JPH07221012A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPH07221012A JPH07221012A JP6124597A JP12459794A JPH07221012A JP H07221012 A JPH07221012 A JP H07221012A JP 6124597 A JP6124597 A JP 6124597A JP 12459794 A JP12459794 A JP 12459794A JP H07221012 A JPH07221012 A JP H07221012A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 大型のマスクに対しても転写パターンの焦点
ずれの少ない露光装置を提供することを目的とする。 【構成】 本発明の露光装置は、ほぼ等倍の投影光学系
（２２）を介して第１の基板（２１）上に形成されたパ
ターンを第２の基板（２３）上に投影露光する露光装置
において、前記第１の基板および前記第２の基板の位置
情報を検出するための位置検出手段（１Ａ〜８Ａ、１Ｂ
〜８Ｂ、１０、１１）と、前記位置検出手段が検出した
位置情報に基づいて、前記第１の基板と前記第２の基板
との間隔を実質的に一定に保つように、前記第１の基板
および前記第２の基板のうち少なくとも一方の基板の位
置決めを制御するための位置決め制御手段（２４、２
８）を備えている。
ずれの少ない露光装置を提供することを目的とする。 【構成】 本発明の露光装置は、ほぼ等倍の投影光学系
（２２）を介して第１の基板（２１）上に形成されたパ
ターンを第２の基板（２３）上に投影露光する露光装置
において、前記第１の基板および前記第２の基板の位置
情報を検出するための位置検出手段（１Ａ〜８Ａ、１Ｂ
〜８Ｂ、１０、１１）と、前記位置検出手段が検出した
位置情報に基づいて、前記第１の基板と前記第２の基板
との間隔を実質的に一定に保つように、前記第１の基板
および前記第２の基板のうち少なくとも一方の基板の位
置決めを制御するための位置決め制御手段（２４、２
８）を備えている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は露光装置に関し、特に露
光装置における焦点合わせに関する。
光装置における焦点合わせに関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は、従来の露光装置の構成を概略的
に示す図である。図７において、固定されたマスク（た
とえばレチクル）１２１上に形成されたパターンが投影
光学系１２２を介して基板１２３上に転写される。この
場合、焦点検出すなわち投影光学系の結像面に対する位
置検出は、被露光基板用の焦点検出光学系により基板１
２３についてのみ行われていた。
に示す図である。図７において、固定されたマスク（た
とえばレチクル）１２１上に形成されたパターンが投影
光学系１２２を介して基板１２３上に転写される。この
場合、焦点検出すなわち投影光学系の結像面に対する位
置検出は、被露光基板用の焦点検出光学系により基板１
２３についてのみ行われていた。
【０００３】前記焦点検出光学系では、たとえばＬＥＤ
のような光源１０１を射出した光はレンズ１０２および
視野スリット１０３を介してミラー１０４で反射され
る。ミラー１０４で反射された光は、開口絞り１０５お
よびレンズ１０６を介してミラー１０７に入射する。ミ
ラー１０７で反射した光は基板１２３上に斜入射し、正
反射してミラー１０７′に入射する。ミラー１０７′で
反射された光はレンズ１０６′および開口絞り１０８を
介してミラー１０９に入射する。ミラー１０９で反射さ
れた光は、イメージセンサ１１１で受光される。
のような光源１０１を射出した光はレンズ１０２および
視野スリット１０３を介してミラー１０４で反射され
る。ミラー１０４で反射された光は、開口絞り１０５お
よびレンズ１０６を介してミラー１０７に入射する。ミ
ラー１０７で反射した光は基板１２３上に斜入射し、正
反射してミラー１０７′に入射する。ミラー１０７′で
反射された光はレンズ１０６′および開口絞り１０８を
介してミラー１０９に入射する。ミラー１０９で反射さ
れた光は、イメージセンサ１１１で受光される。
【０００４】図７において、基板１２３が図中上方に移
動して１２３′（図中、破線で示す）の位置にくると、
基板１２３からの反射光のイメージセンサ１１１上にお
ける受光位置は図中下方にずれる。このように、基板か
らの反射光の受光位置に基づいて、基板の図中上下方向
の移動を検出することができ、反射光が所定位置で受光
されるように、ひいては基板が所定位置に位置決めされ
るように、基板を位置決め制御していた。
動して１２３′（図中、破線で示す）の位置にくると、
基板１２３からの反射光のイメージセンサ１１１上にお
ける受光位置は図中下方にずれる。このように、基板か
らの反射光の受光位置に基づいて、基板の図中上下方向
の移動を検出することができ、反射光が所定位置で受光
されるように、ひいては基板が所定位置に位置決めされ
るように、基板を位置決め制御していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
露光装置では、被露光物体である基板の表面においての
み焦点検出を行っていた。したがって、マスクのサイズ
が大型になって自重によるマスクの撓みや製造誤差によ
る表面傾斜（テーパ）が顕在化すると、被露光物体であ
る基板だけの焦点検出を行っても、前記マスクの撓みや
テーパに起因して転写パターンに焦点ずれが発生すると
いう不都合があった。本発明は、前述の課題に鑑みてな
されたものであり、大型のマスクに対しても転写パター
ンの焦点ずれの少ない露光装置を提供することを目的と
する。
露光装置では、被露光物体である基板の表面においての
み焦点検出を行っていた。したがって、マスクのサイズ
が大型になって自重によるマスクの撓みや製造誤差によ
る表面傾斜（テーパ）が顕在化すると、被露光物体であ
る基板だけの焦点検出を行っても、前記マスクの撓みや
テーパに起因して転写パターンに焦点ずれが発生すると
いう不都合があった。本発明は、前述の課題に鑑みてな
されたものであり、大型のマスクに対しても転写パター
ンの焦点ずれの少ない露光装置を提供することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明においては、ほぼ等倍の投影光学系（２２）
を介して第１の基板（２１）上に形成されたパターンを
第２の基板（２３）上に投影露光する露光装置におい
て、前記第１の基板および前記第２の基板の位置情報を
検出するための位置検出手段（１Ａ〜８Ａ、１Ｂ〜８
Ｂ、１０、１１）と、前記位置検出手段が検出した位置
情報に基づいて、前記第１の基板と前記第２の基板との
間隔を実質的に一定に保つように、前記第１の基板およ
び前記第２の基板のうち少なくとも一方の基板の位置決
めを制御するための位置決め制御手段（２４、２８）を
備えていることを特徴とする露光装置を提供する。
に、本発明においては、ほぼ等倍の投影光学系（２２）
を介して第１の基板（２１）上に形成されたパターンを
第２の基板（２３）上に投影露光する露光装置におい
て、前記第１の基板および前記第２の基板の位置情報を
検出するための位置検出手段（１Ａ〜８Ａ、１Ｂ〜８
Ｂ、１０、１１）と、前記位置検出手段が検出した位置
情報に基づいて、前記第１の基板と前記第２の基板との
間隔を実質的に一定に保つように、前記第１の基板およ
び前記第２の基板のうち少なくとも一方の基板の位置決
めを制御するための位置決め制御手段（２４、２８）を
備えていることを特徴とする露光装置を提供する。
【０００７】本発明の好ましい態様によれば、前記位置
検出手段（１Ａ〜８Ａ、１Ｂ〜８Ｂ、１０、１１）は、
前記第１の基板および前記第２の基板に光ビームを斜入
射させるための光入射手段（１Ａ〜７Ａ、１Ｂ〜７Ｂ）
と、前記第１の基板および前記第２の基板の各々からの
反射光を受光するための受光手段（１１）とを備え、前
記位置決め制御手段（２４、２８）は、前記第１の基板
からの反射光を受光した位置および前記第２の基板から
の反射光を受光した位置に基づいて、前記第１の基板お
よび前記第２の基板のうち少なくとも一方の基板の位置
決めを制御する。
検出手段（１Ａ〜８Ａ、１Ｂ〜８Ｂ、１０、１１）は、
前記第１の基板および前記第２の基板に光ビームを斜入
射させるための光入射手段（１Ａ〜７Ａ、１Ｂ〜７Ｂ）
と、前記第１の基板および前記第２の基板の各々からの
反射光を受光するための受光手段（１１）とを備え、前
記位置決め制御手段（２４、２８）は、前記第１の基板
からの反射光を受光した位置および前記第２の基板から
の反射光を受光した位置に基づいて、前記第１の基板お
よび前記第２の基板のうち少なくとも一方の基板の位置
決めを制御する。
【０００８】さらに好ましい態様によれば、前記光入射
手段は、前記第１の基板に光ビームを斜入射させるため
の第１の光入射手段（１Ａ〜７Ａ）と、前記第２の基板
に光ビームを斜入射させるための第２の光入射手段（１
Ｂ〜７Ｂ）とを備えている。この場合、前記第１の基板
からの反射光の光量および前記第２の基板からの反射光
の光量に応じて、前記第１の光入射手段の光源の光量お
よび前記第２の光入射手段の光源の光量をそれぞれ制御
するための光量制御手段（２７Ａ、２７Ｂ）を備えてい
るのが好ましい。また、前記露光装置は、受光手段（１
１）として、前記第１の基板からの反射光を受光するた
めの第１の受光手段（１１Ａ）と、前記第２の基板から
の反射光を受光するための第２の受光手段（１１Ｂ）と
を備えるとともに、前記第１の基板からの反射光の光量
および前記第２の基板からの反射光の光量に応じて、前
記第１の受光手段の感度および前記第２の受光手段の感
度をそれぞれ制御するための感度制御手段（２４Ａ、２
４Ｂ）を備えているのが好ましい。
手段は、前記第１の基板に光ビームを斜入射させるため
の第１の光入射手段（１Ａ〜７Ａ）と、前記第２の基板
に光ビームを斜入射させるための第２の光入射手段（１
Ｂ〜７Ｂ）とを備えている。この場合、前記第１の基板
からの反射光の光量および前記第２の基板からの反射光
の光量に応じて、前記第１の光入射手段の光源の光量お
よび前記第２の光入射手段の光源の光量をそれぞれ制御
するための光量制御手段（２７Ａ、２７Ｂ）を備えてい
るのが好ましい。また、前記露光装置は、受光手段（１
１）として、前記第１の基板からの反射光を受光するた
めの第１の受光手段（１１Ａ）と、前記第２の基板から
の反射光を受光するための第２の受光手段（１１Ｂ）と
を備えるとともに、前記第１の基板からの反射光の光量
および前記第２の基板からの反射光の光量に応じて、前
記第１の受光手段の感度および前記第２の受光手段の感
度をそれぞれ制御するための感度制御手段（２４Ａ、２
４Ｂ）を備えているのが好ましい。
【０００９】
【作用】以上のように、本発明では、ほぼ等倍の投影光
学系を介して第１の基板であるマスクに形成されたパタ
ーンを第２の基板である被露光基板の上に転写する露光
装置において、マスクおよび基板の位置情報を検出し、
この位置情報に基づいてマスクと基板との間隔が実質的
に一定になるように制御する。このとき、第１の基板に
斜入射する光源の光量と第２の基板に斜入射する光源の
光量とをそれぞれ独立に制御するように構成すれば、第
１の基板であるマスクの反射率と第２の基板である被露
光基板の反射率が著しく異なっても、各基板からの反射
光の光量差が受光センサのダイナミックレンジを越えて
信号処理不能になったり、Ｓ／Ｎ比の悪化に起因する精
度低下を防止することができる。
学系を介して第１の基板であるマスクに形成されたパタ
ーンを第２の基板である被露光基板の上に転写する露光
装置において、マスクおよび基板の位置情報を検出し、
この位置情報に基づいてマスクと基板との間隔が実質的
に一定になるように制御する。このとき、第１の基板に
斜入射する光源の光量と第２の基板に斜入射する光源の
光量とをそれぞれ独立に制御するように構成すれば、第
１の基板であるマスクの反射率と第２の基板である被露
光基板の反射率が著しく異なっても、各基板からの反射
光の光量差が受光センサのダイナミックレンジを越えて
信号処理不能になったり、Ｓ／Ｎ比の悪化に起因する精
度低下を防止することができる。
【００１０】同様に、第１の基板からの反射光を受光す
る第１の受光センサの感度と第２の基板からの反射光を
受光する第１の受光センサの感度とをそれぞれ独立に制
御するように構成すれば、第１の基板であるマスクの反
射率と第２の基板である被露光基板の反射率が著しく異
なっても、センサの入力ゲインを適宜変更して各基板か
らの反射光の光量差による信号処理不能やＳ／Ｎ比の悪
化を回避することができる。また、後述するように、投
影光学系がほぼ等倍の露光装置では、マスクと基板との
間隔を実質的に一定にすることにより、転写パターンの
焦点ずれを実質的に回避することができる。
る第１の受光センサの感度と第２の基板からの反射光を
受光する第１の受光センサの感度とをそれぞれ独立に制
御するように構成すれば、第１の基板であるマスクの反
射率と第２の基板である被露光基板の反射率が著しく異
なっても、センサの入力ゲインを適宜変更して各基板か
らの反射光の光量差による信号処理不能やＳ／Ｎ比の悪
化を回避することができる。また、後述するように、投
影光学系がほぼ等倍の露光装置では、マスクと基板との
間隔を実質的に一定にすることにより、転写パターンの
焦点ずれを実質的に回避することができる。
【００１１】ほぼ等倍の露光装置では感光基板の大型化
に伴ってマスクが大型になるので、自重によるマスクの
撓みや表面の傾斜が顕在化する。また、マスクが大型に
なるので、マスクおよび基板を投影光学系に対して相対
的に走査しながら投影露光を行う。したがって、従来の
ように基板のみに対して焦点検出を行っても走査範囲に
亘って転写パターンの焦点ずれが発生し易い。そこで、
非露光状態で予備走査を行ってマスクおよび基板の位置
情報をそれぞれ複数点において検出し、この位置情報に
基づいてマスクと基板との間隔が走査範囲に亘ってでき
るだけ一定になるように調整した後、投影露光を行うの
が好ましい。
に伴ってマスクが大型になるので、自重によるマスクの
撓みや表面の傾斜が顕在化する。また、マスクが大型に
なるので、マスクおよび基板を投影光学系に対して相対
的に走査しながら投影露光を行う。したがって、従来の
ように基板のみに対して焦点検出を行っても走査範囲に
亘って転写パターンの焦点ずれが発生し易い。そこで、
非露光状態で予備走査を行ってマスクおよび基板の位置
情報をそれぞれ複数点において検出し、この位置情報に
基づいてマスクと基板との間隔が走査範囲に亘ってでき
るだけ一定になるように調整した後、投影露光を行うの
が好ましい。
【００１２】なお、投影光学系が等倍でない一般の露光
装置においても、マスクの位置情報および基板の位置情
報を検出し、その間隔が所定間隔になるようにマスクお
よび基板の少なくとも一方を移動制御して、転写パター
ンの焦点ずれを実質的に回避することができる。この場
合、検出したマスクの位置情報および基板の位置情報に
基づいて、マスクおよび基板をそれぞれ所定位置に移動
させるのが好ましい。このように、本発明によれば、た
とえば斜入射フォーカス検出光学系を利用してマスクお
よび基板の位置情報を検出し、その間隔が一定または所
定間隔を保つように制御することによって、転写パター
ンの焦点ずれを実質的に回避することができる。
装置においても、マスクの位置情報および基板の位置情
報を検出し、その間隔が所定間隔になるようにマスクお
よび基板の少なくとも一方を移動制御して、転写パター
ンの焦点ずれを実質的に回避することができる。この場
合、検出したマスクの位置情報および基板の位置情報に
基づいて、マスクおよび基板をそれぞれ所定位置に移動
させるのが好ましい。このように、本発明によれば、た
とえば斜入射フォーカス検出光学系を利用してマスクお
よび基板の位置情報を検出し、その間隔が一定または所
定間隔を保つように制御することによって、転写パター
ンの焦点ずれを実質的に回避することができる。
【００１３】
【実施例】本発明の実施例を、添付図面に基づいて説明
する。図１は、本発明の実施例にかかる露光装置の構成
を示す斜視図である。また、図２は、図１の露光装置の
位置検出系の構成を示す図である。図１および図２に示
すように、本実施例の露光装置では、マスク２１に形成
されたパターンを照明手段（不図示）により均一に照明
し、等倍投影光学系２２を介して基板であるプレート２
３に転写する。
する。図１は、本発明の実施例にかかる露光装置の構成
を示す斜視図である。また、図２は、図１の露光装置の
位置検出系の構成を示す図である。図１および図２に示
すように、本実施例の露光装置では、マスク２１に形成
されたパターンを照明手段（不図示）により均一に照明
し、等倍投影光学系２２を介して基板であるプレート２
３に転写する。
【００１４】図示のように、マスク２１およびプレート
２３が大型になると、投影光学系２２の有効視野がマス
ク２１およびプレート２３上でそれぞれ２５および２６
の範囲しか確保することができない。この場合、マスク
２１およびプレート２３を投影光学系２２に対して一体
的に図中矢印の方向に相対移動させることによって、す
なわち一方向に露光走査することによって、所望の広い
露光面積全体を投影露光する。
２３が大型になると、投影光学系２２の有効視野がマス
ク２１およびプレート２３上でそれぞれ２５および２６
の範囲しか確保することができない。この場合、マスク
２１およびプレート２３を投影光学系２２に対して一体
的に図中矢印の方向に相対移動させることによって、す
なわち一方向に露光走査することによって、所望の広い
露光面積全体を投影露光する。
【００１５】図示のように、本発明の露光装置の位置検
出系として、たとえば斜入射フォーカス検出光学系を使
用することができる。図示の位置検出系は、それぞれ光
量を可変することのできる手段を有する２つの光源１Ａ
および１Ｂを備えている。光源１Ａ（１Ｂ）を射出した
光は、レンズ２Ａ（２Ｂ）および視野スリット３Ａ（３
Ｂ）を介してミラー４で図中上方（下方）に反射され
る。ミラー４で反射された光は、開口絞り５Ａ（５Ｂ）
およびレンズ６Ａ（６Ｂ）を介してミラー７Ａ（７Ｂ）
に入射する。
出系として、たとえば斜入射フォーカス検出光学系を使
用することができる。図示の位置検出系は、それぞれ光
量を可変することのできる手段を有する２つの光源１Ａ
および１Ｂを備えている。光源１Ａ（１Ｂ）を射出した
光は、レンズ２Ａ（２Ｂ）および視野スリット３Ａ（３
Ｂ）を介してミラー４で図中上方（下方）に反射され
る。ミラー４で反射された光は、開口絞り５Ａ（５Ｂ）
およびレンズ６Ａ（６Ｂ）を介してミラー７Ａ（７Ｂ）
に入射する。
【００１６】ミラー７Ａ（７Ｂ）で図中左方向に反射し
た光はマスク２１（プレート２３）上に斜入射し、正反
射してミラー７Ａ′（７Ｂ′）に入射する。ミラー７
Ａ′（７Ｂ′）で図中下方（上方）に反射された光はレ
ンズ６Ａ′（６Ｂ′）および開口絞り８Ａ（８Ｂ）を介
してプリズム１０に入射する。プリズム１０でそれぞれ
図中左方向に偏向された２つの反射光は、共通の二次元
センサ（またはＣＣＤのような一次元センサ）１１で受
光される。センサ１１では、２つの反射光の位置および
光量を検出し、光量に応じた電気信号が信号処理部２４
に出力される。信号処理部２４において、２つの反射光
に対応する電気信号がセンサ１１の入力レンジの範囲外
であると判断された場合には、２つの光源制御装置２７
Ａ、２７Ｂのいずれか一方または双方に適正な光量指令
を出力し、光源１Ａ、１Ｂの光量を制御する。各光源１
Ａ、１Ｂについて上述の適正な光量指令を得るためのア
ルゴリズムを図３のフローチャートに示す。なお、信号
処理部２４は、たとえばマイクロコンピュータおよび信
号入出力のための周辺回路によって実現することができ
る。図３のフローチャートに示すように、信号処理部２
４において、各反射光に対応する電気信号がセンサ１１
の入力レンジの範囲内である場合、対応する光源につい
て光量制御は行われない。逆に、各反射光に対応する電
気信号がセンサ１１の入力レンジの範囲内でない場合、
信号の大きさが小さすぎる場合には対応する光源の光量
を所定量だけ増大し、信号の大きさが大きすぎる場合に
は対応する光源の光量を所定量だけ減少させる。
た光はマスク２１（プレート２３）上に斜入射し、正反
射してミラー７Ａ′（７Ｂ′）に入射する。ミラー７
Ａ′（７Ｂ′）で図中下方（上方）に反射された光はレ
ンズ６Ａ′（６Ｂ′）および開口絞り８Ａ（８Ｂ）を介
してプリズム１０に入射する。プリズム１０でそれぞれ
図中左方向に偏向された２つの反射光は、共通の二次元
センサ（またはＣＣＤのような一次元センサ）１１で受
光される。センサ１１では、２つの反射光の位置および
光量を検出し、光量に応じた電気信号が信号処理部２４
に出力される。信号処理部２４において、２つの反射光
に対応する電気信号がセンサ１１の入力レンジの範囲外
であると判断された場合には、２つの光源制御装置２７
Ａ、２７Ｂのいずれか一方または双方に適正な光量指令
を出力し、光源１Ａ、１Ｂの光量を制御する。各光源１
Ａ、１Ｂについて上述の適正な光量指令を得るためのア
ルゴリズムを図３のフローチャートに示す。なお、信号
処理部２４は、たとえばマイクロコンピュータおよび信
号入出力のための周辺回路によって実現することができ
る。図３のフローチャートに示すように、信号処理部２
４において、各反射光に対応する電気信号がセンサ１１
の入力レンジの範囲内である場合、対応する光源につい
て光量制御は行われない。逆に、各反射光に対応する電
気信号がセンサ１１の入力レンジの範囲内でない場合、
信号の大きさが小さすぎる場合には対応する光源の光量
を所定量だけ増大し、信号の大きさが大きすぎる場合に
は対応する光源の光量を所定量だけ減少させる。
【００１７】このように、二次元センサ１１上にはマス
ク２１およびプレート２３にそれぞれ対応する２つのス
リット像が投影され、信号処理部２４、光源制御装置２
７Ａ、２７Ｂおよび光源１Ａ、１Ｂの協働により適正な
電気信号が得られる。なお、スリット像の長手方向が図
２の紙面に垂直な方向になるように、視野スリット３Ａ
および３Ｂが構成されている。マスク２１およびプレー
ト２３が図中実線で示す所定位置にある場合、二次元セ
ンサ１１上に結像する２つのスリット像の間隔はＬであ
る。
ク２１およびプレート２３にそれぞれ対応する２つのス
リット像が投影され、信号処理部２４、光源制御装置２
７Ａ、２７Ｂおよび光源１Ａ、１Ｂの協働により適正な
電気信号が得られる。なお、スリット像の長手方向が図
２の紙面に垂直な方向になるように、視野スリット３Ａ
および３Ｂが構成されている。マスク２１およびプレー
ト２３が図中実線で示す所定位置にある場合、二次元セ
ンサ１１上に結像する２つのスリット像の間隔はＬであ
る。
【００１８】図２において、マスク２１が図中上方に移
動して２１′（図中、破線で示す）の位置に、プレート
２３が図中上方に移動して２３′（図中、破線で示す）
の位置にくると、マスク２１およびプレート２３からの
反射光の二次元センサ１１上における受光位置は、それ
ぞれ図中下方にずれる。その結果、図中破線で示すよう
に、位置ずれした２つのスリット像の間隔はＬ′とな
る。ちなみに、マスク２１およびプレート２３が同じ距
離だけ図中同じ方向に移動した場合、すなわちマスク２
１とプレート２３との間隔が一定であれば、ＬとＬ′の
大きさが等しくなるように光学系が対称性をもって構成
されている。
動して２１′（図中、破線で示す）の位置に、プレート
２３が図中上方に移動して２３′（図中、破線で示す）
の位置にくると、マスク２１およびプレート２３からの
反射光の二次元センサ１１上における受光位置は、それ
ぞれ図中下方にずれる。その結果、図中破線で示すよう
に、位置ずれした２つのスリット像の間隔はＬ′とな
る。ちなみに、マスク２１およびプレート２３が同じ距
離だけ図中同じ方向に移動した場合、すなわちマスク２
１とプレート２３との間隔が一定であれば、ＬとＬ′の
大きさが等しくなるように光学系が対称性をもって構成
されている。
【００１９】図４は、等倍投影光学系とマスクおよびプ
レートとの共役関係を示す図である。図４において、マ
スク３１に形成されたパターンは、等倍投影光学系３２
を介してプレートのような基板３３上に結像する。マス
ク３１が図中上方に距離ｄだけ移動して破線で示すよう
に３１′の位置にくると、パターンの結像位置は基板３
３の位置より距離ｄだけ図中上方に移動する。すなわ
ち、マスク３１と基板３３との間隔を一定に保持するよ
うに、基板３３を図中破線で示す位置に移動すれば、共
役関係が保たれ転写パターンの焦点ずれが発生しない。
レートとの共役関係を示す図である。図４において、マ
スク３１に形成されたパターンは、等倍投影光学系３２
を介してプレートのような基板３３上に結像する。マス
ク３１が図中上方に距離ｄだけ移動して破線で示すよう
に３１′の位置にくると、パターンの結像位置は基板３
３の位置より距離ｄだけ図中上方に移動する。すなわ
ち、マスク３１と基板３３との間隔を一定に保持するよ
うに、基板３３を図中破線で示す位置に移動すれば、共
役関係が保たれ転写パターンの焦点ずれが発生しない。
【００２０】したがって、図１および図２に示すような
露光装置において、距離ＬおよびＬ′が常に一定になる
ように、駆動制御装置２８および駆動装置２９、３０に
よってマスク２１およびプレート２３のうち少なくとも
一方を移動制御すれば、転写パターンの焦点ずれを実質
的に回避することができる。また、マスク２１およびプ
レート２３からの反射光が図２中実線で示す光路を進
み、二次元センサ１１上においてそれぞれ所定位置で受
光されるように、ひいてはマスク２１およびプレート２
３がそれぞれ所定位置に位置決めされるように、マスク
２１およびプレート２３の双方を移動制御してもよい。
露光装置において、距離ＬおよびＬ′が常に一定になる
ように、駆動制御装置２８および駆動装置２９、３０に
よってマスク２１およびプレート２３のうち少なくとも
一方を移動制御すれば、転写パターンの焦点ずれを実質
的に回避することができる。また、マスク２１およびプ
レート２３からの反射光が図２中実線で示す光路を進
み、二次元センサ１１上においてそれぞれ所定位置で受
光されるように、ひいてはマスク２１およびプレート２
３がそれぞれ所定位置に位置決めされるように、マスク
２１およびプレート２３の双方を移動制御してもよい。
【００２１】図５は、マスクの自重による撓みおよびプ
レート表面の傾斜がある様子を示す図であって、（ａ）
は予備走査（非露光）前のマスクおよびプレートの様子
を、（ｂ）は予備走査後に位置決め補正されたマスクお
よびプレートの様子を示している。一般に、マスクは周
辺支持されているので自重による撓みが問題となる。ま
た、プレートはステージにより全面支持されているので
撓み変形は問題とならないが、表面傾斜が問題になる。
レート表面の傾斜がある様子を示す図であって、（ａ）
は予備走査（非露光）前のマスクおよびプレートの様子
を、（ｂ）は予備走査後に位置決め補正されたマスクお
よびプレートの様子を示している。一般に、マスクは周
辺支持されているので自重による撓みが問題となる。ま
た、プレートはステージにより全面支持されているので
撓み変形は問題とならないが、表面傾斜が問題になる。
【００２２】図５（ａ）に示すように、マスク４１が自
重により撓み、プレート４３の表面に傾斜が付いている
ような場合には、たとえばマスク４１の中心Ｏにおいて
プレート４３との間隔を所定間隔Ｈに保持しても、マス
ク４１とプレート４３の間隔を走査方向（図中矢印で示
す）に亘って所定間隔Ｈに保持することはできない。そ
の結果、図中矢印方向に走査しながら等倍投影光学系４
２を介してマスク４１に形成されたパターンをプレート
４３に転写すると、プレート４３の中央Ｏ′の付近では
焦点ずれが発生しないが周辺領域では転写パターンの焦
点ずれが発生してしまう。
重により撓み、プレート４３の表面に傾斜が付いている
ような場合には、たとえばマスク４１の中心Ｏにおいて
プレート４３との間隔を所定間隔Ｈに保持しても、マス
ク４１とプレート４３の間隔を走査方向（図中矢印で示
す）に亘って所定間隔Ｈに保持することはできない。そ
の結果、図中矢印方向に走査しながら等倍投影光学系４
２を介してマスク４１に形成されたパターンをプレート
４３に転写すると、プレート４３の中央Ｏ′の付近では
焦点ずれが発生しないが周辺領域では転写パターンの焦
点ずれが発生してしまう。
【００２３】そこで、図２の位置検出光学系を用いて、
非露光の状態で予備走査しながらマスク４１およびプレ
ート４３の位置情報を検出する。検出した位置情報に基
づいて、マスク４１とプレート４３との間隔と所定間隔
Ｈとの偏差が走査方向に亘ってできるだけ小さくなるよ
うに、マスク４１およびプレート４３の少なくとも一方
を位置決め制御する。こうして、図５（ｂ）に示すよう
に予備走査後に位置決め補正し、マスク４１に形成され
たパターンを等倍投影光学系４２を介してプレート４３
に転写すると、プレート４３のほぼ全面に亘り転写パタ
ーンの焦点ずれのない投影露光が可能になる。
非露光の状態で予備走査しながらマスク４１およびプレ
ート４３の位置情報を検出する。検出した位置情報に基
づいて、マスク４１とプレート４３との間隔と所定間隔
Ｈとの偏差が走査方向に亘ってできるだけ小さくなるよ
うに、マスク４１およびプレート４３の少なくとも一方
を位置決め制御する。こうして、図５（ｂ）に示すよう
に予備走査後に位置決め補正し、マスク４１に形成され
たパターンを等倍投影光学系４２を介してプレート４３
に転写すると、プレート４３のほぼ全面に亘り転写パタ
ーンの焦点ずれのない投影露光が可能になる。
【００２４】図６は、別の位置検出光学系の構成を示す
図である。図示の位置検出光学系は、ＬＥＤのような１
つの光源５１を備えている。光源５１を射出した光はレ
ンズ５２および視野スリット５３を介してビームスプリ
ッター５４に入射する。ビームスプリッター５４に入射
した光は、図中上方に向かう反射光束と図中左方向に進
む透過光束に分割される。反射光束は、開口絞り５５Ａ
および比較的大きな開口の対物レンズ５６Ａを介してマ
スク２１に斜入射する。一方、透過光束は開口絞り５５
Ｂおよび比較的大きな開口の対物レンズ５６Ｂを介して
プレート２３に斜入射する。
図である。図示の位置検出光学系は、ＬＥＤのような１
つの光源５１を備えている。光源５１を射出した光はレ
ンズ５２および視野スリット５３を介してビームスプリ
ッター５４に入射する。ビームスプリッター５４に入射
した光は、図中上方に向かう反射光束と図中左方向に進
む透過光束に分割される。反射光束は、開口絞り５５Ａ
および比較的大きな開口の対物レンズ５６Ａを介してマ
スク２１に斜入射する。一方、透過光束は開口絞り５５
Ｂおよび比較的大きな開口の対物レンズ５６Ｂを介して
プレート２３に斜入射する。
【００２５】マスク２１およびプレート２３で反射した
光は、それぞれレンズ５６Ａおよび５６Ｂを介して、さ
らにそれぞれ開口絞り５５Ａおよび５５Ｂを介して、プ
リズム６０に入射する。プリズム６０に入射した２つの
反射光は、ともに図中左方向に偏向され、それぞれ対応
する二次元センサ（またはＣＣＤのような一次元セン
サ）１１Ａおよび１１Ｂに入射する。各センサ１１Ａお
よび１１Ｂにおいて、対応する反射光の位置および光量
が電気信号に変換される。
光は、それぞれレンズ５６Ａおよび５６Ｂを介して、さ
らにそれぞれ開口絞り５５Ａおよび５５Ｂを介して、プ
リズム６０に入射する。プリズム６０に入射した２つの
反射光は、ともに図中左方向に偏向され、それぞれ対応
する二次元センサ（またはＣＣＤのような一次元セン
サ）１１Ａおよび１１Ｂに入射する。各センサ１１Ａお
よび１１Ｂにおいて、対応する反射光の位置および光量
が電気信号に変換される。
【００２６】各センサ１１Ａおよび１１Ｂでそれぞれ変
換された信号の大きさを信号処理部２４において判断
し、信号の大きさが各センサの適正入力レンジの範囲外
である場合には、信号の大きさが各センサの適正入力レ
ンジの範囲内に入るように、ゲインコントローラ２４
Ａ、２４Ｂによって各センサの入力ゲインを変更する。
入力ゲインの変更は、センサがたとえばＣＣＤの場合に
は、その蓄積時間を変更することによっても実現可能で
ある。また、信号処理部２４における入力ゲイン指令を
得るためのアルゴリズムは、図３において「光源の光量
指令」を「センサの入力ゲイン指令」と読み換えたアル
ゴリズムによって実現される。図６に示す位置検出光学
系の動作は、図２の位置検出光学系の動作と同様であ
り、重複する説明を省略する。ただし、図６において、
マスク２１およびプレート２３が図中上方に移動する
と、二次元センサ１１上の反射光受光位置が同じく図中
上方に移動する点は、図２の位置検出光学系の場合と逆
である。
換された信号の大きさを信号処理部２４において判断
し、信号の大きさが各センサの適正入力レンジの範囲外
である場合には、信号の大きさが各センサの適正入力レ
ンジの範囲内に入るように、ゲインコントローラ２４
Ａ、２４Ｂによって各センサの入力ゲインを変更する。
入力ゲインの変更は、センサがたとえばＣＣＤの場合に
は、その蓄積時間を変更することによっても実現可能で
ある。また、信号処理部２４における入力ゲイン指令を
得るためのアルゴリズムは、図３において「光源の光量
指令」を「センサの入力ゲイン指令」と読み換えたアル
ゴリズムによって実現される。図６に示す位置検出光学
系の動作は、図２の位置検出光学系の動作と同様であ
り、重複する説明を省略する。ただし、図６において、
マスク２１およびプレート２３が図中上方に移動する
と、二次元センサ１１上の反射光受光位置が同じく図中
上方に移動する点は、図２の位置検出光学系の場合と逆
である。
【００２７】なお、上述の実施例において、シリンドリ
カルレンズを介してスリット状の光束をその長手方向に
圧縮し、一次元センサで受光すれば受光光量が増大する
ので、Ｓ／Ｎ比の向上およびパターンの平均化効果を期
待することができる。また、上述の実施例では、位置検
出系として斜入射フォーカス検出光学系を使用する例を
説明したが、他の適当な位置検出手段を使用することが
できる。
カルレンズを介してスリット状の光束をその長手方向に
圧縮し、一次元センサで受光すれば受光光量が増大する
ので、Ｓ／Ｎ比の向上およびパターンの平均化効果を期
待することができる。また、上述の実施例では、位置検
出系として斜入射フォーカス検出光学系を使用する例を
説明したが、他の適当な位置検出手段を使用することが
できる。
【００２８】さらに、上述の実施例では、等倍投影光学
系を有する露光装置について本発明を説明したが、非等
倍の投影光学系を有する露光装置においても、マスクの
位置情報および基板の位置情報に基づいて、マスクと基
板との間隔が所定間隔になるように、あるいはマスクの
位置および基板の位置がそれぞれ所定位置になるように
位置決め制御して、転写パターンの焦点ずれを回避する
ことができる。
系を有する露光装置について本発明を説明したが、非等
倍の投影光学系を有する露光装置においても、マスクの
位置情報および基板の位置情報に基づいて、マスクと基
板との間隔が所定間隔になるように、あるいはマスクの
位置および基板の位置がそれぞれ所定位置になるように
位置決め制御して、転写パターンの焦点ずれを回避する
ことができる。
【００２９】たとえば、図１および図２に示す実施例に
おいて、投影光学系２２が１／Ｍ倍の縮小倍率を有する
場合を考える。ここで、二次元センサ１１上でのスリッ
ト像の結像位置を検出する方法では、レンズ６Ａの倍率
とレンズ６Ｂの倍率とが等しい場合には、二次元センサ
１１上に結像する視野スリット３Ａの像（マスク２１を
介した光による像）の移動量が視野スリット３Ｂの像
（プレート２３を介した光による像）の移動量のＭ2 倍
となるように、マスク２１またはプレート２３の位置決
めを制御すればよい。なお、二次元センサ１１上でのス
リット像の間隔を検出する方法では、視野スリット３Ａ
の像と視野スリット３Ｂの像との間隔が一定となるよう
に制御すればよい。また、レンズ６Ａとレンズ６Ｂとの
倍率を異なる（たとえば投影光学系が１／Ｍ倍のときに
は、レンズ６Ａの倍率をレンズ６Ｂの倍率の１／Ｍ2 と
する）ように設け、二次元センサ１１上での間隔が一定
となるように構成してもよい。上述のような構成は、投
影光学系２２が縮小倍率であるときのみに限られること
なく、投影光学系２２が拡大倍率を有する場合にも適用
することができる。
おいて、投影光学系２２が１／Ｍ倍の縮小倍率を有する
場合を考える。ここで、二次元センサ１１上でのスリッ
ト像の結像位置を検出する方法では、レンズ６Ａの倍率
とレンズ６Ｂの倍率とが等しい場合には、二次元センサ
１１上に結像する視野スリット３Ａの像（マスク２１を
介した光による像）の移動量が視野スリット３Ｂの像
（プレート２３を介した光による像）の移動量のＭ2 倍
となるように、マスク２１またはプレート２３の位置決
めを制御すればよい。なお、二次元センサ１１上でのス
リット像の間隔を検出する方法では、視野スリット３Ａ
の像と視野スリット３Ｂの像との間隔が一定となるよう
に制御すればよい。また、レンズ６Ａとレンズ６Ｂとの
倍率を異なる（たとえば投影光学系が１／Ｍ倍のときに
は、レンズ６Ａの倍率をレンズ６Ｂの倍率の１／Ｍ2 と
する）ように設け、二次元センサ１１上での間隔が一定
となるように構成してもよい。上述のような構成は、投
影光学系２２が縮小倍率であるときのみに限られること
なく、投影光学系２２が拡大倍率を有する場合にも適用
することができる。
【００３０】なお、上述の実施例においては、マスク２
１およびプレート２３上の一点における位置関係のみを
検出しているが、マスク２１およびプレート２３の大き
さが非常に大きい場合には、マスク２１およびプレート
２３の走査直交方向における複数の点において位置検出
を行ってもよい。この場合、複数の位置検出系を設け、
これらの位置検出系による検出結果に基づいて、マスク
２１およびプレート２３のうち少なくとも一方の位置を
制御すればよい。また、各実施例における二次元センサ
１１の代わりに、上述したようにＣＣＤのような一次元
センサの適用も可能である。
１およびプレート２３上の一点における位置関係のみを
検出しているが、マスク２１およびプレート２３の大き
さが非常に大きい場合には、マスク２１およびプレート
２３の走査直交方向における複数の点において位置検出
を行ってもよい。この場合、複数の位置検出系を設け、
これらの位置検出系による検出結果に基づいて、マスク
２１およびプレート２３のうち少なくとも一方の位置を
制御すればよい。また、各実施例における二次元センサ
１１の代わりに、上述したようにＣＣＤのような一次元
センサの適用も可能である。
【００３１】
【効果】以上説明したように、本発明では、たとえば斜
入射フォーカス検出光学系を利用してマスクおよび基板
の位置情報を検出し、等倍投影光学系の場合にはマスク
と基板との間隔が一定間隔を保つように位置決め制御す
る。その結果、大型のマスクに対しても転写パターンの
焦点ずれの少ない投影露光が可能になる。
入射フォーカス検出光学系を利用してマスクおよび基板
の位置情報を検出し、等倍投影光学系の場合にはマスク
と基板との間隔が一定間隔を保つように位置決め制御す
る。その結果、大型のマスクに対しても転写パターンの
焦点ずれの少ない投影露光が可能になる。
【図１】本発明の実施例にかかる露光装置の構成を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図２】図１の露光装置の位置検出系の構成を示す図で
ある。
ある。
【図３】図１および図２の各光源について適正な光量指
令を得るためのアルゴリズムを示すフローチャートであ
る。
令を得るためのアルゴリズムを示すフローチャートであ
る。
【図４】等倍投影光学系とマスクおよびプレートとの共
役関係を示す図である。
役関係を示す図である。
【図５】マスクの自重による撓みおよびプレート表面の
テーパがある様子を示す図であって、（ａ）は予備走査
（非露光）前のマスクおよびプレートの様子を、（ｂ）
は予備走査後に位置決め補正されたマスクおよびプレー
トの様子を示している。
テーパがある様子を示す図であって、（ａ）は予備走査
（非露光）前のマスクおよびプレートの様子を、（ｂ）
は予備走査後に位置決め補正されたマスクおよびプレー
トの様子を示している。
【図６】別の位置検出光学系の構成を示す図である。
【図７】従来の露光装置の構成を概略的に示す図であ
る。
る。
１ 光源 ２、６ レンズ ３ 視野スリット ４、７ ミラー ５、８ 開口絞り ６ レンズ １０ プリズム １１ 二次元センサまたはＣＣＤのような一次元セン
サ ２１ マスク ２２ 投影光学系 ２３ 基板 ２４ 信号処理部 ２４Ａ、２４Ｂ ゲインコントローラ ２７Ａ、２７Ｂ 光源制御装置 ２８ 駆動制御装置 ２９、３０ 駆動装置
サ ２１ マスク ２２ 投影光学系 ２３ 基板 ２４ 信号処理部 ２４Ａ、２４Ｂ ゲインコントローラ ２７Ａ、２７Ｂ 光源制御装置 ２８ 駆動制御装置 ２９、３０ 駆動装置
Claims (11)
- 【請求項１】 ほぼ等倍の投影光学系を介して第１の基
板上に形成されたパターンを第２の基板上に投影露光す
る露光装置において、 前記第１の基板および前記第２の基板の位置情報を検出
するための位置検出手段と、 前記位置検出手段が検出した位置情報に基づいて、前記
第１の基板と前記第２の基板との間隔を実質的に一定に
保つように、前記第１の基板および前記第２の基板のう
ち少なくとも一方の基板の位置決めを制御するための位
置決め制御手段を備えていることを特徴とする露光装
置。 - 【請求項２】 前記位置検出手段は、前記第１の基板お
よび前記第２の基板に光ビームを斜入射させるための光
入射手段と、前記第１の基板および前記第２の基板の各
々からの反射光を受光するための受光手段とを備え、 前記位置決め制御手段は、前記第１の基板からの反射光
を受光した位置および前記第２の基板からの反射光を受
光した位置に基づいて、前記第１の基板および前記第２
の基板のうち少なくとも一方の基板の位置決めを制御す
ることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。 - 【請求項３】 前記光入射手段は、前記第１の基板に光
ビームを斜入射させるための第１の光入射手段と、前記
第２の基板に光ビームを斜入射させるための第２の光入
射手段とを備えていることを特徴とする請求項２に記載
の露光装置。 - 【請求項４】 前記第１の基板からの反射光の光量およ
び前記第２の基板からの反射光の光量に応じて、第１の
光入射手段の光源の光量および前記第２の光入射手段の
光源の光量をそれぞれ制御するための光量制御手段を備
えていることを特徴とする請求項３に記載の露光装置。 - 【請求項５】 前記露光装置は、前記受光手段として、
前記第１の基板からの反射光を受光するための第１の受
光手段と、前記第２の基板からの反射光を受光するため
の第２の受光手段とを備えるとともに、前記第１の基板
からの反射光の光量および前記第２の基板からの反射光
の光量に応じて、前記第１の受光手段の感度および前記
第２の受光手段の感度をそれぞれ制御するための感度制
御手段を備えていることを特徴とする請求項２に記載の
露光装置。 - 【請求項６】 前記位置決め制御手段は、前記第１の基
板からの反射光を受光した位置と前記第２の基板からの
反射光を受光した位置との相対的な位置関係に基づい
て、前記第１の基板および前記第２の基板のうち少なく
とも一方の基板の位置決めを制御することを特徴とする
請求項２乃至５のいずれか１項に記載の露光装置。 - 【請求項７】 前記位置決め制御手段は、前記第１の基
板からの反射光を受光した位置および前記第２の基板か
らの反射光を受光した位置に基づいて、前記第１の基板
および前記第２の基板をそれぞれ所定位置に移動させる
ことを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載
の露光装置。 - 【請求項８】 前記第１の基板および前記第２の基板を
前記投影光学系に対して一方向に走査しながら投影露光
する装置であって、 前記位置検出手段は、非露光状態での予備走査において
前記第１の基板および前記第２の基板の複数の点におけ
る位置情報を検出し、 前記位置決め制御手段は、前記複数の点における前記位
置検出手段の位置情報に基づいて、前記第１の基板と前
記第２の基板との間隔を走査範囲に亘って実質的に一定
に保つように、前記第１の基板および前記第２の基板の
うち少なくとも一方の基板の位置決めを制御することを
特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の露光
装置。 - 【請求項９】 前記位置検出手段は、前記予備走査にお
いて前記第１の基板および前記第２の基板のほぼ全面に
亘る位置情報を検出することを特徴とする請求項８に記
載の露光装置。 - 【請求項１０】 投影光学系を介して第１の基板上に形
成されたパターンを第２の基板上に投影露光する露光装
置において、 前記第１の基板の位置情報および前記第２の基板の位置
情報を検出するための位置検出手段と、 前記第１の基板の位置情報および前記第２の基板の位置
情報に基づいて、前記第１の基板と前記第２の基板との
間隔が所定間隔になるように、前記第１の基板および前
記第２の基板のうち少なくとも一方の基板の位置決めを
制御するための位置決め制御手段を備えていることを特
徴とする露光装置。 - 【請求項１１】 前記位置決め制御手段は、前記第１の
基板の位置情報および前記第２の基板の位置情報に基づ
いて、前記第１の基板および前記第２の基板をそれぞれ
所定位置に移動させることを特徴とする請求項１０に記
載の露光装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6124597A JPH07221012A (ja) | 1993-12-06 | 1994-05-13 | 露光装置 |
| KR1019940032886A KR100363922B1 (ko) | 1993-12-06 | 1994-12-06 | 노광장치및노광방법 |
| US08/349,869 US5640227A (en) | 1993-12-06 | 1994-12-06 | Exposure apparatus and exposure method for minimizing defocusing of the transferred pattern |
| KR1020020037152A KR100382261B1 (ko) | 1993-12-06 | 2002-06-28 | 노광 장치 및 노광 방법 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33976993 | 1993-12-06 | ||
| JP5-339769 | 1993-12-06 | ||
| JP6124597A JPH07221012A (ja) | 1993-12-06 | 1994-05-13 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07221012A true JPH07221012A (ja) | 1995-08-18 |
Family
ID=26461257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6124597A Pending JPH07221012A (ja) | 1993-12-06 | 1994-05-13 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07221012A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0785472A3 (en) * | 1996-01-16 | 1998-01-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Scan type projection exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
| JPH10326738A (ja) * | 1997-05-23 | 1998-12-08 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| KR100441100B1 (ko) * | 2002-07-11 | 2004-07-19 | 엘지전자 주식회사 | 노광공정의 위치측정장치 및 위치측정방법 |
-
1994
- 1994-05-13 JP JP6124597A patent/JPH07221012A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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