JPH10241180A - 光ディスクにおける読み取り・書き込み用ｖｓｅｌ - Google Patents
光ディスクにおける読み取り・書き込み用ｖｓｅｌInfo
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- JPH10241180A JPH10241180A JP10034605A JP3460598A JPH10241180A JP H10241180 A JPH10241180 A JP H10241180A JP 10034605 A JP10034605 A JP 10034605A JP 3460598 A JP3460598 A JP 3460598A JP H10241180 A JPH10241180 A JP H10241180A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/127—Lasers; Multiple laser arrays
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/123—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/13—Optical detectors therefor
- G11B7/131—Arrangement of detectors in a multiple array
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- G—PHYSICS
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/14—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam specially adapted to record on, or to reproduce from, more than one track simultaneously
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B2220/00—Record carriers by type
- G11B2220/20—Disc-shaped record carriers
- G11B2220/25—Disc-shaped record carriers characterised in that the disc is based on a specific recording technology
- G11B2220/2537—Optical discs
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- Optical Head (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】読み取り・書き込み可能な光ディスクにおい
て、読み取り・書き込み用のレーザは、高パワー端面発
光レーザが用いられている。これらはビーム・スプリッ
タ及び検出器とアライメントが必要である。また読み取
り・書き込みを速くするために複数のレーザを用いるこ
とがあるが、この時にも同様のアライメントが必要であ
る。 【解決手段】読み取り・書き込みヘッド・アセンブリで
光ディスクの読み取り及び書き込みを行うために、複数
の垂直面発光レーザ（ＶＳＥＬ）及び光検出器を共通基
板上に形成することによって実現する。
て、読み取り・書き込み用のレーザは、高パワー端面発
光レーザが用いられている。これらはビーム・スプリッ
タ及び検出器とアライメントが必要である。また読み取
り・書き込みを速くするために複数のレーザを用いるこ
とがあるが、この時にも同様のアライメントが必要であ
る。 【解決手段】読み取り・書き込みヘッド・アセンブリで
光ディスクの読み取り及び書き込みを行うために、複数
の垂直面発光レーザ（ＶＳＥＬ）及び光検出器を共通基
板上に形成することによって実現する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディスクに関するも
のであり、さらに詳細には、それに用いられる改良式読
み取り・書き込みレーザ・アセンブリに関するものであ
る。
のであり、さらに詳細には、それに用いられる改良式読
み取り・書き込みレーザ・アセンブリに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】書き込みが１回可能な光ディスクは、デ
ータのバック・アップ及びカスタム・パブリッシングの
手段として広く受け入れられてきた。これらのドライブ
は、比較的高パワーのレーザを利用しているので、書き
込み操作中に、ブランク・ディスクの表面に損傷を与え
ることになる。データは、低パワー・レーザと、ディス
ク表面から反射された光の一部を検出する光検出器を利
用して、ディスク表面の反射率を検出することによって
読み取られる。ディスクの読み取りは、２つ以上の低パ
ワー・レーザを用いて、すなわち、一方のレーザによっ
てデータ・ビットを読み取り、もう一方のレーザによっ
て読み取りレーザの位置決めに用いられるトラック・デ
ータを検出することによって実施される。ビーム・スプ
リッタまたは同等の光学構造によって、単一の高パワー
・レーザからさまざまなビームが発生する。
ータのバック・アップ及びカスタム・パブリッシングの
手段として広く受け入れられてきた。これらのドライブ
は、比較的高パワーのレーザを利用しているので、書き
込み操作中に、ブランク・ディスクの表面に損傷を与え
ることになる。データは、低パワー・レーザと、ディス
ク表面から反射された光の一部を検出する光検出器を利
用して、ディスク表面の反射率を検出することによって
読み取られる。ディスクの読み取りは、２つ以上の低パ
ワー・レーザを用いて、すなわち、一方のレーザによっ
てデータ・ビットを読み取り、もう一方のレーザによっ
て読み取りレーザの位置決めに用いられるトラック・デ
ータを検出することによって実施される。ビーム・スプ
リッタまたは同等の光学構造によって、単一の高パワー
・レーザからさまざまなビームが発生する。
【０００３】ディスクの書き込みに必要とされるパワー
は、一般に、１０ｍＷのオーダである。読み取り操作に
必要とされるパワーは、わずか１ｍＷのオーダでしかな
い。しかし、ビーム・スプリッタに固有の損失に適応す
るには、一般に、高パワー・レーザは、３０ｍＷでなけ
ればならない。このパワー範囲のレーザは、製作が困難
である。
は、一般に、１０ｍＷのオーダである。読み取り操作に
必要とされるパワーは、わずか１ｍＷのオーダでしかな
い。しかし、ビーム・スプリッタに固有の損失に適応す
るには、一般に、高パワー・レーザは、３０ｍＷでなけ
ればならない。このパワー範囲のレーザは、製作が困難
である。
【０００４】３０ｍＷの範囲の高パワー・レーザを設け
るためには、端面発光レーザ技術を利用しなければなら
ない。単一端面発光レーザは、従って、トラッキング及
び読み取りに用いられる、ビーム・スプリッタ及び検出
器とアライメントがとられる。
るためには、端面発光レーザ技術を利用しなければなら
ない。単一端面発光レーザは、従って、トラッキング及
び読み取りに用いられる、ビーム・スプリッタ及び検出
器とアライメントがとられる。
【０００５】端面発光レーザ技術を用いる必要、及び、
何らかの形態のアライメント機構を備える必要があるた
め、読み取り・書き込み光ディスクのコストは、一般に
上昇し、かつ読み取り・書き込み機構は、１度に１つの
トラックについてしか動作できない単一「ヘッド」に制
限される。
何らかの形態のアライメント機構を備える必要があるた
め、読み取り・書き込み光ディスクのコストは、一般に
上昇し、かつ読み取り・書き込み機構は、１度に１つの
トラックについてしか動作できない単一「ヘッド」に制
限される。
【０００７】光ディスクの欠点は、従来の磁気ディスク
・ドライブと比較して低い速度であった。原理上、この
欠点は、複数読み取り・書き込みヘッドを用いることに
よって克服することが可能である。しかし、単一端面発
光レーザをベースにしたヘッドのコストと、互いにヘッ
ドのアライメントをとる必要性とが相俟って、こうした
システムを市場において魅力に乏しいものにしてきた。
・ドライブと比較して低い速度であった。原理上、この
欠点は、複数読み取り・書き込みヘッドを用いることに
よって克服することが可能である。しかし、単一端面発
光レーザをベースにしたヘッドのコストと、互いにヘッ
ドのアライメントをとる必要性とが相俟って、こうした
システムを市場において魅力に乏しいものにしてきた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、光デ
ィスクに用いられる改良された読み取り・書き込みヘッ
ドを提供することにある。
ィスクに用いられる改良された読み取り・書き込みヘッ
ドを提供することにある。
【０００９】本発明のもう１つの目的は、端面発光レー
ザに頼らずに構成することが可能な読み取り・書き込み
ヘッドを提供することにある。
ザに頼らずに構成することが可能な読み取り・書き込み
ヘッドを提供することにある。
【００１０】本発明のさらにもう１つの目的は、光ディ
スク上の複数トラックの読み取り及び／または書き込み
を同時に行うことが可能な読み取り・書き込みヘッドを
提供することにある。
スク上の複数トラックの読み取り及び／または書き込み
を同時に行うことが可能な読み取り・書き込みヘッドを
提供することにある。
【００１１】本発明の以上の及びその他の目的について
は、当該技術の技術者であれば、本発明に関する下記の
詳細な説明及び添付の図面から明らかになるであろう。
は、当該技術の技術者であれば、本発明に関する下記の
詳細な説明及び添付の図面から明らかになるであろう。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、光ディスク・
ドライブ等に用いられる読み取り・書き込みヘッド・ア
センブリである。ヘッド・アセンブリには、光ディスク
の読み取り及び書き込みを行うための複数の垂直面発光
レーザ（ＶＳＥＬ）が含まれている。異なるＶＳＥＬに
よって、読み取り及び書き込み機能が得られる。ＶＳＥ
Ｌは、ディスクから反射した光を検出するための１つ以
上の光検出器と共に、共通基板上に製作される。それぞ
れ、光検出器及びＶＳＥＬから構成される複数の読み取
りアセンブリを同じ基板上に設けることができるので、
ディスクからのデータ読み取り可能速度が増すことにな
る。さらに、ディスクに書き込みを行うための複数のＶ
ＳＥＬを共通基板上に設けることができるので、ディス
クに対するデータ書き込み可能速度が増すことになる。
ドライブ等に用いられる読み取り・書き込みヘッド・ア
センブリである。ヘッド・アセンブリには、光ディスク
の読み取り及び書き込みを行うための複数の垂直面発光
レーザ（ＶＳＥＬ）が含まれている。異なるＶＳＥＬに
よって、読み取り及び書き込み機能が得られる。ＶＳＥ
Ｌは、ディスクから反射した光を検出するための１つ以
上の光検出器と共に、共通基板上に製作される。それぞ
れ、光検出器及びＶＳＥＬから構成される複数の読み取
りアセンブリを同じ基板上に設けることができるので、
ディスクからのデータ読み取り可能速度が増すことにな
る。さらに、ディスクに書き込みを行うための複数のＶ
ＳＥＬを共通基板上に設けることができるので、ディス
クに対するデータ書き込み可能速度が増すことになる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明は、典型的な先行技術によ
る光ディスク読み取り・書き込みアセンブリの概略図面
である図１を参照することによってより容易に理解する
ことが可能になる。ディスク１１に対するデータの書き
込み及び読み取りは、レーザ１２から発生するビームの
１つを利用し、ビーム・スプリッタ１４を介して実施さ
れる。ビーム１５は、ディスク１１への書き込みに利用
される高パワー・ビームである。ビーム１６によって、
ディスク１１からデータを読み取る検出器１８のための
光源が得られる。ビーム１７は、トラック位置データの
読み取りに用いられる。ビーム１７に対応する検出器
は、図面から割愛されている。
る光ディスク読み取り・書き込みアセンブリの概略図面
である図１を参照することによってより容易に理解する
ことが可能になる。ディスク１１に対するデータの書き
込み及び読み取りは、レーザ１２から発生するビームの
１つを利用し、ビーム・スプリッタ１４を介して実施さ
れる。ビーム１５は、ディスク１１への書き込みに利用
される高パワー・ビームである。ビーム１６によって、
ディスク１１からデータを読み取る検出器１８のための
光源が得られる。ビーム１７は、トラック位置データの
読み取りに用いられる。ビーム１７に対応する検出器
は、図面から割愛されている。
【００１４】上述のように、ビーム１５は、約１０ｍＷ
であることを必要とする。このパワーをビーム・スプリ
ッタを介して単一レーザから得るためには、レーザ１２
は、３０ｍＷのオーダの出力パワーを備えなければなら
ない。このパワー・レベルは、端面発光レーザを利用す
ることによってしか、経済的に実現することはできな
い。こうしたレーザは、便宜上、アレイをなすように、
あるいは、ビーム１６及び１７によって必要とされる検
出器も含む単一回路チップ上に製作することはできな
い。結果として、コンポーネント相互間における適正な
アライメントを確保する何らかの形態のアセンブリ上
に、個々のコンポーネントを別個に製作し、実装しなけ
ればならない。
であることを必要とする。このパワーをビーム・スプリ
ッタを介して単一レーザから得るためには、レーザ１２
は、３０ｍＷのオーダの出力パワーを備えなければなら
ない。このパワー・レベルは、端面発光レーザを利用す
ることによってしか、経済的に実現することはできな
い。こうしたレーザは、便宜上、アレイをなすように、
あるいは、ビーム１６及び１７によって必要とされる検
出器も含む単一回路チップ上に製作することはできな
い。結果として、コンポーネント相互間における適正な
アライメントを確保する何らかの形態のアセンブリ上
に、個々のコンポーネントを別個に製作し、実装しなけ
ればならない。
【００１５】本発明は、ディスクに対する書き込みに必
要なパワー、すなわち、１０ｍＷは垂直面発光レーザ
（ＶＳＥＬ）から得られる範囲内であるが、先行技術に
よって必要とされた３０ｍＷの総パワーは範囲外である
という所見に基づくものである。従って、現在、単一低
パワー・レーザから得られるさまざまな機能に関して、
複数レーザが利用されるならば、単一集積回路基板上に
複数のレーザ・アセンブリを製作することが可能であ
る。より経済的なレーザ・アセンブリが得られるだけで
なく、ＶＳＥＬをベースにしたアセンブリは、本質的に
相互アライメントがとれるコンポーネントを備えてい
る。従って、個々のコンポーネントのアライメントをと
るコストがなくなる。最後に、レーザと同じ基板上に検
出器を製作することができるので、読み取り・書き込み
ディスク・ヘッドが、ディスク・ヘッドの製作に現在用
いられている端面発光レーザのコストの何分の１かで、
単一集積回路基板上に設けられる。
要なパワー、すなわち、１０ｍＷは垂直面発光レーザ
（ＶＳＥＬ）から得られる範囲内であるが、先行技術に
よって必要とされた３０ｍＷの総パワーは範囲外である
という所見に基づくものである。従って、現在、単一低
パワー・レーザから得られるさまざまな機能に関して、
複数レーザが利用されるならば、単一集積回路基板上に
複数のレーザ・アセンブリを製作することが可能であ
る。より経済的なレーザ・アセンブリが得られるだけで
なく、ＶＳＥＬをベースにしたアセンブリは、本質的に
相互アライメントがとれるコンポーネントを備えてい
る。従って、個々のコンポーネントのアライメントをと
るコストがなくなる。最後に、レーザと同じ基板上に検
出器を製作することができるので、読み取り・書き込み
ディスク・ヘッドが、ディスク・ヘッドの製作に現在用
いられている端面発光レーザのコストの何分の１かで、
単一集積回路基板上に設けられる。
【００１６】従来のＶＳＥＬ１００の断面図である図２
には、典型的なＶＳＥＬが示されている。ＶＳＥＬの構
成は、当該技術の技術者にとって周知のところであるの
で、ここでは詳述を控えることにする。本論述のために
は、ＶＳＥＬ１００が、上部ミラー領域１１８、発光領
域１１４、及び、下部ミラー領域１１９を備えたｐ−ｉ
−ｎダイオードとみなすことができるという点に言及す
れば十分である。これらの領域が、基板１１２上に製作
される。電極１２２と１２７の間には、電圧が加えられ
る。個々の層は、エピタキシャル成長によって製作され
る。
には、典型的なＶＳＥＬが示されている。ＶＳＥＬの構
成は、当該技術の技術者にとって周知のところであるの
で、ここでは詳述を控えることにする。本論述のために
は、ＶＳＥＬ１００が、上部ミラー領域１１８、発光領
域１１４、及び、下部ミラー領域１１９を備えたｐ−ｉ
−ｎダイオードとみなすことができるという点に言及す
れば十分である。これらの領域が、基板１１２上に製作
される。電極１２２と１２７の間には、電圧が加えられ
る。個々の層は、エピタキシャル成長によって製作され
る。
【００１７】活性領域は、一般に、それぞれ、スペーサ
１１５及び１１６によってミラー領域１１８及び１１９
から分離されたＩｎＧａＰ、ＡｌＩｎＧａＰの１つ以上
の量子井戸から構成される。材料の選択は、ＶＳＥＬに
よって放出される光の所望の波長によって決まる。さら
に、バルク活性領域をベースにしたデバイスは、当該技
術において既知のところである。この層１１４は、ｐ−
ｉ−ｎダイオードに順バイアスをかけることによって生
じる電子と正孔の再結合による自然放出及び誘導放出に
よって発光する発光層とみなすことができる。
１１５及び１１６によってミラー領域１１８及び１１９
から分離されたＩｎＧａＰ、ＡｌＩｎＧａＰの１つ以上
の量子井戸から構成される。材料の選択は、ＶＳＥＬに
よって放出される光の所望の波長によって決まる。さら
に、バルク活性領域をベースにしたデバイスは、当該技
術において既知のところである。この層１１４は、ｐ−
ｉ−ｎダイオードに順バイアスをかけることによって生
じる電子と正孔の再結合による自然放出及び誘導放出に
よって発光する発光層とみなすことができる。
【００１８】ミラー領域は、層１２０及び１２１が典型
的な交互層から構成される。これらの層は、屈折率が異
なる。各層の厚さは、光の波長の１／４になるように選
択される。このスタックはブラッグ・ミラーを形成す
る。該スタックは、一般に、ＡｌＡｓとＡｌＧａＡｓの
交互層から構成される。所望の反射率を得るにはに、一
般に、３０周期が必要になる。上部ミラー領域１１８の
層は、一般に、ｐタイプの半導体になるようにドープさ
れ、下部ミラー領域１１９の層は、ｎタイプの半導体に
なるようにドープされる。基板１１２は、ｎタイプが望
ましい。下部電極１２７は、ｎ・オーム接触が望まし
い。しかし、ｎ−ｉ−ｐダイオード構造は、ｐ基板また
はｐ層を堆積させた半絶縁基板上に該構造を成長させる
ことによって形成することも可能である。
的な交互層から構成される。これらの層は、屈折率が異
なる。各層の厚さは、光の波長の１／４になるように選
択される。このスタックはブラッグ・ミラーを形成す
る。該スタックは、一般に、ＡｌＡｓとＡｌＧａＡｓの
交互層から構成される。所望の反射率を得るにはに、一
般に、３０周期が必要になる。上部ミラー領域１１８の
層は、一般に、ｐタイプの半導体になるようにドープさ
れ、下部ミラー領域１１９の層は、ｎタイプの半導体に
なるようにドープされる。基板１１２は、ｎタイプが望
ましい。下部電極１２７は、ｎ・オーム接触が望まし
い。しかし、ｎ−ｉ−ｐダイオード構造は、ｐ基板また
はｐ層を堆積させた半絶縁基板上に該構造を成長させる
ことによって形成することも可能である。
【００１９】電極１２２と１２７の間の電流は、領域１
２５及び１２６に注入を行って、該領域を抵抗率の高い
領域に変換することによって、領域１２４だけにしか流
れないようにする。これは、一般に、水素イオンを注入
することによって実施される。
２５及び１２６に注入を行って、該領域を抵抗率の高い
領域に変換することによって、領域１２４だけにしか流
れないようにする。これは、一般に、水素イオンを注入
することによって実施される。
【００２０】留意すべきは、図２において、ＶＳＥＬ１
００は、正確な拡大率で示されていないということであ
る。すなわち、ミラー領域及び活性領域は、図面におい
て分かりやすくなるように拡大されている。実際には、
領域１１２の厚さは、ミラー領域及び活性領域の約１０
μｍに比べて、一般に１５０μｍである。上部電極１２
２のウインドウ１３０は、直径が約３〜６μｍであり、
一方、下部電極は、基板の底部をカバーしている。
００は、正確な拡大率で示されていないということであ
る。すなわち、ミラー領域及び活性領域は、図面におい
て分かりやすくなるように拡大されている。実際には、
領域１１２の厚さは、ミラー領域及び活性領域の約１０
μｍに比べて、一般に１５０μｍである。上部電極１２
２のウインドウ１３０は、直径が約３〜６μｍであり、
一方、下部電極は、基板の底部をカバーしている。
【００２１】次に、光ディスク１１に読み取り及び書き
込みを行うための本発明による読み取り・書き込みヘッ
ド２００のブロック図である、図３を参照する。読み取
り・書き込みヘッド２００のさまざまなコンポーネント
が、基板２０１上に製作される。読み取り・書き込みヘ
ッド２００には、２１０及び２２０で示される２つの読
み取りアセンブリと、書き込みレーザ２３１が含まれて
いる。図面には、書き込みレーザ２３１の位置またはパ
ワーをモニタする、オプションの書き込み検出器２３２
も示されている。各読み取りアセンブリには、レーザ
と、ディスク１１から反射されたレーザ出力の強度を測
定するための１つ以上の光検出器が含まれている。アセ
ンブリ２１０に対応する検出器及びレーザは、それぞ
れ、２１１及び２１２で示されている。アセンブリ２２
０に対応するレーザ及び検出器は、それぞれ、２２１及
び２２２で示されている。
込みを行うための本発明による読み取り・書き込みヘッ
ド２００のブロック図である、図３を参照する。読み取
り・書き込みヘッド２００のさまざまなコンポーネント
が、基板２０１上に製作される。読み取り・書き込みヘ
ッド２００には、２１０及び２２０で示される２つの読
み取りアセンブリと、書き込みレーザ２３１が含まれて
いる。図面には、書き込みレーザ２３１の位置またはパ
ワーをモニタする、オプションの書き込み検出器２３２
も示されている。各読み取りアセンブリには、レーザ
と、ディスク１１から反射されたレーザ出力の強度を測
定するための１つ以上の光検出器が含まれている。アセ
ンブリ２１０に対応する検出器及びレーザは、それぞ
れ、２１１及び２１２で示されている。アセンブリ２２
０に対応するレーザ及び検出器は、それぞれ、２２１及
び２２２で示されている。
【００２２】ヘッド２００に含まれるレーザは、ＶＳＥ
Ｌとして構成されている。検出器は、従来のフォトダイ
オードとすることが可能である。上述のように、検出器
及びレーザは、個々のアセンブリ相互間の適正な配置を
保証する従来の集積回路製作技法を用いて、基板２０１
上に製作される。この本質的なアライメントによって、
同時に複数のトラックに対して動作する読み取り・書き
込みヘッドの製作が容易になる。
Ｌとして構成されている。検出器は、従来のフォトダイ
オードとすることが可能である。上述のように、検出器
及びレーザは、個々のアセンブリ相互間の適正な配置を
保証する従来の集積回路製作技法を用いて、基板２０１
上に製作される。この本質的なアライメントによって、
同時に複数のトラックに対して動作する読み取り・書き
込みヘッドの製作が容易になる。
【００２３】光ディスクによって、経済的な不揮発性記
憶装置が得られるが、これらの装置による読み取り、と
りわけ、書き込みの速度は、依然として、一次データ記
憶装置に光ディスクを用いる上で重大な障害である。こ
れらのドライブの有効速度を増すための方法の１つは、
同時にいくつかのトラックの読み取りまたは書き込みを
行うことである。こうした構成には、読み取り及び／ま
たは書き込みレーザ相互間における正確なアライメント
が必要とされる。本発明によれば、本質的にこのアライ
メントが得られるので、本発明は、こうした読み取り・
書き込みヘッドを構成する上で最適である。
憶装置が得られるが、これらの装置による読み取り、と
りわけ、書き込みの速度は、依然として、一次データ記
憶装置に光ディスクを用いる上で重大な障害である。こ
れらのドライブの有効速度を増すための方法の１つは、
同時にいくつかのトラックの読み取りまたは書き込みを
行うことである。こうした構成には、読み取り及び／ま
たは書き込みレーザ相互間における正確なアライメント
が必要とされる。本発明によれば、本質的にこのアライ
メントが得られるので、本発明は、こうした読み取り・
書き込みヘッドを構成する上で最適である。
【００２４】図４には、複数の読み取り及び書き込みレ
ーザを備えた読み取り・書き込みヘッド３００のブロッ
ク図が３００で示されている。ヘッド３００には、複数
の読み取りアセンブリが含まれており、そのうちからア
センブリ３１１及び３１２が例示されている。各読み取
りアセンブリには、１つのＶＳＥＬレーザと１つ以上の
光検出器が含まれている。読み取りアセンブリは、それ
ぞれ、他の読み取りアセンブリとは異なるトラックから
データを読み取るように位置決めするのが望ましい。
ーザを備えた読み取り・書き込みヘッド３００のブロッ
ク図が３００で示されている。ヘッド３００には、複数
の読み取りアセンブリが含まれており、そのうちからア
センブリ３１１及び３１２が例示されている。各読み取
りアセンブリには、１つのＶＳＥＬレーザと１つ以上の
光検出器が含まれている。読み取りアセンブリは、それ
ぞれ、他の読み取りアセンブリとは異なるトラックから
データを読み取るように位置決めするのが望ましい。
【００２５】ヘッド３００には、ディスク１１の表面に
書き込みを行うのに十分なパワーを備えた複数のＶＳＥ
Ｌも含まれている。例示の書き込みレーザが、３３１及
び３３２で示されている。書き込みレーザは、同時にオ
ンになると、異なるビットを書き込むように位置決めす
ることが可能である。該ビットは、異なるトラック上に
位置することが望ましいが、同じトラックに複数ビット
を書き込む構成も可能である。
書き込みを行うのに十分なパワーを備えた複数のＶＳＥ
Ｌも含まれている。例示の書き込みレーザが、３３１及
び３３２で示されている。書き込みレーザは、同時にオ
ンになると、異なるビットを書き込むように位置決めす
ることが可能である。該ビットは、異なるトラック上に
位置することが望ましいが、同じトラックに複数ビット
を書き込む構成も可能である。
【００２６】さらに、ヘッド３００には、ディスク１１
からトラック位置データを読み取るためのレーザ３２１
及び光検出器３２２から構成される追加読み取りアセン
ブリが含まれている。個々の光検出器及びレーザが、共
通基板３０１上に製作される。
からトラック位置データを読み取るためのレーザ３２１
及び光検出器３２２から構成される追加読み取りアセン
ブリが含まれている。個々の光検出器及びレーザが、共
通基板３０１上に製作される。
【００２７】以上、本発明の実施例について詳述した
が、以下、本発明の各実施態様の例を示す。
が、以下、本発明の各実施態様の例を示す。
【００２８】（実施態様１）読み取り・書き込みヘッド
・アセンブリ［２００、３００］であって、以下の
（ａ）から（ｃ）を含み、（ａ）光ディスク［１１］の
書き込みに十分なパワー・レベルを有する第１のＶＳＥ
Ｌ［２３１、３３１］と、（ｂ）第２のＶＳＥＬ［２１
２、３１２］と、（ｃ）前記第２のＶＳＥＬ［２１２、
３１２］によって発生し、前記光ディスク［１１］から
反射された光を検出するための第１の光検出器［２１
１］と、を含み、前記第１及び第２のＶＳＥＬと前記第
１の光検出器［２１１］が、共通基板［２０１、３０
１］上に製作されることを特徴とする読み取り・書き込
みヘッド・アセンブリ。
・アセンブリ［２００、３００］であって、以下の
（ａ）から（ｃ）を含み、（ａ）光ディスク［１１］の
書き込みに十分なパワー・レベルを有する第１のＶＳＥ
Ｌ［２３１、３３１］と、（ｂ）第２のＶＳＥＬ［２１
２、３１２］と、（ｃ）前記第２のＶＳＥＬ［２１２、
３１２］によって発生し、前記光ディスク［１１］から
反射された光を検出するための第１の光検出器［２１
１］と、を含み、前記第１及び第２のＶＳＥＬと前記第
１の光検出器［２１１］が、共通基板［２０１、３０
１］上に製作されることを特徴とする読み取り・書き込
みヘッド・アセンブリ。
【００２９】（実施態様２）実施態様１に記載の読み取
り・書き込みヘッド・アセンブリ［２００、３００］で
あって、第３のＶＳＥＬ［３１１］と前記第３のＶＳＥ
Ｌ［３１１］によって発生し、前記光ディスク［１１］
から反射された光を検出するための第２の光検出器［３
１１］を含み、前記第３のＶＳＥＬ［３１１］及び前記
第２の光検出器［３１１］が、前記共通基板［２０１、
３０１］上に製作され、前記第１の光検出器［２１１］
及び前記第２のＶＳＥＬ［２１２、３１２］が、第１の
トラックからデータを読み取るように位置決めされ、前
記第３のＶＳＥＬ［３１１］及び第２の光検出器［３１
１］は、前記光ディスク［１１］上の第２のトラックか
らデータを読み取るように位置決めされ、前記第１のト
ラックが前記第２のトラックとは異なることを特徴とす
る読み取り・書き込みヘッド・アセンブリ。
り・書き込みヘッド・アセンブリ［２００、３００］で
あって、第３のＶＳＥＬ［３１１］と前記第３のＶＳＥ
Ｌ［３１１］によって発生し、前記光ディスク［１１］
から反射された光を検出するための第２の光検出器［３
１１］を含み、前記第３のＶＳＥＬ［３１１］及び前記
第２の光検出器［３１１］が、前記共通基板［２０１、
３０１］上に製作され、前記第１の光検出器［２１１］
及び前記第２のＶＳＥＬ［２１２、３１２］が、第１の
トラックからデータを読み取るように位置決めされ、前
記第３のＶＳＥＬ［３１１］及び第２の光検出器［３１
１］は、前記光ディスク［１１］上の第２のトラックか
らデータを読み取るように位置決めされ、前記第１のト
ラックが前記第２のトラックとは異なることを特徴とす
る読み取り・書き込みヘッド・アセンブリ。
【００３０】（実施態様３）実施態様１に記載の読み取
り・書き込みヘッド・アセンブリ［２００、３００］で
あって、第４のＶＳＥＬ［２２１、３２１］と前記第４
のＶＳＥＬ［２２１、３２１］によって発生し、前記光
ディスク［１１］から反射された光を検出するための第
３の光検出器［２２２、３２２］を含み、前記第４のＶ
ＳＥＬ［２２１、３２１］及び前記第３の光検出器［２
２２、３２２］が、前記共通基板［２０１、３０１］上
に製作され、前記第１及び第２のＶＳＥＬと前記第１の
光検出器［２１１］が、前記光ディスク［１１］のトラ
ックからデータを読み取るように位置決めされ、前記第
４のＶＳＥＬ［２２１、３２１］は、トラック位置デー
タを読み取るように位置決めされることを特徴とする読
み取り・書き込みヘッド・アセンブリ。
り・書き込みヘッド・アセンブリ［２００、３００］で
あって、第４のＶＳＥＬ［２２１、３２１］と前記第４
のＶＳＥＬ［２２１、３２１］によって発生し、前記光
ディスク［１１］から反射された光を検出するための第
３の光検出器［２２２、３２２］を含み、前記第４のＶ
ＳＥＬ［２２１、３２１］及び前記第３の光検出器［２
２２、３２２］が、前記共通基板［２０１、３０１］上
に製作され、前記第１及び第２のＶＳＥＬと前記第１の
光検出器［２１１］が、前記光ディスク［１１］のトラ
ックからデータを読み取るように位置決めされ、前記第
４のＶＳＥＬ［２２１、３２１］は、トラック位置デー
タを読み取るように位置決めされることを特徴とする読
み取り・書き込みヘッド・アセンブリ。
【００３１】（実施態様４）実施態様１に記載の読み取
り・書き込みヘッド・アセンブリ［２００、３００］で
あって、該アセンブリは、前記光ディスク［１１］に書
き込みを行うのに十分なパワー・レベルを有する第５の
ＶＳＥＬ［３３２］を含み、前記第１及び第５のＶＳＥ
Ｌが同時にオンになると、前記第５のＶＳＥＬ［３３
２］は、前記光ディスク［１１］上において前記第１の
ＶＳＥＬ［２３１、３３１］とは異なるビット位置に書
き込みを行うように位置決めされることを特徴とする読
み取り・書き込みヘッド・アセンブリ。
り・書き込みヘッド・アセンブリ［２００、３００］で
あって、該アセンブリは、前記光ディスク［１１］に書
き込みを行うのに十分なパワー・レベルを有する第５の
ＶＳＥＬ［３３２］を含み、前記第１及び第５のＶＳＥ
Ｌが同時にオンになると、前記第５のＶＳＥＬ［３３
２］は、前記光ディスク［１１］上において前記第１の
ＶＳＥＬ［２３１、３３１］とは異なるビット位置に書
き込みを行うように位置決めされることを特徴とする読
み取り・書き込みヘッド・アセンブリ。
【００３２】（実施態様５）光ディスク［１１］に読み
取り及び書き込みを行うための方法であって、以下の
（ａ）から（ｃ）のステップを含み（ａ）前記光ディス
ク［１１］に書き込みを行うのに十分なパワー・レベル
を有する第１のＶＳＥＬ［２３１、３３１］を設けて、
前記光ディスク［１１］への書き込みを行うステップ
と、（ｂ）第２のＶＳＥＬ［２１２、３１２］を設ける
ステップと、（ｃ）前記第２のＶＳＥＬ［２１２、３１
２］によって発生し、前記光ディスク［１１］から反射
された光を検出し、前記光ディスク［１１］の読み取り
を行うための第１の光検出器［２１１］を設けるステッ
プ、を含み、前記第１及び第２のＶＳＥＬと前記第１の
光検出器［２１１］が、共通基板［２０１、３０１］上
に製作されることを特徴とする方法。
取り及び書き込みを行うための方法であって、以下の
（ａ）から（ｃ）のステップを含み（ａ）前記光ディス
ク［１１］に書き込みを行うのに十分なパワー・レベル
を有する第１のＶＳＥＬ［２３１、３３１］を設けて、
前記光ディスク［１１］への書き込みを行うステップ
と、（ｂ）第２のＶＳＥＬ［２１２、３１２］を設ける
ステップと、（ｃ）前記第２のＶＳＥＬ［２１２、３１
２］によって発生し、前記光ディスク［１１］から反射
された光を検出し、前記光ディスク［１１］の読み取り
を行うための第１の光検出器［２１１］を設けるステッ
プ、を含み、前記第１及び第２のＶＳＥＬと前記第１の
光検出器［２１１］が、共通基板［２０１、３０１］上
に製作されることを特徴とする方法。
【００３３】（実施態様６）実施態様５に記載の方法で
あって、第３のＶＳＥＬ［３１１］と、前記第３のＶＳ
ＥＬ［３１１］によって発生し、前記光ディスク［１
１］から反射された光を検出するための第２の光検出器
［３１１］を設けるステップを含み、前記第３のＶＳＥ
Ｌ［３１１］及び前記第２の光検出器［３１１］が、前
記共通基板［２０１、３０１］上に製作され、前記第１
の光検出器［２１１］及び前記第２のＶＳＥＬ［２１
２、３１２］が、第１のトラックからデータを読み取る
ように位置決めされ、前記第３のＶＳＥＬ［３１１］及
び第２の光検出器［３１１］は、前記光ディスク［１
１］上の第２のトラックからデータを読み取るように位
置決めされ、前記第１のトラックが前記第２のトラック
とは異なることを特徴とする方法。
あって、第３のＶＳＥＬ［３１１］と、前記第３のＶＳ
ＥＬ［３１１］によって発生し、前記光ディスク［１
１］から反射された光を検出するための第２の光検出器
［３１１］を設けるステップを含み、前記第３のＶＳＥ
Ｌ［３１１］及び前記第２の光検出器［３１１］が、前
記共通基板［２０１、３０１］上に製作され、前記第１
の光検出器［２１１］及び前記第２のＶＳＥＬ［２１
２、３１２］が、第１のトラックからデータを読み取る
ように位置決めされ、前記第３のＶＳＥＬ［３１１］及
び第２の光検出器［３１１］は、前記光ディスク［１
１］上の第２のトラックからデータを読み取るように位
置決めされ、前記第１のトラックが前記第２のトラック
とは異なることを特徴とする方法。
【００３４】（実施態様７）実施態様５に記載の方法で
あって、さらに、第４のＶＳＥＬ［２２１、３２１］
と、前記第４のＶＳＥＬ［２２１、３２１］によって発
生し、前記光ディスク［１１］から反射された光を検出
するための第３の光検出器［２２２、３２２］を設ける
ステップを含み、前記第４のＶＳＥＬ［２２１、３２
１］及び前記第３の光検出器［２２２、３２２］が、前
記共通基板［２０１、３０１］上に製作され、前記第１
及び第２のＶＳＥＬと前記第１の光検出器［２１１］
が、前記光ディスク［１１］のトラックからデータを読
み取るように位置決めされ、前記第４のＶＳＥＬ［２２
１、３２１］は、トラック位置データを読み取るように
位置決めされることを特徴とする方法。
あって、さらに、第４のＶＳＥＬ［２２１、３２１］
と、前記第４のＶＳＥＬ［２２１、３２１］によって発
生し、前記光ディスク［１１］から反射された光を検出
するための第３の光検出器［２２２、３２２］を設ける
ステップを含み、前記第４のＶＳＥＬ［２２１、３２
１］及び前記第３の光検出器［２２２、３２２］が、前
記共通基板［２０１、３０１］上に製作され、前記第１
及び第２のＶＳＥＬと前記第１の光検出器［２１１］
が、前記光ディスク［１１］のトラックからデータを読
み取るように位置決めされ、前記第４のＶＳＥＬ［２２
１、３２１］は、トラック位置データを読み取るように
位置決めされることを特徴とする方法。
【００３５】（実施態様８）実施態様５に記載の方法で
あって、さらに、前記光ディスク［１１］に書き込みを
行うのに十分なパワー・レベルを有する第５のＶＳＥＬ
［３３２］を設けるステップが含まれ、前記第１及び第
５のＶＳＥＬが同時にオンになると、前記第５のＶＳＥ
Ｌ［３３２］は、前記光ディスク［１１］上において前
記第１のＶＳＥＬ［２３１、３３１］とは異なるビット
位置に書き込みを行うように位置決めされることを特徴
とする方法。
あって、さらに、前記光ディスク［１１］に書き込みを
行うのに十分なパワー・レベルを有する第５のＶＳＥＬ
［３３２］を設けるステップが含まれ、前記第１及び第
５のＶＳＥＬが同時にオンになると、前記第５のＶＳＥ
Ｌ［３３２］は、前記光ディスク［１１］上において前
記第１のＶＳＥＬ［２３１、３３１］とは異なるビット
位置に書き込みを行うように位置決めされることを特徴
とする方法。
【００３６】当該技術の技術者であれば、以上の説明及
び添付の図面から本発明に対するさまざまな修正が明ら
かになるであろう。従って、本発明は、付属の請求項の
範囲によってのみ制限されるものとする。
び添付の図面から本発明に対するさまざまな修正が明ら
かになるであろう。従って、本発明は、付属の請求項の
範囲によってのみ制限されるものとする。
【図１】 典型的な従来の技術による光ディスク読み取
り・書き込みアセンブリの概略図である。
り・書き込みアセンブリの概略図である。
【図２】 典型的なＶＳＥＬの断面図である。
【図３】 本発明による読み取り・書き込みアセンブリ
のブロック図である。
のブロック図である。
【図４】 本発明による読み取り・書き込みアセンブリ
の第２の実施態様に関するブロック図である。
の第２の実施態様に関するブロック図である。
１１ ディスク １２ レーザ １４ ビーム・スプリッタ １８ 検出器 １００ ＶＳＥＬ １１２ 基板 １１４ 発光領域 １１８ 上部ミラー領域 １１９ 下部ミラー領域 １２２、１２７ 電極 ２００、３００ 読み取り・書き込みヘッド ２０１、３０１ 基板 ２１０、２２０、３１１、３１２ 読み取りアセンブリ ２１２、２２１、３２１ レーザ ２１１、２２２、３２２ 検出器 ２３１、３３１、３３２ 書き込みレーザ ２３２ 書き込み検出器
Claims (1)
- 【請求項１】読み取り・書き込みヘッド・アセンブリで
あって、以下の（ａ）から（ｃ）を含み、（ａ）光ディ
スクの書き込みに十分なパワー・レベルを有する第１の
ＶＳＥＬと、（ｂ）第２のＶＳＥＬと、（ｃ）前記第２
のＶＳＥＬによって発生し、前記光ディスクから反射さ
れた光を検出するための第１の光検出器と、を含み、前
記第１及び第２のＶＳＥＬと前記第１の光検出器が、共
通基板上に製作されることを特徴とする読み取り・書き
込みヘッド・アセンブリ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US808,950 | 1985-12-16 | ||
| US08/808,950 US5894467A (en) | 1997-02-19 | 1997-02-19 | Multiple VSEL assembly for read/write and tracking applications in optical disks |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10241180A true JPH10241180A (ja) | 1998-09-11 |
| JPH10241180A5 JPH10241180A5 (ja) | 2005-08-25 |
Family
ID=25200193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10034605A Pending JPH10241180A (ja) | 1997-02-19 | 1998-02-17 | 光ディスクにおける読み取り・書き込み用ｖｓｅｌ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5894467A (ja) |
| EP (1) | EP0860817B1 (ja) |
| JP (1) | JPH10241180A (ja) |
| KR (1) | KR19980071505A (ja) |
| DE (1) | DE69816501T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6208609B1 (en) * | 1998-11-12 | 2001-03-27 | New Dimension Research & Instrument, Inc. | Optical system with interactive data capability |
| US7095767B1 (en) * | 1999-08-30 | 2006-08-22 | Research Investment Network, Inc. | Near field optical apparatus |
| US7069569B2 (en) * | 2000-02-01 | 2006-06-27 | Research Investment Network, Inc. | Near-field optical head system with integrated slider and laser |
| US6937637B1 (en) | 2000-02-01 | 2005-08-30 | Research Investment Network, Inc. | Semiconductor laser and associated drive circuit substrate |
| US6574257B1 (en) | 2000-02-01 | 2003-06-03 | Siros Technologies, Inc. | Near-field laser and detector apparatus and method |
| US6963530B1 (en) | 2000-02-01 | 2005-11-08 | Research Investment Network, Inc. | Near-field optical head system with integrated slider and laser |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0234594A3 (en) * | 1986-02-28 | 1989-09-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | System capable of retrieving information from an optical memory |
| US5247167A (en) * | 1992-08-06 | 1993-09-21 | International Business Machines Corporation | Multiple beam power monitoring system and method with radiation detection and focusing means of overlapping beams |
| US5483511A (en) * | 1993-02-17 | 1996-01-09 | Vixel Corporation | Multiple beam optical memory system with solid-state lasers |
| JPH06302002A (ja) * | 1993-04-12 | 1994-10-28 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JPH08147745A (ja) * | 1994-11-17 | 1996-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マルチビームレーザパワー制御方法及びマルチビーム光学的記録再生装置 |
| KR0170675B1 (ko) * | 1995-06-30 | 1999-04-15 | 김광호 | 수직공진기 면발광 레이저 다이오드를 이용한 광픽엎 |
| JPH09128772A (ja) * | 1995-11-01 | 1997-05-16 | Sony Corp | 光学ピックアップ |
| US5757741A (en) * | 1996-01-04 | 1998-05-26 | Motorola, Inc. | CD ROM head with VCSEL or VCSEL array |
-
1997
- 1997-02-19 US US08/808,950 patent/US5894467A/en not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-01-16 EP EP98100754A patent/EP0860817B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-01-16 DE DE69816501T patent/DE69816501T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-02-17 JP JP10034605A patent/JPH10241180A/ja active Pending
- 1998-02-19 KR KR1019980005140A patent/KR19980071505A/ko not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5894467A (en) | 1999-04-13 |
| DE69816501T2 (de) | 2004-06-09 |
| EP0860817B1 (en) | 2003-07-23 |
| KR19980071505A (ko) | 1998-10-26 |
| DE69816501D1 (de) | 2003-08-28 |
| EP0860817A3 (en) | 1999-07-14 |
| EP0860817A2 (en) | 1998-08-26 |
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