JPH11214838A

JPH11214838A - 回路板の製造方法

Info

Publication number: JPH11214838A
Application number: JP1454998A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Okamoto; 剛岡本; Eiji Kagawa; 英司香川
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 1998-01-27
Filing date: 1998-01-27
Publication date: 1999-08-06

Abstract

(57)【要約】【課題】絶縁性基材の表面を粗面化する必要なく絶縁
性基材とめっき下地膜との密着性を高めることができる
回路板の製造方法を提供する。【解決手段】分子中にアミド基を有する高分子化合物
を含有する樹脂成形物で絶縁性基材１を作製する。この
絶縁性基材１の表面にめっき下地膜２を形成する。絶縁
性基材１の回路部３と非回路部４の少なくとも境界領域
に、非回路部４のパターンに対応してレーザのような電
磁波を照射することによって、非照射部を残して電磁波
を照射したこの照射部のめっき下地膜２を除去した後、
めっき下地膜２にめっきを施す。分子中にアミド基を有
する高分子化合物を含有する絶縁性基材１はそのアミド
基によってめっき下地膜２との密着力を高く得ることが
でき、表面を粗面化処理していない絶縁性基材１を用い
てめっき下地膜２の形成が可能になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、平面又は三次元立
体の絶縁性基材の表面に回路を形成することによって得
られる回路板の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】絶縁性基材の表面に回路を形成すること
によって回路板を製造するにあたって、絶縁性基材の表
面にめっき下地膜を形成し、回路部と非回路部の少なく
とも境界領域にレーザのような電磁波を照射することに
よって、電磁波を照射した部分のめっき下地膜を除去し
た後、回路部に残るめっき下地膜にめっきを施すことに
よって回路を形成するようにした技術が、特開平７−６
６５３３号公報で提供されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、絶縁性
基材の表面にめっき下地膜を形成してさらにこの上にめ
っきを施すことによって回路を形成するにあたって、絶
縁性基材とめっき下地膜との密着性が問題になる。そこ
で従来は絶縁性基材の表面を粗面化処理して絶縁性基材
とめっき下地膜との密着性を高めることが行なわれてい
るが、絶縁性基材の表面を粗面化すると、回路パターン
をファイン化することが困難になるという問題があっ
た。

【０００４】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、絶縁性基材の表面を粗面化する必要なく絶縁性基
材とめっき下地膜との密着性を高めることができる回路
板の製造方法を提供することを目的とするものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明に係る回路板の製
造方法は、分子中にアミド基を有する高分子化合物を含
有する樹脂成形物で絶縁性基材１を作製し、この絶縁性
基材１の表面にめっき下地膜２を形成し、絶縁性基材１
の回路部３と非回路部４の少なくとも境界領域に、非回
路部４のパターンに対応してレーザのような電磁波を照
射することによって、非照射部を残して電磁波を照射し
たこの照射部のめっき下地膜２を除去した後、めっき下
地膜２にめっきを施すことを特徴とするものである。

【０００６】また請求項２の発明は、長尺状フィラー５
を含有する樹脂成形物で絶縁性基材１を作製することを
特徴とするものである。また請求項３の発明は、白色物
６を含有する樹脂成形物で絶縁性基材１を作製すること
を特徴とするものである。また請求項４の発明は、窒素
原子を含んだガスのプラズマ処理によって、めっき下地
膜２を形成する前の前処理を絶縁性基材１に施すことを
特徴とするものである。

【０００７】また請求項５の発明は、窒素原子を含んだ
ガスのイオンビーム照射によって、めっき下地膜２を形
成する前の前処理を絶縁性基材１に施すことを特徴とす
るものである。また請求項６の発明は、真空あるいは不
活性ガス雰囲気中での加熱によって、めっき下地膜２を
形成する前の前処理を絶縁性基材１に施すことを特徴と
するものである。

【０００８】また請求項７の発明は、紫外線照射によっ
て、めっき下地膜２を形成する前の前処理を絶縁性基材
１に施すことを特徴とするものである。また請求項８の
発明は、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティ
ングから選ばれるドライプレーティングによって、絶縁
性基材１の表面にめっき下地膜２を形成することを特徴
とするものである。

【０００９】また請求項９の発明は、めっき下地膜２は
銅又はニッケルの膜であることを特徴とするものであ
る。また請求項１０の発明は、窒素ガス雰囲気中でスパ
ッタリングを行なって絶縁性基材１の表面にめっき下地
膜２を形成することを特徴とするものである。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。図１は請求項１の発明の実施の形態の一例を示す
ものである。絶縁性基材１は射出成形によって形成する
ことができるものであり、図１（ａ）のように平面状に
形成する他、三次元立体形状に形成することもできる。
そして本発明では、分子中にアミド基を有する高分子化
合物を含有する樹脂成形物で絶縁性基材１を作製するも
のである。

【００１１】上記の分子中にアミド基を有する高分子化
合物としては、テレフタル酸とジアミンを縮重合した式
（１）のような構造を繰り返し単位とする芳香族ポリア
ミドや、式（２）の構造を繰り返し単位とするナイロン
６６などの脂肪族ポリアミド等を用いることができる。

【００１２】

【化１】

【００１３】上記のアミド基を有する高分子化合物をベ
ースポリマーとし、これに無機フィラー等を配合して調
製した樹脂成形物を射出成形することによって、絶縁性
基材１を作製することができるものである。例えば、ア
ミド基を有する高分子化合物を６０重量％、無機フィラ
ーを４０重量％の配合で樹脂成形物を調製することがで
きるものであり、無機フィラーとしてはガラス、カオリ
ンクレー、マイカ、タルク等を用いることができる。

【００１４】次に、絶縁性基材１の表面を前処理して洗
浄した後、絶縁性基材１の表面の全面に図１（ｂ）のよ
うにめっき下地膜２を形成する。めっき下地膜２の形成
はスパッタリング等をして、厚み０．１〜３μｍ程度の
薄い銅膜を絶縁性基材１の表面に析出させることによっ
て行なうことができる。ここで、絶縁性基材１は分子中
にアミド基を有する高分子化合物を含有する樹脂成形物
で作製されており、アミド基とめっき下地膜２の銅など
の金属との水素結合によって、絶縁性基材１に対するめ
っき下地膜２の密着力を高く得ることができる。従っ
て、絶縁性基材１の表面を粗面化処理する必要なく、絶
縁性基材１の表面に高い密着性でめっき下地膜２を形成
することができるものである。

【００１５】このようにめっき下地膜２を形成した後、
絶縁性基材１の表面にレーザ等の電磁波を照射すること
によって、電磁波を照射した部分のめっき下地膜２を除
去する。レーザとしては例えば波長５３６ｎｍのＹＡＧ
第２高調波レーザを用いることができ、非照射部を残し
て照射部のめっき下地膜２を除去する。電磁波の照射
は、絶縁性基材１の表面のうち回路を形成する箇所であ
る回路部３以外の部分、すなわち回路部３間の絶縁スペ
ースとなる非回路部４において行なわれるものであり、
非回路部４の少なくとも回路部３との境界領域に非回路
部４のパターンに沿って電磁波を移動走査させながら照
射することによって、非回路部４の回路部３との境界領
域のめっき下地膜２を図１（ｃ）のように除去するもの
である。図１（ｃ）の場合には、非回路部４のめっき下
地膜２のうち、電磁波の照射部である回路部３との境界
部分のめっき下地膜２は除去するが、電磁波の非照射部
は回路部３のめっき下地膜２と共に除去せず残すように
してある。

【００１６】ここで、上記のように分子中にアミド基を
有する高分子化合物を含有する樹脂成形物で作製された
絶縁性基材１はめっき下地膜２との密着力を高く得るこ
とができるため、表面を粗面化処理していない絶縁性基
材１を用いることができるものであり、しかもレーザ等
の電磁波を照射して回路部３のめっき下地膜２を残して
照射部のめっき下地膜２を除去するにあたって、絶縁性
基材１に対するめっき下地膜２の密着力が高いため、回
路部３のめっき下地膜２の端面が絶縁性基材１から剥離
するようなことがなく、良好なレーザ等の電磁波による
加工性を得ることができるものである。この結果、回路
部３や非回路部４の幅を狭くするファインなパターンで
回路部３のめっき下地膜２を残す加工が容易になるもの
であり、回路パターンのファイン化が可能になるもので
ある。例えば、回路部３や非回路部４の幅を２０μｍ程
度に加工することが可能になる。

【００１７】次に、回路部３のめっき下地膜２に直流電
源の陰極を接続して給電しつつ、絶縁性基材１を電気め
っき浴に浸漬することによって電気めっきを行ない、図
１（ｄ）のように回路部３のめっき下地膜２に厚み５〜
３０μｍの電気めっき層１０を設け、回路部３にめっき
下地膜２と電気めっき層１０からなる回路１１を形成す
る。電気めっきは例えば銅めっき浴に絶縁性基材１を浸
漬して回路部３のめっき下地膜２に電気銅めっきを析出
させることによって行なうことができる。このとき、非
回路部４は回路部３と電気的に絶縁されており、給電さ
れてないために、非回路部４のめっき下地膜２には電気
めっき層１０は形成されない。

【００１８】この後に、過硫酸アンモニウム水溶液など
のソフトエッチング液を用い、非回路部４のめっき下地
膜２をソフトエッチングして図１（ｅ）のように除去す
る。このとき、回路部３ではめっき下地膜２の上に電気
めっき層１０が厚く設けてあるので、回路１１がソフト
エッチングで消えるようなことはないものであり、絶縁
性基材１の表面に回路１１が形成された回路板を製造す
ることができるものである。

【００１９】請求項２の発明は、無機フィラーとして長
尺状フィラー５を含有する樹脂成形物で作製した絶縁性
基材１を用いるようにしたものである。長尺状フィラー
５は径よりも長さが長いものであれば特に制限されない
が、長尺状ワラストナイトなどを用いることができる。
この長尺状フィラー５は図２（ｂ）のように直径をＷ、
長さをＬとすると、Ｌ＝１μｍ以上（数十μｍがより好
ましい）で、Ｌ／Ｗ≧３のものが好ましい。また長尺状
フィラー５はシランカップリング剤あるいはチタンカッ
プリング剤で表面処理して用いるようにしてもよい。

【００２０】そして長尺状フィラー５を含有する樹脂成
形物で作製した絶縁性基材１に図２（ａ）のようにめっ
き下地膜２を形成し、後は図１（ｃ）〜図１（ｅ）と同
様にして回路板を製造することができる。このように長
尺状フィラー５を含有する樹脂成形物で作製した絶縁性
基材１は、表層の強度を長尺状フィラー５によって高く
得ることができる。従って、絶縁性基材１の表層が破壊
されてめっき下地膜２（回路５）が剥離されることを防
止することができ、絶縁性基材１とめっき下地膜２（回
路５）の密着力を高めることができるものである。

【００２１】請求項３の発明は、無機フィラーとして白
色物６を含有する樹脂成形物で作製した絶縁性基材１を
用いるようにしたものである。この白色物６としては特
に限定されるものではないが、酸化チタン粉末を用いる
ことができる。例えば、アミド基を有する高分子化合物
をベースポリマーとして６０重量％、ワラストナイトを
長尺状フィラー５として３０重量％、酸化チタンを白色
物６として１０重量％の配合で調製した樹脂成形物を成
形することによって、図３（ａ）のような絶縁性基材１
を作製することができる。そしてこの絶縁性基材１の表
面を洗浄した後に図３（ｂ）のようにめっき下地膜２を
形成し、レーザ等の電磁波を照射することによって、図
３（ｃ）のように絶縁性基材１の回路部３と非回路部４
の少なくとも境界領域において非回路部４のめっき下地
膜２を除去するものである。

【００２２】このようにレーザ等の電磁波を照射するに
あたって、絶縁性基材１は白色物６を含有しているの
で、レーザ等の電磁波は絶縁性基材１の表面において白
色物６で反射され易くなり、レーザ等の電磁波の照射に
よって絶縁性基材１が高温に加熱されることを低減する
ことができ、レーザ等の電磁波の照射時の絶縁性基材１
の熱ダメージを低減することができるものである。ちな
みに、白色物６として酸化チタンを上記のように１０重
量％配合した絶縁性基材１においては、ＹＡＧ第２高調
波レーザに対する反射率が３％向上する。

【００２３】請求項４の発明は、スパッタリング等でめ
っき下地膜２を形成する前の洗浄の前処理として、窒素
原子を含んだガスのプラズマ処理を絶縁性基材１に施す
ようにしたものである。図４はプラズマ処理の一例を示
すものであって、真空槽として形成されるチャンバー１
２には真空バルブ１３を介して真空ポンプ１４が接続し
てあり、またチャンバー１２にはガスバルブ１５を介し
てガス管１６が接続してある。チャンバー１２内には一
対の電極１７，１８が設けてあり、電極１７，１８間に
高周波を印加する高周波電源１９が接続してある。

【００２４】そしてこのものにあって、チャンバー１２
内において一方の電極１７の上に絶縁性基材１を設置
し、真空ポンプ１４でチャンバー１２内を真空にすると
共にガス管１６から窒素ガスやアンモニアガスなどの窒
素原子含有ガスを導入し、電極１７，１８間に高周波電
源１９によって高周波を印加すると、チャンバー１２内
で窒素原子含有ガスのプラズマＰが発生し、このプラズ
マＰで絶縁性基材１の表面をクリーニング（洗浄）する
ことができる。このプラズマ処理の条件は、例えば周波
数１３．５６ＭＨｚ、出力３００Ｗ、窒素ガス圧１０Ｐ
ａ、処理時間１０秒に設定することができる。このよう
にプラズマＰで絶縁性基材１の表面をクリーニングする
ことによって、絶縁性基材１に対するめっき下地膜２の
密着性を高めることができるものである。また窒素原子
含有ガスのプラズマＰで処理するために、絶縁性基材１
の表面に窒素を含む官能基を導入することができ、窒素
を含む官能基とめっき下地膜２の金属を結合させて、絶
縁性基材１に対するめっき下地膜２の高い密着性を得る
ことができるものである。

【００２５】請求項５の発明は、スパッタリング等でめ
っき下地膜２を形成する前の洗浄の前処理として、窒素
原子を含んだガスのイオンビーム照射を絶縁性基材１に
施すようにしたものである。図５はイオンビーム照射処
理の一例を示すものであって、真空槽として形成される
チャンバー１２には真空バルブ１３を介して真空ポンプ
１４が接続してあり、またチャンバー１２にはイオンガ
ン２１が設けてある。このイオンガン２１にはガスバル
ブ１５を介してガス管１６が接続してある。

【００２６】そしてこのものにあって、チャンバー１２
内に絶縁性基材１を設置すると共に、真空ポンプ１４で
チャンバー１２内を真空する。さらにガス管１６から窒
素ガスやアンモニアガスなどの窒素原子含有ガスをイオ
ンガン２１に導入すると共にイオンガン２１内において
窒素原子含有ガスをプラズマ化させて窒素イオン等を発
生させ、この窒素イオン等のイオンのビームＢをイオン
ガン２１から絶縁性材料１に照射して、イオンビームＢ
で絶縁性基材１の表面をクリーニング（洗浄）すること
ができる。このイオンビーム照射の条件は、例えば加速
電圧５０Ｖ、窒素ガス圧０．１Ｐａ、照射時間５秒に設
定することができる。このようにイオンビームＢで絶縁
性基材１の表面をクリーニングすることによって、絶縁
性基材１に対するめっき下地膜２の密着性を高めること
ができるものである。また窒素原子含有ガスのイオンビ
ームＢで処理するために、絶縁性基材１の表面に窒素を
含む官能基を導入することができ、窒素を含む官能基と
めっき下地膜２の金属を結合させて、絶縁性基材１に対
するめっき下地膜２の高い密着性を得ることができるも
のである。また、イオンビーム照射は照射エネルギーの
制御が容易であり、絶縁性材料１の表面の前処理を良好
に行なうことができるものである。

【００２７】請求項６の発明は、スパッタリング等でめ
っき下地膜２を形成する前の前処理として、真空あるい
は不活性ガス雰囲気中で絶縁性基材１を加熱処理するよ
うにしたものである。図６は加熱処理の一例を示すもの
であって、真空槽として形成されるチャンバー１２には
真空バルブ１３を介して真空ポンプ１４が接続してあ
り、またチャンバー１２内には加熱源としてハロゲンラ
ンプ２２が設けてある。

【００２８】そしてこのものにあって、チャンバー１２
内に絶縁性基材１を設置すると共に、真空ポンプ１４で
チャンバー１２内を真空する。さらにハロゲンランプ２
２を点灯させて絶縁性基材１を加熱すると、絶縁性基材
１の表面の水分を蒸発除去することができる。この加熱
処理の条件は、絶縁性基材１の温度１５０℃、真空度
０．１Ｐａ、処理時間３０秒に設定することができる。
このように絶縁性基材１の表面の水分を除去することに
よって、絶縁性基材１に対するめっき下地膜２の密着性
を高めることができるものである。ここで、図６ではチ
ャンバー１２内を真空にして加熱するようにしている
が、チャンバー１２内にアルゴン等の不活性ガスを導入
して不活性ガス雰囲気中で加熱するようにしてもよい。
このように真空あるいは不活性ガス雰囲気中で加熱処理
を行なうことによって、加熱処理時に絶縁性基材１の表
面が酸化劣化されることを防止することができるもので
ある。

【００２９】請求項７の発明は、スパッタリング等でめ
っき下地膜２を形成する前の前処理として、絶縁性基材
１に紫外線を照射する処理をするようにしたものであ
る。図７は紫外線照射処理の一例を示すものであって、
紫外線ランプ２３の下方に設置した絶縁性基材１に紫外
線ランプ２３から紫外線Ｕを例えば３０秒間照射するよ
うにしてある。このように絶縁性基材１の表面に紫外線
Ｕを照射すると、絶縁性基材１の表面の有機汚染物を分
解除去することができると共に絶縁性基材１の表面を活
性化することができるものであり、絶縁性基材１に対す
るめっき下地膜２の密着性を高めることができるもので
ある。

【００３０】請求項８の発明は、図１（ｂ）のように絶
縁性基材１の表面にめっき下地膜２を形成するにあたっ
て、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティング
などのドライプレーティングでめっき下地膜２の形成を
行なうようにしたものである。これらスパッタリング、
真空蒸着、イオンプレーティングなどのドライプレーテ
ィングはチャンバー内でプレーティング処理を行なって
絶縁性基材１の表面にめっき下地膜２を形成することが
できる。従って、絶縁性基材１の前処理を既述のプラズ
マ処理、イオンビーム照射処理、加熱処理のようにチャ
ンバー１２内で行なった後、このチャンバー１２から絶
縁性基材１を取り出す必要なく、同じチャンバー１２内
で絶縁性基材１の表面にめっき下地膜２を形成すること
ができるものであり、チャンバー１２から絶縁性基材１
を取り出した後に絶縁性基材１にめっき下地膜２を形成
する場合のように、チャンバー１２から絶縁性基材１を
取り出すことによって絶縁性基材１の表面が汚染される
ようなことがなくなり、絶縁性基材１にめっき下地膜２
を密着性高く形成することができるものである。またこ
れらスパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティング
などのドライプレーティングでは、粗面化していない平
滑な絶縁性基材１の表面にめっき下地膜２を形成するこ
とができるものであり、平滑な絶縁性基材１の表面にめ
っき下地膜２を形成してファインパターンで回路形成す
ることが容易になるものである。

【００３１】請求項９の発明は、図１（ｂ）のように絶
縁性基材１の表面にめっき下地膜２を形成するにあたっ
て、銅もしくはニッケルでめっき下地膜２を形成するよ
うにしたものである。請求項１０の発明は、図１（ｂ）
のように絶縁性基材１の表面にめっき下地膜２を形成す
るにあたって、窒素ガス雰囲気中でスパッタリングして
めっき下地膜２の形成を行なうようにしたものである。
図８はスパッタリングによるめっき下地膜２の形成処理
の一例を示すものであって、真空槽として形成されるチ
ャンバー１２には真空バルブ１３を介して真空ポンプ１
４が接続してあり、またチャンバー１２にはガスバルブ
１５を介してガス管１６が接続してある。チャンバー１
２内には銅ターゲットなどのスパッタリングターゲット
２５が配設してあり、スパッタリングターゲット２５と
電極２６の間に電圧を印加する直流電源２７が接続して
ある。

【００３２】そしてこのものにあって、チャンバー１２
内において電極２６の上に絶縁性基材１を設置し、真空
ポンプ１４でチャンバー１２内を真空にすると共にガス
管１６から窒素ガスやアンモニアガスなどの窒素原子含
有ガスを導入し、スパッタリングターゲット２５と電極
２６の間に電圧を印加すると、窒素原子含有ガスイオン
の衝突によってスパッタリングターゲット２５から銅な
どの金属が放出され、この放出された銅などの金属が絶
縁性基材１の表面に付着してめっき下地膜２を形成する
ことができるものである。このＤＣマグネトロンスパッ
タリングによるめっき下地膜２の形成の条件は、例えば
電圧３０Ｖ、電流０．５Ａ、窒素ガス圧０．３Ｐａ、成
膜時間１０秒に設置することができ、０．５μｍの膜厚
で銅のめっき下地膜２を形成することができる。このよ
うに窒素ガス雰囲気中でスパッタリングしてめっき下地
膜２の形成を行なうことによって、絶縁性基材１の表面
に窒素を含む官能基を導入することができ、窒素を含む
官能基とスパッタリングで形成されるめっき下地膜２の
金属を結合させて、絶縁性基材１に対するめっき下地膜
２の密着性を高く得ることができるものである。

【００３３】

【発明の効果】上記のように請求項１の発明は、分子中
にアミド基を有する高分子化合物を含有する樹脂成形物
で絶縁性基材を作製し、この絶縁性基材の表面にめっき
下地膜を形成し、絶縁性基材の回路部と非回路部の少な
くとも境界領域に、非回路部のパターンに対応してレー
ザのような電磁波を照射することによって、非照射部を
残して電磁波を照射したこの照射部のめっき下地膜を除
去した後、めっき下地膜にめっきを施すようにしたの
で、分子中にアミド基を有する高分子化合物を含有する
絶縁性基材はそのアミド基によってめっき下地膜との密
着力を高く得ることができるものであり、表面を粗面化
処理していない絶縁性基材を用いてめっき下地膜の形成
が可能になると共に、レーザのような電磁波を照射して
回路部のめっき下地膜を残して照射部のめっき下地膜を
除去するにあたって、回路部のめっき下地膜の端面が絶
縁性基材から剥離するようなことがなく、回路部や非回
路部の幅を狭くするファインなパターンで回路部のめっ
き下地膜を残す加工が容易になるものであり、回路パタ
ーンのファイン化が可能になるものである。

【００３４】また請求項２の発明は、長尺状フィラーを
含有する樹脂成形物で絶縁性基材を作製するようにした
ので、絶縁性基材の表層の強度を長尺状フィラーによっ
て高く得ることができ、絶縁性基材の表層が破壊されて
めっき下地膜が剥離されることを防止することができる
ものであり、絶縁性基材とめっき下地膜（回路）の密着
力を高めることができるものである。

【００３５】また請求項３の発明は、白色物を含有する
樹脂成形物で絶縁性基材を作製するようにしたので、レ
ーザのような電磁波は絶縁性基材の表面において白色物
で反射され易くなり、電磁波の照射によって絶縁性基材
が高温に加熱されることを低減することができ、電磁波
の照射時の絶縁性基材の熱ダメージを低減することがで
きるものである。

【００３６】また請求項４の発明は、窒素原子を含んだ
ガスのプラズマ処理によって、めっき下地膜を形成する
前の前処理を絶縁性基材に施すようにしたので、プラズ
マで絶縁性基材の表面をクリーニングすることができる
と共に、また絶縁性基材の表面に窒素を含む官能基を導
入して、窒素を含む官能基とめっき下地膜の金属とを結
合させることができ、絶縁性基材に対するめっき下地膜
の高い密着性を得ることができるものである。

【００３７】また請求項５の発明は、窒素原子を含んだ
ガスのイオンビーム照射によって、めっき下地膜を形成
する前の前処理を絶縁性基材に施すようにしたので、イ
オンビームで絶縁性基材の表面をクリーニングすること
ができると共に、また絶縁性基材の表面に窒素を含む官
能基を導入して、窒素を含む官能基とめっき下地膜の金
属とを結合させることができ、絶縁性基材に対するめっ
き下地膜の高い密着性を得ることができるものである。

【００３８】また請求項６の発明は、真空あるいは不活
性ガス雰囲気中での加熱によって、めっき下地膜を形成
する前の前処理を絶縁性基材に施すようにしたので、加
熱で絶縁性基材の表面の水分を除去することができ、絶
縁性基材に対するめっき下地膜の密着性を高めることが
できるものであり、また加熱は真空あるいは不活性ガス
雰囲気中で行なわれるものであって、加熱処理時に絶縁
性基材の表面が酸化劣化されることを防止することがで
きるものである。

【００３９】また請求項７の発明は、紫外線照射によっ
て、めっき下地膜を形成する前の前処理を絶縁性基材に
施すようにしたので、紫外線によって絶縁性基材の表面
の有機汚染物を分解除去することができると共に絶縁性
基材の表面を活性化することができ、絶縁性基材に対す
るめっき下地膜の密着性を高めることができるものであ
る。

【００４０】また請求項８の発明は、スパッタリング、
真空蒸着、イオンプレーティングから選ばれるドライプ
レーティングによって、絶縁性基材の表面にめっき下地
膜を形成するようにしたので、これらスパッタリング、
真空蒸着、イオンプレーティングなどのドライプレーテ
ィングはチャンバー内でプレーティング処理を行なって
絶縁性基材の表面にめっき下地膜を形成することができ
るものであり、絶縁性基材の前処理を既述のプラズマ処
理、イオンビーム照射処理、加熱処理のようにチャンバ
ー内で行なった後、このチャンバーから絶縁性基材を取
り出す必要なく、同じチャンバー内で絶縁性基材の表面
にめっき下地膜を形成することができるものであり、絶
縁性基材にめっき下地膜を密着性高く形成することがで
きるものである。またこれらスパッタリング、真空蒸
着、イオンプレーティングなどのドライプレーティング
では、粗面化していない平滑な絶縁性基材の表面にめっ
き下地膜を形成することができるものであり、平滑な絶
縁性基材の表面にめっき下地膜を形成してファインパタ
ーンで回路形成することが容易になるものである。

【００４１】また請求項１０の発明は、窒素ガス雰囲気
中でスパッタリングを行なって絶縁性基材の表面にめっ
き下地膜を形成するようにしたので、絶縁性基材の表面
に窒素を含む官能基を導入することができ、窒素を含む
官能基とスパッタリングで形成されるめっき下地膜の金
属を結合させて、絶縁性基材に対するめっき下地膜の密
着性を高く得ることができるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】請求項１の発明の実施の形態の一例を示すもの
であり、（ａ）乃至（ｅ）は各工程の斜視図である。

【図２】請求項２の発明の実施の形態の一例を示すもの
であり、（ａ）はめっき下地膜を形成した絶縁性基材の
断面図、（ｂ）は長尺状フィラーの拡大した斜視図であ
る。

【図３】請求項３の発明の実施の形態の一例を示すもの
であり、（ａ）乃至（ｃ）は各工程の断面図である。

【図４】請求項４の発明の実施の形態の一例を示す概略
図である。

【図５】請求項５の発明の実施の形態の一例を示す概略
図である。

【図６】請求項６の発明の実施の形態の一例を示す概略
図である。

【図７】請求項７の発明の実施の形態の一例を示す概略
図である。

【図８】請求項１０の発明の実施の形態の一例を示す概
略図である。

【符号の説明】

１絶縁性基材２めっき下地膜３回路部４非回路部５長尺状フィラー６白色物

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】分子中にアミド基を有する高分子化合物
を含有する樹脂成形物で絶縁性基材を作製し、この絶縁
性基材の表面にめっき下地膜を形成し、絶縁性基材の回
路部と非回路部の少なくとも境界領域に、非回路部のパ
ターンに対応してレーザのような電磁波を照射すること
によって、非照射部を残して電磁波を照射したこの照射
部のめっき下地膜を除去した後、めっき下地膜にめっき
を施すことを特徴とする回路板の製造方法。
【請求項２】長尺状フィラーを含有する樹脂成形物で
絶縁性基材を作製することを特徴とする請求項１に記載
の回路板の製造方法。
【請求項３】白色物を含有する樹脂成形物で絶縁性基
材を作製することを特徴とする請求項１又は２に記載の
回路板の製造方法。
【請求項４】窒素原子を含んだガスのプラズマ処理に
よって、めっき下地膜を形成する前の前処理を絶縁性基
材に施すことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに
記載の回路板の製造方法。
【請求項５】窒素原子を含んだガスのイオンビーム照
射によって、めっき下地膜を形成する前の前処理を絶縁
性基材に施すことを特徴とする請求項１乃至３のいずれ
かに記載の回路板の製造方法。
【請求項６】真空あるいは不活性ガス雰囲気中での加
熱によって、めっき下地膜を形成する前の前処理を絶縁
性基材に施すことを特徴とする請求項１乃至５のいずれ
かに記載の回路板の製造方法。
【請求項７】紫外線照射によって、めっき下地膜を形
成する前の前処理を絶縁性基材に施すことを特徴とする
請求項１乃至５のいずれかに記載の回路板の製造方法。
【請求項８】スパッタリング、真空蒸着、イオンプレ
ーティングから選ばれるドライプレーティングによっ
て、絶縁性基材の表面にめっき下地膜を形成することを
特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の回路板の
製造方法。
【請求項９】めっき下地膜は銅又はニッケルの膜であ
ることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の
回路板の製造方法。
【請求項１０】窒素ガス雰囲気中でスパッタリングを
行なって絶縁性基材の表面にめっき下地膜を形成するこ
とを特徴とする請求項８に記載の回路板の製造方法。