JPH10237660A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPH10237660A JPH10237660A JP3649097A JP3649097A JPH10237660A JP H10237660 A JPH10237660 A JP H10237660A JP 3649097 A JP3649097 A JP 3649097A JP 3649097 A JP3649097 A JP 3649097A JP H10237660 A JPH10237660 A JP H10237660A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマ密度を増加させつつ、フィルムに対
し損傷の少ない膜形成を可能としたプラズマＣＶＤ装置
を提供する。 【解決手段】 プラズマ放電を用いたＣＶＤ成膜におい
て、反応管６中の直流放電電圧を多段階に印加する手段
（第１電極７、第２電極９）を具備した。 【効果】 プラズマ密度を増加させつつ、かつフィルム
に対し損傷の少ない良好な被膜を形成し得る。
し損傷の少ない膜形成を可能としたプラズマＣＶＤ装置
を提供する。 【解決手段】 プラズマ放電を用いたＣＶＤ成膜におい
て、反応管６中の直流放電電圧を多段階に印加する手段
（第１電極７、第２電極９）を具備した。 【効果】 プラズマ密度を増加させつつ、かつフィルム
に対し損傷の少ない良好な被膜を形成し得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気テープ等のフィ
ルム上に被膜を形成するためのプラズマＣＶＤ装置に関
する。
ルム上に被膜を形成するためのプラズマＣＶＤ装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、磁気記録媒体としては、非磁
性支持体上に酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の
粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、ポ
リエステル樹脂、ウレタン樹脂、ポリウレタン樹脂等の
有機バインダー中に分散せしめた磁性塗料を塗布、乾燥
することにより作成される塗布型の磁気記録媒体が広く
使用されている。
性支持体上に酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の
粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、ポ
リエステル樹脂、ウレタン樹脂、ポリウレタン樹脂等の
有機バインダー中に分散せしめた磁性塗料を塗布、乾燥
することにより作成される塗布型の磁気記録媒体が広く
使用されている。
【０００３】これに対して、高密度磁気記録への要求の
高まりと共に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ
−Ｏ等の金属磁性材料を、メッキや真空薄膜形成手段
（真空蒸着法やスパッリング法、イオンプレーティング
法等）によってポリエステルフィルムやポリアミド、ポ
リイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着した、
いわゆる金属磁性薄膜型の磁気記録媒体が提案され注目
を集めている。
高まりと共に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ
−Ｏ等の金属磁性材料を、メッキや真空薄膜形成手段
（真空蒸着法やスパッリング法、イオンプレーティング
法等）によってポリエステルフィルムやポリアミド、ポ
リイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着した、
いわゆる金属磁性薄膜型の磁気記録媒体が提案され注目
を集めている。
【０００４】この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は抗磁
力や角形比等に優れ、磁性層の厚みを極めて薄く出来る
ため、記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さく短波
長での電磁変換特性に優れるばかりでなく、磁性層中に
非磁性材であるバインダーを混入する必要が無いため磁
性材料の充填密度を高めることが出来ることなど、数々
の利点を有している。即ち、金属薄膜媒体は、磁気特性
的な優位さ故に高密度磁気記録の主流になると考えられ
る。
力や角形比等に優れ、磁性層の厚みを極めて薄く出来る
ため、記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さく短波
長での電磁変換特性に優れるばかりでなく、磁性層中に
非磁性材であるバインダーを混入する必要が無いため磁
性材料の充填密度を高めることが出来ることなど、数々
の利点を有している。即ち、金属薄膜媒体は、磁気特性
的な優位さ故に高密度磁気記録の主流になると考えられ
る。
【０００５】更に、この種の磁気記録媒体の電磁変換特
性を向上させ、より大きな出力を得ることが出来るよう
にするために、該磁気記録媒体の磁性層を形成する場
合、磁性層を斜めに蒸着するいわゆる斜方蒸着が提案さ
れ実用化されている。今後更なる高密度化の流れからス
ペーシング損失を少なくするため媒体は平滑化される傾
向にある。媒体の平滑化に伴うヘッド一媒体間の摩擦力
は増大し、媒体に生ずるせん断応力は大きくなる。この
ような摺動耐久性として厳しくなる状況のなかで耐久性
を向上させる目的で磁性層表面に保護膜層を形成する技
術の検討がなされてきた。
性を向上させ、より大きな出力を得ることが出来るよう
にするために、該磁気記録媒体の磁性層を形成する場
合、磁性層を斜めに蒸着するいわゆる斜方蒸着が提案さ
れ実用化されている。今後更なる高密度化の流れからス
ペーシング損失を少なくするため媒体は平滑化される傾
向にある。媒体の平滑化に伴うヘッド一媒体間の摩擦力
は増大し、媒体に生ずるせん断応力は大きくなる。この
ような摺動耐久性として厳しくなる状況のなかで耐久性
を向上させる目的で磁性層表面に保護膜層を形成する技
術の検討がなされてきた。
【０００６】このような保護膜としてはカーボン膜、石
英（ＳｉＯ2）膜、ジルコニア（ＺｒＯ2）膜等が検討さ
れ、ハードディスクにおいては実用化され生産されてい
るものもある。特に最近はカーボン膜においてもより硬
度な膜であるダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜
等の膜形成の検討も行なわれており、今後、主流になる
と思われる保護膜である。
英（ＳｉＯ2）膜、ジルコニア（ＺｒＯ2）膜等が検討さ
れ、ハードディスクにおいては実用化され生産されてい
るものもある。特に最近はカーボン膜においてもより硬
度な膜であるダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜
等の膜形成の検討も行なわれており、今後、主流になる
と思われる保護膜である。
【０００７】ＤＬＣ膜の膜形成方法はスパッタリング
法、ＣＶＤ法が用いられている。スパッタリング法と
は、まず、電場や磁場を利用してＡｒガス等の不活性ガ
スの電離（プラズマ化）を行なう。更に電離されたアル
ゴンイオンを加速することにより、その運動エネルギー
によりターゲットの原子をはじき出す。そして、そのは
じき出された原子が対向する基板上に堆積し目的とする
膜を形成する物理的プロセスである。このプロセスによ
るＤＬＣ膜の形成速度は一般に遅く、工業的見地からは
生産性に劣る膜形成手段である。
法、ＣＶＤ法が用いられている。スパッタリング法と
は、まず、電場や磁場を利用してＡｒガス等の不活性ガ
スの電離（プラズマ化）を行なう。更に電離されたアル
ゴンイオンを加速することにより、その運動エネルギー
によりターゲットの原子をはじき出す。そして、そのは
じき出された原子が対向する基板上に堆積し目的とする
膜を形成する物理的プロセスである。このプロセスによ
るＤＬＣ膜の形成速度は一般に遅く、工業的見地からは
生産性に劣る膜形成手段である。
【０００８】それに対し、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法は電場や磁場を
用いて発生させたプラズマのエネルギーを利用して原料
となる気体の分解、合成等の化学反応を起こさせ、膜を
形成する化学的プロセスである。また、このＣＶＤ法に
おけるプラズマの発生源として一般的なものは、ＤＣ放
電やＲＦ放電が一般的であるが、ＥＣＲなどを利用した
ＣＶＤの検討もなされている。これらの放電方式はそれ
ぞれ利点、欠点を有しており、工業的見地から述べると
ＤＣ放電を用いるものが、生産装置も簡便でかつ温度上
昇等も低く制御しやすい。
Ｖａｐｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法は電場や磁場を
用いて発生させたプラズマのエネルギーを利用して原料
となる気体の分解、合成等の化学反応を起こさせ、膜を
形成する化学的プロセスである。また、このＣＶＤ法に
おけるプラズマの発生源として一般的なものは、ＤＣ放
電やＲＦ放電が一般的であるが、ＥＣＲなどを利用した
ＣＶＤの検討もなされている。これらの放電方式はそれ
ぞれ利点、欠点を有しており、工業的見地から述べると
ＤＣ放電を用いるものが、生産装置も簡便でかつ温度上
昇等も低く制御しやすい。
【０００９】しかし、このＤＣ放電は他方式に比べプラ
ズマ密度が低いこともあり、良好な膜を作成することが
困難である。そのため、ＤＣ放電電圧を増加させるなど
の手段を取るが、この場合、プラズマの電流密度が増加
し、フィルム基板に対して損傷を与え、皺などの発生に
つながる。この結果、歩留まりの低下となり生産上好ま
しくない。
ズマ密度が低いこともあり、良好な膜を作成することが
困難である。そのため、ＤＣ放電電圧を増加させるなど
の手段を取るが、この場合、プラズマの電流密度が増加
し、フィルム基板に対して損傷を与え、皺などの発生に
つながる。この結果、歩留まりの低下となり生産上好ま
しくない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明はプラズマ密度
を増加させつつ、フィルムに対し損傷の少ない膜形成を
可能としたプラズマＣＶＤ装置を提供することである。
を増加させつつ、フィルムに対し損傷の少ない膜形成を
可能としたプラズマＣＶＤ装置を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、プラズマ放電
を用いたＣＶＤ成膜において、反応管中の直流放電電圧
を多段階に印加する手段（第１電極、第２電極）を具備
したことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置の構成とし、
プラズマ密度を増加させつつ、かつフィルムに対し損傷
の少ない良好な被膜を形成し得る。
を用いたＣＶＤ成膜において、反応管中の直流放電電圧
を多段階に印加する手段（第１電極、第２電極）を具備
したことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置の構成とし、
プラズマ密度を増加させつつ、かつフィルムに対し損傷
の少ない良好な被膜を形成し得る。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について図１を参照しつつ説明する。図１は本発明の実
施の形態のＤＬＣ膜形成に用いたプラズマＣＶＤ連続膜
形成装置の構成図である。
について図１を参照しつつ説明する。図１は本発明の実
施の形態のＤＬＣ膜形成に用いたプラズマＣＶＤ連続膜
形成装置の構成図である。
【００１３】プラズマＣＶＤ装置１は真空槽２内の上部
に回転するドラム状の対向電極３、回転支持ローラ３
ａ，３ｂ、巻出しロール４ａ，巻取りロール４ｂが配置
され、そこに連続したフィルム（被処理体）５が、巻出
しロール４ａ、回転支持ローラ３ａ、対向電極３、回転
支持ローラ３ｂ、巻取りロール４ｂの順に走行する。そ
して、対向電極３の下部には、ＤＣ放電によりプラズマ
を生成するための反応管６が配置されている。
に回転するドラム状の対向電極３、回転支持ローラ３
ａ，３ｂ、巻出しロール４ａ，巻取りロール４ｂが配置
され、そこに連続したフィルム（被処理体）５が、巻出
しロール４ａ、回転支持ローラ３ａ、対向電極３、回転
支持ローラ３ｂ、巻取りロール４ｂの順に走行する。そ
して、対向電極３の下部には、ＤＣ放電によりプラズマ
を生成するための反応管６が配置されている。
【００１４】この反応管６の内部には第１電極７が組み
込まれている。この第１電極７は第１直流電源８により
＋５００Ｖ〜２０００Ｖの電位が加えられる。電極の材
料としては、ガスを通しやすく、かつ、電界を均一に掛
けられ、柔軟性に富んだ金網のような金属メッシュがよ
い。この金属は銅などが代表的であるが、導電性から言
えば金なども挙げられる。
込まれている。この第１電極７は第１直流電源８により
＋５００Ｖ〜２０００Ｖの電位が加えられる。電極の材
料としては、ガスを通しやすく、かつ、電界を均一に掛
けられ、柔軟性に富んだ金網のような金属メッシュがよ
い。この金属は銅などが代表的であるが、導電性から言
えば金なども挙げられる。
【００１５】さらにこの第１電極７と、対向電極３との
間に第２電極９が設けられている。この第２電極９に
は、第２直流電源１０が接続されており、＋５００Ｖ〜
１５００Ｖの電位が加えられる。そして、第２電極電圧
Ｅ２は第１電極電圧Ｅ１より小さくする。このようにす
ることにより、第１電極７により、炭化水素ガスの分
解、結合を促進し、次に第２電極９によりフィルム５へ
の損傷を抑えつつプラズマ電力を供給する。
間に第２電極９が設けられている。この第２電極９に
は、第２直流電源１０が接続されており、＋５００Ｖ〜
１５００Ｖの電位が加えられる。そして、第２電極電圧
Ｅ２は第１電極電圧Ｅ１より小さくする。このようにす
ることにより、第１電極７により、炭化水素ガスの分
解、結合を促進し、次に第２電極９によりフィルム５へ
の損傷を抑えつつプラズマ電力を供給する。
【００１６】そして反応管６の底部にはガス導入口６ａ
が設けられており、炭化水素ガスが反応管６に供給され
る。反応管６の内部では、この炭化水素ガスが第１電極
７、第２電極９を通過する際にプラズマ化され、対向電
極３上に配置されたフィルム５上にカーボン膜を形成す
る。そして炭化水素ガスは真空槽２の上部に設けた排気
系１１に抜けていくようになされている。
が設けられており、炭化水素ガスが反応管６に供給され
る。反応管６の内部では、この炭化水素ガスが第１電極
７、第２電極９を通過する際にプラズマ化され、対向電
極３上に配置されたフィルム５上にカーボン膜を形成す
る。そして炭化水素ガスは真空槽２の上部に設けた排気
系１１に抜けていくようになされている。
【００１７】次に本発明の反応管を使用した実施結果に
ついて説明を行なう。本実施例に用いた蒸着テープは以
下の表に示す条件の下に製造されたものである。 ベースフィルム ：１０μｍＰＥＴ 磁性層 ：厚さ ２００μｍ組成Ｃｏ８０Ｎｉ２０単層 入射角 ：４５〜９０度 導入ガス ：酸素ガス 蒸着時真空度 ：２×１０-2Ｐａ
ついて説明を行なう。本実施例に用いた蒸着テープは以
下の表に示す条件の下に製造されたものである。 ベースフィルム ：１０μｍＰＥＴ 磁性層 ：厚さ ２００μｍ組成Ｃｏ８０Ｎｉ２０単層 入射角 ：４５〜９０度 導入ガス ：酸素ガス 蒸着時真空度 ：２×１０-2Ｐａ
【００１８】また、本装置を用い前述蒸着テープ上にＤ
ＬＣ膜を形成したときの条件は次のようであり、形成さ
れたＤＬＣ膜の膜厚は、いずれも１０ｎｍとしている。
ＬＣ膜を形成したときの条件は次のようであり、形成さ
れたＤＬＣ膜の膜厚は、いずれも１０ｎｍとしている。
【００１９】評価としては、４０℃、３０％ＲＨ環境下
で１０分間１回記録した後９９回再生するシャトル試験
と、スチル耐久試験を行なった。両試験とも８ｍｍＶＴ
ＲデッキＥＶＯ９５００（ソニー（株）社製）を使用し
た。スチル耐久試験の結果は、初期出力に対して−３ｄ
Ｂになる時間で表示した。また、フィルム基板への損傷
を示す、皺の発生の有無も調べた。表１に評価結果を示
す。
で１０分間１回記録した後９９回再生するシャトル試験
と、スチル耐久試験を行なった。両試験とも８ｍｍＶＴ
ＲデッキＥＶＯ９５００（ソニー（株）社製）を使用し
た。スチル耐久試験の結果は、初期出力に対して−３ｄ
Ｂになる時間で表示した。また、フィルム基板への損傷
を示す、皺の発生の有無も調べた。表１に評価結果を示
す。
【００２０】
【表１】
【００２１】この表１に示されるように、本発明のＣＶ
Ｄ装置を用いて製造した磁気テープは、フィルム基板へ
の損傷が抑制され、かつ、良好な特性が得られる。
Ｄ装置を用いて製造した磁気テープは、フィルム基板へ
の損傷が抑制され、かつ、良好な特性が得られる。
【００２２】本発明において対象となる磁気記録媒体と
しては非磁性支持体上に真空成膜法によって金属磁性薄
膜を形成する磁気テープであり、かつその表面にＣＶＤ
法によってＤＬＣ保護膜が形成された媒体である。上記
非磁性支持体上には強磁性金属材料を直接被着すること
により金属磁性薄膜が磁性層として形成されているがこ
の金属磁性材料としては、通常の蒸着テープに使用され
るものであれば如何なるものであってもよい。
しては非磁性支持体上に真空成膜法によって金属磁性薄
膜を形成する磁気テープであり、かつその表面にＣＶＤ
法によってＤＬＣ保護膜が形成された媒体である。上記
非磁性支持体上には強磁性金属材料を直接被着すること
により金属磁性薄膜が磁性層として形成されているがこ
の金属磁性材料としては、通常の蒸着テープに使用され
るものであれば如何なるものであってもよい。
【００２３】例示すれば、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどの強磁
性金属、Ｆｅ−Ｃｏ，Ｃｏ−Ｏ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ，Ｆ
ｅ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ａｕ，Ｃｏ−Ｐｔ，Ｍｎ
−Ｂｉ，Ｍｎ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒ，Ｎｉ−
Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の強磁性合金が挙げられる。
性金属、Ｆｅ−Ｃｏ，Ｃｏ−Ｏ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ，Ｆ
ｅ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ａｕ，Ｃｏ−Ｐｔ，Ｍｎ
−Ｂｉ，Ｍｎ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒ，Ｎｉ−
Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の強磁性合金が挙げられる。
【００２４】これらの単層膜であってもよいし多層膜で
あってもよい。さらには、非磁性支持体と金属磁性薄膜
間、あるいは多層膜の場合には、各層間の付着力向上、
並びに抗磁力の制御等のため、下地層または、中間層を
設けてもよい。また、例えば磁性層表面近傍が耐蝕性改
善等のために酸化物となっていてもよい。
あってもよい。さらには、非磁性支持体と金属磁性薄膜
間、あるいは多層膜の場合には、各層間の付着力向上、
並びに抗磁力の制御等のため、下地層または、中間層を
設けてもよい。また、例えば磁性層表面近傍が耐蝕性改
善等のために酸化物となっていてもよい。
【００２５】金属磁性薄膜形成の手段としては、真空下
で強磁性材料を加熱蒸発させ非磁性支持体上に沈着させ
る真空蒸着法や、強磁性金属材料の蒸発を放電中で行な
うイオンプレーティング法、アルゴンを主成分とする雰
囲気中でグロー放電を起こし、生じたアルゴンイオンで
ターゲット表面の原子をたたき出すスパッタ法等の、い
わゆるＰＶＤ技術によればよい。
で強磁性材料を加熱蒸発させ非磁性支持体上に沈着させ
る真空蒸着法や、強磁性金属材料の蒸発を放電中で行な
うイオンプレーティング法、アルゴンを主成分とする雰
囲気中でグロー放電を起こし、生じたアルゴンイオンで
ターゲット表面の原子をたたき出すスパッタ法等の、い
わゆるＰＶＤ技術によればよい。
【００２６】もちろん、本発明にかかる磁気テープの構
成はこれに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸
脱しない範囲での変更、例えば必要に応じてバックコー
ト層を形成したり、非磁性支持体上に下塗層を形成した
り、潤滑剤などの層を形成することは何等差し支えな
い。この場合、バックコート層に含まれる非磁性顔料、
樹脂結合剤あるいは潤滑剤に含まれる材料としては従来
公知のものがいずれも使用できる。
成はこれに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸
脱しない範囲での変更、例えば必要に応じてバックコー
ト層を形成したり、非磁性支持体上に下塗層を形成した
り、潤滑剤などの層を形成することは何等差し支えな
い。この場合、バックコート層に含まれる非磁性顔料、
樹脂結合剤あるいは潤滑剤に含まれる材料としては従来
公知のものがいずれも使用できる。
【００２７】
【発明の効果】本発明のプラズマＣＶＤ装置によれば、
直流電圧を多段階に印加する手段を具備した反応管を用
いることにより、フィルムへの損傷を抑え、かつ良好な
磁気特性で、かつ良好な耐久性を有した磁気テープが得
られる。
直流電圧を多段階に印加する手段を具備した反応管を用
いることにより、フィルムへの損傷を抑え、かつ良好な
磁気特性で、かつ良好な耐久性を有した磁気テープが得
られる。
【図１】 本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の構成概念
図。
図。
１…プラズマＣＶＤ装置、２…真空槽、３…対向電極、
３ａ，３ｂ…回転支持ローラ、４ａ…巻出しロール、４
ｂ…巻取りロール、５…フィルム（被処理体）、６…反
応管、６ａ…ガス導入口、７…第１電極、８…第１直流
電源、９…第２電極、１０…第２直流電極、１１…排気
系
３ａ，３ｂ…回転支持ローラ、４ａ…巻出しロール、４
ｂ…巻取りロール、５…フィルム（被処理体）、６…反
応管、６ａ…ガス導入口、７…第１電極、８…第１直流
電源、９…第２電極、１０…第２直流電極、１１…排気
系
Claims (3)
- 【請求項１】 プラズマ放電を用いたＣＶＤ成膜におい
て、 反応管中の直流放電電圧を多段階に印加する手段を具備
したことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 前記反応管内に対向電極と近接した第２
の電極と、 該第２の電極より離隔した位置に設けた第１の電極と、 前記第１の電極に電圧を印加する第１の直流電源と、 前記第２の電極に電圧を印加する第２の直流電源と、 を具備し、前記第２の直流電源電圧が前記第１の直流電
源電圧より小としたことを特徴とする請求項１に記載の
プラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 前記対向電極上にフィルムを走行させ
て、該フィルム上に被膜を形成することを特徴とする請
求項２に記載のプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3649097A JPH10237660A (ja) | 1997-02-20 | 1997-02-20 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3649097A JPH10237660A (ja) | 1997-02-20 | 1997-02-20 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10237660A true JPH10237660A (ja) | 1998-09-08 |
Family
ID=12471274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3649097A Pending JPH10237660A (ja) | 1997-02-20 | 1997-02-20 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10237660A (ja) |
-
1997
- 1997-02-20 JP JP3649097A patent/JPH10237660A/ja active Pending
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