JPH10242534A - 中空梁を有するマイクロデバイス及びその製造方法 - Google Patents
中空梁を有するマイクロデバイス及びその製造方法Info
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- JPH10242534A JPH10242534A JP9046363A JP4636397A JPH10242534A JP H10242534 A JPH10242534 A JP H10242534A JP 9046363 A JP9046363 A JP 9046363A JP 4636397 A JP4636397 A JP 4636397A JP H10242534 A JPH10242534 A JP H10242534A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 梁の反り及び撓みが極めて少なく、また、感
度が優れた中空梁を有するマイクロデバイス及びその製
造方法を提供する。 【解決手段】 その表面に凹部１２が形成されたシリコ
ン基板１１上に、凹部１２の周縁部上の部分２１と凹部
１２上に掛け渡された線状の梁部分２２とを有する３層
積層体が設けられている。この３層積層体は、ＳｉＯ2
膜１３、Ｓｉ3Ｎ4膜１４及びＳｉＯ2膜１５からなる。
そして、梁部分２２の中心部上には、単結晶シリコン層
１６からなる素子形成部が設けられている。
度が優れた中空梁を有するマイクロデバイス及びその製
造方法を提供する。 【解決手段】 その表面に凹部１２が形成されたシリコ
ン基板１１上に、凹部１２の周縁部上の部分２１と凹部
１２上に掛け渡された線状の梁部分２２とを有する３層
積層体が設けられている。この３層積層体は、ＳｉＯ2
膜１３、Ｓｉ3Ｎ4膜１４及びＳｉＯ2膜１５からなる。
そして、梁部分２２の中心部上には、単結晶シリコン層
１６からなる素子形成部が設けられている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、温度センサ、赤外
線センサ、振動センサ、加速度センサ及びマイクロジャ
イロ等のマイクロデバイス及びその製造方法に関し、特
に、シリコン基板からの熱影響を極力抑制することがで
きる中空梁を有するマイクロデバイス及びその製造方法
に関する。
線センサ、振動センサ、加速度センサ及びマイクロジャ
イロ等のマイクロデバイス及びその製造方法に関し、特
に、シリコン基板からの熱影響を極力抑制することがで
きる中空梁を有するマイクロデバイス及びその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】温度センサ等のマイクロデバイスはシリ
コン基板の上に形成されているが、このシリコン基板か
らの熱影響を最小限にするために、デバイスを梁により
支持したシリコン基板上に形成する技術が公知である。
コン基板の上に形成されているが、このシリコン基板か
らの熱影響を最小限にするために、デバイスを梁により
支持したシリコン基板上に形成する技術が公知である。
【０００３】図６は従来の中空梁を有するマイクロデバ
イスを示す断面図である。シリコン基板１の表面に凹部
２が形成されており、このシリコン基板１の上に、Ｓｉ
Ｏ2膜３及びＳｉ3Ｎ4膜４が形成されている。そして、
このＳｉＯ2膜３及びＳｉ3Ｎ4膜４は、凹部２上で細い
梁状（線状）にエッチング形成されており、この梁部の
中央に多結晶シリコン層５が設けられている。この多結
晶シリコン層５上に温度センサ等の機能素子が形成され
ている。この従来のマイクロデバイスにおいては、セン
サが形成された多結晶シリコン層５はＳｉＯ2膜３及び
Ｓｉ3Ｎ4膜４の積層体からなる梁上に支持され、基板と
してのこれらの積層体に対する接触面積が極めて小さい
ので、センサはその支持基板からの熱の影響を受けにく
いという利点がある。
イスを示す断面図である。シリコン基板１の表面に凹部
２が形成されており、このシリコン基板１の上に、Ｓｉ
Ｏ2膜３及びＳｉ3Ｎ4膜４が形成されている。そして、
このＳｉＯ2膜３及びＳｉ3Ｎ4膜４は、凹部２上で細い
梁状（線状）にエッチング形成されており、この梁部の
中央に多結晶シリコン層５が設けられている。この多結
晶シリコン層５上に温度センサ等の機能素子が形成され
ている。この従来のマイクロデバイスにおいては、セン
サが形成された多結晶シリコン層５はＳｉＯ2膜３及び
Ｓｉ3Ｎ4膜４の積層体からなる梁上に支持され、基板と
してのこれらの積層体に対する接触面積が極めて小さい
ので、センサはその支持基板からの熱の影響を受けにく
いという利点がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の中空梁を有するマイクロデバイスは、ＳｉＯ2膜３
とＳｉ3Ｎ4膜４との積層体で構成されているので、その
内部応力及び熱膨張の差により反り及び撓みが生じやす
いという欠点がある。また、温度センサ等の機能素子が
形成される基板は、多結晶シリコン層５であるので、単
結晶基板上に機能素子を形成した場合と比較して、その
感度が低い。
来の中空梁を有するマイクロデバイスは、ＳｉＯ2膜３
とＳｉ3Ｎ4膜４との積層体で構成されているので、その
内部応力及び熱膨張の差により反り及び撓みが生じやす
いという欠点がある。また、温度センサ等の機能素子が
形成される基板は、多結晶シリコン層５であるので、単
結晶基板上に機能素子を形成した場合と比較して、その
感度が低い。
【０００５】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、梁の反り及び撓みが極めて少なく、また、
感度が優れた中空梁を有するマイクロデバイス及びその
製造方法を提供することを目的とする。
のであって、梁の反り及び撓みが極めて少なく、また、
感度が優れた中空梁を有するマイクロデバイス及びその
製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る中空梁を有
するマイクロデバイスは、その表面に凹部が形成された
シリコン基板と、前記凹部周縁部上の部分と凹部上に掛
け渡された線状の梁部分とを有しシリコン酸化膜、シリ
コン窒化膜及びシリコン酸化膜の３層からなる３層体
と、前記梁部分の中心部上に設けられたシリコン層から
なる素子形成部とを有することを特徴とする。
するマイクロデバイスは、その表面に凹部が形成された
シリコン基板と、前記凹部周縁部上の部分と凹部上に掛
け渡された線状の梁部分とを有しシリコン酸化膜、シリ
コン窒化膜及びシリコン酸化膜の３層からなる３層体
と、前記梁部分の中心部上に設けられたシリコン層から
なる素子形成部とを有することを特徴とする。
【０００７】この中空梁を有するマイクロデバイスにお
いて、前記シリコン層は単結晶シリコン層であることが
好ましい。
いて、前記シリコン層は単結晶シリコン層であることが
好ましい。
【０００８】本発明に係る中空梁を有するマイクロデバ
イスの製造方法は、第１シリコン基板上に第１シリコン
酸化膜を形成する工程と、第２シリコン基板上に第２シ
リコン酸化膜とその上にシリコン窒化膜とを形成する工
程と、前記第１シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とを重
ねて第１及び第２シリコン基板を相互に接合する工程
と、前記第２シリコン基板を研削して所定の厚さにする
工程と、前記第２シリコン基板をエッチングして素子形
成部を形成する工程と、前記第１シリコン酸化膜、シリ
コン窒化膜及び第２シリコン酸化膜をエッチングして線
状の梁部分を形成する工程と、前記梁部分の下方の前記
第１シリコン基板の表層部をエッチングして前記梁部分
の下方に凹部を形成する工程と、を有することを特徴と
する。
イスの製造方法は、第１シリコン基板上に第１シリコン
酸化膜を形成する工程と、第２シリコン基板上に第２シ
リコン酸化膜とその上にシリコン窒化膜とを形成する工
程と、前記第１シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とを重
ねて第１及び第２シリコン基板を相互に接合する工程
と、前記第２シリコン基板を研削して所定の厚さにする
工程と、前記第２シリコン基板をエッチングして素子形
成部を形成する工程と、前記第１シリコン酸化膜、シリ
コン窒化膜及び第２シリコン酸化膜をエッチングして線
状の梁部分を形成する工程と、前記梁部分の下方の前記
第１シリコン基板の表層部をエッチングして前記梁部分
の下方に凹部を形成する工程と、を有することを特徴と
する。
【０００９】この中空梁を有するマイクロデバイスの製
造方法において、前記第２シリコン基板は単結晶シリコ
ン基板であることが好ましい。
造方法において、前記第２シリコン基板は単結晶シリコ
ン基板であることが好ましい。
【００１０】本発明においては、梁部分はシリコン酸化
膜、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜の３層積層体か
ら構成されており、同種の２層に異種の１層が挟まれて
いるので、温度変化が生じてもそれにより梁部分に反り
及び撓みが生じることはない。また、本発明方法におい
ては、第１シリコン基板と第２シリコン基板とを貼り合
わせ、その後、前記第２シリコン基板を研削して所定厚
さにすることにより、素子形成用のシリコン層を形成す
るので、この素子の基板となるシリコン層は単結晶シリ
コン基板とすることができる。このため、この単結晶シ
リコン層上に感温素子等の機能素子を形成すれば、感度
が高いマイクロデバイスを得ることができる。
膜、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜の３層積層体か
ら構成されており、同種の２層に異種の１層が挟まれて
いるので、温度変化が生じてもそれにより梁部分に反り
及び撓みが生じることはない。また、本発明方法におい
ては、第１シリコン基板と第２シリコン基板とを貼り合
わせ、その後、前記第２シリコン基板を研削して所定厚
さにすることにより、素子形成用のシリコン層を形成す
るので、この素子の基板となるシリコン層は単結晶シリ
コン基板とすることができる。このため、この単結晶シ
リコン層上に感温素子等の機能素子を形成すれば、感度
が高いマイクロデバイスを得ることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について、
添付の図面を参照して具体的に説明する。図１は、本発
明の実施例に係るマイクロデバイスを示す断面図（ａ）
及び平面図（ｂ）である。シリコン基板１１の表面（貼
り合わせ面）には、凹部１２が形成されており、このシ
リコン基板１１の上に、ＳｉＯ2膜１３、Ｓｉ3Ｎ4膜１
４及びＳｉＯ2膜１５からなる３層積層体が形成されて
いる。この積層体はシリコン基板１１の凹部１２の周縁
部上の部分２１と、凹部１２上の梁部分２２とからな
り、梁部分２２は、周縁部上部分２１の４隅部からその
中心部に向けて延びる線状のものである。そして、梁部
分２２はこの線状の部分が集まる中心部に矩形の部分を
有する。この積層体の中心部の矩形部分上に、矩形の単
結晶シリコン層１６が設けられている。この単結晶シリ
コン層１６には、酸素センサ等の機能素子が形成されて
いる。
添付の図面を参照して具体的に説明する。図１は、本発
明の実施例に係るマイクロデバイスを示す断面図（ａ）
及び平面図（ｂ）である。シリコン基板１１の表面（貼
り合わせ面）には、凹部１２が形成されており、このシ
リコン基板１１の上に、ＳｉＯ2膜１３、Ｓｉ3Ｎ4膜１
４及びＳｉＯ2膜１５からなる３層積層体が形成されて
いる。この積層体はシリコン基板１１の凹部１２の周縁
部上の部分２１と、凹部１２上の梁部分２２とからな
り、梁部分２２は、周縁部上部分２１の４隅部からその
中心部に向けて延びる線状のものである。そして、梁部
分２２はこの線状の部分が集まる中心部に矩形の部分を
有する。この積層体の中心部の矩形部分上に、矩形の単
結晶シリコン層１６が設けられている。この単結晶シリ
コン層１６には、酸素センサ等の機能素子が形成されて
いる。
【００１２】このように構成されたマイクロデバイスに
おいては、単結晶シリコン層１６に機能素子が形成され
ているので、温度センサ等の感度が優れている。また、
図５（ａ）に示すように、ＳｉＯ2膜はＳｉ層に比して
熱膨張係数が大きく、このため、温度が上昇すると積層
体はＳｉＯ2膜が外側になるように撓み、図５（ｂ）に
示すように、Ｓｉ3Ｎ4膜はＳｉ層に比して熱膨張係数が
低く、このため、温度が上昇すると積層体はＳｉ3Ｎ4膜
が内側になるように撓む。このように、酸化膜と窒化膜
とは逆向きの応力を有する。従って、本実施例のよう
に、ＳｉＯ2膜１３と、Ｓｉ3Ｎ4膜１４と、ＳｉＯ2膜１
５とを積層した３層構造の梁においては、熱膨張係数が
小さいＳｉ3Ｎ4膜を中心とし熱膨張係数が大きなＳｉＯ
2膜がその両側に配置されているので、２つの界面にお
いて逆の向きの応力を受け、ＳｉＯ2膜１３，１５とＳ
ｉ3Ｎ4膜１４との熱膨張が相殺し合うので、反り及び撓
みが発生することはない。
おいては、単結晶シリコン層１６に機能素子が形成され
ているので、温度センサ等の感度が優れている。また、
図５（ａ）に示すように、ＳｉＯ2膜はＳｉ層に比して
熱膨張係数が大きく、このため、温度が上昇すると積層
体はＳｉＯ2膜が外側になるように撓み、図５（ｂ）に
示すように、Ｓｉ3Ｎ4膜はＳｉ層に比して熱膨張係数が
低く、このため、温度が上昇すると積層体はＳｉ3Ｎ4膜
が内側になるように撓む。このように、酸化膜と窒化膜
とは逆向きの応力を有する。従って、本実施例のよう
に、ＳｉＯ2膜１３と、Ｓｉ3Ｎ4膜１４と、ＳｉＯ2膜１
５とを積層した３層構造の梁においては、熱膨張係数が
小さいＳｉ3Ｎ4膜を中心とし熱膨張係数が大きなＳｉＯ
2膜がその両側に配置されているので、２つの界面にお
いて逆の向きの応力を受け、ＳｉＯ2膜１３，１５とＳ
ｉ3Ｎ4膜１４との熱膨張が相殺し合うので、反り及び撓
みが発生することはない。
【００１３】次に、図２乃至図４及び図１に基づいて本
実施例のマイクロデバイスの製造方法について説明す
る。先ず、図２に示すように、第１シリコン基板１１上
に、ＳｉＯ2膜１３を例えば５０００Åの厚さに形成す
る。一方、ボンドシリコン基板１７の表面にＳｉＯ2膜
１５を例えば５０００Åの厚さに形成し、更にこのＳｉ
Ｏ2膜１５の上にＳｉ3Ｎ4膜１４を例えば１５００Åの
厚さに形成する。
実施例のマイクロデバイスの製造方法について説明す
る。先ず、図２に示すように、第１シリコン基板１１上
に、ＳｉＯ2膜１３を例えば５０００Åの厚さに形成す
る。一方、ボンドシリコン基板１７の表面にＳｉＯ2膜
１５を例えば５０００Åの厚さに形成し、更にこのＳｉ
Ｏ2膜１５の上にＳｉ3Ｎ4膜１４を例えば１５００Åの
厚さに形成する。
【００１４】そして、図３に示すように、Ｓｉ3Ｎ4膜１
４とＳｉＯ2膜１３とを重ね、挟圧力を印加しつつ例え
ば１１００℃に加熱することにより、両者を直接接合す
る。
４とＳｉＯ2膜１３とを重ね、挟圧力を印加しつつ例え
ば１１００℃に加熱することにより、両者を直接接合す
る。
【００１５】更に、図４に示すように、ボンド基板１７
における接合面の反対側の面を研磨し、その厚さを例え
ば５μｍにする。このようにして、薄膜の単結晶シリコ
ン層１８を得る。
における接合面の反対側の面を研磨し、その厚さを例え
ば５μｍにする。このようにして、薄膜の単結晶シリコ
ン層１８を得る。
【００１６】次いで、単結晶シリコン層１８に酸素セン
サ等の所定の機能素子を半導体薄膜形成技術により形成
する。その後、図１（ｂ）に示すように、単結晶シリコ
ン層１８をエッチングによりパターニングすることによ
り、中心部に微細な素子１６を残存させる。次いで、Ｓ
ｉＯ2膜１５，Ｓｉ3Ｎ4膜１４及びＳｉＯ2膜１３からな
る積層体をエッチングして、ブリッジとなる梁部分２２
をパターン形成する。更に、梁部分の下方のシリコン基
板１１を所定形状にエッチングすることにより、シリコ
ン基板１１の表面に矩形の凹部１２を形成する。
サ等の所定の機能素子を半導体薄膜形成技術により形成
する。その後、図１（ｂ）に示すように、単結晶シリコ
ン層１８をエッチングによりパターニングすることによ
り、中心部に微細な素子１６を残存させる。次いで、Ｓ
ｉＯ2膜１５，Ｓｉ3Ｎ4膜１４及びＳｉＯ2膜１３からな
る積層体をエッチングして、ブリッジとなる梁部分２２
をパターン形成する。更に、梁部分の下方のシリコン基
板１１を所定形状にエッチングすることにより、シリコ
ン基板１１の表面に矩形の凹部１２を形成する。
【００１７】本実施例においては、このシリコン基板１
１のエッチング時に、ボンドシリコン基板側にＳｉ3Ｎ4
膜１４が形成されているので、引張り応力が印加された
シリコン基板１１と、圧縮応力が印加されたシリコン基
板１８との接合界面にエッチング液が入り込むことがな
い。このため、図１に示すシリコン基板１１の凹部１２
を形成する際に、ＳｉＯ2膜１３と、Ｓｉ3Ｎ4膜１４と
の界面にエッチング液が入り込み、ウエハが剥離するよ
うなことはない。
１のエッチング時に、ボンドシリコン基板側にＳｉ3Ｎ4
膜１４が形成されているので、引張り応力が印加された
シリコン基板１１と、圧縮応力が印加されたシリコン基
板１８との接合界面にエッチング液が入り込むことがな
い。このため、図１に示すシリコン基板１１の凹部１２
を形成する際に、ＳｉＯ2膜１３と、Ｓｉ3Ｎ4膜１４と
の界面にエッチング液が入り込み、ウエハが剥離するよ
うなことはない。
【００１８】また、本実施例においては、ボンド基板を
貼り合わせ、このボンド基板を研磨することにより、機
能素子を形成する薄膜のシリコン層を得ているので、機
能素子を形成する薄膜シリコン層を単結晶シリコン層と
することができる。このため、本実施例により、感度が
優れたセンサ素子を容易に得ることができる。
貼り合わせ、このボンド基板を研磨することにより、機
能素子を形成する薄膜のシリコン層を得ているので、機
能素子を形成する薄膜シリコン層を単結晶シリコン層と
することができる。このため、本実施例により、感度が
優れたセンサ素子を容易に得ることができる。
【００１９】なお、本発明は上記実施例に限定されず、
例えば、凹部の代わりに、シリコン基板を貫通する凹部
とすることもできる。
例えば、凹部の代わりに、シリコン基板を貫通する凹部
とすることもできる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
機能素子を形成するシリコン層を支持する梁部分に、シ
リコン酸化膜と、シリコン窒化膜と、シリコン酸化膜と
の３層積層体を使用しているので、梁部分に反り及び撓
みが生じることを防止できる。また、シリコン窒化膜と
シリコン酸化膜とを直接接合しているので、界面の密着
性がよい膜を形成することができ、このため、シリコン
基板のエッチング時の薬品のしみ込みを防止することが
できる。更に、素子形成用のシリコン層として単結晶シ
リコン層を使用した場合は、高感度の素子を得ることが
できる。
機能素子を形成するシリコン層を支持する梁部分に、シ
リコン酸化膜と、シリコン窒化膜と、シリコン酸化膜と
の３層積層体を使用しているので、梁部分に反り及び撓
みが生じることを防止できる。また、シリコン窒化膜と
シリコン酸化膜とを直接接合しているので、界面の密着
性がよい膜を形成することができ、このため、シリコン
基板のエッチング時の薬品のしみ込みを防止することが
できる。更に、素子形成用のシリコン層として単結晶シ
リコン層を使用した場合は、高感度の素子を得ることが
できる。
【図１】本発明の実施例を示す図であり、（ａ）は断面
図、（ｂ）は平面図である。
図、（ｂ）は平面図である。
【図２】本発明の実施例方法を示す１工程の図である。
【図３】図２の次の工程を示す図である。
【図４】図３の次の工程を示す図である。
【図５】反りを説明する図である。
【図６】従来のマイクロデバイスを示す断面図である。
【符号の説明】 １，１１：シリコン基板 ２，１２：凹部 ３，１３，１５：ＳｉＯ2膜 ４，１４：Ｓｉ3Ｎ4膜 １７：ボンドシリコン基板 １６，１８：単結晶シリコン層
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 31/0248 Ｈ０１Ｌ 31/08 Ｋ
Claims (4)
- 【請求項１】 その表面に凹部が形成されたシリコン基
板と、前記凹部周縁部上の部分と凹部上に掛け渡された
線状の梁部分とを有しシリコン酸化膜、シリコン窒化膜
及びシリコン酸化膜の３層からなる３層体と、前記梁部
分の中心部上に設けられたシリコン層からなる素子形成
部とを有することを特徴とする中空梁を有するマイクロ
デバイス。 - 【請求項２】 前記シリコン層は単結晶シリコン層であ
ることを特徴とする請求項１に記載の中空梁を有するマ
イクロデバイス。 - 【請求項３】 第１シリコン基板上に第１シリコン酸化
膜を形成する工程と、第２シリコン基板上に第２シリコ
ン酸化膜とその上にシリコン窒化膜とを形成する工程
と、前記第１シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とを重ね
て第１及び第２シリコン基板を相互に接合する工程と、
前記第２シリコン基板を研削して所定の厚さにする工程
と、前記第２シリコン基板をエッチングして素子形成部
を形成する工程と、前記第１シリコン酸化膜、シリコン
窒化膜及び第２シリコン酸化膜をエッチングして線状の
梁部分を形成する工程と、前記梁部分の下方の前記第１
シリコン基板の表層部をエッチングして前記梁部分の下
方に凹部を形成する工程と、を有することを特徴とする
中空梁を有するマイクロデバイスの製造方法。 - 【請求項４】 前記第２シリコン基板は単結晶シリコン
基板であることを特徴とする請求項３に記載の中空梁を
有するマイクロデバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04636397A JP3585337B2 (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | 中空梁を有するマイクロデバイス及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04636397A JP3585337B2 (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | 中空梁を有するマイクロデバイス及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242534A true JPH10242534A (ja) | 1998-09-11 |
| JP3585337B2 JP3585337B2 (ja) | 2004-11-04 |
Family
ID=12745080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04636397A Expired - Fee Related JP3585337B2 (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | 中空梁を有するマイクロデバイス及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3585337B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101793531A (zh) * | 2008-12-23 | 2010-08-04 | 霍尼韦尔国际公司 | 同时监控多种状态的基于表面声波的微传感器装置和方法 |
| JP2010256370A (ja) * | 2010-08-06 | 2010-11-11 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 赤外線センサ |
| US8426864B2 (en) | 2008-09-25 | 2013-04-23 | Panasonic Corporation | Infrared sensor |
| US8445848B2 (en) | 2009-03-31 | 2013-05-21 | Panasonic Corporation | Infrared array sensor |
-
1997
- 1997-02-28 JP JP04636397A patent/JP3585337B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8426864B2 (en) | 2008-09-25 | 2013-04-23 | Panasonic Corporation | Infrared sensor |
| CN101793531A (zh) * | 2008-12-23 | 2010-08-04 | 霍尼韦尔国际公司 | 同时监控多种状态的基于表面声波的微传感器装置和方法 |
| US8317392B2 (en) * | 2008-12-23 | 2012-11-27 | Honeywell International Inc. | Surface acoustic wave based micro-sensor apparatus and method for simultaneously monitoring multiple conditions |
| US8445848B2 (en) | 2009-03-31 | 2013-05-21 | Panasonic Corporation | Infrared array sensor |
| JP2010256370A (ja) * | 2010-08-06 | 2010-11-11 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 赤外線センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3585337B2 (ja) | 2004-11-04 |
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