JPH10237678A - ウエハ状の物体用の支持体 - Google Patents

ウエハ状の物体用の支持体

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JPH10237678A
JPH10237678A JP9312420A JP31242097A JPH10237678A JP H10237678 A JPH10237678 A JP H10237678A JP 9312420 A JP9312420 A JP 9312420A JP 31242097 A JP31242097 A JP 31242097A JP H10237678 A JPH10237678 A JP H10237678A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】ウエハ状の物体の、支持体と反対の側のみなら
ず、ウエハ状の物体の、支持体に向いた側の外縁及び環
状の縁部領域をも処理媒体で処理することができる支持
体を提供することを目的としている。 【解決手段部】支持体（１）の、ウエハ状の物体（２）
に向いた面（５）において、環状のダイ（８）の半径方
向外側で、外側へ傾斜しておりかつ環状のダイ（８）に
対し共軸に設けられている環状の段部（１０）が設けら
れていることにより解決される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、処理中、特に、ウ
エハ状の物体の腐蝕中のウエハ状の物体、特にシリコン
ウエハ用の支持体、しかも、保たれる物体に向いた面を
有し、そこでは支持体の軸線に対し共軸に、圧縮ガスが
当てられる環状のダイが設けられてなる支持体に関す
る。
【０００２】
【従来技術】このような支持体（「チャック」）は種々
の実施の形態で知られている。基本的には２つの実施の
形態がある。つまり、保持される物体に向いた面に、ウ
エハ状の物体を側方へ動かないように保持する釘を有す
る支持体（US 4 903 717 A及びUS 5 513 668 Aを参照）
と、低圧を掛けることによってウエハ状の物体を支持体
に動かないように保持する支持体（US 5 421 595 Aを参
照）とである。
【０００３】公知の支持体は、ウエハ状の物体を支持体
と反対の側の面で処理することを可能にする。このこと
によって、支持体に向いた面は処理を施されない。何故
ならば、環状ダイから噴出し、かつウエハ状の物体と、
支持体の、ウエハ状の物体に向いた面との間で半径方向
外側に流れるガス（主として窒素）によって、処理媒体
（例えば腐蝕液）が支持体の下側に達するのを防止する
からである。
【０００４】しかし乍ら、ウエハ状の物体の、特にシリ
コンウエハの縁部領域をも、支持体に向いた側で処理す
ることはしばしば必要である。このことは、支持体の、
今日通常用いられる構造によっては容易に達成されな
い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、ウエ
ハ状の物体の、支持体と反対の側のみならず、ウエハ状
の物体の、支持体に向いた側の外縁及び環状の縁部領域
をも処理媒体で処理することができる支持体を提供する
ことである。
【０００６】
【課題を解決するための手段部】上記課題は、ウエハ状
の物体用の支持体であって、保たれる物体に向いた面を
有し、そこでは支持体の軸線に対し共軸に、圧縮ガスが
当てられる環状のダイが設けられてなる支持体の場合で
は、支持体の、ウエハ状の物体に向いた面において、環
状ダイの半径方向外側で、外側へ傾斜しておりかつ環状
のダイに対し共軸に設けられている環状の段部が設けら
れていることにより解決される。
【０００７】本発明の支持体の好適かつ好都合な実施の
形態は従属請求項の主題である。
【０００８】ウエハ状の物体に向いた面に設けられた特
に環状の段部、しかも窒素ガスが噴出する環状ダイの外
側に設けられかつ引離し縁部(Abreisskante)として作用
する段部によって、処理媒体（処理液、腐蝕液、洗浄
液）がウエハ状の物体の外縁を回ってウエハ状の物体の
下側（これは支持体に向いた側）に達して、ウエハ状の
物体の、実質的に環状領域を処理し、例えば腐蝕し又は
洗浄する。この環状領域は肩部の外側で、ウエハ状の物
体の下側に位置している。環状ダイから噴出しかつ物体
と支持体との間で流出するガス流によって、処理媒体が
ウエハ状の物体の中心へ望み以上に移動することを防止
するのは好ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳述する。図１に図示した支持体１は基本的
にUS 4 903 717 A及びUS 5 513 668 Aから公知である。
この公知の支持体１の場合、この支持体１の、ウエハ状
の物体２に向いた面は、内側の部分４の円形面３と、外
側の（環状の）部分６の環状面５とによって形成されて
いる。外側の部分６には、半径方向に調整可能な複数本
の釘（ピン）７が設けられており、これらの釘７によっ
て、物体２（例えばシリコンウエハ）が側方で支持され
る。
【００１０】支持体１の内側の部分４と外側の部分６と
の間には１つの環状のダイ８が設けられていて、部分４
と６との間の環状ギャップとして形成されている。環状
のダイ８には圧縮ガス、主として窒素が当てられるの
で、ウエハ状の物体２はベルヌーイの原理に従って支持
体１の表面に取着されている。このことによって、物体
２は平衡状態で言わば面３及び５に亘って浮いている。
【００１１】支持体１の外側の部分６の、ウエハ状の物
体２に向いた面５では、ダイ８の直ぐ外側に段部１０が
設けられている。この段部１０は、面５の半径方向外側
の部分が面５の半径方向内側の部分に対し下方へ下がっ
ていることによって、生じる。
【００１２】図２に示すように、段部１０の縁部１１に
丸く面取りが施されているのに対し、段部１０の、外側
に指向する面１３と、外側の部分６の、ウエハ状の物体
２に向いた面５のうちの、段部１０の半径方向外側にあ
る部分との間の移行部１２は鋭角でか、非常に僅かな曲
率半径で形成される。
【００１３】図２に横断面で示された段部１０の曲率半
径は、本発明の好ましい実施の形態では、半径方向外側
へ次第に減少する。かくして、ＡとＢの間の領域の曲率
半径は例えば３ｍｍであり、ＢとＣの間の領域では例え
ば０．８ｍｍであり、ＣとＤの間の領域では例えば０．
２ｍｍであることができる。
【００１４】処理媒体１５の、図３に略示された流動状
態は、段部１０によって生じる。ウエハ状の物体２の上
側（支持体１と反対の側）へ塗布された処理媒体１５、
例えば腐蝕液は、公知の支持体の場合と異なって、環状
のダイ８から噴出しかつウエハ状の物体２と支持体１と
の間で流出するガスによって、ウエハ状の物体２の周縁
１６から全体に又は大部分吹き飛ばされることはない。
かくして、処理媒体１５は、ウエハ状の物体２の周縁１
６を回って、ウエハ状の物体２の下側１７に沿ってほぼ
段部１０の領域まで移動する。かくして、ウエハ状の物
体２の、支持体１に向いた下側１７における環状の領域
は処理媒体１５によって濡らされかつ処理される。環状
のダイ８から噴出するガス流は、物体２の下側にある処
理液１５が更に内側に移動するのを防止する。何故なら
ば、環状のダイ８から噴出するガス流が、段部１０の半
径方向内側にある領域で、処理液１５の浸入を防ぐから
である。
【００１５】ウエハ状の物体２が釘によって側方に保持
されるのでなく、支持体１の、例えば環状の突起に保た
れるような支持体の場合にも、本発明に基づいて設けら
れた段部１０を、図３に図示のように、設けることがで
きる。このような支持体は例えばUS 5 492 566 Aから公
知である。
【００１６】ウエハ状の物体が支持体に如何に保持され
るか（ベルヌーイの原理／釘／供給された低圧）は、本
発明の支持体１にとってはほとんど重要でない。何故な
らば、周辺１６と、ウエハ状の物体２の、支持体１に向
いた面１７における環状の領域とを処理媒体で濡らすこ
との、本発明に基づいて達成された効果にとって、段部
１０と、環状のダイ８から流出するガスのみが決定的だ
からである。
【００１７】本発明の１つの実施の形態を以下のように
要約して記述することができる。
【００１８】ウエハ状の物体２に向いた面において圧縮
ガス噴出用の環状のダイ８を有する、複数のウエハ状の
物体２用の支持体１の場合には、環状のダイ８の半径方
向外側に環状の段部１０が設けられている。段部１０を
具備する支持体１に保持されている物体２の上側に塗布
される処理液１５は、物体２の周縁１６を回って、ウエ
ハ状の物体２の下側１７に沿って移動し、物体２の下側
１７の、段部１０の半径方向外側にある領域を濡らす
が、環状ダイ８から噴出するガスによって半径方向外側
へ吹き飛ばされる。かくして、処理液１５が物体２の周
縁１６へのみならず、ウエハ状の物体２の、支持体１に
向いた下側１７の環状の領域へも達し、そこで効果を発
揮することができるという利点が生じる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１はシリコンウエハを保持している支持体の
図である。
【図２】図２は段部の領域の拡大詳細図である。
【図３】図３は段部の領域における流動状態の図であ
る。
【符号の説明】
１ 支持体 ２ 物体 ３ 面 ５ 面 ８ ダイ １０ 段部 １１ 縁部 １２ 移行部 １３ 端面

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ウエハ状の物体（２）用の支持体（１）
    であって、保たれる前記物体（２）に向いた面（３，
    ５）を有し、そこでは前記支持体（１）の軸線に対し共
    軸に、圧縮ガスが当てられる環状のダイ（８）が設けら
    れてなる支持体において、 前記支持体（１）の、前記ウエハ状の物体（２）に向い
    た面（５）において、前記環状のダイ（８）の半径方向
    外側で、外側へ傾斜しておりかつ前記環状のダイ（８）
    に対し共軸に設けられている環状の段部（１０）が設け
    られていること、を特徴とする支持体。
  2. 【請求項２】 前記支持体（１）の、前記ウエハ状の物
    体（２）に向いた面（５）のうちの、前記段部（１０）
    の外側に位置する部分は、前記ウエハ状の物体（２）か
    らは、前記面（５）の、前記段部（１０）の内側に位置
    する部分よりも大きな間隔を有すること、を特徴とする
    請求項１に記載の支持体。
  3. 【請求項３】 前記ウエハ状の物体（２）に向いた前記
    面（５）と、前記段部（１０）の、半径方向外側に指向
    する端面（１３）との間の移行部（１１）は面取りして
    形成されていること、を特徴とする請求項１又は２に記
    載の支持体。
  4. 【請求項４】 前記移行部（１１）は、前記段部（１
    ０）の、半径方向外側に指向する端面（１３）に向かっ
    て益々減少する半径をもって面取りして形成されている
    こと、を特徴とする請求項３に記載の支持体。
  5. 【請求項５】 前記段部（１０）の、外側に指向する前
    記面（１３）と、前記支持体（１）の、前記ウエハ状の
    物体（２）に向いた前記面（５）のうちの、前記段部
    （１０）の外側に位置する部分との間にある前記移行部
    （１２）は鋭角で形成されていること、を特徴とする請
    求項１乃至４のいずれか１に記載の支持体。
JP31242097A 1996-11-20 1997-11-13 ウエハ状の物体用の支持体 Expired - Lifetime JP3995322B2 (ja)

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TW (1) TW451387B (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100336145B1 (ko) * 1999-01-15 2002-05-10 잠니취 프란층 디스크와 같은 대상물을 에칭 처리하기 위한 장치
US6669808B2 (en) 2001-03-22 2003-12-30 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
US6793769B2 (en) 2001-10-30 2004-09-21 Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. Substrate processing apparatus
JP2011139099A (ja) * 2011-03-31 2011-07-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
JP2011159989A (ja) * 2011-03-31 2011-08-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
JP2023141513A (ja) * 2022-03-24 2023-10-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6413436B1 (en) * 1999-01-27 2002-07-02 Semitool, Inc. Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece
US20050217707A1 (en) * 1998-03-13 2005-10-06 Aegerter Brian K Selective processing of microelectronic workpiece surfaces
US20050020001A1 (en) * 1998-03-13 2005-01-27 Brian Aegerter Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece
DE19854743A1 (de) * 1998-11-27 2000-06-08 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung zum Naßätzen einer Kante einer Halbleiterscheibe
DE59900743D1 (de) * 1999-04-28 2002-02-28 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung und Verfahren zur Flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen Gegenständen
US6203661B1 (en) * 1999-12-07 2001-03-20 Trusi Technologies, Llc Brim and gas escape for non-contact wafer holder
US6398823B1 (en) 1999-12-07 2002-06-04 Tru-Si Technologies, Inc. Dynamic break for non-contact wafer holder
TW507312B (en) * 2000-02-04 2002-10-21 Philips Electron Optics Bv Particle-optical apparatus, and object carrier therefor
SG118063A1 (en) * 2000-02-11 2006-01-27 Sez Ag A device for an etch treatment of a disk-like object
EP1372186B1 (de) * 2000-10-31 2008-12-10 Sez Ag Vorrichtung zur Flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen Gegenständen
KR100938325B1 (ko) * 2001-06-13 2010-01-22 오르보테크 엘티디. 에너지 전달 시스템
DE10134988C2 (de) * 2001-07-18 2003-08-07 Infineon Technologies Ag Aufnahmeteller für einen Wafer und Wafer-Hebevorrichtung
US6689418B2 (en) 2001-08-03 2004-02-10 Applied Materials Inc. Apparatus for wafer rinse and clean and edge etching
US6786996B2 (en) 2001-10-16 2004-09-07 Applied Materials Inc. Apparatus and method for edge bead removal
US6708701B2 (en) 2001-10-16 2004-03-23 Applied Materials Inc. Capillary ring
AT411335B (de) * 2002-03-06 2003-12-29 Sez Ag Verfahren zum nassbehandeln von scheibenförmigen gegenständen
US6908567B2 (en) * 2002-07-30 2005-06-21 Applied Materials Israel, Ltd. Contaminant removal by laser-accelerated fluid
DE10247051A1 (de) * 2002-10-09 2004-04-22 Polymer Latex Gmbh & Co Kg Latex und Verfahren zu seiner Herstellung
US7001827B2 (en) * 2003-04-15 2006-02-21 International Business Machines Corporation Semiconductor wafer front side protection
US20040206304A1 (en) * 2003-04-15 2004-10-21 Menear John Edgar Pressurized chuck for controlling backside wafer contamination
US7100954B2 (en) * 2003-07-11 2006-09-05 Nexx Systems, Inc. Ultra-thin wafer handling system
JP4312001B2 (ja) * 2003-07-28 2009-08-12 リアライズ・アドバンストテクノロジ株式会社 基板支持装置および基板取り外し方法
DE20318462U1 (de) * 2003-11-26 2004-03-11 Infineon Technologies Ag Anordnung elektronischer Halbleiterbauelemente auf einem Trägersystem zur Behandlung der Halbleiterbauelemente mit einem flüssigen Medium
US20060040111A1 (en) * 2004-08-20 2006-02-23 Dolechek Kert L Process chamber and system for thinning a semiconductor workpiece
US7193295B2 (en) * 2004-08-20 2007-03-20 Semitool, Inc. Process and apparatus for thinning a semiconductor workpiece
US20060046499A1 (en) * 2004-08-20 2006-03-02 Dolechek Kert L Apparatus for use in thinning a semiconductor workpiece
US7354649B2 (en) 2004-08-20 2008-04-08 Semitool, Inc. Semiconductor workpiece
US7288489B2 (en) * 2004-08-20 2007-10-30 Semitool, Inc. Process for thinning a semiconductor workpiece
JP5013400B2 (ja) * 2006-09-29 2012-08-29 国立大学法人東北大学 塗布膜コーティング装置
JP4954795B2 (ja) * 2007-05-31 2012-06-20 芝浦メカトロニクス株式会社 基板の保持装置及び基板の処理方法
DE102008037364A1 (de) 2008-08-12 2010-03-04 Suss Microtec Lithography Gmbh Vorrichtung zur Behandlung der Oberfläche eines Substrats durch Auftragen und Abschleudern einer Behandlungsflüssigkeit
DE102008062343B4 (de) * 2008-12-15 2013-05-29 Festo Ag & Co. Kg Nach dem Bernoulli-Prinzip arbeitender Sauggreifer
US10707099B2 (en) 2013-08-12 2020-07-07 Veeco Instruments Inc. Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle
JP6158737B2 (ja) * 2014-03-31 2017-07-05 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US11342215B2 (en) 2017-04-25 2022-05-24 Veeco Instruments Inc. Semiconductor wafer processing chamber

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4603466A (en) * 1984-02-17 1986-08-05 Gca Corporation Wafer chuck
AT389959B (de) * 1987-11-09 1990-02-26 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung zum aetzen von scheibenfoermigen gegenstaenden, insbesondere von siliziumscheiben
US5447570A (en) * 1990-04-23 1995-09-05 Genus, Inc. Purge gas in wafer coating area selection
JP2981795B2 (ja) * 1991-10-24 1999-11-22 東京エレクトロン株式会社 静電チャック
ATE174155T1 (de) * 1993-02-08 1998-12-15 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Träger für scheibenförmige gegenstände
AT639U1 (de) * 1993-02-08 1996-02-26 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Träger nach dem bernoulli-prinzip für scheibenförmige gegenstände, insbesondere siliziumscheiben
EP0611273B1 (de) * 1993-02-08 1998-09-16 SEZ Semiconductor-Equipment Zubehör für die Halbleiterfertigung AG Träger für scheibenförmige Gegenstände

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100336145B1 (ko) * 1999-01-15 2002-05-10 잠니취 프란층 디스크와 같은 대상물을 에칭 처리하기 위한 장치
US6669808B2 (en) 2001-03-22 2003-12-30 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
US6793769B2 (en) 2001-10-30 2004-09-21 Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. Substrate processing apparatus
JP2011139099A (ja) * 2011-03-31 2011-07-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
JP2011159989A (ja) * 2011-03-31 2011-08-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
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