JPH10239663A

JPH10239663A - 強誘電性液晶表示装置

Info

Publication number: JPH10239663A
Application number: JP9043181A
Authority: JP
Inventors: Masami Kido; 政美城戸; Hitoshi Takeda; 均竹田
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1997-02-27
Filing date: 1997-02-27
Publication date: 1998-09-11

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、駆動回路を増やすことなく、また
高コストの駆動用ＩＣが不要で、強誘電性液晶を安定に
駆動して階調表示が可能な強誘電性液晶表示装置を提供
することを目的としている。【解決手段】互いに対向する電極を有する一対の基板
と、その基板間に強誘電性液晶が介在されて成る強誘電
性液晶層とから構成される強誘電性液晶表示装置におい
て、一対の基板の一方１の上に金属電極２が配置され、
金属電極２と絶縁層５を介して非線形抵抗素子を構成す
るように設けられた第１の透明電極３と、金属電極２に
接続するように設けられた第２の透明電極４とから構成
される表示画素電極を備えて構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フラットパネルデ
ィスプレイ等に用いられる強誘電性液晶表示装置に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】強誘電性液晶は、従来のネマティック液
晶と比較して、応答速度が非常に速く、メモリ性を有す
るなどの特徴をもち、大画面フラットパネルディスプレ
イへの応用が期待されている。

【０００３】ところが、強誘電性液晶は、一般的に双安
定な２つの配向状態しか取ることができないので、中間
調を得るための階調表示技術が困難であるとういう欠点
を有している。そこで、通常の強誘電性液晶表示装置に
おいて階調表示を行うために、２値表示の画素を用いて
分割した複数の画素の組み合わせで階調表示を行う画素
分割法、２値表示の画素を用いて複数回の走査によって
階調表示を行う時分割法、画素内部に電位勾配を生じさ
せて階調を得る電位勾配法などが用いられている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術において、画素分割法では、駆動回路が増え、素
子作製工程が複雑になり、かつ画素を分割するため強誘
電性液晶表示装置の開口率が著しく低下する等の問題が
あった。また、時分割法では、階調数を増やすと駆動パ
ルスの周波数が増加するため、駆動用ＩＣがコスト高に
なる上に、強誘電性液晶表示装置自体からの発熱が著し
くなってしまうという問題があった。また、電位勾配法
では、温度や駆動履歴に対する安定性を欠く等の問題が
あった。

【０００５】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたものであって、駆動回路を増やすことな
く、また高コストの駆動用ＩＣが不要で、強誘電性液晶
を安定に駆動して階調表示が可能な強誘電性液晶表示装
置を提供することを目的としている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１に記載の発明では、互いに対向する電極を
有する一対の基板と、該基板間に強誘電性液晶が介在さ
れて成る強誘電性液晶層とから構成される強誘電性液晶
表示装置において、一対の基板の一方の上に金属電極が
配置され、その金属電極と絶縁層を介して非線形抵抗素
子を構成するように設けられた第１の透明電極と、金属
電極に接続するように設けられた第２の透明電極とから
構成される表示画素電極を備えて構成している。

【０００７】さらに、請求項２に記載の発明では、上記
の強誘電性液晶表示装置において、絶縁層が金属電極の
一部を覆うように配置され、第１の透明電極が前記絶縁
層の配置された部分で非線形抵抗素子を構成するように
設けられ、第２の透明電極が絶縁層の配置されない部分
で金属電極に接触して設けられたこととしている。

【０００８】また、請求項３に記載の発明では、上記の
強誘電性液晶表示装置において、絶縁層が金属電極を覆
うように配置され、金属電極と第２の透明電極とを接続
する接続部が絶縁層の一部を貫いて設けれらたこととし
ている。

【０００９】また、請求項４に記載の発明では、上記の
強誘電性液晶表示装置において、第１の透明電極とそれ
に対向する他方の基板の電極との距離が、第２の透明電
極とそれに対向する他方の基板の電極との距離とは異な
ることとしている。

【００１０】本発明では、上記のように、強誘電性液晶
表示装置の基板において、金属電極と、それを覆うよう
に配置された絶縁層と、第１の透明電極とが非線形素子
を構成している。このような非線形抵抗素子は、ＭＩＭ
素子と呼ばれるものであり、例えば図１に示すような、
Ｖ−Ｉ特性に非線形性を示すものである。したがって、
強誘電性液晶表示装置を構成する強誘電性液晶層に非線
形抵抗素子を直列に接続して、図２に示すような信号波
形を印加しても、図３に示すような電界しか印加されな
い。一方、第２の透明電極では金属電極に接続されてい
るので、その部分の強誘電性液晶層に図２に示すような
信号波形を印加すれば、そのまま図２に示すような電界
か印加される。

【００１１】本発明は、このような第１の透明電極と第
２の透明電極とを、単一の表示画素内に設けることによ
り、これらの特性を利用して、階調表示を実現するもの
である。さらに、第１の透明電極とそれに対向する他方
の基板の電極との距離を、第２の透明電極とそれに対向
する他方の基板の電極との距離と異なるように構成する
ことにより、より多階調の表示が可能となる。

【００１２】また、請求項５に記載の発明では、強誘電
性液晶が負の誘電異方性を有すると共に、その強誘電性
液晶の電圧−メモリパルス幅曲線が極小値を有すること
としている。

【００１３】請求項５に記載の発明によれば、負の誘電
異方性を示し、その電圧−メモリパルス幅曲線が極小値
を有する強誘電性液晶を用いることにより、その電圧−
メモリパルス幅曲線が極小値を有しない強誘電性液晶を
用いた場合に比べ、より多階調の表示を可能とすること
ができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。〔第１の実施形態〕図４は、本発明の第１の実施形態の
強誘電性液晶表示装置の下部の電極基板の概略構造を示
す要部斜視図である。図４に示すように、この電極基板
は、ガラス基板１上に、ライン状に形成された金属電極
２が配置され、その金属電極２を覆うように絶縁層５が
形成され、その絶縁層５を介して第１の透明電極３が導
電体膜６により接続されており、第２の透明電極４が金
属電極２に接続されて形成されている。ここで、第２の
透明電極４が金属電極２と接続されて形成されている部
分には、絶縁層５が形成されていないものである。

【００１５】本実施形態では、上記の構成の電極基板を
以下のように作製した。まず、ガラス基板１上にＴａ膜
をスパッタ法により成膜し、エッチングにより所望の形
状にして、金属電極２を形成した。ここで、金属電極２
としては、配線抵抗の低減のために、Ｔａ／Ｃｕ／Ｔａ
のような積層構造としても良いものである。次に、この
ガラス基板１上に、ＩＴＯ膜を形成し、図４に示すよう
な形状となるように、レジストを用いてエッチングし
た。ここで、第１の透明電極３は金属電極２と接続され
ておらず、第２の透明電極４は金属電極２と接続される
ように形成した。

【００１６】次に、陽極酸化法により、金属電極２であ
るＴａ膜表面にＴａ₂Ｏ₅酸化膜を、絶縁層５として形成
した。なお、ここで、上記第１の透明電極３及び第２の
透明電極４となるＩＴＯ膜の形成時に、上記のようにレ
ジストを用いたエッチングを行った場合には、そのレジ
スト膜を残したまま陽極酸化を行って、ＩＴＯ膜表面を
保護することが好ましい。そして、絶縁層５と第１の透
明電極３とを結んで、即ち非線形抵抗素子であるＭＩＭ
素子を構成するように、導電体膜としてＣｒ膜を成膜し
た。

【００１７】図５は、上記の電極基板から構成した本実
施形態の強誘電性液晶表示装置の概略構造を示す要部断
面図であり、図４のＸ−Ｘ’切断線において切断したと
きのものである。図５に示すように、上記のような電極
基板上に配置された絶縁膜７により平坦化され、その絶
縁膜７上にラビング処理が施された配向膜８が配置さ
れ、ガラス基板１’上にＩＴＯ膜から成る対向電極９と
絶縁膜７’とラビング処理が施された配向膜８’とが順
次配置された対向電極との間に、強誘電性液晶層１０が
挟持されているものである。なお、強誘電性液晶層１０
は、ギャップがスペーサ１１により均一になるように保
持されており、周囲が封止剤１１により封止されてい
る。また、配向膜８と配向膜８’とのラビング方向は、
一致するように両電極基板が対向されている。

【００１８】本実施形態では、強誘電性液晶層１０の強
誘電性液晶材料としてはメルク社製強誘電性液晶層ＳＣ
Ｅ−８を用い、絶縁膜７，７’の材料としては触媒化成
工業株式会社製ＺＱ−３を用い、配向膜８，８’チッソ
石油株式会社製ＰＳＩ−Ａ−Ｘ００７を用いた。

【００１９】次いで、本実施形態の液晶表示装置の駆動
方法について説明する。

【００２０】本実施形態の駆動方法は、０＜Ｖ２＜Ｖ
４，Ｖ２−Ｖ１＜Ｖ４−Ｖ３の条件を満たす電圧Ｖ１，
Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４を用いて、画素が選択されるとその画
素内の強誘電性液晶が取り得るいずれかの安定状態とな
るように第１パルス電圧として電圧Ｖ１を印加した後に
引き続き第２パルス電圧として電圧Ｖ２を印加するか、
又は第１パルス電圧として電圧−Ｖ１を印加した後に第
２パルス電圧として電圧−Ｖ２を印加し、その後同一画
素内の強誘電性液晶の安定状態を維持するように第１パ
ルス電圧として電圧Ｖ３を印加した後に引き続き第２パ
ルス電圧として電圧Ｖ４を印加するか、又は第１パルス
電圧として電圧−Ｖ３を印加した後に第２パルス電圧と
して電圧−Ｖ４を印加するものである。

【００２１】このような駆動方法は、τ−Ｖ_minモード
と呼ばれる駆動方法を用いたものである。それに関し
て、Surguyらが、負の誘電異方性を示すと共にその電圧
−メモリパルス幅曲線が極小値を示す強誘電性液晶を用
いて、図６に示すような駆動波形によるJOERS/Alvey駆
動方法を報告している（P.W.H.Surguy et al.,Ferroele
ctrics,122,63(1991)）。

【００２２】本実施形態においてτ−Ｖ_minモードに用
いた駆動方法では、上記のように、まず、選択された走
査電極上の画素へ、第１パルス電圧として電圧Ｖ１を印
加した後に引き続き第２パルス電圧として電圧Ｖ２を印
加するか、又は第１パルス電圧として電圧−Ｖ１を印加
した後に第２パルス電圧として電圧−Ｖ２を印加するこ
とにより、その画素内の強誘電性液晶を電圧印加前の安
定状態によらず、印加電圧の極性によって一方の安定状
態又は他方の安定状態とする。そして、次にその同じ画
素へ、第１パルス電圧として電圧Ｖ３を印加した後に引
き続き第２パルス電圧として電圧Ｖ４を印加するか、又
は第１パルス電圧として電圧−Ｖ３を印加した後に第２
パルス電圧として電圧−Ｖ４を印加することにより、そ
の画素内の強誘電性液晶の安定状態を維持するというも
のである。なお、ここで用いる電圧Ｖ１．Ｖ２，Ｖ３，
Ｖ４は、下記のような関係のものである。

【００２３】０＜Ｖ２＜Ｖ４，Ｖ２−Ｖ１＜Ｖ４−Ｖ３すなわち、選択期間の最初の２タイムスロットにおい
て、書き換えに適用する波形よりも、安定状態維持に適
用する波形の方が、第２パルス電圧が高く、かつ第１パ
ルスと第２パルスとの電位差が大きい。また、電圧Ｖ
１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４は、下記のようになる（Ｖｓ，Ｖ
ｄについては図２参照）。

【００２４】Ｖ１＝Ｖｄ，Ｖ２＝Ｖｓ−Ｖｄ，Ｖ３＝−
Ｖｄ，Ｖ４＝Ｖｓ＋Ｖｄ本実施形態の強誘電性液晶表示装置の金属電極２−対向
電極９間に、図６（ａ），（ｂ）のようなパルス波を印
加したところ、第１の透明電極３及び第２の透明電極４
のそれぞれにおいて、図７に示すようなτ−Ｖ曲線が得
られた。なお、図７において、ａ₁₁は第１の透明電極３
についての図６（ａ）に対する１００％スイッチ曲線、
ｂ₁₁は第１の透明電極３についての図６（ｂ）に対する
０％スイッチ曲線、ａ₁₂は第２の透明電極３についての
図６（ａ）に対する１００％スイッチ曲線、ｂ₁₂は第２
の透明電極３についての図６（ｂ）に対する０％スイッ
チ曲線をそれぞれ示す。これに基づけば、例えば、下記
表１に示すように、電圧及びパルス幅の組み合わせの印
加により、第１の透明電極３及び第２の透明電極４のそ
れぞれにおいて明状態と暗状態を制御して、３階調の表
示が可能となる。

【００２５】

【表１】

【００２６】〔第２の実施形態〕図８は、本発明の第２
の実施形態の強誘電性液晶表示装置の下部の電極基板の
概略構造を示す要部斜視図である。図８に示すように、
この電極基板は、ガラス基板１上に、ライン状に形成さ
れた金属電極１４が配置され、その金属電極１４上に基
板全面を覆うように絶縁層１５が形成され、その絶縁層
１５上に第１の透明電極１６及び、第２の透明電極１７
が形成されている。そして、絶縁層１５の一部を貫いて
金属電極１４と第２の透明電極１７とを接続するよう
に、接続部１８が設けれている。また、第１の透明電極
１６は、金属電極１４及び絶縁層１５と共に非線形抵抗
素子であるＭＩＭ素子を構成するように形成されてい
る。

【００２７】本実施形態では、上記の構成の電極基板を
以下のように作製した。まず、ガラス基板１３上にＭｏ
膜をスパッタ法により成膜し、エッチングにより所望の
形状にして、金属電極１４を形成した。なお、金属電極
１４としては、Ａｌ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｔａ等
の各種の金属材料を用いても良い。次に、このガラス基
板１３上にフォトレジストを塗布し、図９に示すよう
に、金属電極１４にパンターニングされたフォトレジス
ト１９が残るように、露光現像して余分なフォトレジス
トを剥離した。さらに、このガラス基板１３上に、プラ
ズマＣＶＤ法により、硬質炭素膜を絶縁層１５として成
膜した。なお、絶縁層１５は、蒸着、スパッタ法等によ
り、ＳｉＮ_x，ＳｉＣ，Ｔａ₂Ｏ₅等を成膜して形成して
も良い。

【００２８】次に、金属電極１４上のフォトレジスト１
９を剥離して、絶縁層１５のその部分に空孔を形成し
た。この絶縁層１５の空孔中に、Ｃｕを電界メッキして
接続部１８を形成した。なお、接続部１８の形成は、各
種金属材料を用いることができ、金属材料を蒸着やスパ
ッタ法等により成膜した後、フォトリソによって、絶縁
層１５の空孔部以外の膜を除去するようにしても良い。

【００２９】最後に、この絶縁層１５上に、スパッタ法
によりＩＴＯ膜を成膜し、図８に示すような形状となる
ようにレジストを用いてエッチングすることにより、第
１の透明電極１６及び第２の透明電極１７を形成した。
すなわち、第１の透明電極１６は金属電極１４及び絶縁
層１５と共に非線形抵抗素子であるＭＩＭ素子構造を構
成し、第２の透明電極１７は接続部１８を介して金属電
極１４と接続されるように形成した。

【００３０】次いで、この本実施形態の電極基板を用い
て、上記第１の実施形態と同様にして、強誘電性液晶表
示装置を作製した。そして、本実施形態の強誘電性液晶
表示装置においても、上記第１の実施形態と同様の駆動
方法を用いて、金属電極１４とその対向電極と間に、前
述の図６（ａ），（ｂ）のようなパルス波を印加したと
ころ、第１の透明電極１６及び第２の透明電極１７のそ
れぞれにおいて、図１０に示すようなτ−Ｖ曲線が得ら
れた。なお、図１０において、ａ₂₁は第１の透明電極１
６についての図６（ａ）に対する１００％スイッチ曲
線、ｂ₂₁は第１の透明電極１６についての図６（ｂ）に
対する０％スイッチ曲線、ａ₂₂は第２の透明電極１７に
ついての図６（ａ）に対する１００％スイッチ曲線、ｂ
₂₂は第２の透明電極１７についての図６（ｂ）に対する
０％スイッチ曲線をそれぞれ示す。

【００３１】これに基づけば、例えば、下記表２に示す
ように、電圧及びパルス幅の組み合わせの印加により、
第１の透明電極１６及び第２の透明電極１７のそれぞれ
において明状態と暗状態を制御して、４階調の表示が可
能となった。

【００３２】

【表２】

【００３３】なお、表２においては、第１の透明電極１
６と第２の透明電極１７との面積比を、１：２又は２：
１とすることにより、４階調を得たものである。

【００３４】本実施形態の強誘電性液晶表示装置におい
て、上記第１の実施形態の強誘電性液晶表示装置が３階
調であったのと異なり、４階調表示が可能となるのは、
絶縁層１５の抵抗により、第１の透明電極１６と第２の
透明電極１７とにおいてＶｄだけでなくＶｓもにも差が
生じたためと考えられる（Ｖｓ，Ｖｄについては図２参
照）。

【００３５】〔第３の実施形態〕上記第２の実施形態で
は、第１の透明電極と第２の透明電極とにおいてＶｄが
異なることによって、より多階調の表示が可能になった
ものと考えられた。これを確認するため、第３の実施形
態として、第１の透明電極とその第１の透明電極に対向
する他方の基板の電極との距離が、第２の透明電極とそ
の第２の透明電極に対向する他方の基板の電極との距離
とは異なるような構成としたものについて説明する。

【００３６】図１１は本発明の第３の実施形態の強誘電
性液晶表示装置の下部の電極基板の概略構造を示す要部
断面図であり、図１２はその平面図である。なお、図１
２では、実際には隠れて見えない線も実線で描いてい
る。

【００３７】図１１及び図１２に示すように、この電極
基板は、ガラス基板２０上に、ライン状に形成された金
属電極２１が配置され、その金属電極２１上に基板全面
を覆うように第１の絶縁層２２が形成され、その第１の
絶縁層２２上の一部に第１の透明電極２４が形成されて
いる。さらに、第１の透明電極２４上に第１の絶縁層２
２全面を覆うように、第２の絶縁層２３が形成され、そ
の第２の絶縁層２３上に、第２の透明電極２５が形成さ
れている。そして、第１の絶縁層２２及び第２の絶縁層
２３の一部を貫いて金属電極２１と第２の透明電極２５
とを接続するように、接続部２６が設けれている。ま
た、第１の透明電極２４は、金属電極２１及び第１の絶
縁層２２と共に非線形抵抗素子であるＭＩＭ素子を構成
するように形成されている。

【００３８】なお、図１１では第１の透明電極２４と第
２の透明電極２５とが同一断面にあるように描いている
が、これは説明のために便宜上こうしたものであり、実
際には図１２に示すように、同一の金属電極２１の上部
にこれらの透明電極２４，２５が形成されているもので
ある。

【００３９】本実施形態では、上記の構成の電極基板を
以下のように作製した。まず、ガラス基板２０上にＭｏ
膜をスパッタ法により成膜し、エッチングにより所望の
形状にして、金属電極２１を形成した。なお、金属電極
２１としては、Ａｌ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｔａ等
の各種の金属材料を用いても良い。次に、このガラス基
板２０上にフォトレジストを塗布し、上記第２の実施形
態と同様にして、前述の図９に示すように、金属電極２
１にパンターニングされたフォトレジスト（図９の１９
に相当）が残るように、露光現像して余分なフォトレジ
ストを剥離した。さらに、このガラス基板２０上に、プ
ラズマＣＶＤ法により、硬質炭素膜を第１の絶縁層２２
として成膜した。なお、絶縁層２２は、蒸着、スパッタ
法等により、ＳｉＮ_x，ＳｉＣ，Ｔａ₂Ｏ₅等を成膜して
形成しても良い。

【００４０】次に、第１の絶縁層２２上に、スパッタ法
によりＩＴＯ膜を成膜し、図１２に示すような形状とな
るようにレジストを用いてエッチングすることにより、
第１の透明電極２４を形成した。ここで、第１の透明電
極２４は、金属電極２１及び第１の絶縁層２２と共に非
線形抵抗素子であるＭＩＭ素子を構成するように形成し
たものである。それから、第１の透明電極２２が形成さ
れた第１の絶縁層２２上に、触媒化成工業株式会社製Ｚ
Ｑ−３を用いて第２の絶縁層２３を形成した。

【００４１】次に、金属電極２１上のフォトレジスト
（図９の１９に相当）を剥離して、第１の絶縁層２２及
び第２の絶縁層２３のその部分に空孔を形成した。この
第１の絶縁層２２及び第２の絶縁層２３の空孔中に、Ｃ
ｕを電界メッキして接続部２６を形成した。なお、接続
部２６の形成は、各種金属材料を用いることができ、金
属材料を蒸着やスパッタ法等により成膜した後、フォト
リソによって、第１の絶縁層２２及び第２の絶縁層２３
の空孔部以外の膜を除去するようにしても良い。

【００４２】最後に、この第２の絶縁層２３上に、スパ
ッタ法によりＩＴＯ膜を成膜し、図１２に示すような形
状となるようにレジストを用いてエッチングすることに
より、第２の透明電極２５を形成した。すなわち、第２
の透明電極２５は、接続部２６を介して金属電極２１と
接続されるように形成した。

【００４３】次いで、この本実施形態の電極基板を用い
て、上記第１及び第２の実施形態と同様にして、強誘電
性液晶表示装置を作製した。そして、本実施形態の強誘
電性液晶表示装置においても、上記第１及び第２の実施
形態と同様の駆動方法を用いて、金属電極２１とその対
向電極と間に、前述の図６（ａ），（ｂ）のようなパル
ス波を印加したところ、第１の透明電極２４及び第２の
透明電極２５のそれぞれにおいて、図１３に示すような
τ−Ｖ曲線が得られた。なお、図１３において、ａ₃₁は
第１の透明電極２４についての図６（ａ）に対する１０
０％スイッチ曲線、ｂ₃₁は第１の透明電極２４について
の図６（ｂ）に対する０％スイッチ曲線、ａ₃₂は第２の
透明電極２５についての図６（ａ）に対する１００％ス
イッチ曲線、ｂ₃₂は第２の透明電極２５についての図６
（ｂ）に対する０％スイッチ曲線をそれぞれ示す。

【００４４】これに基づけば、例えば、下記表３に示す
ように、電圧及びパルス幅の組み合わせの印加により、
第１の透明電極２４及び第２の透明電極２５のそれぞれ
において明状態と暗状態を制御して、４階調の表示が可
能となった。

【００４５】

【表３】

【００４６】このように、本実施形態の強誘電性液晶表
示装置によれば、第１の透明電極２４とその対向電極と
の距離と、第２の透明電極２５とその対向電極との距離
とを異ならせることにより、４階調表示を行い得る電圧
とパルス幅との組み合わせの領域を拡大可能なことが確
認できた。

【００４７】なお、上記第１〜３の実施形態において、
いずれも非線形抵抗素子としてＭＩＭ素子を採用した
が、これに限定されるものではなく、非線形を示すもの
であれば他の非線形抵抗素子を用いても良い。

【００４８】

【発明の効果】以上のように、本発明の強誘電性液晶表
示装置によれば、駆動時におけるバイアス電圧に対する
応答が異なる表示領域の組み合わせを同一画素内に形成
することができ、駆動回路の増加を招くことなく、また
高コストの駆動用ＩＣが不要で、かつ強誘電性液晶を安
定に駆動して、多階調表示を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】非線形抵抗素子のＶ−Ｉ特性における非線形性
を示す図である。

【図２】強誘電性液晶表示装置を構成する強誘電性液晶
層にＭＩＭ素子を直列に接続して印加する信号波形を示
す図である。

【図３】図２に示すような信号波形を印加したときに実
際に強誘電性液晶層に印加される電界を示す図である。

【図４】本発明の第１の実施形態の強誘電性液晶表示装
置の下部の電極基板の概略構造を示す要部斜視図であ
る。

【図５】図４の電極基板から構成される強誘電性液晶表
示装置の概略構造を示し、図５のＸ−Ｘ’切断線で切断
したときの要部断面図である。

【図６】τ−Ｖ_minモードを用いた駆動方法の駆動波形
を示す図である。

【図７】図５の強誘電性液晶表示装置の金属電極２−対
向電極９間に図６（ａ），（ｂ）のようなパルス波を印
加したときに、第１の透明電極３及び第２の透明電極４
のそれぞれにおいて得られたτ−Ｖ曲線を示す図であ
る。

【図８】第２の実施形態の強誘電性液晶表示装置の下部
の電極基板の概略構造を示す要部斜視図である。

【図９】図８の電極基板の作製時において金属電極１４
上のフォトレジストのパターニングパターンを示す図で
ある。

【図１０】図８の電極基板から構成される強誘電性液晶
表示装置の金属電極１４とその対向電極と間に図６
（ａ），（ｂ）のようなパルス波を印加したときに、第
１の透明電極１６及び第２の透明電極１７のそれぞれに
おいて得られたτ−Ｖ曲線を示す図である。

【図１１】第３の実施形態の強誘電性液晶表示装置の下
部の電極基板の概略構造を示す要部断面図である。

【図１２】図１１の電極基板の平面図である。

【図１３】図１１及び図１２の電極基板から構成される
強誘電性液晶表示装置の金属電極２１とその対向電極と
間に図６（ａ），（ｂ）のようなパルス波を印加したと
きに、第１の透明電極２４及び第２の透明電極２５のそ
れぞれにおいて得られたτ−Ｖ曲線を示す図である。

【符号の説明】

１，１３，２０ガラス基板２，１４，２１金属電極３，１６，２４第１の透明電極４，１７，２５第２の透明電極５，７，７’，１５，２２，２３絶縁層６導電体膜９対向電極１０強誘電性液晶層１８，２６接続部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＨ０１Ｌ 49/02 Ｈ０１Ｌ 49/02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】互いに対向する電極を有する一対の基板
と、該基板間に強誘電性液晶が介在されて成る強誘電性
液晶層とから構成される強誘電性液晶表示装置におい
て、前記一対の基板の一方の上に金属電極が配置され、該金
属電極と絶縁層を介して非線形抵抗素子を構成するよう
に設けられた第１の透明電極と、前記金属電極に接続す
るように設けられた第２の透明電極とから構成される表
示画素電極を備えたことを特徴とする強誘電性液晶表示
装置。
【請求項２】前記絶縁層が前記金属電極の一部を覆う
ように配置され、前記第１の透明電極が前記絶縁層の配
置された部分で非線形抵抗素子を構成するように設けら
れ、前記第２の透明電極が前記絶縁層の配置されない部
分で前記金属電極に接触して設けられたことを特徴とす
る請求項１に記載の強誘電性液晶表示装置。
【請求項３】前記絶縁層が前記金属電極を覆うように
配置され、前記金属電極と前記第２の透明電極とを接続
する接続部が前記絶縁層の一部を貫いて設けれらたこと
を特徴とする請求項１に記載の強誘電性液晶表示装置。
【請求項４】前記第１の透明電極と該第１の透明電極
に対向する他方の基板の電極との距離が、前記第２の透
明電極と該第２の透明電極に対向する他方の基板の電極
との距離とは異なることを特徴とする請求項１から３の
いずれか１項に記載の強誘電性液晶表示装置。
【請求項５】前記強誘電性液晶が負の誘電異方性を有
すると共に、該強誘電性液晶の電圧−メモリパルス幅曲
線が極小値を有することを特徴とする請求項１から４の
いずれか１項に記載の強誘電性液晶表示装置。