JPH10235555A - ポリッシング装置 - Google Patents

ポリッシング装置

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JPH10235555A
JPH10235555A JP5993397A JP5993397A JPH10235555A JP H10235555 A JPH10235555 A JP H10235555A JP 5993397 A JP5993397 A JP 5993397A JP 5993397 A JP5993397 A JP 5993397A JP H10235555 A JPH10235555 A JP H10235555A
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ring
polishing
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polishing apparatus
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憲雄 木村
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穂積 安田
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    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27Work carriers
    • B24B37/30Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • B24B37/32Retaining rings
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/10Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P52/00Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P52/40Chemomechanical polishing [CMP]
    • H10P52/402Chemomechanical polishing [CMP] of semiconductor materials

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ポリッシング対象物を保持している保持部が
研磨布表面のうねり等に追従して傾動可能な構造になっ
ていて、且つ過度な傾動を防止することの出来るポリッ
シング装置を提供する。 【解決手段】 上面に研磨布6を貼ったターンテーブル
5とトップリング1とを有し、ターンテーブル5とトッ
プリング1との間にポリッシング対象物4を介在させて
所定の力で押圧することによって該ポリッシング対象物
を研磨し、平坦且つ鏡面化するポリッシング装置におい
て、ポリッシング対象物4をトップリング1の下端面内
に保持するガイドリング3をトップリング1の周囲に上
下動自在に配置し、ガイドリング3を研磨布6に対して
押圧する押圧手段を設け、ガイドリング3の内周面に
は、トップリング1の外周面に係合して該トップリング
を拘束するトップリング1の傾動抑制手段70を備え
た。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
ポリッシング対象物を平坦且つ鏡面状に研磨するポリッ
シング装置に係り、特にポリッシング対象物を保持して
いる保持部が研磨布表面のうねり等に追従して傾動可能
な構造になっているポリッシング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化が進む
につれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭く
なりつつある。特に線幅が0.5μm以下の光リソグラ
フィの場合、許容される焦点深度が浅くなるためステッ
パーの結像面の平坦度を必要とする。そこで、半導体ウ
エハの表面を平坦化することが必要となるが、この平坦
化法の1手段としてポリッシング装置により研磨するこ
とが行われている。
【0003】従来、この種のポリッシング装置は、ター
ンテーブルとトップリングとを有し、トップリングが一
定の圧力をターンテーブルに与え、ターンテーブルとト
ップリングとの間にポリッシング対象物を介在させて、
砥液を供給しつつ該ポリッシング対象物の表面を平坦且
つ鏡面に研磨している。
【0004】上述したポリッシング装置において、研磨
中のポリッシング対象物と研磨布との間の相対的な押圧
力がポリッシング対象物の全面に亘って均一でないと、
各部分の押圧力に応じて研磨不足や過研磨が生じてしま
う。よって、従来のポリッシング装置においては、上記
の押圧力の不均一を避けるための手段として、 トップリングの半導体ウエハ保持面に、弾性を有する
例えばポリウレタン等の弾性マットを貼ること、 ポリッシング対象物の保持部即ちトップリングを、研
磨布の表面に対して傾動可能にすること、 研磨布の研磨部の周囲の部分を、トップリング及びポ
リッシング対象物とは独立して押圧することにより、研
磨布の研磨領域とその周囲の段差を防ぐこと、などが行
われている。
【0005】図8は従来のポリッシング装置の一例の主
要部を示す図である。ポリッシング装置は、上面に研磨
布6を貼った回転するターンテーブル5と、回転および
押圧可能にポリッシング対象物である半導体ウエハ4を
保持するトップリング1と、研磨布6に砥液Qを供給す
る砥液供給ノズル25を備えている。トップリング1は
トップリングシャフト8に連結されており、またトップ
リング1はその下面にポリウレタン等の弾性マット2を
備えており、弾性マットに接触させて半導体ウエハ4を
保持する。さらにトップリング1は、研磨中に半導体ウ
エハ4がトップリング1の下面から外れないようにする
ため、円筒状のガイドリング3を外周縁部に備えてい
る。ここで、ガイドリング3はトップリング1に対して
固定されており、その下端面はトップリング1の保持面
から突出するように形成され、ポリッシング対象物であ
る半導体ウエハ4が保持面内に保持され、研磨中に研磨
布6との摩擦力によってトップリング外へ飛び出さない
ようになっている。
【0006】半導体ウエハ4をトップリング1の下面の
弾性マット2の下部に保持し、ターンテーブル5上の研
磨布6に半導体ウエハ4をトップリング1によって押圧
するとともに、ターンテーブル5およびトップリング1
を回転させて研磨布6と半導体ウエハ4を相対運動させ
て研磨する。このとき、砥液供給ノズル25から研磨布
6上に砥液Qを供給する。砥液は、例えばアルカリ溶液
に微粒子からなる砥粒を懸濁したものを用い、アルカリ
による化学的研磨作用と、砥粒による機械的研磨作用と
の複合作用によって半導体ウエハを研磨する。
【0007】トップリング1とトップリングシャフト8
との連結部には、球ベアリング7が配設されている。前
記トップリングシャフト8の下端面中央部には球ベアリ
ング7が摺接する凹状球面8aが形成されている。トッ
プリング1の上面中心部には球ベアリング7が摺接する
凹状球面1bが形成されている。この時、ターンテーブ
ル5の上面に僅かな傾きがあったとしてもトップリング
1は球ベアリング7により、トップリングシャフト8に
対してトップリング1が速やかに傾動する。トップリン
グ1が傾いても、トップリングシャフト8側のトルク伝
達ピン107とトップリング1側のトルク伝達ピン10
8は点接触のためにそれぞれの場合で接触点をずらして
トップリングシャフト8の回転トルクを確実にトップリ
ング1に伝達する。
【0008】図9は、本件出願人が先に特願平7−28
7976号にて提案したポリッシング装置の例の主要部
を示す図である。ガイドリング3はキー18を介してト
ップリング1に連結されており、ガイドリング3はトッ
プリング1に対して上下動自在であるとともにトップリ
ング1と一体に回転可能になっている。そして、ガイド
リング3はベアリング19を保持したベアリング押さえ
20及びシャフト21を介してガイドリング用エアシリ
ンダ22に連結されている。ガイドリング用エアシリン
ダ22はトップリングヘッド9に固定されている。ガイ
ドリング用エアシリンダ22は円周上に複数個(例えば
3個)配設されている。トップリング用エアシリンダ1
0及びガイドリング用エアシリンダ22は、それぞれレ
ギュレータR1,R2を介して圧縮空気源24に接続さ
れている。そして、レギュレータR1によってトップリ
ング用エアシリンダ10へ供給する空気圧を調整するこ
とによりトップリング1が半導体ウエハ4を研磨布6に
押圧する押圧力を調整することができ、レギュレータR
2によってガイドリング用エアシリンダ22へ供給する
空気圧を調整することによりガイドリング3が研磨布6
を押圧する押圧力を調整することができる。このトップ
リングの押圧力に対するガイドリングの押圧力を適宜調
整することにより、半導体ウエハ4の中心部から周縁
部、さらには半導体ウエハ4の外側にあるガイドリング
3の外周部までの研磨圧力の分布が連続かつ均一にな
る。そのため、半導体ウエハ4の円周部における研磨量
の過不足を防止することができる。
【0009】図10は、研磨時の半導体ウエハと研磨布
と弾性マットの状態を示す拡大断面図である。図10に
示すように、ポリッシング対象物のみが研磨布を押圧す
る構造になっている場合には、ポリッシング対象物であ
る半導体ウエハ4の周縁は、研磨布6との接触/非接触
の境界であると同時に、弾性マット2との接触/非接触
との境界になっている。このため、これらの境界である
ポリッシング対象物の周縁において、ポリッシング対象
物に加わる研磨圧力が不均一になり、ポリッシング対象
物の周縁のみが多く研磨され、いわゆる「縁だれ」を起
こしてしまう。しかし、本件出願人が先に提案した図9
の例に示した、ガイドリングをトップリングとは独立し
て別個に研磨布に対して押圧する構造にすることで、
「縁だれ」が緩和される。
【0010】また、上述した半導体ウエハの縁だれを防
止するため、ガイドリングをリング状の重りによって構
成し、ガイドリングをトップリングに対して上下動可能
とし、ガイドリングの重量によって研磨布を押圧する構
造を採用したものもある。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】従来の多くのポリッシ
ング装置および本件出願人が先に特願平7−28797
6号にて提案したポリッシング装置では、研磨布表面の
うねり等に対してポリッシング対象物の研磨面を平行に
保つために、ポリッシング対象物の保持部、即ちトップ
リングを傾動可能にしている。その手段としては、球面
座同士の摺動、球面座に対向して設けた球による摺動な
どの構造が適用されている。しかし、このようなトップ
リングを傾動可能にする構造においては、なめらかな摺
動などによって、必要以上にトップリングが自由度を持
つことになり、必要以上に傾動して、かえって研磨布と
の平行度を損なう場合がある。言いかえれば、傾動可能
な構造にしたことによって、トップリングの姿勢の維持
が不安定になる。
【0012】図11は、上記の先に提案したポリッシン
グ装置における研磨中のトップリングの動きの一例を示
す。ガイドリング3はシリンダ等で押圧されることによ
り、その研磨布6への接触面を研磨布の面とほぼ平行に
保つことができる。ガイドリング3の内側に位置するト
ップリング1は、主軸8と軸端のボール7を介してシリ
ンダ等で押圧されるので、ボール7を支点として傾動可
能となる。このため研磨時にトップリング1はウエハ研
磨面と研磨布6の表面6aとの摩擦力によってめくれる
ような方向で力を受けて傾こうとする。このようにトッ
プリング1が過度に傾動して研磨布6との平行が保てな
い場合には、平坦且つ鏡面の研磨が行えなくなることは
上述したとおりである。
【0013】本発明は上述した事情に鑑みて為されたも
ので、ポリッシング対象物を保持している保持部が研磨
布表面のうねり等に追従して傾動可能な構造になってい
て、且つ、過度な傾動を防止することができるポリッシ
ング装置を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ため本発明のポリッシング装置の第1の態様は、上面に
研磨布を貼ったターンテーブルとトップリングとを有
し、前記ターンテーブルとトップリングとの間にポリッ
シング対象物を介在させて所定の力で押圧することによ
って該ポリッシング対象物を研磨し、平坦且つ鏡面化す
るポリッシング装置において、前記ポリッシング対象物
を前記トップリングの下端面内に保持するガイドリング
をトップリングの周囲にトップリングとは独立して上下
動可能であるように配置し、前記ガイドリングの内周面
には、前記トップリングの外周面に係合して該トップリ
ングを拘束するトップリングの傾動抑制手段を備えたこ
とを特徴とする。
【0015】また本発明のポリッシング装置の第2の態
様は、上面に研磨布を貼ったターンテーブルとトップリ
ングとを有し、前記ターンテーブルとトップリングとの
間にポリッシング対象物を介在させて所定の力で押圧す
ることによって該ポリッシング対象物を研磨し、平坦且
つ鏡面化するポリッシング装置において、前記ポリッシ
ング対象物を収容する凹部を有したトップリングの周囲
に押圧リングを上下動自在に配置し、前記押圧リングを
研磨布に対して押圧する押圧手段を設け、前記押圧リン
グの内周面には、前記トップリングの外周面に係合して
該トップリングを拘束するトップリングの傾動抑制手段
を備えたことを特徴とする。
【0016】また、前記トップリングの傾動抑制手段
は、前記ガイドリング又は押圧リングの内周面に回転自
在に固定されたローラであり、該ローラが前記トップリ
ングの外周面と接触することにより、前記トップリング
の傾きを抑制するものであることを特徴とする。
【0017】また、前記トップリングの傾動抑制手段
は、前記ガイドリング又は前記押圧リングの内周面に配
置された弾性体であり、該弾性体が前記トップリングの
外周面と接触することにより、前記トップリングの傾き
を抑制するものであることを特徴とする。
【0018】ガイドリング又は押圧リングの内周面に
は、トップリングの外周面に係合するトップリングの傾
動抑制手段を設ける。このトップリング傾動抑制手段
は、具体的にはローラ、或いはゴム製のOリング等の弾
性体である。ガイドリング又は押圧リングの内周面に配
置されたローラ或いは弾性体がトップリングの外周面に
接触することにより、トップリングがガイドリング又は
押圧リングに拘束される。従って、研磨中にトップリン
グに保持された半導体ウエハと研磨布表面との間の摩擦
力によってトップリングが傾く方向の力を受けても、こ
れを抑制してトップリングの半導体ウエハ保持面を研磨
布表面に略平行に保持することができる。このトップリ
ング傾動抑制手段は、トップリングに対してガイドリン
グ又は押圧リングを上下動自在とすることができ、ま
た、ガイドリング又は押圧リングを固定しトップリング
のみを回転させることも可能である。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るポリッシング
装置の実施例を図1乃至図7を参照して説明する。図1
は、本発明の第1実施例のポリッシング装置の全体構成
を示す断面図である。図中、符号1はトップリングであ
り、トップリング1の下面には弾性マット2が貼着され
ている。またトップリング1の外周部にはガイドリング
3が配置されている。またトップリング1の下方には、
上面に研磨布6を貼ったターンテーブル5が設置されて
いる。
【0020】前記トップリング1はボール7を介してト
ップリングシャフト8に接続されており、このトップリ
ングシャフト8はトップリングヘッド9に固定されたト
ップリング用エアシリンダ10に連結されており、この
トップリング用エアシリンダ10によってトップリング
シャフト8は上下動し、トップリング1の下端面に保持
された半導体ウエハ4をターンテーブル5に押圧するよ
うになっている。
【0021】また、トップリングシャフト8はキー(図
示せず)を介して回転筒11に連結されており、この回
転筒11はその外周部にタイミングプーリ12を有して
いる。そして、タイミングプーリ12は、タイミングベ
ルト13を介して、トップリングヘッド9に固定された
トップリング用モータ14に設けられたタイミングプー
リ15に接続されている。従って、トップリング用モー
タ14を回転駆動することによってタイミングプーリ1
5、タイミングベルト13およびタイミングプーリ12
を介して回転筒11及びトップリングシャフト8が一体
に回転し、トップリング1が回転する。トップリングヘ
ッド9は、フレーム(図示せず)に固定支持されたトッ
プリングヘッドシャフト16によって支持されている。
【0022】一方、ガイドリング3はキー18を介して
トップリング1に連結されており、ガイドリング3はト
ップリング1に対して上下動自在であるとともにトップ
リング1と一体に回転可能になっている。そして、ガイ
ドリング3はベアリング19を保持したベアリング押え
20およびシャフト21を介してガイドリング用エアシ
リンダ22に連結されている。ガイドリング用エアシリ
ンダ22はトップリングヘッド9に固定されている。ガ
イドリング用エアシリンダ22は円周上に複数個(本実
施例では3個)配設されている。
【0023】トップリング用エアシリンダ10及びガイ
ドリング用エアシリンダ22は、それぞれレギュレータ
R1,R2を介して圧縮空気源24に接続されている。
そして、レギュレータR1によってトップリング用エア
シリンダ10へ供給する空気圧を調整することによりト
ップリング1が半導体ウエハ4を研磨布6に押圧する押
圧力を調整することができ、レギュレータR2によって
ガイドリング用エアシリンダ22へ供給する空気圧を調
整することによりガイドリング3が研磨布6を押圧する
押圧力を調整することができる。
【0024】また、ターンテーブル5の上方には砥液供
給ノズル25が設置されており、砥液供給ノズル25に
よってターンテーブル5上の研磨布6上に研磨砥液Qが
供給されるようになっている。
【0025】上記構成のポリッシング装置において、ト
ップリング1の下面に半導体ウエハ4を保持させ、トッ
プリング用エアシリンダ10を作動させてトップリング
1をターンテーブル5に向かって押圧し、回転している
ターンテーブル5の上面の研磨布6に半導体ウエハ4を
押圧する。一方、砥液供給ノズル25から研磨砥液Qを
流すことにより、研磨布6に研磨砥液Qが保持されてお
り、半導体ウエハ4の研磨される面(下面)と研磨布6
の間に研磨砥液Qが存在した状態でポリッシングが行わ
れる。
【0026】トップリング用エアシリンダ10によるト
ップリング1の押圧力に応じてガイドリング用エアシリ
ンダ22によるガイドリング3の研磨布6への押圧力を
適宜調整して半導体ウエハ4の研磨を行う。研磨中にレ
ギュレータR1によってトップリング1が半導体ウエハ
4をターンテーブル5上の研磨布6に押圧する押圧力F
1 を変更でき、レギュレータR2によってガイドリング
3が研磨布6を押圧する押圧力F2 を変更できる(図1
参照)。従って、研磨中に、ガイドリング3が研磨布6
を押圧する押圧力F2 を、トップリング1が半導体ウエ
ハ4を研磨布6に押圧する押圧力F1 に応じて変更する
ことができる。この押圧力F1 に対する押圧力F2 を適
宜調整することにより、半導体ウエハ4の中心部から周
縁部、さらには半導体ウエハ4の外側にあるガイドリン
グ3の外周部までの研磨圧力の分布が連続かつ均一にな
る。そのため、半導体ウエハ4の周縁部における研磨量
の過不足を防止することができる。
【0027】ガイドリング3の内周面には、トップリン
グ1の外周面に係合するトップリングの傾動抑制手段7
0を備えている。トップリング1には、主軸8の軸端の
ボール7を介して下方向への押圧力がシリンダ10によ
り与えられる。従って、その外周側に位置するガイドリ
ング3との間の僅かな隙間において、トップリング1は
ボール7を支点として傾動自在となっている。このた
め、半導体ウエハ4の研磨中に、半導体ウエハの研磨面
と研磨布との間に水平方向の摩擦力が生じ、トップリン
グがめくれるように回転力を受け傾きを生じようとす
る。しかしながら、トップリングの傾動抑制手段70
が、トップリング外周面とガイドリング内周面間に介在
して、その間隔を一定に保ちトップリングをガイドリン
グに拘束するため、トップリングの過度の傾きが防止さ
れ、トップリングが水平面に保持される。
【0028】図2は、トップリングの傾動抑制手段70
の一具体例を示す。ガイドリング3の内周面には、凹部
71が設けられており、この凹部71にはローラ72が
軸73により回転自在に装着されている。ローラ72
は、トップリング1の外周面に接触し、トップリング1
をガイドリング3によって拘束する。ローラ72はトッ
プリング1の円周面に複数個(例えば6個)取り付けら
れていることから、トップリング1のボール7を支点と
した傾動運動を抑制する。従って、ポリッシング中に半
導体ウエハ4と研磨布6との間に摩擦力が生じても、ガ
イドリング3の下端とトップリング1の半導体ウエハを
保持する下端面は研磨布6の表面に対して平行に保たれ
る。尚、ローラは、ナイロン、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン等の樹脂製のものが好ましい。
【0029】図3は、トップリングの傾動抑制手段70
の他の具体例を示す。ガイドリング3の内周面には、リ
ング状の凹部75が設けられており、この凹部75には
弾性体リング76が嵌着されている。弾性体リング76
は、例えばゴムのOリングである。弾性体リング76
は、ガイドリング3の内周面から突出し、トップリング
1の外周面に接触し、これを拘束する。従って、ポリッ
シング中に、半導体ウエハ4と研磨布6との間に摩擦力
が生じてもトップリング1の外周面が弾性体リング76
を介してガイドリング3に固定されているので、半導体
ウエハ4を保持するトップリング1の過度の傾きが生じ
ることが無く、傾きが適度に保たれる。
【0030】尚、傾動抑制手段は、このようにトップリ
ング外周面をガイドリング内周面に固定でき、且つトッ
プリングとガイドリング間の相対的な上下運動及びトッ
プリングの回転運動を妨げないことが必要である。従っ
て、このような条件を満足できるものであれば、ローラ
或いは弾性体に限定されず、傾動抑制手段として使用で
きる。
【0031】図4は、本発明のポリッシング装置の第2
実施例を示す図である。本実施例においては、トップリ
ング1の外周部にあるガイドリング3はガイドリング押
え26により保持されており、ガイドリング押え26は
複数のローラ27により押圧されるようになっている。
ローラ27はシャフト28を介してトップリングヘッド
9に固定されたガイドリング用エアシリンダ22に連結
されている。ガイドリング3がトップリング1に対して
上下動自在でトップリング1とともに回転できること
は、図1に示す実施例と同様である。
【0032】本実施例においては、トップリング1の回
転中にローラ27はガイドリング押え26と摺接して自
身の軸心回わりに回転し、ガイドリング3はローラ27
によってガイドリング押え26を介して下方に押圧され
る。その結果、ガイドリング3は研磨布6を所定の押圧
力で押圧する。傾動抑制手段70は、トップリング1を
ガイドリング3に拘束する。この実施例では、トップリ
ング1とガイドリング3とは、共に回転するので、傾動
抑制手段70は、図3に示すOリング等の弾性体を用い
ることが好ましい。
【0033】図5は、本発明のポリッシング装置の第3
実施例を示す図である。本実施例は、トップリング下端
面が半導体ウエハ4を保持するための凸部1aを備えて
おり、トップリング1のみによって半導体ウエハ4がト
ップリング外へ飛び出さないようになっている。トップ
リング1の外周部には押圧リング3Aが上下動自在に設
けられている。
【0034】押圧リング3Aはキー18を介してトップ
リング1に連結されており、押圧リング3Aはトップリ
ング1に対して上下動自在であるとともにトップリング
1と一体に回転可能になっている。そして、押圧リング
3Aはベアリング19を保持したベアリング押え20お
よびシャフト21を介して押圧リング用エアシリンダ2
2に連結されている。押圧リング用エアシリンダ22は
トップリングヘッド9に固定されている。押圧リング用
エアシリンダ22は円周上に複数個(本実施例では3
個)配設されている。その他の構成は第1実施例と同様
である。
【0035】本実施例においてもトップリングの傾動抑
制手段70を備え、トップリング1が押圧リング3Aに
拘束され、その過度の傾きが防止される。尚、本実施例
においては、押圧リング3Aを固定して、トップリング
1のみを回転させてもよく、この場合の傾動抑制手段7
0は、図2に示すローラを用いたものが好適である。
【0036】図6は、本発明の第4実施例を示す図であ
る。本実施例もトップリングの構造が、その円周部に凸
部1aを備え、トップリング1自体で半導体ウエハ4を
保持できるようにした点を除いて、第3実施例と同様で
ある。即ち、トップリング1の外周部に配設された押圧
リング3Aはローラ27を介して、トップリングとは異
なるシリンダ22によって押圧される。傾動抑制手段7
0の作用効果は、前述の各実施例と同じである。
【0037】図7(A)は本発明の傾動抑制手段70を
具備した第5実施例を示す図である。図7(B)は第5
実施例の構造において傾動抑制手段を具備しない場合を
示す図である。図7(B)において、ガイドリング3
は、半導体ウエハ4を保持するトップリング1とは独立
して研磨布6上に置かれており、ガイドリング3の自重
でもって半導体ウエハ4の周囲の研磨布6を押圧するこ
とによって、研磨布6の表面に半導体ウエハに接してい
る部分とその周囲の部分とで段差が生じることを防止し
ている。図7(B)に示した構造では、図11に示した
ように、トップリング1とガイドリング3が互いに独立
しているので、トップリング1が傾動する際にガイドリ
ング3から拘束されることが無く、よって、場合によっ
ては必要以上に傾動して、半導体ウエハ4の研磨布6の
表面に対する平行度を損なう場合が有る。これに対し
て、本発明を適用した図7(A)の構造においては、ガ
イドリング3に設けた弾性を有するローラ72によって
トップリング1の傾動が拘束されるので、過度の傾動を
抑制することが可能になる。
【0038】なお、以上の実施例はポリッシング対象物
として半導体ウエハを用いた例について説明したが、ポ
リッシング対象物としては、ガラス製品、液晶板、或い
はセラミック製品等にも適用可能であるのは勿論であ
る。またトップリング1、および押圧リング3Aの押圧
手段としてエアシリンダを説明したが、液体圧シリンダ
でも勿論よい。さらにガイドリングおよび押圧リング3
Aの押圧手段として機械的手段を説明したが、ピエゾ素
子や電磁気力を使用した電気的手段であってもよい。
【0039】また、トップリングの傾動抑制手段は、ロ
ーラ、Oリング等の弾性体に限定されるものでなく、同
等の機能を有するものであれば何でもよいことも勿論の
ことである。又、本実施例では傾動抑制手段をガイドリ
ング側に設けたが、トップリング側に設けるようにして
も勿論よい。
【0040】
【発明の効果】以上説明したように本発明のポリッシン
グ装置によれば、ポリッシングに際してポリッシング対
象物を押圧するトップリングに過度の傾きが生じ、押圧
力分布が不均一になることを防止して、研磨圧力をポリ
ッシング対象物の全面に亘って均一にし、ポリッシング
対象物の全面を平坦かつ鏡面に研磨することができる。
そして、半導体製造工程等に用いてより質の高いポリッ
シングを行うことができ、また半導体ウエハの周縁部ま
で製品に供することができるため、半導体ウエハの歩留
りの向上に寄与するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るポリッシング装置の第1実施例の
全体構成を示す断面図である。
【図2】図1の要部構成を示す拡大断面図である。
【図3】図1の他の要部構成を示す拡大断面図である。
【図4】本発明に係るポリッシング装置の第2実施例の
要部構成を示す断面図である。
【図5】本発明に係るポリッシング装置の第3実施例の
要部構成を示す断面図である。
【図6】本発明に係るポリッシング装置の第4実施例の
要部構成を示す断面図である。
【図7】図7(A)は本発明に係るポリッシング装置の
第5実施例の要部構成を示す断面図であり、図7(B)
は本発明の傾動抑制手段を具備しない場合の要部構成を
示す断面図である。
【図8】従来のポリッシング装置の概略構造を示す断面
図である。
【図9】本件出願人が先に提案したポリッシング装置の
例の主要部を示す図である。
【図10】従来のポリッシング装置における半導体ウエ
ハと研磨布と弾性マットとの状態を示す拡大断面図であ
る。
【図11】研磨中にトップリングに傾きが生じた状態を
示す説明図である。
【符号の説明】
1 トップリング 2 弾性マット 3 ガイドリング 4 半導体ウエハ 5 ターンテーブル 6 研磨布 7 ボール 8 トップリングシャフト 9 トップリングヘッド 10 トップリング用エアシリンダ 18 キー 19 ベアリング 20 ベアリング押え 22 ガイドリング用エアシリンダ 24 圧縮空気源 25 砥液供給ノズル 26 ガイドリング押え 27 ローラ 31 ガイドリング用エアシリンダ 32 ロータリジョイント 33 演算器 R1,R2 レギュレータ 70 トップリングの傾動抑制手段 71,75 ガイドリング内周面の凹部 72 ローラ 73 ローラの軸 76 弾性体

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 上面に研磨布を貼ったターンテーブルと
    トップリングとを有し、前記ターンテーブルとトップリ
    ングとの間にポリッシング対象物を介在させて所定の力
    で押圧することによって該ポリッシング対象物を研磨
    し、平坦且つ鏡面化するポリッシング装置において、 前記ポリッシング対象物を前記トップリングの下端面内
    に保持するガイドリングをトップリングの周囲にトップ
    リングとは独立して上下動可能であるように配置し、前
    記ガイドリングの内周面には、前記トップリングの外周
    面に係合して該トップリングを拘束するトップリングの
    傾動抑制手段を備えたことを特徴とするポリッシング装
    置。
  2. 【請求項2】 前記ガイドリングを研磨布に対して押圧
    する押圧手段を設けたことを特徴とする請求項1記載の
    ポリッシング装置。
  3. 【請求項3】 前記トップリングの傾動抑制手段は、前
    記ガイドリングの内周面に回転自在に固定されたローラ
    であり、該ローラが前記トップリングの外周面と接触す
    ることにより、前記トップリングの傾きを抑制するもの
    であることを特徴とする請求項1記載のポリッシング装
    置。
  4. 【請求項4】 前記トップリングの傾動抑制手段は、前
    記ガイドリングの内周面に配置された弾性体であり、該
    弾性体が前記トップリングの外周面と接触することによ
    り、前記トップリングの傾きを抑制するものであること
    を特徴とする請求項1記載のポリッシング装置。
  5. 【請求項5】 上面に研磨布を貼ったターンテーブルと
    トップリングとを有し、前記ターンテーブルとトップリ
    ングとの間にポリッシング対象物を介在させて所定の力
    で押圧することによって該ポリッシング対象物を研磨
    し、平坦且つ鏡面化するポリッシング装置において、 前記ポリッシング対象物を収容する凹部を有したトップ
    リングの周囲に押圧リングを上下動自在に配置し、前記
    押圧リングを研磨布に対して押圧する押圧手段を設け、
    前記押圧リングの内周面には、前記トップリングの外周
    面に係合して該トップリングを拘束するトップリングの
    傾動抑制手段を備えたことを特徴とするポリッシング装
    置。
  6. 【請求項6】 前記トップリングの傾動抑制手段は、前
    記押圧リングの内周面に回転自在に固定されたローラで
    あり、該ローラが前記トップリングの外周面と接触する
    ことにより、前記トップリングの傾きを抑制するもので
    あることを特徴とする請求項5記載のポリッシング装
    置。
  7. 【請求項7】 前記トップリングの傾動抑制手段は、前
    記押圧リングの内周面に配置された弾性体であり、該弾
    性体が前記トップリングの外周面と接触することによ
    り、前記トップリングの傾きを抑制するものであること
    を特徴とする請求項5記載のポリッシング装置。
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