JPH10310867A - 薄膜形成装置およびこれを用いた薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成装置およびこれを用いた薄膜形成方法Info
- Publication number
- JPH10310867A JPH10310867A JP9118395A JP11839597A JPH10310867A JP H10310867 A JPH10310867 A JP H10310867A JP 9118395 A JP9118395 A JP 9118395A JP 11839597 A JP11839597 A JP 11839597A JP H10310867 A JPH10310867 A JP H10310867A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film forming
- magnetic
- forming apparatus
- magnetic recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマＣＶＤ法等の薄膜形成装置におい
て、膜質に優れ、また成膜速度が大きく生産性に優れた
薄膜を得るための薄膜形成装置を提供する。およびそれ
を用いた薄膜形成方法と得られる薄膜を提供する。 【解決手段】 プラズマＣＶＤ装置１５において、プラ
ズマを発生させる電極６とガス導入口１１との間に触媒
電極９、および触媒電極用電源１０を配設する。かかる
プラズマＣＶＤ装置により、触媒電極によりガスを活性
化しつつ、プラズマ反応による薄膜形成工程を促進す
る。 【効果】 上記の薄膜形成装置を、磁気テープの保護層
または磁気ヘッドの保護層の形成に適用すれば、形成さ
れる薄膜の膜質および膜形成速度の向上が計れる。
て、膜質に優れ、また成膜速度が大きく生産性に優れた
薄膜を得るための薄膜形成装置を提供する。およびそれ
を用いた薄膜形成方法と得られる薄膜を提供する。 【解決手段】 プラズマＣＶＤ装置１５において、プラ
ズマを発生させる電極６とガス導入口１１との間に触媒
電極９、および触媒電極用電源１０を配設する。かかる
プラズマＣＶＤ装置により、触媒電極によりガスを活性
化しつつ、プラズマ反応による薄膜形成工程を促進す
る。 【効果】 上記の薄膜形成装置を、磁気テープの保護層
または磁気ヘッドの保護層の形成に適用すれば、形成さ
れる薄膜の膜質および膜形成速度の向上が計れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマ反応を利用
した薄膜形成装置および薄膜形成方法に関し、さらに詳
しくは、形成される薄膜の膜質、成膜速度に特徴を有す
る薄膜形成装置および薄膜形成方法に関する。
した薄膜形成装置および薄膜形成方法に関し、さらに詳
しくは、形成される薄膜の膜質、成膜速度に特徴を有す
る薄膜形成装置および薄膜形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜形成装置および薄膜形成方法を応用
した分野のうち情報記録の領域では、特に情報記録媒体
に用いられる、磁気テープ、磁気ディスク等の磁気記録
媒体上に形成される保護層、または磁気ヘッド上の保護
層がある。これらの保護層では、保護層を形成する工程
の高スループット化とともに、これにより形成された保
護層の高耐摩耗性が求められている。以下、薄膜形成装
置および薄膜形成方法を磁気テープに適用した例につい
て説明する。
した分野のうち情報記録の領域では、特に情報記録媒体
に用いられる、磁気テープ、磁気ディスク等の磁気記録
媒体上に形成される保護層、または磁気ヘッド上の保護
層がある。これらの保護層では、保護層を形成する工程
の高スループット化とともに、これにより形成された保
護層の高耐摩耗性が求められている。以下、薄膜形成装
置および薄膜形成方法を磁気テープに適用した例につい
て説明する。
【０００３】従来より、磁気記録媒体としては、非磁性
支持体上に酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の粉
末磁性材料を塩化ビニール−酢酸ビニール系共重合体、
ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ポリウレタン樹脂等
の有機バインダー中に分散せしめた磁性塗料を塗布、乾
燥することにより作成される塗布型の磁気記録媒体が広
く使用されている。
支持体上に酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の粉
末磁性材料を塩化ビニール−酢酸ビニール系共重合体、
ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ポリウレタン樹脂等
の有機バインダー中に分散せしめた磁性塗料を塗布、乾
燥することにより作成される塗布型の磁気記録媒体が広
く使用されている。
【０００４】これに対して、高密度磁気記録への要求の
高まりと共に、Ｃｏ−Ｎｉ合金，Ｃｏ−Ｃｒ合金，Ｃｏ
−Ｏ等の金属磁性材料を、メッキや、真空薄膜形成手段
（真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティン
グ法等）によってポリエステルフイルムや、ポリアミ
ド、ポリイミドフイルム等の非磁性体上に直接被着し
た、いわゆる金属薄膜型磁気記録層を有する磁気記録媒
体が提案され注目を集めている。
高まりと共に、Ｃｏ−Ｎｉ合金，Ｃｏ−Ｃｒ合金，Ｃｏ
−Ｏ等の金属磁性材料を、メッキや、真空薄膜形成手段
（真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティン
グ法等）によってポリエステルフイルムや、ポリアミ
ド、ポリイミドフイルム等の非磁性体上に直接被着し
た、いわゆる金属薄膜型磁気記録層を有する磁気記録媒
体が提案され注目を集めている。
【０００５】ところで、近年金属薄膜型磁気記録層から
なるいわゆる蒸着テープと呼ばれる磁気テープは、デジ
タルビデオカセットレコーダー等の用途や、ＡＩＴ（ソ
ニー社商品名：Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅ
ｎｃｅ Ｔａｐｅ）等のデータストリーマー用途等への
利用の広がりを見せており、この中で磁気テープの薄膜
特性および薄膜形成工程等の実用特性の向上が切に望ま
れている。
なるいわゆる蒸着テープと呼ばれる磁気テープは、デジ
タルビデオカセットレコーダー等の用途や、ＡＩＴ（ソ
ニー社商品名：Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅ
ｎｃｅ Ｔａｐｅ）等のデータストリーマー用途等への
利用の広がりを見せており、この中で磁気テープの薄膜
特性および薄膜形成工程等の実用特性の向上が切に望ま
れている。
【０００６】以下に、金属薄膜型磁気記録層を有する磁
気テープの一例について、概略断面図である図２を参照
して説明する。磁気テープ２０は、ポリエステルフィル
ム等の非磁性支持体２１に、金属薄膜型磁気記録層２３
が、スパッタリング等の薄膜形成法で形成される。さら
に、必要に応じて、硬質カーボン系保護層２４、潤滑剤
層２５、下塗り層２２およびバックコート層２６から形
成される。
気テープの一例について、概略断面図である図２を参照
して説明する。磁気テープ２０は、ポリエステルフィル
ム等の非磁性支持体２１に、金属薄膜型磁気記録層２３
が、スパッタリング等の薄膜形成法で形成される。さら
に、必要に応じて、硬質カーボン系保護層２４、潤滑剤
層２５、下塗り層２２およびバックコート層２６から形
成される。
【０００７】この金属薄膜型磁気記録層を有する磁気記
録媒体は、塗布型の磁気記録媒体と異なり、磁気記録層
中に非磁性材であるバインダーを混入する必要がなく、
磁性材料の充填密度を高めることができるので、抗磁力
や、角型比等に優れ、記録減磁や、再生時の厚み損失が
著しく小さく短波長での電磁変換特性に優れる等多くの
利点を有している。即ち、金属薄膜型磁気記録層を有す
る磁気記録媒体は、磁気特性的な優位さの故に、高密度
磁気記録の主流になるものと考えられる。
録媒体は、塗布型の磁気記録媒体と異なり、磁気記録層
中に非磁性材であるバインダーを混入する必要がなく、
磁性材料の充填密度を高めることができるので、抗磁力
や、角型比等に優れ、記録減磁や、再生時の厚み損失が
著しく小さく短波長での電磁変換特性に優れる等多くの
利点を有している。即ち、金属薄膜型磁気記録層を有す
る磁気記録媒体は、磁気特性的な優位さの故に、高密度
磁気記録の主流になるものと考えられる。
【０００８】さらに、この種の磁気記録媒体の電磁変換
特性を向上させ、より大きな出力を得ることができるよ
うにするために、前記磁気記録媒体の磁気記録層を形成
する場合、磁気記録層を斜めに蒸着するいわゆる斜方蒸
着法が実用化されている。
特性を向上させ、より大きな出力を得ることができるよ
うにするために、前記磁気記録媒体の磁気記録層を形成
する場合、磁気記録層を斜めに蒸着するいわゆる斜方蒸
着法が実用化されている。
【０００９】一方、今後更なる高密度化の流れからスペ
ーシング損失を少なくする為に、磁気記録媒体表面は平
滑化される傾向にある。しかしながら、これは磁気ヘッ
ドと磁気記録媒体間の摩擦力の増大を招くとともに、磁
気記録媒体に生ずる応力を大とする。
ーシング損失を少なくする為に、磁気記録媒体表面は平
滑化される傾向にある。しかしながら、これは磁気ヘッ
ドと磁気記録媒体間の摩擦力の増大を招くとともに、磁
気記録媒体に生ずる応力を大とする。
【００１０】このような背景から、磁気ヘッドと磁気記
録媒体間の摩擦係数を小さくするとともに耐摩耗性を大
きくする目的で、磁気記録媒体の磁気記録層の表面に保
護層が形成されている。
録媒体間の摩擦係数を小さくするとともに耐摩耗性を大
きくする目的で、磁気記録媒体の磁気記録層の表面に保
護層が形成されている。
【００１１】このような保護層としては、カーボン膜、
石英（ＳｉＯ2 ）膜、ジルコニア（（ＺｒＯ2 ）膜等が
検討され、磁気ディスクにおいては、すでに実用化され
生産されているものもある。特に、近年では保護層を形
成する材料としてさらに硬度の大きいダイアモンドライ
クカーボン（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏ
ｎ）膜（以下、ＤＬＣ膜と略記する。）等の膜形成も行
われており、今後主流となると思われる。
石英（ＳｉＯ2 ）膜、ジルコニア（（ＺｒＯ2 ）膜等が
検討され、磁気ディスクにおいては、すでに実用化され
生産されているものもある。特に、近年では保護層を形
成する材料としてさらに硬度の大きいダイアモンドライ
クカーボン（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏ
ｎ）膜（以下、ＤＬＣ膜と略記する。）等の膜形成も行
われており、今後主流となると思われる。
【００１２】このような、硬質カーボン系保護層２４等
の薄膜形成装置としては、スパッタリング装置またはプ
ラズマＣＶＤ装置が多く用いられているが、以下にその
成膜装置および成膜方法について説明する。
の薄膜形成装置としては、スパッタリング装置またはプ
ラズマＣＶＤ装置が多く用いられているが、以下にその
成膜装置および成膜方法について説明する。
【００１３】スパッタリング装置では、まず、電場や磁
場を利用して、Ａｒガス等の不活性ガスの電離（プラズ
マ化）を行う。更に、電離されたＡｒイオンを加速する
ことにより、その運動エネルギーによりターゲットの原
子をはじき出す。そして、そのはじき出された原子が対
向する基板上に堆積し、目的とする膜を形成する物理的
工程を有する。この工程による薄膜の形成速度は一般に
遅く工業的には生産性に問題を残すものであり、以下に
述べるプラズマＣＶＤ装置による方が優れている。
場を利用して、Ａｒガス等の不活性ガスの電離（プラズ
マ化）を行う。更に、電離されたＡｒイオンを加速する
ことにより、その運動エネルギーによりターゲットの原
子をはじき出す。そして、そのはじき出された原子が対
向する基板上に堆積し、目的とする膜を形成する物理的
工程を有する。この工程による薄膜の形成速度は一般に
遅く工業的には生産性に問題を残すものであり、以下に
述べるプラズマＣＶＤ装置による方が優れている。
【００１４】プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａ
ｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置では、電場や、磁
場を用いて発生させたプラズマのエネルギーを利用し
て、原料となる気体の分解、および結合等の化学反応を
起こさせ、薄膜を形成する工程を有する。また、このプ
ラズマＣＶＤ装置におけるプラズマ発生源として、ＤＣ
放電やＲＦ放電が一般的であるが、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）等
を利用した方式の検討もなされている。これらの放電方
式はそれぞれ利点および欠点を有しており、工業的見地
から述べるとＤＣ放電を用いるものが、生産装置も簡便
であり生産が容易である。
ｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置では、電場や、磁
場を用いて発生させたプラズマのエネルギーを利用し
て、原料となる気体の分解、および結合等の化学反応を
起こさせ、薄膜を形成する工程を有する。また、このプ
ラズマＣＶＤ装置におけるプラズマ発生源として、ＤＣ
放電やＲＦ放電が一般的であるが、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）等
を利用した方式の検討もなされている。これらの放電方
式はそれぞれ利点および欠点を有しており、工業的見地
から述べるとＤＣ放電を用いるものが、生産装置も簡便
であり生産が容易である。
【００１５】しかし、このＤＣ放電は他方式に比べてプ
ラズマ密度が低いこともあり、成膜速度が小さく膜質特
性も不充分である。このようなプラズマＣＶＤ装置によ
る薄膜形成は広く行われているが、膜質のさらなる改善
およびより生産性の上がる成膜速度の向上が切に望まれ
ている。
ラズマ密度が低いこともあり、成膜速度が小さく膜質特
性も不充分である。このようなプラズマＣＶＤ装置によ
る薄膜形成は広く行われているが、膜質のさらなる改善
およびより生産性の上がる成膜速度の向上が切に望まれ
ている。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
技術的な背景のもとに提案するものであり、膜質および
成膜速度などの実用特性に優れる薄膜形成装置およびそ
れを用いた薄膜形成方法、さらにはそれにより形成され
る薄膜を提供することをその課題とする。
技術的な背景のもとに提案するものであり、膜質および
成膜速度などの実用特性に優れる薄膜形成装置およびそ
れを用いた薄膜形成方法、さらにはそれにより形成され
る薄膜を提供することをその課題とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜形成装置、
および薄膜形成方法は、上述の課題を解決するために提
案するものである。
および薄膜形成方法は、上述の課題を解決するために提
案するものである。
【００１８】本発明の薄膜形成装置は、真空槽中でプラ
ズマを発生させる電極と、真空槽へのガス導入口を備え
た薄膜形成装置において、電極とガス導入口との間に、
触媒電極と、触媒電極用の電源を備えたことを特徴とす
る。
ズマを発生させる電極と、真空槽へのガス導入口を備え
た薄膜形成装置において、電極とガス導入口との間に、
触媒電極と、触媒電極用の電源を備えたことを特徴とす
る。
【００１９】本発明の薄膜形成方法は、真空槽中でプラ
ズマを発生させる電極と、真空槽へのガス導入口と、電
極とガス導入口との間に触媒電極と、触媒電極用の電源
とを備えた薄膜形成装置を用いて被処理体に薄膜を形成
する工程を有し、プラズマ雰囲気中に触媒電極により加
熱され、活性化された原料ガスを導入する工程を有する
ことを特徴とする。
ズマを発生させる電極と、真空槽へのガス導入口と、電
極とガス導入口との間に触媒電極と、触媒電極用の電源
とを備えた薄膜形成装置を用いて被処理体に薄膜を形成
する工程を有し、プラズマ雰囲気中に触媒電極により加
熱され、活性化された原料ガスを導入する工程を有する
ことを特徴とする。
【００２０】また触媒電極の望ましい材料としては、触
媒作用をもつＷ、Ｍｏ、Ｐｔ、ＴａおよびＮｉＣｒのう
ち、いずれか１種の金属である。
媒作用をもつＷ、Ｍｏ、Ｐｔ、ＴａおよびＮｉＣｒのう
ち、いずれか１種の金属である。
【００２１】本発明の薄膜形成方法は、プラズマ反応を
利用したプラズマＣＶＤ法に適用すると有効である。
利用したプラズマＣＶＤ法に適用すると有効である。
【００２２】また、本発明の薄膜形成方法を、被処理体
が磁気記録媒体または磁気ヘッドであり、被処理体上へ
の保護層薄膜を成膜する工程に適用すると有効である。
が磁気記録媒体または磁気ヘッドであり、被処理体上へ
の保護層薄膜を成膜する工程に適用すると有効である。
【００２３】これらの保護層としては、カーボン、ＤＬ
Ｃ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＡｌＮ、Ａｌ
Ｃ、ＳｉＣ、Ｓｉ3Ｎ4 、ＴｉＣ、ＴｉＮ、ＢＣおよび
ＢＮのいずれかを形成することが望ましい。
Ｃ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＡｌＮ、Ａｌ
Ｃ、ＳｉＣ、Ｓｉ3Ｎ4 、ＴｉＣ、ＴｉＮ、ＢＣおよび
ＢＮのいずれかを形成することが望ましい。
【００２４】上述した手段による作用を以下に説明す
る。触媒作用を有する触媒電極および触媒電極用電源を
備えた、プラズマ反応を利用した薄膜形成装置によれ
ば、触媒電極により加熱された原料ガスが活性化し、プ
ラズマ雰囲気中での分解および結合反応が促進する。ま
た、このような薄膜形成方法によれば、形成される薄膜
の膜質および成膜速度が向上する。
る。触媒作用を有する触媒電極および触媒電極用電源を
備えた、プラズマ反応を利用した薄膜形成装置によれ
ば、触媒電極により加熱された原料ガスが活性化し、プ
ラズマ雰囲気中での分解および結合反応が促進する。ま
た、このような薄膜形成方法によれば、形成される薄膜
の膜質および成膜速度が向上する。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態例につ
き詳細な説明を加える。本発明の実施の形態に関わる薄
膜形成装置について、図１を参照しながら説明する。図
１は本発明の薄膜形成装置の一例として、プラズマＣＶ
Ｄ装置を磁気テープの製造装置に適用した例であり、磁
気テープの被処理体ウェブ１に保護層として、ＤＬＣ膜
を形成するために用いたプラズマＣＶＤ成膜装置の概略
断面図である。この被処理体ウェブ１は、真空槽１４中
で、回転支持体２に支えられながら、巻きだしロール
３、キャン状の対向電極１２、巻き取りロール４の順に
走行する。この場合、ＤＬＣ薄膜は対向電極１２上で形
成される。
き詳細な説明を加える。本発明の実施の形態に関わる薄
膜形成装置について、図１を参照しながら説明する。図
１は本発明の薄膜形成装置の一例として、プラズマＣＶ
Ｄ装置を磁気テープの製造装置に適用した例であり、磁
気テープの被処理体ウェブ１に保護層として、ＤＬＣ膜
を形成するために用いたプラズマＣＶＤ成膜装置の概略
断面図である。この被処理体ウェブ１は、真空槽１４中
で、回転支持体２に支えられながら、巻きだしロール
３、キャン状の対向電極１２、巻き取りロール４の順に
走行する。この場合、ＤＬＣ薄膜は対向電極１２上で形
成される。
【００２６】符号５に示すものはＤＣ放電を主とした反
応管であり、この反応管５の内部には、プラズマを発生
させる電極６が組み込まれている。この電極６は、直流
電源７により例えば＋５００Ｖ〜２０００Ｖの電位が加
えられる。電極６としては、ガスを通しやすく、かつ電
界を均一にかけられ、柔軟性に富んだ、金網のような金
属メッシュがよい。この金属は、Ｃｕが代表的だが、導
電性の良好なＡｕ等でも良い。
応管であり、この反応管５の内部には、プラズマを発生
させる電極６が組み込まれている。この電極６は、直流
電源７により例えば＋５００Ｖ〜２０００Ｖの電位が加
えられる。電極６としては、ガスを通しやすく、かつ電
界を均一にかけられ、柔軟性に富んだ、金網のような金
属メッシュがよい。この金属は、Ｃｕが代表的だが、導
電性の良好なＡｕ等でも良い。
【００２７】さらに、この反応管５のガス導入口側に、
触媒槽８があり、この内部には、触媒作用を有する触媒
電極９が設置されている。この触媒電極９の材料として
は、例えばＷあるいはＭｏ材料を選ぶ。触媒電極９は、
触媒槽８中で、炭化水素系ガスとして導入された例えば
エチレンガスに均等に接しながら、そのエチレンガスを
通しやすく、かつ電界を均一にかけられる例えば矩形状
金属板を複数個並べて配列する構造にする。この触媒電
極９には、例えば５０Ｈｚ１００Ｖの交流電源を触媒電
極用電源１０として接続し、加熱することが可能であ
る。
触媒槽８があり、この内部には、触媒作用を有する触媒
電極９が設置されている。この触媒電極９の材料として
は、例えばＷあるいはＭｏ材料を選ぶ。触媒電極９は、
触媒槽８中で、炭化水素系ガスとして導入された例えば
エチレンガスに均等に接しながら、そのエチレンガスを
通しやすく、かつ電界を均一にかけられる例えば矩形状
金属板を複数個並べて配列する構造にする。この触媒電
極９には、例えば５０Ｈｚ１００Ｖの交流電源を触媒電
極用電源１０として接続し、加熱することが可能であ
る。
【００２８】また、真空槽１４には真空排気系１３が具
備され、さらにガス導入口１１から原料ガスとして例え
ばエチレンガスが導入される。
備され、さらにガス導入口１１から原料ガスとして例え
ばエチレンガスが導入される。
【００２９】次に、本発明を適用した具体的な実施例お
よびこれに対比する比較例について磁気テープを例にと
り、この磁気テープの磁気記録層上に保護層を形成する
工程について以下に説明する。この磁気テープの構造
は、一般的な金属薄膜型磁気テープの構成に準じる。
よびこれに対比する比較例について磁気テープを例にと
り、この磁気テープの磁気記録層上に保護層を形成する
工程について以下に説明する。この磁気テープの構造
は、一般的な金属薄膜型磁気テープの構成に準じる。
【００３０】本実施例および比較例に使用した磁気テー
プの磁性層の成膜条件は、例えば以下に示すとおりであ
る。
プの磁性層の成膜条件は、例えば以下に示すとおりであ
る。
【００３１】実施例１ 磁気テープの磁気記録層上にＤＬＣ膜を形成したときの
プラズマＣＶＤ条件は、例えば以下に示した条件を採用
した。 導入ガス エチレンガス 反応圧力 ４０Ｐａ 導入電力 ＤＣ１．２ｋＶ 触媒用電極 タングステン 触媒用電源 ＡＣ５０Ｈｚ、１００Ｖ ＤＬＣ膜厚 ８ｎｍ
プラズマＣＶＤ条件は、例えば以下に示した条件を採用
した。 導入ガス エチレンガス 反応圧力 ４０Ｐａ 導入電力 ＤＣ１．２ｋＶ 触媒用電極 タングステン 触媒用電源 ＡＣ５０Ｈｚ、１００Ｖ ＤＬＣ膜厚 ８ｎｍ
【００３２】実施例２ 本実施例は、触媒電極にモリブデンを用いた以外は、実
施例１と同様の条件で保護層を形成した。
施例１と同様の条件で保護層を形成した。
【００３３】比較例１ 本比較例は、触媒電極を使用せず、その他の条件は実施
例１と同様の条件で保護層を形成した。
例１と同様の条件で保護層を形成した。
【００３４】以上の実施例１〜２、および比較例１の磁
気テープにつき、市販のデジタルビデオカムコーダー
（ソニー社製ＤＶＣ−７００）等を用いて特性を測定し
た。評価項目は、シャトル耐久性、スチル耐久性、摩擦
係数、および錆び特性である。
気テープにつき、市販のデジタルビデオカムコーダー
（ソニー社製ＤＶＣ−７００）等を用いて特性を測定し
た。評価項目は、シャトル耐久性、スチル耐久性、摩擦
係数、および錆び特性である。
【００３５】シャトル耐久性 再生時間１０分間の磁気テープに１回記録した後、４０
℃３０％ＲＨの環境下で、全長に渡って９９回繰り返し
再生させた１００ｐａｓｓ後の再生出力を、初期出力に
対する劣化の割合で評価する。
℃３０％ＲＨの環境下で、全長に渡って９９回繰り返し
再生させた１００ｐａｓｓ後の再生出力を、初期出力に
対する劣化の割合で評価する。
【００３６】スチル耐久性 磁気テープに記録された信号の再生出力が、−５℃の環
境下で、スチル再生状態のまま保持した状態で、初期出
力に対して、−３ｄＢになる時間で表示する。
境下で、スチル再生状態のまま保持した状態で、初期出
力に対して、−３ｄＢになる時間で表示する。
【００３７】摩擦係数 摩擦係数の測定は、図３に概略を示した測定装置により
行う。ステンレス（ＳＵＳ３０４）製のガイドピン（表
面粗度０．１Ｓ以下）Ｄを水平に配置し、この外周面に
角度θにわたって磁気テープＰの保護層側を案内させ
る。磁気テープＰの一端に、おもりＷを係合し、この重
りＷによりテンションＴ1 をかける。磁気テープＰの他
端は、一定速度Ｖで移動する力測定装置Ｍの検出端に係
合し、ガイドピンＤと磁気テープＰとの摺動時のテンシ
ョンＴ2 の測定を行う。このとき下式の関係が成り立
つ。 Ｔ2 ／Ｔ1 ＝ｅｘｐ（μ・θ） この式により、摩擦係数μは次の式により求められる。 μ＝（１／θ）Ｉｎ（Ｔ2 ／Ｔ1 ） 実際の測定は、恒温恒湿度中で、４０℃８０％ＲＨの雰
囲気で行った。また、Ｗ＝１０ｇｆ、θ＝９０度、Ｖ＝
２０ｍｍ／ｓｅｃの条件を用いた。
行う。ステンレス（ＳＵＳ３０４）製のガイドピン（表
面粗度０．１Ｓ以下）Ｄを水平に配置し、この外周面に
角度θにわたって磁気テープＰの保護層側を案内させ
る。磁気テープＰの一端に、おもりＷを係合し、この重
りＷによりテンションＴ1 をかける。磁気テープＰの他
端は、一定速度Ｖで移動する力測定装置Ｍの検出端に係
合し、ガイドピンＤと磁気テープＰとの摺動時のテンシ
ョンＴ2 の測定を行う。このとき下式の関係が成り立
つ。 Ｔ2 ／Ｔ1 ＝ｅｘｐ（μ・θ） この式により、摩擦係数μは次の式により求められる。 μ＝（１／θ）Ｉｎ（Ｔ2 ／Ｔ1 ） 実際の測定は、恒温恒湿度中で、４０℃８０％ＲＨの雰
囲気で行った。また、Ｗ＝１０ｇｆ、θ＝９０度、Ｖ＝
２０ｍｍ／ｓｅｃの条件を用いた。
【００３８】錆び特性 温度３０℃、相対湿度７０％に維持され、更に０．５ｐ
ｐｍ濃度のＳＯ2 ガス雰囲気環境に設定された恒温恒湿
槽に、磁気テープ試料を３日間保存する耐環境試験を行
う。測定は、保存前の飽和磁化Ｍｓと、保存後の飽和磁
化Ｍｓ’の変化量△Ｍｓをみる。以下に、計算式を示
す。 △Ｍｓ＝（Ｍｓ’−Ｍｓ）／Ｍｓ （△Ｍｓ（％）：飽和磁化の変化量）
ｐｍ濃度のＳＯ2 ガス雰囲気環境に設定された恒温恒湿
槽に、磁気テープ試料を３日間保存する耐環境試験を行
う。測定は、保存前の飽和磁化Ｍｓと、保存後の飽和磁
化Ｍｓ’の変化量△Ｍｓをみる。以下に、計算式を示
す。 △Ｍｓ＝（Ｍｓ’−Ｍｓ）／Ｍｓ （△Ｍｓ（％）：飽和磁化の変化量）
【００３９】以上の測定方法により測定した実施例１〜
２および比較例１の磁気テープの測定結果を［表１］に
示す。あわせて、それぞれの試料の成膜速度を示す。
２および比較例１の磁気テープの測定結果を［表１］に
示す。あわせて、それぞれの試料の成膜速度を示す。
【００４０】
【表１】
【００４１】表１から明らかなように、本発明の薄膜形
成方法によれば、実施例１〜２の磁気テープは、シャト
ル耐久性、スチル耐久性、摩擦係数、錆び特性および成
膜速度のいずれの評価項目においても比較例１の磁気テ
ープに比較して優れた特性を示した。この評価結果によ
り、本発明の薄膜形成装置を用いれば、得られる薄膜の
膜質の改善が計られ、更には膜形成速度の向上も図れる
ことが明らかである。
成方法によれば、実施例１〜２の磁気テープは、シャト
ル耐久性、スチル耐久性、摩擦係数、錆び特性および成
膜速度のいずれの評価項目においても比較例１の磁気テ
ープに比較して優れた特性を示した。この評価結果によ
り、本発明の薄膜形成装置を用いれば、得られる薄膜の
膜質の改善が計られ、更には膜形成速度の向上も図れる
ことが明らかである。
【００４２】以上に本発明の実施の形態例につき詳細な
説明を加えたが、本発明はこれら実施の形態例に何ら限
定されるものではなく、磁気記録媒体としては磁気ディ
スクの磁気記録層への保護層、さらには磁気ヘッドの磁
気記録媒体に対向する摺動面への保護層形成にも適用す
ることができる。
説明を加えたが、本発明はこれら実施の形態例に何ら限
定されるものではなく、磁気記録媒体としては磁気ディ
スクの磁気記録層への保護層、さらには磁気ヘッドの磁
気記録媒体に対向する摺動面への保護層形成にも適用す
ることができる。
【００４３】
【発明の効果】本発明の薄膜形成装置によれば、触媒電
極を用いたプラズマＣＶＤ法等の薄膜形成装置におい
て、プラズマ反応を活性化し、薄膜形成工程を促進でき
る。また、このような薄膜形成工程によれば、形成され
る薄膜の膜質および成膜速度を改善できる。また、磁気
記録媒体または磁気ヘッドの保護層として、ダイアモン
ドライクカーボン等を形成した場合、得られる薄膜の耐
摩耗性等の膜質および膜形成速度の向上が計れる。これ
により生産性をあげながら、かつ高信頼性の磁気記録媒
体または磁気ヘッドを提供することが可能となる。
極を用いたプラズマＣＶＤ法等の薄膜形成装置におい
て、プラズマ反応を活性化し、薄膜形成工程を促進でき
る。また、このような薄膜形成工程によれば、形成され
る薄膜の膜質および成膜速度を改善できる。また、磁気
記録媒体または磁気ヘッドの保護層として、ダイアモン
ドライクカーボン等を形成した場合、得られる薄膜の耐
摩耗性等の膜質および膜形成速度の向上が計れる。これ
により生産性をあげながら、かつ高信頼性の磁気記録媒
体または磁気ヘッドを提供することが可能となる。
【図１】 本発明の実施の形態例を示し、プラズマＣＶ
Ｄ法による成膜装置の概略断面図である。
Ｄ法による成膜装置の概略断面図である。
【図２】 金属薄膜型磁気記録層を有する磁気テープの
構造を示す概略断面図である。
構造を示す概略断面図である。
【図３】 摩擦係数の測定装置の概略を示す図である。
１…被処理体ウェブ、２…回転支持体、３…巻きだしロ
ール、４…巻き取りロール、５…反応管、６…電極、７
…直流電源、８…触媒槽、９…触媒電極、１０…触媒電
極用電源、１１…ガス導入口、１２…対向電極、１３…
真空排気系、１４…真空槽 、１５…プラズマＣＶＤ装
置、２０…磁気テープ、２１…非磁性支持体、２２…下
塗り層、２３…金属薄膜型磁気記録層、２４…硬質カー
ボン系保護層、２５…潤滑剤層、２６…バックコート
層、３０…摩擦係数測定装置、Ｐ…磁気テープ、Ｄ…ガ
イドピン、Ｗ…おもり、Ｔ1 …テンション、Ｔ2 …テン
ション、Ｍ…力測定装置、Ｖ…速度、θ…角度
ール、４…巻き取りロール、５…反応管、６…電極、７
…直流電源、８…触媒槽、９…触媒電極、１０…触媒電
極用電源、１１…ガス導入口、１２…対向電極、１３…
真空排気系、１４…真空槽 、１５…プラズマＣＶＤ装
置、２０…磁気テープ、２１…非磁性支持体、２２…下
塗り層、２３…金属薄膜型磁気記録層、２４…硬質カー
ボン系保護層、２５…潤滑剤層、２６…バックコート
層、３０…摩擦係数測定装置、Ｐ…磁気テープ、Ｄ…ガ
イドピン、Ｗ…おもり、Ｔ1 …テンション、Ｔ2 …テン
ション、Ｍ…力測定装置、Ｖ…速度、θ…角度
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 由佳 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 真空槽と、 前記真空槽中でプラズマを発生させる電極と、 前記真空槽へのガス導入口とを備えた薄膜形成装置にお
いて、 前記電極と前記ガス導入口との間に、触媒電極と、 前記触媒電極用電源とを備えることを特徴とする薄膜形
成装置。 - 【請求項２】 前記触媒電極の材料が、Ｗ、Ｔａ、Ｍ
ｏ、ＰｔおよびＮｉＣｒのいずれか１種であることを特
徴とする請求項１に記載の薄膜形成装置。 - 【請求項３】 真空槽と、 前記真空槽中でプラズマを発生させる電極と、 前記真空槽へのガス導入口と、 前記電極と前記ガス導入口との間に、触媒電極と、触媒
電極用電源とを具備した薄膜形成装置を用いて、被処理
体に薄膜を形成する工程を有する薄膜形成方法におい
て、 前記薄膜を形成する工程が、前記触媒電極を用いて前記
ガス導入口より導入されるガスを加熱し、前記ガスを活
性化する工程を有すること、 を特徴とする薄膜形成方法。 - 【請求項４】 前記薄膜を形成する工程が、プラズマＣ
ＶＤ法であることを特徴とする請求項３の薄膜形成方
法。 - 【請求項５】 前記被処理体が磁気記録媒体であり、 前記薄膜を形成する工程が、前記磁気記録媒体の磁気記
録層上に保護層を形成する工程であることを特徴とする
請求項３に記載の薄膜形成方法。 - 【請求項６】 前記被処理体が磁気ヘッドであり、 前記薄膜を形成する工程が、前記磁気ヘッドの磁気記録
媒体に対向する摺動面に保護層を形成する工程であるこ
とを特徴とする請求項３に記載の薄膜形成方法。 - 【請求項７】 前記保護層が、カーボン、ダイアモンド
ライクカーボン、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 、Ａ
ｌＮ、ＡｌＣ、ＳｉＣ、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＴｉＣ、ＴｉＮ、
ＢＣおよびＢＮのいずれか１種であることを特徴とする
請求項５または請求項６に記載の薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9118395A JPH10310867A (ja) | 1997-05-08 | 1997-05-08 | 薄膜形成装置およびこれを用いた薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9118395A JPH10310867A (ja) | 1997-05-08 | 1997-05-08 | 薄膜形成装置およびこれを用いた薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10310867A true JPH10310867A (ja) | 1998-11-24 |
Family
ID=14735618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9118395A Abandoned JPH10310867A (ja) | 1997-05-08 | 1997-05-08 | 薄膜形成装置およびこれを用いた薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10310867A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7001831B2 (en) | 2002-03-12 | 2006-02-21 | Kyocera Corporation | Method for depositing a film on a substrate using Cat-PACVD |
| CN102383107A (zh) * | 2010-08-31 | 2012-03-21 | 富士胶片株式会社 | 薄膜沉积装置 |
-
1997
- 1997-05-08 JP JP9118395A patent/JPH10310867A/ja not_active Abandoned
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7001831B2 (en) | 2002-03-12 | 2006-02-21 | Kyocera Corporation | Method for depositing a film on a substrate using Cat-PACVD |
| CN102383107A (zh) * | 2010-08-31 | 2012-03-21 | 富士胶片株式会社 | 薄膜沉积装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4193268B2 (ja) | 薄膜形成装置および薄膜形成方法ならびに案内ガイドロール | |
| JP2830544B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| US5589263A (en) | Magnetic recording medium having a ferromagnetic metal thin film, a dry etched layer, a carbonaceous film, and a lubricant film | |
| US5104709A (en) | Magnetic recording medium which includes a protective layer, an adhesion strengthening substance and a lubricant layer | |
| JPH1186275A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH10310867A (ja) | 薄膜形成装置およびこれを用いた薄膜形成方法 | |
| JPH10251851A (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
| JPH10317149A (ja) | 薄膜形成装置およびこれを用いた薄膜形成方法 | |
| US20030224216A1 (en) | Magnetic recording medium and process for producing same | |
| JPH11279765A (ja) | 薄膜形成装置および薄膜形成方法ならびに円筒キャン | |
| JP3627284B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH10237659A (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
| JP3358352B2 (ja) | 成膜装置 | |
| JPH103650A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2004118973A (ja) | 磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH10255263A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP3687117B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH10195664A (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
| JP2000207735A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH10237660A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| EP1271483B1 (en) | Metallic thin film type magnetic recording medium and method of manufacturing thereof | |
| JPH11350146A (ja) | プラズマｃｖｄによる成膜装置および成膜方法 | |
| JP2001032070A (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
| JPH10198953A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法及びその製造装置 | |
| JP2002194549A (ja) | 成膜装置及び成膜方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060721 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060725 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20060914 |