、しかも２つのＩＧＢＴ６１，６３を逆並
列接続しているため、図５で示した半導体スイッチに比
べ、同一チップ面積、同一コストであれば、約１／６の
オン電圧にすることができる。しかしながら、近年の集
積回路技術に伴い、さらなる低コスト化、低オン電圧化
が要求されている。
【０００８】そこで考えられるのが、ＩＥＧＴ（Inject
ion Enhanced Gate Transistor）である。図７は、ＩＥ
ＧＴの断面構造図である。このＩＥＧＴは、一定間隔を
おいてｎ+ ソースにコンタクトするカソード電極１３
と、カソード電極側の表面に微細な間隔で形成されたト
レンチゲート電極１５と、チップ裏面のｐ+ アノード電
極１７とから構成されたゲート制御型のバイポーラトラ
ンジスタである。
ion Enhanced Gate Transistor）である。図７は、ＩＥ
ＧＴの断面構造図である。このＩＥＧＴは、一定間隔を
おいてｎ+ ソースにコンタクトするカソード電極１３
と、カソード電極側の表面に微細な間隔で形成されたト
レンチゲート電極１５と、チップ裏面のｐ+ アノード電
極１７とから構成されたゲート制御型のバイポーラトラ
ンジスタである。
【０００９】図７で示すように、アノード電極１７に正
の電圧、カソード電極１３に負の電圧を印加すると、ア
ノードｐエミッタ１９から注入された正孔は、トレンチ
ゲート電極１５によってカソード電極１３へ流出するこ
とが妨げられる。一方、ゲート電極１５をカソード電極
１３に対してプラスバイアスすると、カソード電極１３
からの電子はＭＯＳチャネルから制限なく注入されるた
め、電子の注入が正孔の流出を大きく上回る高注入状態
になり、高抵抗ｎベース層のオン抵抗を低く抑えること
ができる。
の電圧、カソード電極１３に負の電圧を印加すると、ア
ノードｐエミッタ１９から注入された正孔は、トレンチ
ゲート電極１５によってカソード電極１３へ流出するこ
とが妨げられる。一方、ゲート電極１５をカソード電極
１３に対してプラスバイアスすると、カソード電極１３
からの電子はＭＯＳチャネルから制限なく注入されるた
め、電子の注入が正孔の流出を大きく上回る高注入状態
になり、高抵抗ｎベース層のオン抵抗を低く抑えること
ができる。
【００１０】図８は、このＩＥＧＴ（実線）とＩＧＢＴ
（破線）との電流電圧特性の違いを示すグラフである。
同一電流密度に対してＩＥＧＴのオン電圧は、ＩＧＢＴ
のそれに比べて約１／３であることが分かる。このよう
な特徴を持つＩＥＧＴを利用した、より低オン電圧で低
コストな半導体スイッチの実現が期待されている。
（破線）との電流電圧特性の違いを示すグラフである。
同一電流密度に対してＩＥＧＴのオン電圧は、ＩＧＢＴ
のそれに比べて約１／３であることが分かる。このよう
な特徴を持つＩＥＧＴを利用した、より低オン電圧で低
コストな半導体スイッチの実現が期待されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、ＩＧＢ
Ｔに比べてオン電圧が低いＩＥＧＴを利用した半導体ス
イッチが期待されているが、図８で示したＩＥＧＴはア
ノード電極１７に負の電圧、カソード電極１３に正の電
圧が印加された際の逆耐圧に弱いため、直流電流を制御
することは出来ても、交流電流を制御することはできな
かった。
Ｔに比べてオン電圧が低いＩＥＧＴを利用した半導体ス
イッチが期待されているが、図８で示したＩＥＧＴはア
ノード電極１７に負の電圧、カソード電極１３に正の電
圧が印加された際の逆耐圧に弱いため、直流電流を制御
することは出来ても、交流電流を制御することはできな
かった。
【００１２】本発明は以上のような問題に鑑みて成され
たものであり、その目的は、逆耐圧を強化したＩＥＧＴ
を利用することにより、直流、交流両方の電流制御が可
能で、従来以上に低コスト化、低オン電圧化が可能な半
導体スイッチを提供することである。
たものであり、その目的は、逆耐圧を強化したＩＥＧＴ
を利用することにより、直流、交流両方の電流制御が可
能で、従来以上に低コスト化、低オン電圧化が可能な半
導体スイッチを提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ため、本発明の第１の発明の特徴は、ＩＥＧＴを用い
た、直流及び交流の電流制御を行う半導体スイッチであ
って、逆並列接続された第１及び第２のＩＥＧＴと、前
記第１のＩＥＧＴのアノード電極と前記第２のＩＥＧＴ
のカソード電極とが共通接続された第１の入出力端子
と、前記第１のＩＥＧＴのカソード電極と前記第２のＩ
ＥＧＴのアノード電極とが共通接続された第２の入出力
端子と、前記第１のＩＥＧＴのゲート電極をバイアスす
る第１のフローティング電源と、前記第２のＩＥＧＴの
ゲート電極をバイアスする第２のフローティング電源と
を備えたことにある。
ため、本発明の第１の発明の特徴は、ＩＥＧＴを用い
た、直流及び交流の電流制御を行う半導体スイッチであ
って、逆並列接続された第１及び第２のＩＥＧＴと、前
記第１のＩＥＧＴのアノード電極と前記第２のＩＥＧＴ
のカソード電極とが共通接続された第１の入出力端子
と、前記第１のＩＥＧＴのカソード電極と前記第２のＩ
ＥＧＴのアノード電極とが共通接続された第２の入出力
端子と、前記第１のＩＥＧＴのゲート電極をバイアスす
る第１のフローティング電源と、前記第２のＩＥＧＴの
ゲート電極をバイアスする第２のフローティング電源と
を備えたことにある。
【００１４】この第１の発明によれば、電流密度が小さ
く、オン電圧が低いＩＥＧＴを逆並列接続しているの
で、小面積及び低コストで直流、交流両方の電流制御を
行うことができる。また、フローティング電源でゲート
電極をバイアスしているので、２つのＩＥＧＴのゲート
電極をそれぞれ異なる電圧でバイアスすることができ
る。
く、オン電圧が低いＩＥＧＴを逆並列接続しているの
で、小面積及び低コストで直流、交流両方の電流制御を
行うことができる。また、フローティング電源でゲート
電極をバイアスしているので、２つのＩＥＧＴのゲート
電極をそれぞれ異なる電圧でバイアスすることができ
る。
【００１５】第２の発明の特徴は、第１の発明におい
て、前記第１及び第２のフローティング電源は共にフォ
トダイオードアレイであり、該第１及び第２のフォトダ
イオードアレイと同時に光結合する発行素子を備えたこ
とにある。
て、前記第１及び第２のフローティング電源は共にフォ
トダイオードアレイであり、該第１及び第２のフォトダ
イオードアレイと同時に光結合する発行素子を備えたこ
とにある。
【００１６】この第２の発明によれば、電気的に絶縁さ
れている発行素子との光結合によってフォトダイオード
アレイに光起電力が生じ、第１及び第２の入出力端子間
がオン状態になるので、２つの入出力端子間をそれぞれ
異なった電位で使用することができる。
れている発行素子との光結合によってフォトダイオード
アレイに光起電力が生じ、第１及び第２の入出力端子間
がオン状態になるので、２つの入出力端子間をそれぞれ
異なった電位で使用することができる。
【００１７】第３の発明の特徴は、第１の発明におい
て、第１及び第２のＩＥＧＴは、共にアイソレーション
拡散法を用いて形成された構造であることにある。
て、第１及び第２のＩＥＧＴは、共にアイソレーション
拡散法を用いて形成された構造であることにある。
【００１８】第４の発明の特徴は、第１の発明におい
て、第１及び第２のＩＥＧＴは、共にグラスパシベーシ
ョン法を用いて形成された構造であることにある。
て、第１及び第２のＩＥＧＴは、共にグラスパシベーシ
ョン法を用いて形成された構造であることにある。
【００１９】これら第３及び第４の発明によれば、アノ
ード電極に負の電圧、カソード電極に正の電圧が印加さ
れた際の逆耐圧特性を向上させることができる。
ード電極に負の電圧、カソード電極に正の電圧が印加さ
れた際の逆耐圧特性を向上させることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【００２１】図１は本発明の一実施形態に係わる半導体
スイッチの構成図である。同図に示す半導体スイッチ
は、２つのＩＥＧＴ１，３が逆並列接続されており、Ｉ
ＥＧＴ１のアノードとＩＥＧＴ３のカソードとが入出力
端子５に共通接続され、ＩＥＧＴ１のカソードとＩＥＧ
Ｔ３のアノードとが入出力端子７に共通接続されてい
る。ＩＥＧＴ１のゲートと入出力端子７との間、及びＩ
ＥＧＴ３のゲートと入出力端子５との間には、それぞれ
のゲートをバイアスするフローティング電源（例えば、
フォトダイオードアレイや絶縁トランス）９，１１が直
列接続されている。
スイッチの構成図である。同図に示す半導体スイッチ
は、２つのＩＥＧＴ１，３が逆並列接続されており、Ｉ
ＥＧＴ１のアノードとＩＥＧＴ３のカソードとが入出力
端子５に共通接続され、ＩＥＧＴ１のカソードとＩＥＧ
Ｔ３のアノードとが入出力端子７に共通接続されてい
る。ＩＥＧＴ１のゲートと入出力端子７との間、及びＩ
ＥＧＴ３のゲートと入出力端子５との間には、それぞれ
のゲートをバイアスするフローティング電源（例えば、
フォトダイオードアレイや絶縁トランス）９，１１が直
列接続されている。
【００２２】ここで、ＩＥＧＴ１，３の具体的な断面構
造図を図２に示す。このＩＥＧＴは、アイソレーション
拡散法を用いて形成された構造であり、カソード電極１
３、ゲート電極１５、アノード電極１７、及びアノード
ｐエミッタ１９については図７で示したものと同様であ
るが、カソード電極側の表面とアノードｐエミッタ１９
との間にアイソレーション２１が形成されている。この
アイソレーション２１により、アノード電極１７に負の
電圧、カソード電極１３に正の電圧が印加された際の逆
耐圧特性を高くすることができる。
造図を図２に示す。このＩＥＧＴは、アイソレーション
拡散法を用いて形成された構造であり、カソード電極１
３、ゲート電極１５、アノード電極１７、及びアノード
ｐエミッタ１９については図７で示したものと同様であ
るが、カソード電極側の表面とアノードｐエミッタ１９
との間にアイソレーション２１が形成されている。この
アイソレーション２１により、アノード電極１７に負の
電圧、カソード電極１３に正の電圧が印加された際の逆
耐圧特性を高くすることができる。
【００２３】このように、アイソレーション拡散法を用
いて形成されたＩＥＧＴ１，３を、図１のように構成す
ることにより、直流、交流両方の電流制御を行うことが
できる。フローティング電源９，１１でそれぞれのゲー
ト電極１３を異なる電圧でバイアスできるので、入出力
端子５から入出力端子７へ電流が流れる際には、フロー
ティング電源９でオンされたＩＥＧＴ１が電流を流し、
逆方向へ電流が流れる際には、フローティング電源１１
でオンされたＩＥＧＴ３が電流を流すように電流制御さ
れる。
いて形成されたＩＥＧＴ１，３を、図１のように構成す
ることにより、直流、交流両方の電流制御を行うことが
できる。フローティング電源９，１１でそれぞれのゲー
ト電極１３を異なる電圧でバイアスできるので、入出力
端子５から入出力端子７へ電流が流れる際には、フロー
ティング電源９でオンされたＩＥＧＴ１が電流を流し、
逆方向へ電流が流れる際には、フローティング電源１１
でオンされたＩＥＧＴ３が電流を流すように電流制御さ
れる。
【００２４】図３は、フローティング電源９，１１にフ
ォトダイオードアレイを用いた場合の構成図である。Ｉ
ＥＧＴ１のゲートと入出力端子７との間、及びＩＥＧＴ
３のゲートと入出力端子５との間にフォトダイオードア
レイ９ａ，１１ａが接続されると共に、抵抗９ｂ，１１
ｂが並列接続されている。さらに、この半導体スイッチ
近傍には、これと電気的に絶縁されているＬＥＤ（発光
ダイオード）２３が備えられており、その入出力はコン
トロール信号端２５，２７と接続されている。
ォトダイオードアレイを用いた場合の構成図である。Ｉ
ＥＧＴ１のゲートと入出力端子７との間、及びＩＥＧＴ
３のゲートと入出力端子５との間にフォトダイオードア
レイ９ａ，１１ａが接続されると共に、抵抗９ｂ，１１
ｂが並列接続されている。さらに、この半導体スイッチ
近傍には、これと電気的に絶縁されているＬＥＤ（発光
ダイオード）２３が備えられており、その入出力はコン
トロール信号端２５，２７と接続されている。
【００２５】この半導体スイッチによれば、マイコンな
どからのコントロール信号がコントロール信号端２５，
２７の間に流されると、ＬＥＤ２３が発光し、ＬＥＤ２
３と光結合するフォトダイオードアレイ９ａ，１１ａが
同時に光起電力を生じる。この電圧によってＩＥＧＴ
１，３のそれぞれのゲートがバイアスされ、入出力端子
５，７間がオン状態となって電流制御が行われる。この
ため、２つの入出力端子５，７間をそれぞれ異なった電
位で使用することができる。
どからのコントロール信号がコントロール信号端２５，
２７の間に流されると、ＬＥＤ２３が発光し、ＬＥＤ２
３と光結合するフォトダイオードアレイ９ａ，１１ａが
同時に光起電力を生じる。この電圧によってＩＥＧＴ
１，３のそれぞれのゲートがバイアスされ、入出力端子
５，７間がオン状態となって電流制御が行われる。この
ため、２つの入出力端子５，７間をそれぞれ異なった電
位で使用することができる。
【００２６】以上のように、本発明の半導体スイッチで
あれば、オン電圧が非常に低いＩＥＧＴをアイソレーシ
ョン拡散法を用いて形成し、逆並列接続したので、直
流、交流両方の電流制御を行うことができ、さらに従来
に比べてよりいっそうの低コスト化、低オン電圧化が可
能となった。また、フローティング電源にフォトダイオ
ードアレイを用いたので、入出力端子間をそれぞれ異な
った電位で使用することができる。
あれば、オン電圧が非常に低いＩＥＧＴをアイソレーシ
ョン拡散法を用いて形成し、逆並列接続したので、直
流、交流両方の電流制御を行うことができ、さらに従来
に比べてよりいっそうの低コスト化、低オン電圧化が可
能となった。また、フローティング電源にフォトダイオ
ードアレイを用いたので、入出力端子間をそれぞれ異な
った電位で使用することができる。
【００２７】なお、ＩＥＧＴの構造はアイソレーション
拡散法による構造に限らず、図４に示すような、グラス
パシベーション法による構造でも良いものである。この
ＩＥＧＴであれば、カソード電極側の表面近傍とアノー
ド電極１７の近傍に形成されたガラス層２９により、逆
耐圧が強化される。
拡散法による構造に限らず、図４に示すような、グラス
パシベーション法による構造でも良いものである。この
ＩＥＧＴであれば、カソード電極側の表面近傍とアノー
ド電極１７の近傍に形成されたガラス層２９により、逆
耐圧が強化される。
【００２８】
【発明の効果】以上、本発明の半導体スイッチによれ
ば、逆耐圧を強化した２つのＩＥＧＴを逆並列接続して
構成しているので、直流、交流両方の電流制御が可能
で、従来以上に低コスト化、低オン電圧化が可能であ
る。フローティング電源でゲート電極をバイアスしてい
るので、２つのＩＥＧＴのゲート電極をそれぞれ異なる
電圧でバイアスすることができる。
ば、逆耐圧を強化した２つのＩＥＧＴを逆並列接続して
構成しているので、直流、交流両方の電流制御が可能
で、従来以上に低コスト化、低オン電圧化が可能であ
る。フローティング電源でゲート電極をバイアスしてい
るので、２つのＩＥＧＴのゲート電極をそれぞれ異なる
電圧でバイアスすることができる。
【図１】本発明の一実施形態に係わる半導体スイッチの
構成図。
構成図。
【図２】本発明の一実施形態に係わる半導体スイッチを
構成するＩＥＧＴの断面構造図。
構成するＩＥＧＴの断面構造図。
【図３】本発明の一実施形態に係わる半導体スイッチの
構成にフォトダイオードアレイを用いた場合の構成図。
構成にフォトダイオードアレイを用いた場合の構成図。
【図４】図２と異なるＩＥＧＴの断面構造図。
【図５】ＭＯＳ ＦＥＴを用いた従来の半導体スイッチ
の一例を示す構成図。
の一例を示す構成図。
【図６】ＩＧＢＴを用いた従来の半導体スイッチの一例
を示す構成図。
を示す構成図。
【図７】従来から知られているＩＥＧＴの断面構造図。
【図８】ＩＥＧＴとＩＧＢＴとの電流電圧特性の違いを
示すグラフ。
示すグラフ。
１，３ ＩＥＧＴ ５，７ 入出力端子 ９，１１ フローティング電源 ９ａ，１１ａ フォトダイオードアレイ ９ｂ，１１ｂ 抵抗 １３ カソード電極 １５ ゲート電極 １７ アノード電極 １９ アノードｐエミッタ ２１ アイソレーション ２３ ＬＥＤ（発光ダイオード） ２５，２７ コントロール信号端 ２９ ガラス層
Claims (4)
- 【請求項１】 ＩＥＧＴを用いた、直流及び交流の電流
制御を行う半導体スイッチであって、 逆並列接続された第１及び第２のＩＥＧＴと、前記第１
のＩＥＧＴのアノード電極と前記第２のＩＥＧＴのカソ
ード電極とが共通接続された第１の入出力端子と、前記
第１のＩＥＧＴのカソード電極と前記第２のＩＥＧＴの
アノード電極とが共通接続された第２の入出力端子と、
前記第１のＩＥＧＴのゲート電極をバイアスする第１の
フローティング電源と、前記第２のＩＥＧＴのゲート電
極をバイアスする第２のフローティング電源とを備えた
ことを特徴とする半導体スイッチ。 - 【請求項２】 前記第１及び第２のフローティング電源
は共にフォトダイオードアレイであり、該第１及び第２
のフォトダイオードアレイと同時に光結合する発行素子
を備えたことを特徴とする請求項１記載の半導体スイッ
チ。 - 【請求項３】 第１及び第２のＩＥＧＴは、共にアイソ
レーション拡散法を用いて形成された構造であることを
特徴とする請求項１記載の半導体スイッチ。 - 【請求項４】 第１及び第２のＩＥＧＴは、共にグラス
パシベーション法を用いて形成された構造であることを
特徴とする請求項１記載の半導体スイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9009700A JPH10209447A (ja) | 1997-01-22 | 1997-01-22 | 半導体スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9009700A JPH10209447A (ja) | 1997-01-22 | 1997-01-22 | 半導体スイッチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209447A true JPH10209447A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=11727517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9009700A Pending JPH10209447A (ja) | 1997-01-22 | 1997-01-22 | 半導体スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10209447A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006222455A (ja) * | 1999-02-17 | 2006-08-24 | Hitachi Ltd | 半導体装置及び電力変換装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05243561A (ja) * | 1991-08-08 | 1993-09-21 | Toshiba Corp | 電力用半導体素子 |
| JPH065866A (ja) * | 1990-03-08 | 1994-01-14 | Consorzio Pel La Ric Sulla Microelectronica Nel Mezzogiorno | 半導体デバイス及びその製造方法 |
| JPH07307469A (ja) * | 1994-03-14 | 1995-11-21 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPH08316479A (ja) * | 1995-03-14 | 1996-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 |
-
1997
- 1997-01-22 JP JP9009700A patent/JPH10209447A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH065866A (ja) * | 1990-03-08 | 1994-01-14 | Consorzio Pel La Ric Sulla Microelectronica Nel Mezzogiorno | 半導体デバイス及びその製造方法 |
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| JPH07307469A (ja) * | 1994-03-14 | 1995-11-21 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006222455A (ja) * | 1999-02-17 | 2006-08-24 | Hitachi Ltd | 半導体装置及び電力変換装置 |
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