JPH10223501A - レジストパターンの形成方法および半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
レジストパターンの形成方法および半導体集積回路装置の製造方法Info
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- JPH10223501A JPH10223501A JP9020847A JP2084797A JPH10223501A JP H10223501 A JPH10223501 A JP H10223501A JP 9020847 A JP9020847 A JP 9020847A JP 2084797 A JP2084797 A JP 2084797A JP H10223501 A JPH10223501 A JP H10223501A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 化学増幅型反応レジストを用いて高精度なレ
ジストパターンを半導体ウエハ上に形成することのでき
る技術を提供する。 【解決手段】 半導体ウエハ１上に塗布された化学増幅
型反応レジスト２を露光した直後に、半導体ウエハ１を
真空中に放置し、化学増幅型反応レジスト２に含まれる
残留レジスト溶剤９をキャリアとして露光により生じた
触媒４を化学増幅型反応レジスト２の厚さ方向へ拡散さ
せる。次いで、触媒４の横方向の拡散を最小限に抑えた
９０℃以下の低温ベークを半導体ウエハ１に施すことに
よって触媒４を反応させ、化学増幅型反応レジスト２の
解像度を向上させる。
ジストパターンを半導体ウエハ上に形成することのでき
る技術を提供する。 【解決手段】 半導体ウエハ１上に塗布された化学増幅
型反応レジスト２を露光した直後に、半導体ウエハ１を
真空中に放置し、化学増幅型反応レジスト２に含まれる
残留レジスト溶剤９をキャリアとして露光により生じた
触媒４を化学増幅型反応レジスト２の厚さ方向へ拡散さ
せる。次いで、触媒４の横方向の拡散を最小限に抑えた
９０℃以下の低温ベークを半導体ウエハ１に施すことに
よって触媒４を反応させ、化学増幅型反応レジスト２の
解像度を向上させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、露光技術に関し、
特に、半導体ウエハ上に所定のレジストパターンを形成
するフォトリソグラフィ技術に適用して有効な技術に関
するものである。
特に、半導体ウエハ上に所定のレジストパターンを形成
するフォトリソグラフィ技術に適用して有効な技術に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】フォトリソグラフィ工程は、設計からの
レイアウト情報をフォトマスク（またはレチクル）を介
して半導体ウエハ上に塗布されたレジストに転写し、現
像処理を経てレジストパターンを形成する工程であり、
このレジストパターンをマスクとして半導体ウエハ上に
成膜された被エッチング膜は加工される。
レイアウト情報をフォトマスク（またはレチクル）を介
して半導体ウエハ上に塗布されたレジストに転写し、現
像処理を経てレジストパターンを形成する工程であり、
このレジストパターンをマスクとして半導体ウエハ上に
成膜された被エッチング膜は加工される。
【０００３】通常、レジスト材料には、ネガ型レジスト
またはポジ型レジストが用いられるが、高感度、高解像
性および高ドライエッチング耐性を満足する実用的なレ
ジスト材料は乏しい。このため、例えば、多層レジスト
法などのように、付加プロセスを併用することによって
レジストパターンを作成する方法が開発されているが、
スループットの低下や専用設備の投資などの問題を有し
ている。
またはポジ型レジストが用いられるが、高感度、高解像
性および高ドライエッチング耐性を満足する実用的なレ
ジスト材料は乏しい。このため、例えば、多層レジスト
法などのように、付加プロセスを併用することによって
レジストパターンを作成する方法が開発されているが、
スループットの低下や専用設備の投資などの問題を有し
ている。
【０００４】そこで、新しい化学反応を利用したレジス
ト材料の開発が進められており、なかでも触媒反応を利
用した化学増幅系のレジスト材料（以下、化学増幅型反
応レジストと称す）は上記要求性能を満足し、さらに、
単層レジストプロセスの実現が可能であることから、新
しいレジスト材料として有望視されている。
ト材料の開発が進められており、なかでも触媒反応を利
用した化学増幅系のレジスト材料（以下、化学増幅型反
応レジストと称す）は上記要求性能を満足し、さらに、
単層レジストプロセスの実現が可能であることから、新
しいレジスト材料として有望視されている。
【０００５】なお、化学増幅型反応レジストについて
は、例えば、リアライズ社発行「最近技術講座」１９９
３年４月、ｐ８に記載されている。
は、例えば、リアライズ社発行「最近技術講座」１９９
３年４月、ｐ８に記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者は、前記化学増幅型反応レジストを開発するにあた
り、以下の問題点を見いだした。
者は、前記化学増幅型反応レジストを開発するにあた
り、以下の問題点を見いだした。
【０００７】すなわち、従来は、露光によって化学増幅
型反応レジスト中に触媒、例えば酸（Ｈ+ ）を発生させ
てレジストパターンの潜像を形成した後、上記触媒を反
応させるためのベークを半導体ウエハに施している。
型反応レジスト中に触媒、例えば酸（Ｈ+ ）を発生させ
てレジストパターンの潜像を形成した後、上記触媒を反
応させるためのベークを半導体ウエハに施している。
【０００８】ところで、縮小投影露光装置で単一波長を
用いた露光を行うと化学増幅型反応レジスト内に定在波
が生じる。この定在波は、触媒を化学増幅型反応レジス
トの厚さ方向へ拡散することによって緩和することがで
きるので、露光後に触媒を化学増幅型反応レジストの厚
さ方向へ拡散させるための９０℃以上のベークを半導体
ウエハに施す必要がある。このことから、触媒を反応さ
せるために半導体ウエハに施されるベークの温度は９０
〜１１０℃に設定されている。
用いた露光を行うと化学増幅型反応レジスト内に定在波
が生じる。この定在波は、触媒を化学増幅型反応レジス
トの厚さ方向へ拡散することによって緩和することがで
きるので、露光後に触媒を化学増幅型反応レジストの厚
さ方向へ拡散させるための９０℃以上のベークを半導体
ウエハに施す必要がある。このことから、触媒を反応さ
せるために半導体ウエハに施されるベークの温度は９０
〜１１０℃に設定されている。
【０００９】しかし、図５に示すように、触媒４の熱拡
散は等方的であるため、上記ベークを半導体ウエハ１に
施すと化学増幅型反応レジスト２の厚さ方向のみならず
横方向へも触媒４の拡散が進み、露光していない領域に
まで拡散した触媒４によって化学増幅型反応レジスト２
の解像度が劣化してしまう。
散は等方的であるため、上記ベークを半導体ウエハ１に
施すと化学増幅型反応レジスト２の厚さ方向のみならず
横方向へも触媒４の拡散が進み、露光していない領域に
まで拡散した触媒４によって化学増幅型反応レジスト２
の解像度が劣化してしまう。
【００１０】本発明の目的は、化学増幅型反応レジスト
を用いて高精度なレジストパターンを半導体ウエハ上に
形成することができる技術を提供することにある。
を用いて高精度なレジストパターンを半導体ウエハ上に
形成することができる技術を提供することにある。
【００１１】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
【００１３】すなわち、本発明のレジストパターンの形
成方法は、半導体ウエハ上の被エッチング膜の表面に化
学増幅型反応レジストを塗布した後、フォトマスクを介
して放射線を化学増幅型反応レジストに照射することに
よって触媒を発生させてレジストパターンの潜像を形成
し、次いで、半導体ウエハを真空中に放置することによ
って化学増幅型反応レジスト中の残留レジスト溶剤を揮
発させると共に触媒を化学増幅型反応レジストの厚さ方
向に異方的に拡散させる。続いて、半導体ウエハに低温
ベークを施して化学増幅型反応レジスト中の触媒を反応
させた後、半導体ウエハに現像処理を施すものである。
成方法は、半導体ウエハ上の被エッチング膜の表面に化
学増幅型反応レジストを塗布した後、フォトマスクを介
して放射線を化学増幅型反応レジストに照射することに
よって触媒を発生させてレジストパターンの潜像を形成
し、次いで、半導体ウエハを真空中に放置することによ
って化学増幅型反応レジスト中の残留レジスト溶剤を揮
発させると共に触媒を化学増幅型反応レジストの厚さ方
向に異方的に拡散させる。続いて、半導体ウエハに低温
ベークを施して化学増幅型反応レジスト中の触媒を反応
させた後、半導体ウエハに現像処理を施すものである。
【００１４】上記した手段によれば、半導体ウエハを真
空中に放置することによって、残留レジスト溶剤をキャ
リアとして触媒を化学増幅型反応レジストの厚さ方向へ
異方的に拡散させることができるので、その後、触媒を
反応させるために半導体ウエハに施されるベークを触媒
の等方的な熱拡散を最小限に抑えることのできる低い温
度で行うことができる。従って、触媒の横方向への拡散
を抑制し、高解像度の化学増幅型反応レジストを得るこ
とが可能となる。
空中に放置することによって、残留レジスト溶剤をキャ
リアとして触媒を化学増幅型反応レジストの厚さ方向へ
異方的に拡散させることができるので、その後、触媒を
反応させるために半導体ウエハに施されるベークを触媒
の等方的な熱拡散を最小限に抑えることのできる低い温
度で行うことができる。従って、触媒の横方向への拡散
を抑制し、高解像度の化学増幅型反応レジストを得るこ
とが可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。
に基づいて詳細に説明する。
【００１６】なお、実施の形態を説明するための全図に
おいて同一機能を有するものは同一の符号を付し、その
繰り返しの説明は省略する。
おいて同一機能を有するものは同一の符号を付し、その
繰り返しの説明は省略する。
【００１７】本発明の一実施の形態であるレジストパタ
ーンの形成方法を図１に示す工程１００〜工程１１０お
よび図２に示す半導体基板の要部断面図を用いて説明す
る。
ーンの形成方法を図１に示す工程１００〜工程１１０お
よび図２に示す半導体基板の要部断面図を用いて説明す
る。
【００１８】初めに、半導体ウエハ１の表面または裏面
の異物を除去し、現像処理後のレジストパターンの半導
体ウエハ１への接着性を増強させるためのレジスト塗布
前処理を行う（工程１００）。
の異物を除去し、現像処理後のレジストパターンの半導
体ウエハ１への接着性を増強させるためのレジスト塗布
前処理を行う（工程１００）。
【００１９】次に、塗布前処理の終わった半導体ウエハ
１上に、回転塗布（Spin Coating）法によって、化学増
幅型反応レジスト２を均一に塗布する（工程１０１）。
この方法は、半導体ウエハ１をスピンチャック上に置
き、化学増幅型反応レジスト２を遠心力で飛散させて半
導体ウエハ１の表面に化学増幅型反応レジスト２を形成
する方法であり、化学増幅型反応レジスト２中のレジス
ト溶剤を多くするために、２０００ｒｐｍ以下の低速回
転により５〜１５ｍｐａ・ｓの低粘度の化学増幅型反応
レジスト２が半導体ウエハ１上に塗布される。
１上に、回転塗布（Spin Coating）法によって、化学増
幅型反応レジスト２を均一に塗布する（工程１０１）。
この方法は、半導体ウエハ１をスピンチャック上に置
き、化学増幅型反応レジスト２を遠心力で飛散させて半
導体ウエハ１の表面に化学増幅型反応レジスト２を形成
する方法であり、化学増幅型反応レジスト２中のレジス
ト溶剤を多くするために、２０００ｒｐｍ以下の低速回
転により５〜１５ｍｐａ・ｓの低粘度の化学増幅型反応
レジスト２が半導体ウエハ１上に塗布される。
【００２０】次に、塗布直後の化学増幅型反応レジスト
２に多く含まれているレジスト溶剤を揮発させて露光時
の光化学反応を安定させるために、例えば、ホットプレ
ートを用い、半導体ウエハ１にプリベークを施す（工程
１０２）。なお、プリベークを施しても約１０％のレジ
スト溶剤が化学増幅型反応レジスト２中に残留する。
２に多く含まれているレジスト溶剤を揮発させて露光時
の光化学反応を安定させるために、例えば、ホットプレ
ートを用い、半導体ウエハ１にプリベークを施す（工程
１０２）。なお、プリベークを施しても約１０％のレジ
スト溶剤が化学増幅型反応レジスト２中に残留する。
【００２１】次に、図２（ａ）に示すように、半導体ウ
エハ１を所定のフォトマスク３と共に縮小投影露光装置
にセットした後、正確な位置合わせを行い、次いで、放
射線、例えば紫外線、電子線またはレーザー光線を一定
時間照射してマスクパターンを焼き付けることによって
化学増幅型反応レジスト２を露光し（工程１０３）、化
学増幅型反応レジスト２の露光された領域に触媒４、例
えば酸（Ｈ+ ）を発生させる。
エハ１を所定のフォトマスク３と共に縮小投影露光装置
にセットした後、正確な位置合わせを行い、次いで、放
射線、例えば紫外線、電子線またはレーザー光線を一定
時間照射してマスクパターンを焼き付けることによって
化学増幅型反応レジスト２を露光し（工程１０３）、化
学増幅型反応レジスト２の露光された領域に触媒４、例
えば酸（Ｈ+ ）を発生させる。
【００２２】次に、露光後直ちに、図３（ａ）に示す真
空装置５のチャンバ６内のステージ７上へ半導体ウエハ
１を移し、真空ポンプ８で排気され真空に維持されるチ
ャンバ６内に半導体ウエハ１を放置することによって、
化学増幅型反応レジスト２に含まれる残留レジスト溶剤
９をすべて揮発させる（工程１０４）。この際、図２
（ｂ）に示すように、化学増幅型反応レジスト２の厚さ
方向へ揮発する残留レジスト溶剤９をキャリアとして、
上記露光により発生した化学増幅型反応レジスト２中の
触媒４を化学増幅型反応レジスト２の厚さ方向へ拡散さ
せることができる。その後、図３（ｂ）に示すベーク装
置１０のステージ１１上へ半導体ウエハ１を移し、ステ
ージ１１に備えられたヒータ１２を加熱することによっ
て、９０℃以下の低温ベークを半導体ウエハ１に施して
化学増幅型反応レジスト２中の触媒を反応させる（工程
１０５）。
空装置５のチャンバ６内のステージ７上へ半導体ウエハ
１を移し、真空ポンプ８で排気され真空に維持されるチ
ャンバ６内に半導体ウエハ１を放置することによって、
化学増幅型反応レジスト２に含まれる残留レジスト溶剤
９をすべて揮発させる（工程１０４）。この際、図２
（ｂ）に示すように、化学増幅型反応レジスト２の厚さ
方向へ揮発する残留レジスト溶剤９をキャリアとして、
上記露光により発生した化学増幅型反応レジスト２中の
触媒４を化学増幅型反応レジスト２の厚さ方向へ拡散さ
せることができる。その後、図３（ｂ）に示すベーク装
置１０のステージ１１上へ半導体ウエハ１を移し、ステ
ージ１１に備えられたヒータ１２を加熱することによっ
て、９０℃以下の低温ベークを半導体ウエハ１に施して
化学増幅型反応レジスト２中の触媒を反応させる（工程
１０５）。
【００２３】次に、現像液を半導体ウエハ１の表面に滴
下させて表面張力を利用して盛り、所定の時間現像処理
を行った後、純水でのリンス、回転乾燥を連続的に行う
（工程１０６）。これによって、半導体ウエハ１上にレ
ジストパターンが形成される。
下させて表面張力を利用して盛り、所定の時間現像処理
を行った後、純水でのリンス、回転乾燥を連続的に行う
（工程１０６）。これによって、半導体ウエハ１上にレ
ジストパターンが形成される。
【００２４】続いて、半導体ウエハ１を１２０℃前後で
ベークして完全に乾燥させると共に、化学増幅型反応レ
ジスト２の半導体ウエハ１への接着性を向上させる（工
程１０７）。
ベークして完全に乾燥させると共に、化学増幅型反応レ
ジスト２の半導体ウエハ１への接着性を向上させる（工
程１０７）。
【００２５】次いで、金属顕微鏡で半導体ウエハ１の外
観を検査し（工程１０８）、さらに、化学増幅型反応レ
ジスト２に形成されたレジストパターンの寸法測定およ
び位置合わせの検査を行う（工程１０９，１１０）。
観を検査し（工程１０８）、さらに、化学増幅型反応レ
ジスト２に形成されたレジストパターンの寸法測定およ
び位置合わせの検査を行う（工程１０９，１１０）。
【００２６】次に、前記形成方法によって半導体ウエハ
１上に設けられたレジストパターンを用いるフォトエッ
チング工程について簡単に説明する。フォトエッチング
工程は、半導体ウエハ上にレジストパターンを形成する
フォトリソグラフィ工程、上記レジストパターンを用い
て被エッチング膜を加工するエッチング工程および上記
レジストパターンを除去するレジスト除去工程に分類さ
れる。
１上に設けられたレジストパターンを用いるフォトエッ
チング工程について簡単に説明する。フォトエッチング
工程は、半導体ウエハ上にレジストパターンを形成する
フォトリソグラフィ工程、上記レジストパターンを用い
て被エッチング膜を加工するエッチング工程および上記
レジストパターンを除去するレジスト除去工程に分類さ
れる。
【００２７】まず、半導体ウエハ１上に被エッチング膜
１３を堆積した後、被エッチング膜１３上にレジストパ
ターンを形成する（フォトリソグラフィ工程）。ここ
で、本発明である前記レジストパターンの形成方法が用
いられる。
１３を堆積した後、被エッチング膜１３上にレジストパ
ターンを形成する（フォトリソグラフィ工程）。ここ
で、本発明である前記レジストパターンの形成方法が用
いられる。
【００２８】次いで、上記レジストパターンをマスクに
して、上記被エッチング膜１３を、例えばドライエッチ
ング法によって加工する（エッチング工程）。
して、上記被エッチング膜１３を、例えばドライエッチ
ング法によって加工する（エッチング工程）。
【００２９】次に、半導体ウエハ１の外観を検査した
後、不要になったレジストパターンを酸化プラズマによ
り灰化（Ashing）するアッシャ処理法によって半導体ウ
エハ１から剥離する。その後、エッチング工程で付着し
たアッシャ処理では除去しきれない半導体ウエハ１の表
面の金属イオンや微小異物を除去するため、洗浄処理を
行う（レジスト除去工程）。
後、不要になったレジストパターンを酸化プラズマによ
り灰化（Ashing）するアッシャ処理法によって半導体ウ
エハ１から剥離する。その後、エッチング工程で付着し
たアッシャ処理では除去しきれない半導体ウエハ１の表
面の金属イオンや微小異物を除去するため、洗浄処理を
行う（レジスト除去工程）。
【００３０】最後に、外観不良の早期発見、また、汚染
した半導体ウエハ１を次工程へ払い出さないために、金
属顕微鏡で半導体ウエハ１の外観を検査して半導体ウエ
ハ１のフォトエッチング工程が完了する。
した半導体ウエハ１を次工程へ払い出さないために、金
属顕微鏡で半導体ウエハ１の外観を検査して半導体ウエ
ハ１のフォトエッチング工程が完了する。
【００３１】このように、本実施の形態によれば、露光
後に半導体ウエハ１を真空中に放置することによって化
学増幅型反応レジスト２中の残留レジスト溶剤９をキャ
リアとして触媒４を化学増幅型反応レジスト２の厚さ方
向へ拡散させた後に、低温ベークを半導体ウエハ１に施
すことによって触媒４を反応させるので、触媒４の横方
向の熱拡散を最小限に抑えることが可能となり、化学増
幅型反応レジスト２の解像度を向上させることができ
る。また、露光後直ちに化学増幅型反応レジスト２中の
残留レジスト溶剤９を揮発させることによって、露光後
の放置時間に依存した触媒４の拡散によるレジスト寸法
の変動を抑制することが可能となる。
後に半導体ウエハ１を真空中に放置することによって化
学増幅型反応レジスト２中の残留レジスト溶剤９をキャ
リアとして触媒４を化学増幅型反応レジスト２の厚さ方
向へ拡散させた後に、低温ベークを半導体ウエハ１に施
すことによって触媒４を反応させるので、触媒４の横方
向の熱拡散を最小限に抑えることが可能となり、化学増
幅型反応レジスト２の解像度を向上させることができ
る。また、露光後直ちに化学増幅型反応レジスト２中の
残留レジスト溶剤９を揮発させることによって、露光後
の放置時間に依存した触媒４の拡散によるレジスト寸法
の変動を抑制することが可能となる。
【００３２】なお、本実施の形態では、露光後に半導体
ウエハ１を真空中に放置し、次いで、半導体ウエハ１に
低温ベークを施すことによって触媒４を反応させたが、
図４に示す真空ベーク装置１４を用いて、露光後直ちに
真空中で半導体ウエハ１に低温ベークを施してもよく、
この場合も同様な効果が得られる。
ウエハ１を真空中に放置し、次いで、半導体ウエハ１に
低温ベークを施すことによって触媒４を反応させたが、
図４に示す真空ベーク装置１４を用いて、露光後直ちに
真空中で半導体ウエハ１に低温ベークを施してもよく、
この場合も同様な効果が得られる。
【００３３】すなわち、露光後直ちに、真空ベーク装置
１４のチャンバ６内のヒータ１２が備わったステージ１
１上に半導体ウエハ１を移し、真空ポンプ８で排気する
ことによって真空に維持されるチャンバ６内で低温ベー
クを施す。この際、触媒４を反応させると同時に、化学
増幅型反応レジスト２中の残留レジスト溶剤９をキャリ
アとして触媒４を化学増幅型反応レジスト２の厚さ方向
へ拡散させるので、触媒４の横方向の熱拡散を最小限に
抑えることが可能となり、化学増幅型反応レジスト２の
解像度を向上させることができる。
１４のチャンバ６内のヒータ１２が備わったステージ１
１上に半導体ウエハ１を移し、真空ポンプ８で排気する
ことによって真空に維持されるチャンバ６内で低温ベー
クを施す。この際、触媒４を反応させると同時に、化学
増幅型反応レジスト２中の残留レジスト溶剤９をキャリ
アとして触媒４を化学増幅型反応レジスト２の厚さ方向
へ拡散させるので、触媒４の横方向の熱拡散を最小限に
抑えることが可能となり、化学増幅型反応レジスト２の
解像度を向上させることができる。
【００３４】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。
【００３５】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００３６】本発明によれば、半導体ウエハ上に形成さ
れる化学増幅型反応レジストの高解像度化が可能となる
ので、高精度なレジストパターンを形成することができ
る。
れる化学増幅型反応レジストの高解像度化が可能となる
ので、高精度なレジストパターンを形成することができ
る。
【図１】本発明の一実施の形態であるレジストパターン
の形成方法を説明する工程図である。
の形成方法を説明する工程図である。
【図２】（ａ）は化学増幅型反応レジスト中における触
媒の生成、（ｂ）はその拡散を説明するための半導体基
板の要部断面図である。
媒の生成、（ｂ）はその拡散を説明するための半導体基
板の要部断面図である。
【図３】（ａ）は真空装置、（ｂ）はベーク装置の模式
図を示す要部断面図である。
図を示す要部断面図である。
【図４】真空ベーク装置の模式図を示す要部断面図であ
る。
る。
【図５】従来の化学増幅型反応レジスト中における触媒
の拡散を説明するための半導体基板の要部断面図であ
る。
の拡散を説明するための半導体基板の要部断面図であ
る。
１ 半導体ウエハ ２ 化学増幅型反応レジスト ３ フォトマスク ４ 触媒 ５ 真空装置 ６ チャンバ ７ ステージ ８ 真空ポンプ ９ 残留レジスト溶剤 １０ ベーク装置 １１ ステージ １２ ヒータ １３ 被エッチング膜 １４ 真空ベーク装置 １５ マスク基板 １６ 遮光部
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体ウエハ上の被エッチング膜の表面
に化学増幅型反応レジストを塗布する工程と、フォトマ
スクを介して放射線を前記化学増幅型反応レジストに照
射することによって触媒を発生させ、レジストパターン
の潜像を前記化学増幅型反応レジストに形成する工程
と、前記化学増幅型反応レジスト中の残留レジスト溶剤
を揮発させると共に前記触媒を前記化学増幅型反応レジ
ストの厚さ方向に異方的に拡散させる工程と、前記化学
増幅型反応レジスト中の前記触媒を反応させる工程と、
前記半導体ウエハに現像処理を施す工程とを有すること
を特徴とするレジストパターンの形成方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のレジストパターンの形成
方法であって、前記半導体ウエハを真空中に放置するこ
とによって、前記化学増幅型反応レジスト中の残留レジ
スト溶剤を揮発させると共に前記触媒を前記化学増幅型
反応レジストの厚さ方向に異方的に拡散させることを特
徴とするレジストパターンの形成方法。 - 【請求項３】 請求項１記載のレジストパターンの形成
方法であって、前記半導体ウエハに低温ベークを施すこ
とによって、前記化学増幅型反応レジスト中の前記触媒
を反応させることを特徴とするレジストパターンの形成
方法。 - 【請求項４】 請求項１記載のレジストパターンの形成
方法であって、前記半導体ウエハに真空中で低温ベーク
を施すことによって、前記化学増幅型反応レジスト中の
残留レジスト溶剤を揮発させると共に前記触媒を前記化
学増幅型反応レジストの厚さ方向に異方的に拡散させ、
同時に前記化学増幅型反応レジスト中の前記触媒を反応
させることを特徴とするレジストパターンの形成方法。 - 【請求項５】 請求項３または４記載のレジストパター
ンの形成方法であって、前記低温ベークの温度は９０℃
以下であることを特徴とするレジストパターンの形成方
法。 - 【請求項６】 請求項１記載のレジストパターンの形成
方法であって、前記化学増幅型反応レジストの初期粘度
は５〜１５ｍｐａ・ｓであり、回転数が２０００ｒｐｍ
以下の回転塗布法によって前記半導体ウエハ上の前記被
エッチング膜の表面に前記化学増幅型反応レジストが塗
布されることを特徴とするレジストパターンの形成方
法。 - 【請求項７】 請求項１記載のレジストパターンの形成
方法であって、前記放射線は紫外線、電子線またはレー
ザー光線であることを特徴とするレジストパターンの形
成方法。 - 【請求項８】 半導体ウエハ上の被エッチング膜の表面
に化学増幅型反応レジストを塗布する工程と、フォトマ
スクを介して放射線を前記化学増幅型反応レジストに照
射することによって触媒を発生させ、レジストパターン
の潜像を前記化学増幅型反応レジストに形成する工程
と、前記化学増幅型反応レジスト中の残留レジスト溶剤
を揮発させると共に前記触媒を前記化学増幅型反応レジ
ストの厚さ方向に異方的に拡散させる工程と、前記化学
増幅型反応レジスト中の前記触媒を反応させる工程と、
前記半導体ウエハに現像処理を施す工程とによって形成
されたレジストパターンをマスクにして、前記半導体ウ
エハ上の前記被エッチング膜を加工することを特徴とす
る半導体集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9020847A JPH10223501A (ja) | 1997-02-03 | 1997-02-03 | レジストパターンの形成方法および半導体集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9020847A JPH10223501A (ja) | 1997-02-03 | 1997-02-03 | レジストパターンの形成方法および半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10223501A true JPH10223501A (ja) | 1998-08-21 |
Family
ID=12038485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9020847A Pending JPH10223501A (ja) | 1997-02-03 | 1997-02-03 | レジストパターンの形成方法および半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10223501A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007101715A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Fujifilm Corp | パターン形成方法及びそれに用いるレジスト組成物 |
-
1997
- 1997-02-03 JP JP9020847A patent/JPH10223501A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007101715A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Fujifilm Corp | パターン形成方法及びそれに用いるレジスト組成物 |
| US7635553B2 (en) | 2005-09-30 | 2009-12-22 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method and resist composition used therefor |
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