JPH10222843A - 情報記録媒体の欠陥測定データ記録装置及びその記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 情報記録媒体において欠陥が発生した領域の
欠陥データのみを記録することにより、測定スピードを
上げることができる情報記録媒体の欠陥測定データ記録
装置を提供すること。 【解決手段】 受発光素子４が、情報記録媒体Ｄに測定
用の光Ｌを照射してその情報記録媒体Ｄからの反射光Ｒ
Ｌを受光し、反射光ＲＬに基づいて受発光素子４から得
られる反射信号Ｓ１を２値化し、情報記録媒体Ｄに設定
されているアドレス信号の成分を、２値化された反射信
号Ｓ３から除去して、情報記録媒体Ｄの欠陥信号Ｓ４を
得て、情報記録媒体Ｄの欠陥信号Ｓ４の数をカウントし
て、情報記録媒体Ｄの欠陥信号Ｓ４が情報記録媒体Ｄの
領域に有る場合には、情報記録媒体Ｄのその領域におけ
る欠陥信号Ｓ４の数をメモリ１６に書き込む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクのよう
な情報記録媒体の欠陥を測定して記録するための情報記
録媒体の欠陥測定データ記録装置及び記録方法に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】ディスク状の情報記録媒体の一種である
光ディスクは、まず第一に光ディスクの基板に生じてい
る欠陥を管理することが重要である。このような欠陥
は、光ディスクの基板を作成する工程において、スタン
パー、成形基板及び成膜基板を作成する各段階で欠陥を
管理している。この種の欠陥を管理するためには、欠陥
の個数、大きさ、欠陥の増加の状態や欠陥の位置を知る
ことが重要であると考えられる。従来、欠陥の個数や欠
陥の増加の状態は、光ディスクの複数のセクター単位又
はトラック単位の欠陥の個数（ドロップアウト個数）
を、図４に示すようなライングラフで表示することで管
理してきた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
ライングラフによる欠陥の個数や欠陥の増加の状態の表
示では、光ディスクの半径方向毎の積算値が表示される
ために、半径方向に分布するような欠陥数のデータ等
は、図４に示すようなライングラフでは判別が困難であ
った。そこで、光ディスク面上において二次元で欠陥の
位置を表示することができる図５に示すようなマップ表
示が考えられた。このマップ表示は、管理者が直観的に
光ディスク上の欠陥の分布（位置）を知ることができる
ので、図４のライングラフのような問題は出ない。

【０００４】ところがこのようなマップ表示を行うため
には、光ディスクの半径情報と光ディスクの角度情報が
必要であり、欠陥の個数と欠陥の大きさとを同時にコン
ピュータへ取り込もうとした場合には、光ディスクの半
径情報と光ディスクの角度情報がそれぞれ２バイト、欠
陥の個数と欠陥の大きさがそれぞれ１バイト、の合計
（６バイト／光ディスクのセクター単位）の情報を取り
込まなくてはならない。このように従来の二次元で欠陥
の位置を表示するマップ表示では、測定器が記録するデ
ータ量が増加する方向にあり、次のような問題点が発生
する。

【０００５】このような従来の欠陥を測定する測定器
は、欠陥データをソフトウェアで取り込んでいるため
に、測定の速さは使用するＣＰＵ（中央演算処理部）の
処理速度に依存する。光ディスクを例えば１８００ｒ．
ｐ．ｍ．で回転させて、１トラックに３０セクター単位
ある場合には、１セクター単位当りの時間長は約１ｍｓ
ｅｃになる。例えば８ビットＣＰＵ（Ｚ８０クラス）を
組み込んだコンピュータを用いる場合には、この時間内
にセクターフラグの検出や欠陥の有無の判定、データの
取り込みを終了させるのが限度である。従って、光ディ
スクがこれ以上の回転数で回転された状態で欠陥を測定
する場合や、更にデータ量が増える場合には、１ランク
上の処理速度が実現できるＣＰＵ（例えば３２ビットの
ＣＰＵ）を使用するか、あるいはハードウェアのみでデ
ータを取り込む必要がある。このようにこれまでと異な
る種類のＣＰＵを使用する場合には、開発環境を変更し
なければならないために、コストアップや開発時間が長
くなる等の問題が発生する。

【０００６】今後、光ディスクのような情報記録媒体上
の欠陥を検査する場合には、高速回転に対応でき、測定
データ量の増加にも対応できるようにしなければならな
いので、長期的には、ＣＰＵを介してデータを取り込む
よりもハードウェアでデータを取り込む方式を実現させ
る方がより柔軟性があり、欠陥の測定器のコストを下げ
ることも可能であることを本発明者は見い出した。そこ
で本発明は上記課題を解消し、情報記録媒体において欠
陥が発生した領域の欠陥データのみを記録することによ
り、測定スピードを上げることができる情報記録媒体の
欠陥測定データ記録装置及びその記録方法を提供するこ
とを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明にあ
っては、情報記録媒体に存在する欠陥に関する測定デー
タを記録する情報記録媒体の欠陥測定データ記録装置に
おいて、情報記録媒体に測定用の光を照射してその情報
記録媒体からの反射光を受光する受発光素子と、反射光
に基づいて受発光素子から得られる反射信号を２値化す
る２値化手段と、情報記録媒体に設定されているアドレ
ス信号の成分を、２値化された反射信号から除去して、
情報記録媒体の欠陥信号を得るアドレス信号除去手段
と、情報記録媒体の欠陥信号の数をカウントするカウン
ト手段と、情報記録媒体の欠陥信号の数を記録するメモ
リと、情報記録媒体の欠陥信号が情報記録媒体の領域に
有る場合だけ、情報記録媒体のその領域における欠陥信
号の数をメモリに書き込む制御を行う制御手段と、を備
える情報記録媒体の欠陥測定データ記録装置により、達
成される。

【０００８】上記目的は、本発明にあっては、情報記録
媒体に存在する欠陥に関する測定データを記録する情報
記録媒体の欠陥測定データ記録方法において、受発光素
子が、情報記録媒体に測定用の光を照射してその情報記
録媒体からの反射光を受光し、反射光に基づいて受発光
素子から得られる反射信号を２値化し、情報記録媒体に
設定されているアドレス信号の成分を、２値化された反
射信号から除去して、情報記録媒体の欠陥信号を得て、
情報記録媒体の欠陥信号の数をカウントして、情報記録
媒体の欠陥信号が情報記録媒体の領域に有る場合には、
情報記録媒体のその領域における欠陥信号の数をメモリ
に書き込む制御を行う情報記録媒体の欠陥測定データ記
録方法により、達成される。

【０００９】以上の本発明では、受発光素子が、情報記
録媒体に測定用の光を照射してその情報記録媒体からの
反射光を受光し、２値化手段が反射光に基づいて受発光
素子から得られる反射信号を２値化する。アドレス信号
除去手段が、情報記録媒体に設定されているアドレス信
号の成分を、２値化された反射信号から除去して、これ
により情報記録媒体の欠陥信号を得る。カウント手段は
情報記録媒体の欠陥信号の数をカウントする。そして制
御手段は、情報記録媒体の欠陥信号が情報記録媒体の領
域に有る場合にだけ、その領域における欠陥信号の数を
メモリに対して書き込むようになっている。これによ
り、欠陥が発生した情報記録媒体の領域の欠陥データの
みを記録できるので、コンピュータの中央演算処理部を
介さずにハードウェア的に単独で欠陥測定データの記録
が行え、測定スピードが向上する

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述
べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、
技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明
の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨
の記載がない限り、これらの形態に限られるものではな
い。

【００１１】図１は、本発明の情報記録媒体の欠陥測定
データ記録装置の好ましい実施の形態を示している。図
１の装置は、情報記録媒体の内の光ディスク、例えばコ
ンパクトディスク（ＣＤ）に発生している欠陥を検出し
てその欠陥測定データを記録する装置である。光ディス
クＤは、クランパ部１により着脱可能にクランプされ
て、モータ２の作動により、Ｒ方向に連続回転できるよ
うになっている。この時の光ディスクＤの回転数は、例
えば３６００ｒ．ｐ．ｍ．である。

【００１２】光ディスクＤの情報記録面３側に発生して
いる欠陥を測定するために、受発光素子４が、光ディス
クＤの情報記録面３に対面して配置されている。この受
発光素子４は、駆動手段５の駆動により、光ディスクＤ
の半径方向であるＥ方向に沿って直線的に移動可能にな
っている。受発光素子４は、発光部６と受光部７を有し
ており、発光部６は例えばレーザダイオードである。発
光部６の発光する測定用の光Ｌは、光ディスクＤの情報
記録面３側で反射して、反射光ＲＬとなり、受光部７で
受光できるようになっている。受発光素子４の受光部７
は、光ディスクＤの情報記録面３に形成されている欠陥
の有無に応じて、異なるレベルの反射信号Ｓ１を出力す
る。例えば、発光部６の測定用の光Ｌが光ディスクＤの
情報記録面３の欠陥に照射されると、受光部７で受ける
反射光（戻り光）ＲＬの受光量が減少する。これに対し
て、測定用の光Ｌが情報記録面３の欠陥に当たらない場
合には、受光部７における反射光ＲＬの光量は増加す
る。従って、反射信号Ｓ１は、情報記録面３の欠陥を検
出した場合にはそのレベルが下がり、欠陥を検出しない
場合には反射信号Ｓ１のレベルが上がる。

【００１３】この受発光素子４は、通常用いられている
光学ピックアップを用いることができ、反射信号Ｓ１
は、ＲＦ信号と呼ばれている。受発光素子４の受光部７
は、２値化手段である２値化回路１０とアドレス信号除
去手段１１に接続されている。２値化回路１０が反射信
号Ｓ１を受けて、２値化信号Ｓ３を出力する。２値化信
号Ｓ３は図３（Ａ）に示しており、２値化信号Ｓ３は、
２値化ＲＦ信号とも呼ばれており、アドレス信号ＡＳと
欠陥信号Ｓ４を含んでいる。アドレス信号ＡＳは、光デ
ィスクＤの情報記録面３に予め記録されている情報記録
面３のアドレスを示す信号である。従ってこれらのアド
レス信号ＡＳは所定の周期Ｔ（Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４
…）で繰り返して出力される。これに対して、図３
（Ａ）の欠陥信号Ｓ４は、欠陥があった時にその領域を
表す隣接するアドレス信号ＡＳ，ＡＳの間において出力
されるもので、情報記録面３の欠陥を受発光素子４の受
光部７で検出すると、図１の２値化回路１０が出力す
る。

【００１４】次に、図１のアドレス信号除去手段１１に
ついて説明する。アドレス信号除去手段１１は、２値化
回路１０が出力する図３（Ａ）の２値化信号Ｓ３から、
アドレス信号Ｓを除去するための回路である。このアド
レス信号除去手段１１は、アドレスマスク発生回路１２
とアンド回路１３を有している。アドレスマスク発生回
路１２の出力側がアンド回路１３の入力側に接続され、
２値化回路１０の出力側がアンド回路１３の入力側に接
続されている。アドレスマスク発生回路１２は、アドレ
スマスク信号Ｓ２を出力する。このアドレスマスク信号
Ｓ２は、図３（Ｂ）に示しており、アドレスマスク信号
Ｓ２は、図３（Ａ）のアドレス信号ＡＳをマスク（覆
う）ための信号である。従って、アドレスマスク信号Ｓ
２の幅Ｗ１は、アドレス信号の幅Ｗ２よりも大きく設定
されている。アンド回路１３は、図３（Ａ）のアドレス
信号ＡＳと図３（Ｂ）のアドレスマスク信号Ｓ２の論理
積を取り、この結果、アンド回路１３は２値化された欠
陥信号Ｓ４だけを出力する。この得られた２値化された
欠陥信号Ｓ４は図３（Ｃ）に示しており、欠陥信号Ｓ４
のみが出力されることになる。図１のアンド回路１３か
ら出力される図３（Ｃ）の欠陥信号Ｓ４は、図１のカウ
ント手段であるカウンタ１５によりカウントされて、カ
ウント信号Ｓ５ａとしてメモリとしての半導体メモリ１
６に送られるようになっている。

【００１５】次に、制御手段としてのメモリライト信号
制御回路２０について説明する。メモリライト信号制御
回路２０は、欠陥判定回路２１を有しており、図２に示
すような構成を採用することができる。このメモリライ
ト信号制御回路２０は、論理微分回路３０、Ｄ−フリッ
プフロップ３１、アンド回路３２、反転回路３３を有し
ている。論理微分回路３０は、アンド回路１３の一方の
入力側から、アドレスマスク信号Ｓ２を入力するように
なっている。これにより、論理微分回路３０は、アドレ
スマスク論理微分出力Ｓ５を図３（Ｄ）のように出力す
る。つまりアドレスマスク論理微分出力Ｓ５は、アドレ
スマスク信号Ｓ２の立ち上がり部分に対応して出力す
る。このアドレスマスク論理微分出力Ｓ５は、アンド回
路３２の入力側に反転して入る。

【００１６】一方、アンド回路１３の２値化された欠陥
信号Ｓ４は、Ｄ−フリップフロップ３１に送られる。こ
のＤ−フリップフロップ３１は、欠陥信号Ｓ４が出力さ
れた場合、すなわち図１の光ディスクＤの情報記録面３
に欠陥が１個以上有った場合には、プリセットされて、
図３（Ｅ）のＤ−フリップフロップ３１の出力ＱバーＳ
８がロー（ＬＯＷ）になる。この場合に、アンド回路３
２においては、アドレスマスク論理微分出力Ｓ５の反転
したものと、Ｄ−フリップフロップ３１の出力Ｑバーの
反転したものとの論理積を取った信号がメモリライト信
号Ｓ６となる。このメモリライト信号Ｓ６は、図３
（Ｆ）に示すように、アドレスマスク論理微分出力Ｓ５
の立ち下がり部分に対応して立ち上がる信号であり、図
１と図２に示すようにメモリライト信号Ｓ６は半導体メ
モリ１６に対してメモリライトの指令制御（メモリ 込
み信号）用に送られる。

【００１７】これに対して、図１の光ディスクＤの情報
記録面３において欠陥が０である場合には、図２のＤ−
フリップフロップ３１の出力Ｑバーはハイ（ＨＩＧＨ）
のままなので、ナンド回路３２からはメモリライト信号
Ｓ６は出力されない。更にナンド回路３２の出力である
メモリライト信号Ｓ６は、反転回路３３により反転され
て図３（Ｇ）に示すようなクリア信号Ｓ７が作られる。
このクリア信号Ｓ７は、図２のカウンタ１５とＤ−フリ
ップフロップ３１にそれぞれクリア信号として入力され
るので、メモリライト信号Ｓ６が出力されたと同時に、
クリア信号Ｓ７がカウンタ１５とＤ−フリップフロップ
３１を自動的に初期設定することができる。これによ
り、光ディスクＤの次のセクター単位における欠陥の有
無の測定の準備を行うようになっている。

【００１８】ところで、図１の半導体メモリ１６で記録
された光ディスクＤの欠陥信号Ｓ４の数等の欠陥測定デ
ータは、測定終了後に図１のコンピュータ５０に転送し
て、マップ表示等の表示を行う。図１のコンピュータ５
０の表示装置５１には、光ディスクＤのマップが表示さ
れており、この光ディスクＤの欠陥が、測定者により一
目で分かるように表示できる。

【００１９】次に、図１〜図３を参照して、上述した欠
陥測定データ記録装置による欠陥測定データ記録方法に
ついて説明する。まず図１のモータ２を駆動すると、光
ディスクＤは、例えば３６００ｒ．ｐ．ｍ．の回転数で
Ｒ方向に連続回転される。この場合に光ディスクＤは、
クランパ部１によりしっかりと固定されている。

【００２０】次に、図１の駆動手段５が受発光素子４を
Ｅ方向に、例えば内周側から外周側に向けて移動するこ
とにより、光ディスクＤの情報記録面３の全体に渡って
順次発光部６の測定用の光Ｌを照射していく。従って、
受発光素子４の受光部７は、情報記録面３の欠陥を含む
状態の信号として反射光ＲＬを受光する。この受光の結
果、受光部７は反射信号（ＲＦ信号）Ｓ１を２値化回路
１０とアドレス信号除去手段１１のアドレスマスク発生
回路１２に対して与える。

【００２１】２値化回路１０は、図３（Ａ）に示すよう
に予め光ディスクＤの情報記録面３に設定されているア
ドレス信号ＡＳと欠陥がある場合の欠陥信号Ｓ４とを含
む２値化信号Ｓ３をアンド回路１３に出力する。一方、
アドレスマスク発生回路１２は、図３（Ｂ）のアドレス
マスク信号Ｓ２をアンド回路１３の入力側に付与する。
これによって、アンド回路１３は、図３（Ｃ）に示すよ
うに欠陥信号Ｓ４をカウンタ１５と制御手段としてのメ
モリライト信号制御回路２０側に送る。メモリライト信
号制御回路２０の欠陥判定回路２１は、この欠陥信号Ｓ
４に基づいて、欠陥の有無の判定を行う。この欠陥判定
回路２１は、図２のＤ−フリップフロップ３１に相当し
ており、欠陥の有無の判定を行う。

【００２２】図１のメモリライト信号制御回路２０は、
図２の各要素により、アドレスマスク論理微分出力Ｓ
５、Ｄ−フリップフロップの出力ＱバーＳ８、メモリラ
イト信号Ｓ６及びクリア信号Ｓ７をそれぞれ出力する。
すなわち、アンド回路１３から出力される欠陥信号Ｓ４
がＤ−フリップフロップ３１に入力された場合には、す
なわち図１の光ディスクＤの情報記録面３において欠陥
が１個以上有った場合には、Ｄ−フリップフロップ３１
がＤ−フリップフロップ出力ＱバーＳ８をアンド回路３
２に出力する。

【００２３】一方、論理微分回路３０はアドレスマスク
信号Ｓ２を微分して、図３（Ｄ）のアドレスマスク論理
微分出力Ｓ５をナンド回路３２に与える。これによって
ナンド回路３２は、図１の情報記録面３に欠陥が１個以
上有った場合においてはメモリライト信号Ｓ６を半導体
メモリ１６に付与する。これによって、図１の半導体メ
モリ１６は、このメモリライト信号Ｓ６の指令に基づい
て、既にカウンタ１５でカウントした図３（Ａ）の期間
Ｔ１における欠陥信号Ｓ４の数を記録する。

【００２４】このように、図３（Ａ）の期間Ｔ１におい
て隣接するアドレス信号ＡＳ間において欠陥信号Ｓ４が
ある場合には、後側のアドレス信号ＡＳの発生後に、半
導体メモリ１６に対してメモリライト信号Ｓ６を与える
ことで、カウンタ１５にカウント済みの期間Ｔ１（所定
のセクター単位）における欠陥信号Ｓ４の数を記録する
ことができる。そして、図２の反転回路３３が図３の
（Ｆ）のメモリライト信号Ｓ６に応じて図３（Ｇ）のク
リア信号Ｓ７をカウンタ１５及びＤ−フリップフロップ
３１に与えるので、これらカウンタ１５とＤ−フリップ
フロップ３１はクリア（初期化）される。

【００２５】次に、図３（Ａ）の期間Ｔ２のように、隣
接するアドレスＡＳ，ＡＳの間に欠陥信号Ｓ４が生じな
い場合、すなわち該当するセクター単位において欠陥が
０である場合について説明する。この場合には、図３
（Ｃ）のように欠陥信号Ｓ４が期間Ｔ２においては、出
力されないので、図２のＤ−フリップフロップ３１の出
力Ｑバーはハイ（ＨＩＧＨ）のままなので、ナンド回路
３２からはメモリライト信号Ｓ６は出力されない。これ
により、半導体メモリ１６は期間Ｔ２におけるセクター
単位ではデータを記録しない。

【００２６】以上のような要領で、図３（Ａ）の期間Ｔ
３，Ｔ４の順で欠陥信号Ｓ４の有無に基づいて、図１の
情報記録面３における各セクターでの欠陥があるかどう
かの記録を半導体メモリ１６に行っていることで、光デ
ィスクＤの情報記録面３の全体における欠陥の測定デー
タを得ることができる。半導体メモリ１６に記録されて
いる上述した情報記録面３の全体の欠陥測定データは、
図１のコンピュータ５０に対して転送して、コンピュー
タ５０の表示装置５１において光ディスクＤのマップ表
示を行うことができる。マップ表示Ｍにおいては、各セ
クター単位ＳＣにおける欠陥５３の分布が表示できる。

【００２７】以上のように本発明の実施の形態では、光
ディスクの情報記録面における欠陥測定データを半導体
メモリ１６に書き込む回路に対して、特に制御手段であ
るメモリライト信号制御回路２０を付加させることによ
り、欠陥が０個の光ディスクの情報記録面におけるセク
ター単位のデータを記録するのを除外し、欠陥があるセ
クター単位の欠陥測定データのみを半導体メモリ１６に
対して記録することができる。従って、コンピュータの
ＣＰＵを介することなしに、本発明の情報記録媒体の欠
陥測定データ記録装置はハードウェアのみで情報記録媒
体の欠陥の測定データを記録することができる。従っ
て、ハードウェアのみで本発明の欠陥測定データ記録装
置が構成できるので、測定スピードを上げるための変更
が容易である。すなわち、記録スピードを上げる場合、
ハードウェアのみで測定器が構成されていれば、使用す
るＩＣ（集積回路）の動作速度やメモリのアクセス速度
が早い物を使用する事で実現でき、動作速度と言う数値
による検討が可能であり、回路上も基本的には変更する
必要は生じない。一方、ＣＰＵを介してデータを取り込
む場合は、正確な動作速度を検討する事が困難であり、
ＣＰＵの処置限度を超えた場合、それ以上の速度を実現
するためにはＣＰＵを変換するしかなく、取り込みのタ
イミングの再検討やプログラムの変更等が生じる可能性
が高い。

【００２８】本発明の実施の形態の欠陥測定データ記録
装置を用いることにより、例えば情報記録媒体である光
ディスクの回転数を１８００ｒ．ｐ．ｍ．から３６００
ｒ．ｐ．ｍ．に例えば上げた場合であっても、処理速度
を上げるために測定回路や測定プログラムを変更する必
要がないので、低コスト化が図れる。光ディスクの欠陥
測定データをメモリに記録する時に、ハードウェアによ
って欠陥の有無を判定し、欠陥が発生したセクターの欠
陥測定データのみを記録することができるので、コンピ
ュータを介さずに単独で欠陥測定データを記録でき、測
定スピードを向上することができる。

【００２９】本発明の欠陥測定データ記録装置は、光デ
ィスクの欠陥検査装置に用いることができるが、検出さ
れた欠陥を半導体メモリに書き込む際に、欠陥信号の有
無を自動的に判別し、半導体メモリにデータを書き込む
ための信号を自動的にオン／オフすることができる。

【００３０】ところで本発明は上記実施の形態に限定さ
れない。上述した実施の形態では、情報記録媒体として
光ディスク、例えばコンパクトディスクを例に挙げてい
るが、これに限らず他の種類の情報記録媒体、例えば光
磁気ディスクや磁気ディスク等に対しても本発明の欠陥
測定データ記録装置を適用することができる。又本発明
の欠陥測定データ記録装置のメモリは、半導体メモリに
限らず他の種類のメモリを採用することも可能である。

【００３１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
情報記録媒体において欠陥が発生した領域の欠陥データ
のみを記録することにより、測定スピードを上げること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の情報記録媒体の欠陥測定データ記録装
置の構成を示す図。

【図２】図１の制御手段としてのメモリライト信号制御
回路等の構成例を示す図。

【図３】図１及び図２の装置における信号のフロー図。

【図４】通常用いられているライン表示式で欠陥数を示
す図。

【図５】通常用いられているマップ表示で欠陥の数と分
布を表示する例を示す図。

【符号の説明】

３・・・光ディスクの情報記録面、４・・・受発光素
子、１０・・・２値化回路（２値化手段）、１１・・・
アドレス信号除去手段、１５・・・カウンタ（カウント
手段）、１６・・・半導体メモリ（メモリ）、２０・・
・メモリライト信号制御回路（制御手段）、Ｄ・・・光
ディスク（情報記録媒体）、Ｓ１・・・反射信号（ＲＦ
信号）、Ｓ２・・・アドレスマスク信号、Ｓ３・・・２
値化信号、Ｓ４・・・欠陥信号、Ｓ５・・・カウント信
号、Ｓ６・・・メモリライト信号、Ｓ７・・・クリア信
号、Ｓ８・・・Ｄ−フリップフロップ出力Ｑバー

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 情報記録媒体に存在する欠陥に関する測
   定データを記録する情報記録媒体の欠陥測定データ記録
   装置において、 情報記録媒体に測定用の光を照射してその情報記録媒体
   からの反射光を受光する受発光素子と、 反射光に基づいて受発光素子から得られる反射信号を２
   値化する２値化手段と、 情報記録媒体に設定されているアドレス信号の成分を、
   ２値化された反射信号から除去して、情報記録媒体の欠
   陥信号を得るアドレス信号除去手段と、 情報記録媒体の欠陥信号の数をカウントするカウント手
   段と、 情報記録媒体の欠陥信号の数を記録するメモリと、 情報記録媒体の欠陥信号が情報記録媒体の領域に有る場
   合だけ、情報記録媒体のその領域における欠陥信号の数
   をメモリに書き込む制御を行う制御手段と、を備えるこ
   とを特徴とする情報記録媒体の欠陥測定データ記録装
   置。
2. 【請求項２】 情報記録媒体は光ディスクであり、メモ
   リは半導体メモリである請求項１に記載の情報記録媒体
   の欠陥測定データ記録装置。
3. 【請求項３】 アドレス信号除去手段は、情報記録媒体
   に設定されているアドレス信号に基づいてアドレスマス
   ク信号を発生し、アドレス信号除去手段は、２値化した
   反射信号とアドレスマスク信号の論理積を取ることによ
   り、アドレス信号の成分を２値化された反射信号から除
   去する請求項１に記載の情報記録媒体の欠陥測定データ
   記録装置。
4. 【請求項４】 情報記録媒体に存在する欠陥に関する測
   定データを記録する情報記録媒体の欠陥測定データ記録
   方法において、 受発光素子が、情報記録媒体に測定用の光を照射してそ
   の情報記録媒体からの反射光を受光し、 反射光に基づいて受発光素子から得られる反射信号を２
   値化し、 情報記録媒体に設定されているアドレス信号の成分を、
   ２値化された反射信号から除去して、情報記録媒体の欠
   陥信号を得て、 情報記録媒体の欠陥信号の数をカウントして、情報記録
   媒体の欠陥信号が情報記録媒体の領域に有る場合には、
   情報記録媒体のその領域における欠陥信号の数をメモリ
   に書き込むことを特徴とする情報記録媒体の欠陥測定デ
   ータ記録方法。
5. 【請求項５】 ２値化した反射信号とアドレスマスク信
   号の論理積を取ることにより、アドレス信号の成分を２
   値化された反射信号から除去する請求項４に記載の情報
   記録媒体の欠陥測定データ記録方法。