JPH1022076A - Ｅｌ素子とその製造方法 - Google Patents
Ｅｌ素子とその製造方法Info
- Publication number
- JPH1022076A JPH1022076A JP8195647A JP19564796A JPH1022076A JP H1022076 A JPH1022076 A JP H1022076A JP 8195647 A JP8195647 A JP 8195647A JP 19564796 A JP19564796 A JP 19564796A JP H1022076 A JPH1022076 A JP H1022076A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive material
- electrode
- organic
- transparent electrode
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な構成で、不純物の混入がなく、画面の
位置に関係なく均一な発光を可能にし、寿命も長くす
る。 【解決手段】 ガラス等の透明基板１０上にＩＴＯ等の
透明な電極１２が一面に形成され、その透明電極１２の
表面にホール輸送材料１７及び電子輸送材料１７のＥＬ
材料１４が一面に積層されている。ＥＬ材料１４の表面
に有機物やその他の導電性材料１５を一面に形成し、そ
の表面に所定のドット状の電極１６が独立に形成されて
いる。
位置に関係なく均一な発光を可能にし、寿命も長くす
る。 【解決手段】 ガラス等の透明基板１０上にＩＴＯ等の
透明な電極１２が一面に形成され、その透明電極１２の
表面にホール輸送材料１７及び電子輸送材料１７のＥＬ
材料１４が一面に積層されている。ＥＬ材料１４の表面
に有機物やその他の導電性材料１５を一面に形成し、そ
の表面に所定のドット状の電極１６が独立に形成されて
いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、平面光源やディ
スプレイに用いられるＥＬ素子とその製造方法に関す
る。
スプレイに用いられるＥＬ素子とその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミ
ネッセンス）素子は、ガラス基板にストライプ状の透光
性のＩＴＯ膜の陽極を形成し、その表面にトリフェニル
アミン誘導体（ＴＰＤ）等のホール輸送材料を設け、そ
の上にアルミキレート錯体（Ａｌｑ3）等の電子輸送材
料を設けている。さらに陽極と直交するように、Ａｌ，
Ｌｉ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｉｎ等でストライプ状の陰極が形成
されている。この有機ＥＬ素子は、互いに直交したスト
ライプ状の陽極と陰極の交点で、所定の電圧が印加され
た際に発光を生じるものである。そして、この有機ＥＬ
素子の製造に際しては、ストライプ状の陽極をガラス基
板上でエッチングにより形成し、陰極はマスク蒸着によ
り形成している。
ネッセンス）素子は、ガラス基板にストライプ状の透光
性のＩＴＯ膜の陽極を形成し、その表面にトリフェニル
アミン誘導体（ＴＰＤ）等のホール輸送材料を設け、そ
の上にアルミキレート錯体（Ａｌｑ3）等の電子輸送材
料を設けている。さらに陽極と直交するように、Ａｌ，
Ｌｉ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｉｎ等でストライプ状の陰極が形成
されている。この有機ＥＬ素子は、互いに直交したスト
ライプ状の陽極と陰極の交点で、所定の電圧が印加され
た際に発光を生じるものである。そして、この有機ＥＬ
素子の製造に際しては、ストライプ状の陽極をガラス基
板上でエッチングにより形成し、陰極はマスク蒸着によ
り形成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術の場
合、ストライプ状の陽極をエッチングにより形成するも
のであり、エッチング液の残渣によりＩＴＯ膜の表面が
汚染され、ダークスポットの原因となっていた。さら
に、蒸着による陰極の形成時の熱により、ホール輸送材
料が劣化し、発光効率が低下するという問題があった。
また、ストライプ状の互いに直交するＩＴＯ膜の交点に
順次電界をかけるため、ディスプレイとしての表示素子
の１ドットあたりの通電時間が短く発光時間も短いもの
であった。しかもドット数を多くすればするほど１ドッ
トあたりの通電時間が短くなり、所望の明るさを得るた
めには大電流を流さなければならないものであった。さ
らに、陽極及び陰極は薄膜であり比較的抵抗値が高く、
その抵抗により位置による発光度に差が生じるという問
題もあった。また、ＥＬ材料や陰極は、大気にさらさ
れ、湿気やその他の影響により劣化しやすいという問題
もあった。
合、ストライプ状の陽極をエッチングにより形成するも
のであり、エッチング液の残渣によりＩＴＯ膜の表面が
汚染され、ダークスポットの原因となっていた。さら
に、蒸着による陰極の形成時の熱により、ホール輸送材
料が劣化し、発光効率が低下するという問題があった。
また、ストライプ状の互いに直交するＩＴＯ膜の交点に
順次電界をかけるため、ディスプレイとしての表示素子
の１ドットあたりの通電時間が短く発光時間も短いもの
であった。しかもドット数を多くすればするほど１ドッ
トあたりの通電時間が短くなり、所望の明るさを得るた
めには大電流を流さなければならないものであった。さ
らに、陽極及び陰極は薄膜であり比較的抵抗値が高く、
その抵抗により位置による発光度に差が生じるという問
題もあった。また、ＥＬ材料や陰極は、大気にさらさ
れ、湿気やその他の影響により劣化しやすいという問題
もあった。
【０００４】この発明は、上記従来の技術に鑑みてなさ
れたもので、簡単な構成で、不純物の混入がなく、画面
の位置に関係なく均一な発光を可能にし、寿命も長いＥ
Ｌ素子とその製造方法を提供することを目的とする。
れたもので、簡単な構成で、不純物の混入がなく、画面
の位置に関係なく均一な発光を可能にし、寿命も長いＥ
Ｌ素子とその製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、ガラス等の
透明基板上にＩＴＯ等の透明な電極が一面に形成され、
その透明電極の表面にホール輸送材料及び電子輸送材料
のＥＬ材料が一面に積層され、さら上記ＥＬ材料の表面
に有機物やその他の導電性材料を一面に形成し、その表
面に所定のドット状の電極が独立に形成されたＥＬ素子
である。上記ＥＬ材料は、有機ＥＬ材料であり、上記導
電性材料は、仕事関数の低いＬｉ，Ｍｇ等を含有した有
機導電性材料である。上記導電性材料はＥＬ材料を気密
状態で覆っているものである。さらに、この導電性材料
は、発光部のコントラストを出すために黒又は暗色に形
成されている。
透明基板上にＩＴＯ等の透明な電極が一面に形成され、
その透明電極の表面にホール輸送材料及び電子輸送材料
のＥＬ材料が一面に積層され、さら上記ＥＬ材料の表面
に有機物やその他の導電性材料を一面に形成し、その表
面に所定のドット状の電極が独立に形成されたＥＬ素子
である。上記ＥＬ材料は、有機ＥＬ材料であり、上記導
電性材料は、仕事関数の低いＬｉ，Ｍｇ等を含有した有
機導電性材料である。上記導電性材料はＥＬ材料を気密
状態で覆っているものである。さらに、この導電性材料
は、発光部のコントラストを出すために黒又は暗色に形
成されている。
【０００６】またこの発明は、ガラス基板上にＩＴＯ等
の透明な電極を真空蒸着やスパッタリングその他の真空
中での薄膜形成技術により一面に形成し、その透明電極
表面にホール輸送材料及び電子輸送材料からなるＥＬ材
料を設け、さらにＥＬ材料の表面に導電性材料を上記と
同様又は他の薄膜形成技術により形成し、さら上記導電
性材料の表面に所定のドット状の独立した電極を、上記
と同様又は他の薄膜形成技術により形成するＥＬ素子の
製造方法である。
の透明な電極を真空蒸着やスパッタリングその他の真空
中での薄膜形成技術により一面に形成し、その透明電極
表面にホール輸送材料及び電子輸送材料からなるＥＬ材
料を設け、さらにＥＬ材料の表面に導電性材料を上記と
同様又は他の薄膜形成技術により形成し、さら上記導電
性材料の表面に所定のドット状の独立した電極を、上記
と同様又は他の薄膜形成技術により形成するＥＬ素子の
製造方法である。
【０００７】この発明のＥＬ素子とその製造方法は、平
面状のＥＬ材料をさらに導電性材料で一面に覆い、その
上にドット状の電極を形成し、ＥＬ材料を保護するとと
もに、各ドットでの電位のばらつきをなくし、均一な発
光が得られるようにしたものである。
面状のＥＬ材料をさらに導電性材料で一面に覆い、その
上にドット状の電極を形成し、ＥＬ材料を保護するとと
もに、各ドットでの電位のばらつきをなくし、均一な発
光が得られるようにしたものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を基にして説明する。図１、図２はこの発明の
ＥＬ素子の一実施形態を示すもので、この実施形態のＥ
Ｌ素子は、有機薄膜ＥＬ素子であり、図示するように、
ガラス、透明樹脂、石英等の透明基板１０の表面に、Ｉ
ＴＯ等の透明な導電層である電極１２が一面に形成され
ている。電極１２の表面には、ＥＬ材料１４による発光
層が一面に形成されている。そして、その外側は、ＴＣ
ＮＱ等の有機半導体である導電性材料１５により、内側
を気密状態で一面に形成されている。導電性材料１５
は、黒色又は暗色の暗い色が、発光点と他の部分とのコ
ントラストが得られ好ましく、従ってカーボンでも良
い。この導電性材料は、気密性及び熱的影響に対する保
護のために０．５μｍ以上、好ましくは１μｍ以上の厚
さが良く、上限は特にないが数μｍ乃至数十μｍ以下の
厚さに形成する。
いて図面を基にして説明する。図１、図２はこの発明の
ＥＬ素子の一実施形態を示すもので、この実施形態のＥ
Ｌ素子は、有機薄膜ＥＬ素子であり、図示するように、
ガラス、透明樹脂、石英等の透明基板１０の表面に、Ｉ
ＴＯ等の透明な導電層である電極１２が一面に形成され
ている。電極１２の表面には、ＥＬ材料１４による発光
層が一面に形成されている。そして、その外側は、ＴＣ
ＮＱ等の有機半導体である導電性材料１５により、内側
を気密状態で一面に形成されている。導電性材料１５
は、黒色又は暗色の暗い色が、発光点と他の部分とのコ
ントラストが得られ好ましく、従ってカーボンでも良
い。この導電性材料は、気密性及び熱的影響に対する保
護のために０．５μｍ以上、好ましくは１μｍ以上の厚
さが良く、上限は特にないが数μｍ乃至数十μｍ以下の
厚さに形成する。
【０００９】そして、導電性材料１５の表面は、Ａｌ、
Ｍｇ、Ｌｉ、Ａｇ、Ｉｎ等で、ドット電極１６が形成さ
れている。ドット電極１６は、所定の大きさ、例えば数
ミリから数百μｍ程度の大きさのドットのマトリクス状
に形成されている。また、各ドットには金や銅のドット
を積層しても良い。そして、各ドット電極１６は各々個
別に図示しないＩＣ等の駆動回路に接続されている。
Ｍｇ、Ｌｉ、Ａｇ、Ｉｎ等で、ドット電極１６が形成さ
れている。ドット電極１６は、所定の大きさ、例えば数
ミリから数百μｍ程度の大きさのドットのマトリクス状
に形成されている。また、各ドットには金や銅のドット
を積層しても良い。そして、各ドット電極１６は各々個
別に図示しないＩＣ等の駆動回路に接続されている。
【００１０】ＥＬ材料１４は、母体材料のうち電子輸送
材料１８としては、アルミキレート錯体（Ａｌｑ3）、
ジスチリルビフェニル誘導体（ＤＰＶＢｉ）、オキサジ
アゾール誘導体、ビスチリルアントラセン誘導体、ベン
ゾオキサゾールチオフェン誘導体、ペリレン類、チアゾ
ール類等を用いる。また、ホール輸送材料１７として
は、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）、ヒドラゾン
誘導体、アリールアミン誘導体等がある。また、上記電
子輸送材料とホール輸送材料との比は、１０：９０乃至
９０：１０の範囲で適宜変更可能である。
材料１８としては、アルミキレート錯体（Ａｌｑ3）、
ジスチリルビフェニル誘導体（ＤＰＶＢｉ）、オキサジ
アゾール誘導体、ビスチリルアントラセン誘導体、ベン
ゾオキサゾールチオフェン誘導体、ペリレン類、チアゾ
ール類等を用いる。また、ホール輸送材料１７として
は、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）、ヒドラゾン
誘導体、アリールアミン誘導体等がある。また、上記電
子輸送材料とホール輸送材料との比は、１０：９０乃至
９０：１０の範囲で適宜変更可能である。
【００１１】この実施形態の有機薄膜ＥＬ素子の製造方
法は、先ず基板１０上に一面にＩＴＯ等による電極１２
を蒸着やフラッシュ蒸着、スパッタリングその他の真空
中の薄膜形成技術により形成する。次に、ＥＬ材料１４
の層を上記薄膜形成技術の任意の方法により順次形成す
る。ＥＬ材料１４の層の表面には導電性材料１５の層を
一面に、上記真空薄膜形成技術のうちの任意の方法によ
り形成する。この後、電極１６を蒸着等の真空薄膜形成
技術で設ける。このとき、電極１６は、ドットのマトリ
クスとして形成するために、ドット状のマスクを用いて
形成される。
法は、先ず基板１０上に一面にＩＴＯ等による電極１２
を蒸着やフラッシュ蒸着、スパッタリングその他の真空
中の薄膜形成技術により形成する。次に、ＥＬ材料１４
の層を上記薄膜形成技術の任意の方法により順次形成す
る。ＥＬ材料１４の層の表面には導電性材料１５の層を
一面に、上記真空薄膜形成技術のうちの任意の方法によ
り形成する。この後、電極１６を蒸着等の真空薄膜形成
技術で設ける。このとき、電極１６は、ドットのマトリ
クスとして形成するために、ドット状のマスクを用いて
形成される。
【００１２】ここで蒸着条件は、真空度が６×１０-6Ｔ
ｏｒｒで、例えば、ＥＬ材料１４の場合５０Å／ｓｅｃ
の蒸着速度で成膜する。蒸着源は、２０秒以内に４００
℃まで上昇させた。さらに、フラッシュ蒸着法は、予め
所定の比率で混合した有機ＥＬ材料１４を、３００〜６
００℃好ましくは、４００〜５００℃に加熱した蒸着源
に落下させ、有機ＥＬ材料１４を一気に蒸発させるもの
である。また、その有機ＥＬ材料１４を容器中に収容
し、急速にその容器を加熱し、一気に蒸着させるもので
も良い。
ｏｒｒで、例えば、ＥＬ材料１４の場合５０Å／ｓｅｃ
の蒸着速度で成膜する。蒸着源は、２０秒以内に４００
℃まで上昇させた。さらに、フラッシュ蒸着法は、予め
所定の比率で混合した有機ＥＬ材料１４を、３００〜６
００℃好ましくは、４００〜５００℃に加熱した蒸着源
に落下させ、有機ＥＬ材料１４を一気に蒸発させるもの
である。また、その有機ＥＬ材料１４を容器中に収容
し、急速にその容器を加熱し、一気に蒸着させるもので
も良い。
【００１３】この実施形態のＥＬ素子は、電極１２の形
成時にエッチングを用いないために、エッチング処理に
よる化学的汚染や不純物の付着が生じないものである。
しかも電極１２は一面に形成され、その表面にＥＬ材料
１４及び導電性材料１５が一面に形成され、ドット電極
１６の部分の電気抵抗が小さく、ＥＬ材料１４にかかる
電圧にむらが生じることがなく、全面均一な発光状態を
得ることができるものである。さらに、発熱も少なくす
ることができ、ＥＬ素子の寿命も延ばすことができる。
また、ＥＬ材料１４が導電性材料１６で気密状態で覆わ
れているので、外部の不純物による劣化や熱による劣化
がなく、素子の寿命も延ばすことができる。
成時にエッチングを用いないために、エッチング処理に
よる化学的汚染や不純物の付着が生じないものである。
しかも電極１２は一面に形成され、その表面にＥＬ材料
１４及び導電性材料１５が一面に形成され、ドット電極
１６の部分の電気抵抗が小さく、ＥＬ材料１４にかかる
電圧にむらが生じることがなく、全面均一な発光状態を
得ることができるものである。さらに、発熱も少なくす
ることができ、ＥＬ素子の寿命も延ばすことができる。
また、ＥＬ材料１４が導電性材料１６で気密状態で覆わ
れているので、外部の不純物による劣化や熱による劣化
がなく、素子の寿命も延ばすことができる。
【００１４】なお、この発明のＥＬ素子の導電性材料１
５は、上記実施形態の他、電子輸送性を持つ有機材料と
して、ｔ−ＢＵ−ＰＢＤや、ＯＸＤ−１、ＯＸＤ−７等
を用いることができる。この場合、ドット電極１６に
は、電子を出しやすい、即ち仕事関数の小さいＬｉ，Ｍ
ｇ，Ｉｎ等を用いると良い。また、Ｌｉ等の仕事関数の
小さい材料を含んだ導電性材料１５でも良い。この場
合、ＴＣＮＱ等の有機導電性材料、ポリアセン（ＰＡ
Ｓ）、カーボン等に、Ｌｉ等の金属を０．０１％程度ド
ープ又は混合する。この割合は適宜変更可能であり、任
意に設定可能である。この場合は、ドット電極１６は適
宜選択可能である。また、ＥＬ材料１４も適宜選択可能
なものであり、発光色も任意に選択可能である。
５は、上記実施形態の他、電子輸送性を持つ有機材料と
して、ｔ−ＢＵ−ＰＢＤや、ＯＸＤ−１、ＯＸＤ−７等
を用いることができる。この場合、ドット電極１６に
は、電子を出しやすい、即ち仕事関数の小さいＬｉ，Ｍ
ｇ，Ｉｎ等を用いると良い。また、Ｌｉ等の仕事関数の
小さい材料を含んだ導電性材料１５でも良い。この場
合、ＴＣＮＱ等の有機導電性材料、ポリアセン（ＰＡ
Ｓ）、カーボン等に、Ｌｉ等の金属を０．０１％程度ド
ープ又は混合する。この割合は適宜変更可能であり、任
意に設定可能である。この場合は、ドット電極１６は適
宜選択可能である。また、ＥＬ材料１４も適宜選択可能
なものであり、発光色も任意に選択可能である。
【００１５】
【発明の効果】この発明のＥＬ素子は、一方の電極を一
面に形成し、さらにＥＬ材料の表面に導電性材料を一面
に形成しているので、素子の電極部分の抵抗がきわめて
小さく、電極の位置による発光輝度のむらがないもので
ある。しかも、発光効率が良いことから、輝度が高く発
熱も少なく、素子の寿命も長いものである。また、ＥＬ
材料が導電性材料で覆われ、外部からの汚染や熱による
影響がなく、さらに寿命を延ばすことができる。
面に形成し、さらにＥＬ材料の表面に導電性材料を一面
に形成しているので、素子の電極部分の抵抗がきわめて
小さく、電極の位置による発光輝度のむらがないもので
ある。しかも、発光効率が良いことから、輝度が高く発
熱も少なく、素子の寿命も長いものである。また、ＥＬ
材料が導電性材料で覆われ、外部からの汚染や熱による
影響がなく、さらに寿命を延ばすことができる。
【００１６】またこの発明のＥＬ素子の製造方法は、製
造工程を真空薄膜形成工程のみによりドット電極まで形
成することができ、エッチング時等の不純物による汚染
を阻止することができ、素子の品質を向上させ、寿命も
延ばすことができる。
造工程を真空薄膜形成工程のみによりドット電極まで形
成することができ、エッチング時等の不純物による汚染
を阻止することができ、素子の品質を向上させ、寿命も
延ばすことができる。
【図１】この発明の一実施形態のＥＬ素子の断面図であ
る。
る。
【図２】この発明の一実施形態のＥＬ素子の平面図であ
る。
る。
１０ 基板 １２ 電極 １４ ＥＬ材料 １５ 導電性材料
Claims (6)
- 【請求項１】 ガラス等の透明基板上に透明な電極が一
面に形成され、その透明電極の表面にＥＬ材料が一面に
積層され、さら上記ＥＬ材料の表面に導電性材料を一面
に形成し、その表面に所定のドット状の電極が独立に形
成されたＥＬ素子。 - 【請求項２】 上記ＥＬ材料は、有機ＥＬ材料である請
求項１記載のＥＬ素子。 - 【請求項３】 上記導電性材料は、仕事関数の低い金属
を含有した有機導電性材料である請求項１又は２記載の
ＥＬ素子。 - 【請求項４】 上記導電性材料は上記ＥＬ材料を気密状
態で覆っている請求項１又は２記載のＥＬ素子。 - 【請求項５】 上記導電性材料は黒色又は暗色である請
求項１又は２記載のＥＬ素子。 - 【請求項６】 ガラス基板上に透明な電極を真空中での
薄膜形成技術により一面に形成し、その透明電極表面に
ＥＬ材料を設け、さらにＥＬ材料の表面に導電性材料を
真空中での薄膜形成技術により形成し、さら上記導電性
材料の表面に所定のドット状の独立した電極を、真空中
での薄膜形成技術により形成するＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8195647A JPH1022076A (ja) | 1996-07-05 | 1996-07-05 | Ｅｌ素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8195647A JPH1022076A (ja) | 1996-07-05 | 1996-07-05 | Ｅｌ素子とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1022076A true JPH1022076A (ja) | 1998-01-23 |
Family
ID=16344659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8195647A Pending JPH1022076A (ja) | 1996-07-05 | 1996-07-05 | Ｅｌ素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1022076A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111146362A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-05-12 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
-
1996
- 1996-07-05 JP JP8195647A patent/JPH1022076A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111146362A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-05-12 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN111146362B (zh) * | 2019-12-31 | 2022-12-23 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3561549B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP3428152B2 (ja) | 有機ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPH11214157A (ja) | 多色発光有機ｅｌパネルおよびその製造方法 | |
| JP2011513915A (ja) | 短絡低減層を備えるｏｌｅｄデバイス | |
| JP2000231994A (ja) | 有機薄膜ｅｌパネルとその製造方法 | |
| JPH0414794A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| JP2000268980A (ja) | 有機電界発光素子 | |
| KR20040034417A (ko) | 유기 전계발광 소자, 이 유기 전계발광 소자의 제조 방법,및 유기 전계발광 표시 장치 | |
| JPH10208883A (ja) | 発光装置とその製造方法 | |
| JP2001155862A (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
| JP2845233B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
| CN1674735B (zh) | 具有低阻引线的电致发光器件 | |
| JPH09306668A (ja) | Ｅｌ素子とその製造方法 | |
| JP3775048B2 (ja) | 有機発光素子 | |
| JP4310843B2 (ja) | 有機電界発光素子の製造方法 | |
| CN100452935C (zh) | 有机电致发光光源 | |
| JP2000012237A (ja) | 有機電界発光表示素子の製造方法 | |
| US20060220535A1 (en) | Organic electroluminescent element and display device | |
| JP2000188184A (ja) | 有機薄膜ｅｌ素子とその製造方法 | |
| JPH11195492A (ja) | 有機ｅｌ素子とその製造方法 | |
| JPH1039792A (ja) | Ｅｌ素子とその製造方法 | |
| JPH1022076A (ja) | Ｅｌ素子とその製造方法 | |
| CN1322600C (zh) | 光学元件及其制造方法 | |
| JPH10255982A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JP3684614B2 (ja) | 有機薄膜発光素子およびその製造方法 |