JPH10229111A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH10229111A JPH10229111A JP3358497A JP3358497A JPH10229111A JP H10229111 A JPH10229111 A JP H10229111A JP 3358497 A JP3358497 A JP 3358497A JP 3358497 A JP3358497 A JP 3358497A JP H10229111 A JPH10229111 A JP H10229111A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- wafer
- wafer processing
- processing chambers
- semiconductor manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】枚葉式処理の半導体製造装置では、ウエハの大
口径化に伴い、装置が大型化し、高価なクリーンルーム
を占有する面積が大きくなってしまうため、装置のコン
パクト化が望まれている。 【解決手段】複数のウエハ処理室を複数段階に積層して
配置する。その時、個々のウエハ処理室の上部または下
部にメンテナンス用の空間を設ける。
口径化に伴い、装置が大型化し、高価なクリーンルーム
を占有する面積が大きくなってしまうため、装置のコン
パクト化が望まれている。 【解決手段】複数のウエハ処理室を複数段階に積層して
配置する。その時、個々のウエハ処理室の上部または下
部にメンテナンス用の空間を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウエハ等の半導体基板上に薄膜
形成，アニール，微細加工エッチング等の表面加工や表
面の改質などのプロセスを実施する装置として、図５に
示すような各種のモジュールを組み合わせたマルチチャ
ンバ型装置が広く用いられている。この装置はウエハ搬
送ロボット３１を具備するロードロック室３２を中心
に、ゲートバルブ３３を介してウエハカセットロードロ
ック室３４，ウエハカセットアンロードロック室３５及
び各種のウエハ処理室３６が連結されている。半導体ウ
エハ１０は搬送ロボット３１により、ウエハカセットロ
ードロック室３４から出て、一つまたは複数のプロセス
室３６を経由してウエハアンロードロック３５室に搬送
される。この時、各プロセス室内で所望の薄膜形成や表
面加工が実施される。各モジュールの真空排気系やプラ
ズマ等の電源（図示省略）は各チャンバの下部及びまた
は上部に配置されている。この種の装置に関連するもの
として、例えば、特開平5−206063 号公報が挙げられ
る。
形成，アニール，微細加工エッチング等の表面加工や表
面の改質などのプロセスを実施する装置として、図５に
示すような各種のモジュールを組み合わせたマルチチャ
ンバ型装置が広く用いられている。この装置はウエハ搬
送ロボット３１を具備するロードロック室３２を中心
に、ゲートバルブ３３を介してウエハカセットロードロ
ック室３４，ウエハカセットアンロードロック室３５及
び各種のウエハ処理室３６が連結されている。半導体ウ
エハ１０は搬送ロボット３１により、ウエハカセットロ
ードロック室３４から出て、一つまたは複数のプロセス
室３６を経由してウエハアンロードロック３５室に搬送
される。この時、各プロセス室内で所望の薄膜形成や表
面加工が実施される。各モジュールの真空排気系やプラ
ズマ等の電源（図示省略）は各チャンバの下部及びまた
は上部に配置されている。この種の装置に関連するもの
として、例えば、特開平5−206063 号公報が挙げられ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術による半
導体製造装置では、ウエハサイズの大口径化に対応する
ためには、各モジュールのサイズを大きくしなければな
らず、装置全体の平面積（床面積）が大きくなってしま
う。このため、装置を設置するクリーンルームの占有面
積が大きくなってしまい、高価なクリーンルームの利用
効率が低下する。本発明の目的は、コンパクトな占有面
積でかつ装置各部への障害物のないアクセスとメンテナ
ンスが容易な構造の半導体製造装置を提供することにあ
る。
導体製造装置では、ウエハサイズの大口径化に対応する
ためには、各モジュールのサイズを大きくしなければな
らず、装置全体の平面積（床面積）が大きくなってしま
う。このため、装置を設置するクリーンルームの占有面
積が大きくなってしまい、高価なクリーンルームの利用
効率が低下する。本発明の目的は、コンパクトな占有面
積でかつ装置各部への障害物のないアクセスとメンテナ
ンスが容易な構造の半導体製造装置を提供することにあ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は複数のウエハ処理室を積層して配置するこ
とにより、占有面積の低減が達成される。また、個々の
ウエハ処理室の少なくとも上方または下方のいずれか一
方にメンテナンス用空隙を有する様に積層して配置す
る。
め、本発明は複数のウエハ処理室を積層して配置するこ
とにより、占有面積の低減が達成される。また、個々の
ウエハ処理室の少なくとも上方または下方のいずれか一
方にメンテナンス用空隙を有する様に積層して配置す
る。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施例により説明
する。
する。
【０００６】図１は本発明の一実施例のプラズマＣＶＤ
の半導体製造装置の平面図、図２は図１のＡＡ線の断面
図を示す。
の半導体製造装置の平面図、図２は図１のＡＡ線の断面
図を示す。
【０００７】図１で、１２はロードロック室で、その内
部にウエハ搬送ロボット１１を具備し、周囲のゲートバ
ルブ１３を介してウエハカセットロードロック室１４，
ウエハカセットアンロードロック室１５及び各種のウエ
ハ処理室１６が連結されている。いずれもアルミニウム
を主体とする合金製である。ウエハ処理室１６には、真
空排気ポンプ（ターボ分子ポンプ；排気速度２０００リ
ットル／ｓ）ヘ繋がるコンダクタンスバルブおよび遮断
バルブ１７，プラズマ発生用高周波電源のマッチングユ
ニット１８（高周波電源（周波数３８０ｋＨｚ，電力
２.５ｋＷ ）は別に設置し図面では省略）が装備されて
いる。なお本図面上では、ウエハ処理室１６は一つしか
見えないが、四つ積層されている。
部にウエハ搬送ロボット１１を具備し、周囲のゲートバ
ルブ１３を介してウエハカセットロードロック室１４，
ウエハカセットアンロードロック室１５及び各種のウエ
ハ処理室１６が連結されている。いずれもアルミニウム
を主体とする合金製である。ウエハ処理室１６には、真
空排気ポンプ（ターボ分子ポンプ；排気速度２０００リ
ットル／ｓ）ヘ繋がるコンダクタンスバルブおよび遮断
バルブ１７，プラズマ発生用高周波電源のマッチングユ
ニット１８（高周波電源（周波数３８０ｋＨｚ，電力
２.５ｋＷ ）は別に設置し図面では省略）が装備されて
いる。なお本図面上では、ウエハ処理室１６は一つしか
見えないが、四つ積層されている。
【０００８】図２では１２はロードロック室で、その内
部にウエハ搬送ロボット１１を具備し、周囲のゲートバ
ルブ１３を介してウエハカセットロードロック室１４，
ウエハカセットアンロードロック室（図示されていな
い）及び各種のウエハ処理室１６(ａ)〜１６(ｄ)が連結
されている。それぞれのウエハ処理室１６は一辺520mm
の正方形で、直径３００mm(１２インチ)のシリコンウエ
ハ１０が静電チャックのホルダ１９に保持されて枚葉で
処理できる。個々のウエハ処理室１６（ａ）〜１６
（ｄ）にはプラズマ発生用高周波電源のマッチングユニ
ット１８，真空排気ポンプヘ繋がるコンダクタンスバル
ブおよび遮断バルブ，反応ガス供給系とガスノズル，冷
却水パイプ（図面では省略）が装備されている。また、
それぞれのウエハ処理室１６(ａ)〜１６(ｄ)は少なくと
も上部または下部にメンテナンス用の空隙を有して配置
されている。なお真空排気ポンプヘ繋がるコンダクタン
スバルブおよび遮断バルブは本図では図示されていない
が、ウエハ処理室１６（ａ）および１６（ｃ）では紙面
の後方に、ウエハ処理室１６（ｂ）および１６（ｄ）で
は紙面の前方に配置され、この様に交互に配置すること
によりメンテナンス用空隙を確保している。この状態が
図１のコンダクタンスバルブおよび遮断バルブ１７
（ａ）及び１７（ｂ）に相当している。
部にウエハ搬送ロボット１１を具備し、周囲のゲートバ
ルブ１３を介してウエハカセットロードロック室１４，
ウエハカセットアンロードロック室（図示されていな
い）及び各種のウエハ処理室１６(ａ)〜１６(ｄ)が連結
されている。それぞれのウエハ処理室１６は一辺520mm
の正方形で、直径３００mm(１２インチ)のシリコンウエ
ハ１０が静電チャックのホルダ１９に保持されて枚葉で
処理できる。個々のウエハ処理室１６（ａ）〜１６
（ｄ）にはプラズマ発生用高周波電源のマッチングユニ
ット１８，真空排気ポンプヘ繋がるコンダクタンスバル
ブおよび遮断バルブ，反応ガス供給系とガスノズル，冷
却水パイプ（図面では省略）が装備されている。また、
それぞれのウエハ処理室１６(ａ)〜１６(ｄ)は少なくと
も上部または下部にメンテナンス用の空隙を有して配置
されている。なお真空排気ポンプヘ繋がるコンダクタン
スバルブおよび遮断バルブは本図では図示されていない
が、ウエハ処理室１６（ａ）および１６（ｃ）では紙面
の後方に、ウエハ処理室１６（ｂ）および１６（ｄ）で
は紙面の前方に配置され、この様に交互に配置すること
によりメンテナンス用空隙を確保している。この状態が
図１のコンダクタンスバルブおよび遮断バルブ１７
（ａ）及び１７（ｂ）に相当している。
【０００９】図３は本発明の第二の実施例のプラズマＣ
ＶＤ及び表面処理の半導体製造装置の平面図、図４は図
３のＡＡ線の断面図を示す。
ＶＤ及び表面処理の半導体製造装置の平面図、図４は図
３のＡＡ線の断面図を示す。
【００１０】図３で、２２はロードロック室で、その内
部にウエハ搬送ロボット２１を具備し、周囲のゲートバ
ルブ２３を介してウエハカセットロードロック室２４，
ウエハカセットアンロードロック室２５及び各種のウエ
ハ処理室２６(ａ)，２６(ｂ)が連結されている。いずれ
も実施例１と同じアルミニウムを主体とする合金製であ
る。ウエハ処理室２６（ａ），２６（ｂ）には、真空排
気ポンプ（ターボ分子ポンプ）用コンダクタンスバルブ
および遮断バルブ２７（ａ），２７（ｂ），プラズマ発
生用高周波電源のマッチングユニット，反応ガス供給系
と繋がっているガスノズルが装備されている。なお本実
施例では、ウエハ処理室２６（ａ）と２７（ｂ）はほぼ
同一平面上に二つと更にそれらはおのおの２段に積層さ
れて合計４室の配置してある。
部にウエハ搬送ロボット２１を具備し、周囲のゲートバ
ルブ２３を介してウエハカセットロードロック室２４，
ウエハカセットアンロードロック室２５及び各種のウエ
ハ処理室２６(ａ)，２６(ｂ)が連結されている。いずれ
も実施例１と同じアルミニウムを主体とする合金製であ
る。ウエハ処理室２６（ａ），２６（ｂ）には、真空排
気ポンプ（ターボ分子ポンプ）用コンダクタンスバルブ
および遮断バルブ２７（ａ），２７（ｂ），プラズマ発
生用高周波電源のマッチングユニット，反応ガス供給系
と繋がっているガスノズルが装備されている。なお本実
施例では、ウエハ処理室２６（ａ）と２７（ｂ）はほぼ
同一平面上に二つと更にそれらはおのおの２段に積層さ
れて合計４室の配置してある。
【００１１】図４では、２２はロードロック室で、その
内部にウエハ搬送ロボット２１を具備し、周囲のゲート
バルブ２３を介してウエハカセットロードロック室２
４，ウエハカセットアンロードロック室（図示されてい
ない）及び各種のウエハ処理室２６（ａ）〜２６（ｄ）
（２６（ｂ），２６（ｄ）は図示されていない）が連結
されている。それぞれのウエハ処理室２６は実施例１と
ほぼ同様である。プラズマ発生用高周波電源のマッチン
グユニットまたはアニール用ヒータ２８はそれぞれウエ
ハ処理室２６の上部に装備されている。また、それぞれ
のウエハ処理室２６（ａ）〜２６（ｄ）は少なくとも上
部または下部にメンテナンス用の空隙を有して配置され
ている。なお真空排気ポンプは排気速度３０００リット
ル／ｓのターボ分子ポンプで二つウエハ処理室２６
（ａ）と２６（ｃ）を交互に排気させている。これは、
それぞれのウエハ処理室での操作時間（ＣＶＤ薄膜形成
時間約７０ｓ）とウエハ搬送ロボットの動作速度とシー
ケンスから二つウエハ処理室を交互に排気させることが
可能となるモードであるため可能となった。
内部にウエハ搬送ロボット２１を具備し、周囲のゲート
バルブ２３を介してウエハカセットロードロック室２
４，ウエハカセットアンロードロック室（図示されてい
ない）及び各種のウエハ処理室２６（ａ）〜２６（ｄ）
（２６（ｂ），２６（ｄ）は図示されていない）が連結
されている。それぞれのウエハ処理室２６は実施例１と
ほぼ同様である。プラズマ発生用高周波電源のマッチン
グユニットまたはアニール用ヒータ２８はそれぞれウエ
ハ処理室２６の上部に装備されている。また、それぞれ
のウエハ処理室２６（ａ）〜２６（ｄ）は少なくとも上
部または下部にメンテナンス用の空隙を有して配置され
ている。なお真空排気ポンプは排気速度３０００リット
ル／ｓのターボ分子ポンプで二つウエハ処理室２６
（ａ）と２６（ｃ）を交互に排気させている。これは、
それぞれのウエハ処理室での操作時間（ＣＶＤ薄膜形成
時間約７０ｓ）とウエハ搬送ロボットの動作速度とシー
ケンスから二つウエハ処理室を交互に排気させることが
可能となるモードであるため可能となった。
【００１２】実施例ではいずれもウエハ処理室が四つの
場合を示したが、積層の数を増やすことも可能である。
ウエハ処理室は数は（１）装置全体の大きさ，（２）メ
ンテナンスのし易さとその周期、などを考慮し更に、
（３）ウエハ処理速度の律速が、ウエハ処理室での反応
できまるのではなく、ウエハ搬送ロボットの動作速度で
決まる場合まで増やすことができる。通常四〜六つ程度
が最適となる場合が多い。
場合を示したが、積層の数を増やすことも可能である。
ウエハ処理室は数は（１）装置全体の大きさ，（２）メ
ンテナンスのし易さとその周期、などを考慮し更に、
（３）ウエハ処理速度の律速が、ウエハ処理室での反応
できまるのではなく、ウエハ搬送ロボットの動作速度で
決まる場合まで増やすことができる。通常四〜六つ程度
が最適となる場合が多い。
【００１３】実施例ではプラズマＣＶＤの場合について
述べたが、これに限定されるものではなく、ドライエッ
チング，アニール等その他のプロセスにも適用できる。
述べたが、これに限定されるものではなく、ドライエッ
チング，アニール等その他のプロセスにも適用できる。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、半導体製造装置を小型
化、特に平面積の低減ができるので、それを設置するク
リーンルームの使用の高効率化が図れる。クリーンルー
ム側に面する最小ワーキングエリアはウエハ処理室の数
によらずウエハカセットロードロック室とウエハカセッ
トアンロードロック室の幅と同じにできる。
化、特に平面積の低減ができるので、それを設置するク
リーンルームの使用の高効率化が図れる。クリーンルー
ム側に面する最小ワーキングエリアはウエハ処理室の数
によらずウエハカセットロードロック室とウエハカセッ
トアンロードロック室の幅と同じにできる。
【００１５】また、一つの半導体製造装置に各種の多数
のウエハ処理室を装備できるので、（１）ウエハの加熱
や冷却のチャンバを専用に設けることによりプロセスの
高速化，（２）積層膜や複合膜の堆積のみならず、アニ
ール，表面改質等のプロセスを一貫して処理でき高品質
化や高歩留まり化に寄与できる。
のウエハ処理室を装備できるので、（１）ウエハの加熱
や冷却のチャンバを専用に設けることによりプロセスの
高速化，（２）積層膜や複合膜の堆積のみならず、アニ
ール，表面改質等のプロセスを一貫して処理でき高品質
化や高歩留まり化に寄与できる。
【図１】本発明の一実施例の半導体製造装置の平面図。
【図２】図１のＡＡ線断面図。
【図３】本発明の第二の実施例の半導体製造装置の平面
図。
図。
【図４】図３のＡＡ線断面図。
【図５】従来の半導体製造装置の平面図。
１０…ウエハ、１１…ウエハ搬送装置、１２…ロードロ
ック室、１３…ゲートバルブ、１４…ウエハカセットロ
ード室、１５…ウエハカセットアンロード室、１６…ウ
エハ処理室。
ック室、１３…ゲートバルブ、１４…ウエハカセットロ
ード室、１５…ウエハカセットアンロード室、１６…ウ
エハ処理室。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/324 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ
Claims (4)
- 【請求項１】ウエハ搬送装置を具備するロードロック室
と、それにゲートバルブを介して連結された複数のウエ
ハ処理室からなる半導体製造装置において、上記複数の
ウエハ処理室を複数段階に積層して配置したことを特徴
とする半導体製造装置。 - 【請求項２】ウエハ搬送装置を具備するロードロック室
と、それにゲートバルブを介して連結された少なくとも
一つのウエハカセットロード室と少なくとも一つのウエ
ハカセットアンロード室及び複数のウエハ処理室からな
る半導体製造装置において、複数のウエハ処理室を複数
段階に積層して配置したことを特徴とする半導体製造装
置。 - 【請求項３】請求項１または２において、各々の上記ウ
エハ処理室は少なくとも上方または下方のいずれか一方
にメンテナンス用空隙を有する様に積層して配置した半
導体製造装置。 - 【請求項４】請求項１または２において、各々の上記ウ
エハ処理室は気相化学反応薄膜形成室，物理的薄膜形成
室，ドライエッチング室，表面改質室，アニール室およ
びそれらの前処理室，後処理室から選択された１種また
は複数からなる半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3358497A JPH10229111A (ja) | 1997-02-18 | 1997-02-18 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3358497A JPH10229111A (ja) | 1997-02-18 | 1997-02-18 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10229111A true JPH10229111A (ja) | 1998-08-25 |
Family
ID=12390579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3358497A Pending JPH10229111A (ja) | 1997-02-18 | 1997-02-18 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10229111A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003037107A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理方法 |
| KR100422467B1 (ko) * | 2001-05-09 | 2004-03-12 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치 제조설비 |
| EP1052681A3 (en) * | 1999-04-19 | 2006-09-06 | Applied Materials, Inc. | A method and apparatus for processing wafers |
| KR100847888B1 (ko) | 2006-12-12 | 2008-07-23 | 세메스 주식회사 | 반도체 소자 제조 장치 |
| WO2011024762A1 (ja) * | 2009-08-29 | 2011-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | ロードロック装置及び処理システム |
| WO2016185984A1 (ja) * | 2015-05-21 | 2016-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム |
| JP2018133560A (ja) * | 2017-01-24 | 2018-08-23 | エスピーティーエス テクノロジーズ リミティド | 半導体基板を電気化学的に処理するための装置 |
| CN114242631A (zh) * | 2020-06-01 | 2022-03-25 | 上海果纳半导体技术有限公司 | 一种半导体设备 |
-
1997
- 1997-02-18 JP JP3358497A patent/JPH10229111A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1052681A3 (en) * | 1999-04-19 | 2006-09-06 | Applied Materials, Inc. | A method and apparatus for processing wafers |
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| CN102414809A (zh) * | 2009-08-29 | 2012-04-11 | 东京毅力科创株式会社 | 负载锁定装置和处理系统 |
| JP2016219629A (ja) * | 2015-05-21 | 2016-12-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム |
| WO2016185984A1 (ja) * | 2015-05-21 | 2016-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム |
| KR20170137196A (ko) * | 2015-05-21 | 2017-12-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리 시스템 |
| CN107615446A (zh) * | 2015-05-21 | 2018-01-19 | 东京毅力科创株式会社 | 处理系统 |
| US20180130681A1 (en) * | 2015-05-21 | 2018-05-10 | Tokyo Electron Limited | Processing system |
| CN107615446B (zh) * | 2015-05-21 | 2020-12-04 | 东京毅力科创株式会社 | 处理系统 |
| JP2018133560A (ja) * | 2017-01-24 | 2018-08-23 | エスピーティーエス テクノロジーズ リミティド | 半導体基板を電気化学的に処理するための装置 |
| US11643744B2 (en) | 2017-01-24 | 2023-05-09 | Spts Technologies Limited | Apparatus for electrochemically processing semiconductor substrates |
| CN114242631A (zh) * | 2020-06-01 | 2022-03-25 | 上海果纳半导体技术有限公司 | 一种半导体设备 |
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